專利名稱：微芯片的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在化學(xué)、生物化學(xué)、醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域中使用的微芯片的制造方法，該微芯片形成有微細(xì)的流路、回路，特別是降低了熒光。
背景技術(shù)：
在化學(xué)、生物化學(xué)、醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域中，在需要在微細(xì)流路的空間中進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)、分離、分析、檢測等的情況下，有時(shí)使用在硅基板、玻璃基板上形成有微細(xì)的流路、回路的微芯片。然而，在對硅、玻璃等無機(jī)材料進(jìn)行微細(xì)加工的方法中，制造費(fèi)用高，而且制造時(shí)間也長，因此存在特別是不適合在使用一次之后就舍棄的(一次性的)用途中所使用的問題。因此，在專利文獻(xiàn)I中提出了如圖9所示那樣使用形成有微小流路的一對樹脂基板的微芯片的制造方法。在該微芯片的制造方法中，首先，如圖9(a)所示，從真空紫外線光源910對表面形成有微小流路的槽905的樹脂基板903與樹脂蓋基板904的應(yīng)接合的各自的表面照射真空紫外線911，來在樹脂基板903的表面形成表面改性層907，并且在樹脂蓋基板904的表面形成表面改性層908。接著，如圖9 (b)所示，使表面改性層907與表面改性層908對置地重合，然后進(jìn)行加熱/加壓，使兩個(gè)基板接合。由此，能夠通過簡便的方法廉價(jià)且容易地制造流路的截面構(gòu)造穩(wěn)定性、耐壓性能等優(yōu)良的微芯片?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1:日本特開2006-187730號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問·題然而，在如現(xiàn)有例那樣的制造方法中，在一對樹脂基板的粘接中使用紫外光，導(dǎo)致在被照射過該紫外光的樹脂基板的表面上產(chǎn)生熒光。因此，在對檢體附加熒光標(biāo)記來進(jìn)行測定的熒光標(biāo)識法的情況下，如果使用該微芯片，則存在如下問題:在樹脂基板的表面上產(chǎn)生的熒光對測定帶來壞影響，檢測精度降低。另一方面，在一對樹脂基板的粘接中使用粘接劑的情況下，存在如下問題:在粘接劑本身中含有大量的發(fā)出熒光的物質(zhì)，比通過紫外光的照射來制作的微芯片更對測定帶來壞影響，檢測精度進(jìn)一步降低。本發(fā)明用于解決上述問題，其目的在于提供一種降低了熒光的微芯片的制造方法。用于解決問題的方案為了解決該問題，在本發(fā)明的微芯片的制造方法中，該微芯片具有對置的面相互粘接的一對樹脂基材，在上述對置的面中的至少一面上形成有凹部，該微芯片的制造方法的特征在于，在向上述一對樹脂基材被粘接之前的上述對置的面照射紫外區(qū)域的波長的光即紫外光之后，向被照射過上述紫外光的上述一對樹脂基材的上述對置的面照射實(shí)質(zhì)上包含可見區(qū)域的波長的光的可見光。
據(jù)此，本發(fā)明的微芯片的制造方法中，將可見光照射到被照射過紫外光的一對樹脂基材的對置的面，由此因紫外光產(chǎn)生的具有熒光發(fā)光性的熒光分子成為激發(fā)狀態(tài)，引起電子向樹脂基材所包含的其它高分子的移動，成為非熒光分子。由此，能夠降低微芯片的熒光。另外，本發(fā)明的微芯片的制造方法的特征在于，上述可見光是實(shí)質(zhì)上包含從380nm至800nm的波長的光的來自光源的光。據(jù)此，由于是幾乎不包含紫外光的實(shí)質(zhì)上包含從380nm至800nm的波長的光的可見光，因此不會新生成因紫外光的照射所產(chǎn)生的具有熒光發(fā)光性的熒光分子，能夠?qū)⒃谧贤夤夤ば蛑挟a(chǎn)生的熒光分子可靠地變成非熒光分子。由此，能夠進(jìn)一步降低微芯片的熒光。另外，本發(fā)明的微芯片的制造方法的特征在于，上述一對樹脂基材中的至少一個(gè)是使上述可見光透射的光透射性基材，上述制造方法包括以下工序:紫外光工序，向上述一對樹脂基材被粘接之前的上述對置的面照射上述紫外光；粘接工序，使上述紫外光工序后的上述對置的面相互接觸來將上述一對樹脂基材粘接；以及可見光工序，在上述粘接工序后，從上述光透射性基材一側(cè)照射上述可見光。據(jù)此，在紫外光工序之后進(jìn)行粘接工序，在粘接工序之后進(jìn)行照射可見光的可見光工序，因此將因紫外光產(chǎn)生的具有熒光發(fā)光性的熒光分子可靠地變成非熒光分子，并且不會降低一對樹脂基材的貼緊性，能夠使一對樹脂基材的粘接可靠。由此，能夠制作除了能夠進(jìn)一步降低微芯片的熒光以外耐壓性能等也優(yōu)良的微芯片。本發(fā)明的微芯片的制造方法的特征在于，包括以下工序:紫外光工序，向上述一對樹脂基材被粘接之前的上述對置的面照射上述紫外光；可見光工序，向被照射過上述紫外光的上述一對樹脂基材的上述對置的面照射上述可見光；以及粘接工序，使上述可見光工序后的上述對置的面相互接觸來將上述一對樹脂基材粘接。

據(jù)此，在紫外光工序之后進(jìn)行向被照射過紫外光的樹脂基材的對置的各面照射可見光的可見光工序，在可見光工序之后進(jìn)行粘接工序，因此能夠?qū)⒁蜃贤夤猱a(chǎn)生的具有熒光發(fā)光性的熒光分子可靠地變成非熒光分子。由此，能夠進(jìn)一步降低微芯片的熒光。本發(fā)明的微芯片的制造方法的特征在于，上述樹脂基材中的至少一個(gè)是環(huán)烯烴聚合物或環(huán)烯烴共聚物。據(jù)此，由于樹脂基材是自身熒光少的環(huán)烯烴聚合物或環(huán)烯烴共聚物，因此能夠?qū)⒁蜃贤夤猱a(chǎn)生的具有熒光發(fā)光性的熒光分子更可靠地變成非熒光分子。由此，能夠更進(jìn)一步降低微芯片的熒光。發(fā)明效果本發(fā)明的微芯片的制造方法將可見光照射到被照射過紫外光的一對樹脂基材的對置的面，從而因紫外光產(chǎn)生的具有熒光發(fā)光性的熒光分子成為激發(fā)狀態(tài)，引起電子向樹脂基材所包含的其它高分子的移動，成為非熒光分子。由此，能夠降低微芯片的熒光。因而，本發(fā)明的微芯片的制造方法能夠提供降低了熒光的微芯片的制造方法。


圖1是說明使用本發(fā)明的制造方法制作的微芯片的結(jié)構(gòu)圖，圖1(a)是俯視圖，圖1(b)是側(cè)視圖，圖1(c)是圖1(a)的1-1線的剖視圖。
圖2是說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的微芯片的制造方法的一例的圖，是說明紫外光工序、粘接工序、可見光工序的結(jié)構(gòu)圖。圖3是表示在本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的微芯片的制造方法的可見光工序中使用的可見光相對于波長的相對光強(qiáng)度的圖表。圖4是表示其它光源的相對于波長的相對光強(qiáng)度的圖表，圖4(a)是LED光源的光的一例，圖4(b)是自然光(陽光)。圖5是使用了本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的微芯片的制造方法的實(shí)施例1的測定結(jié)果，是測定了相對于波長的熒光光譜的圖表。

圖6是說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的微芯片的制造方法的一例的圖，是說明紫外光工序、可見光工序、粘接工序的結(jié)構(gòu)圖。圖7是使用了本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的微芯片的制造方法的實(shí)施例2的測定結(jié)果，是表不相對于波長的突光光譜的圖表。圖8是說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的微芯片的制造方法的變形例2的圖，是說明紫外光工序、可見光工序、粘接工序的結(jié)構(gòu)圖。圖9是說明現(xiàn)有例中的微芯片的制造方法的圖，是表示真空紫外線處理工藝和接合工藝的示意圖。
具體實(shí)施例方式下面，參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式。[第一實(shí)施方式]圖1是說明使用本發(fā)明的制造方法制作的微芯片101的結(jié)構(gòu)圖，圖1(a)是俯視圖，圖1(b)是側(cè)視圖，圖1(c)是圖1(a)的1-1線的剖視圖。圖2是說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的微芯片101的制造方法的一例的圖，圖2(a)和圖2(b)是表示向光透射性基材2和樹脂基材I照射紫外光UV的紫外光工序Pll的結(jié)構(gòu)圖，圖2(c)是粘接工序P12中的使粘接前的光透射性基材2與樹脂基材I對置的結(jié)構(gòu)圖，圖2(d)是說明向微芯片101照射可見光VL的可見光工序P13的結(jié)構(gòu)圖。如圖1所示，使用本發(fā)明的制造方法制作的微芯片101由通過凹部3形成了微小流路的一對樹脂基材形成，在作為一個(gè)樹脂基材的樹脂基材I的一面形成有凹部3，與作為另一個(gè)樹脂基材的光透射性基材2互相對置的面4彼此被粘接。在光透射性基材2中，在多處設(shè)置有用于注入試料的注入孔16。光透射性基材2要求是在后述的可見光工序P13中使可見光VL透射那樣的透光性的基材，使用環(huán)烯烴聚合物(C0P)、環(huán)烯烴共聚物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PO、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、非晶聚烯烴等材質(zhì)，特別是環(huán)烯烴聚合物(C0P)、環(huán)烯烴共聚物(COC)是自身熒光少的合成樹脂材料，因此適合使用。另外，考慮強(qiáng)度、加工性以及與光透射性基材2的粘接性等，樹脂基材I使用環(huán)烯烴聚合物(COP)、環(huán)烯烴共聚物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚二甲基硅氧烷(PDMS)等硅酮樹脂、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、非晶聚烯烴等材質(zhì)，與光透射性基材2同樣地，特別是環(huán)烯烴聚合物(C0P)、環(huán)烯烴共聚物(COC)是自身熒光少的合成樹脂材料，因此適合使用。
接著，說明微芯片101的制造方法。微芯片101的制造方法由如下工序構(gòu)成:紫外光工序P11，向一對樹脂基材被粘接之前的對置的面4照射紫外光UV ;粘接工序P12，使紫外光工序Pll后的對置的面4相互接觸來將一對樹脂基材粘接；以及可見光工序P13，在粘接工序P12后從作為一個(gè)樹脂基材的光透射性基材2側(cè)照射可見光VL。首先，如圖2(a)和圖2(b)所示，使用紫外光燈111向包括粘接面的樹脂基材I的對置的面4(B4)和光透射性基材2的對置的面4(A4)照射紫外區(qū)域的波長的光即紫外光UV(紫外光工序PU)。特別是，紫外光UV優(yōu)選使用在后述的粘接工序P12中能夠期待粘接性能的提高的作為波長IOOnm 200nm的紫外光的真空紫外光(VUV)。另外，向樹脂基材I和光透射性基材2照射紫外光UV的工序既可以同時(shí)進(jìn)行，也可以分開進(jìn)行。接著，如圖2(c)所示，在使照射了紫外光UV的樹脂基材I的對置的面B4與光透射性基材2的對置的面A4對置之后，在使樹脂基材I的對置的面B4與光透射性基材2的對置的面A4相互接觸的狀態(tài)下升溫，由此將樹脂基材I與光透射性基材2粘接(粘接工序P12)。另外，粘接工序P12中的升溫在所使用的合成樹脂材料的玻璃轉(zhuǎn)化以下的溫度下進(jìn)行，但是，如果一邊向樹脂基材I與光透射性基材2的對置的面4相互貼緊的方向加壓一邊升溫，則貼緊性進(jìn)一步提高，更為優(yōu)選。另外，作為將樹脂基材I與光透射性基材2粘接的方法，除此以外還可考慮使用粘接劑的接合/密封方法，但是，由于粘接劑本身所具有的自身熒光大，因此使用粘接劑的方法并不理想。另外，除此以外還可考慮利用熱熔接的接合/密封方法，但是利用該方法的粘接通常在合成樹脂的玻璃轉(zhuǎn)化點(diǎn)以上的溫度下進(jìn)行，因此有時(shí)在粘接時(shí)基板變形，失去作為微芯片的功能。并且，基板的變形的影響在流路的寬度變細(xì)的情況或者使流路圖案復(fù)雜的情況下更為突出，因此在利用熱熔接進(jìn)行粘接時(shí)難以實(shí)現(xiàn)微芯片的高功能化。最后，如圖2 (d)所示，使用可見光燈333從光透射性基材2側(cè)向粘接工序P12結(jié)束后的微芯片101照射包含可 見區(qū)域的波長的光的可見光VL(可見光工序P13)。由于光透射性基材2是使可見光VL透射的透光性的基材，因此可見光VL被照射到被照射紫外光UV的樹脂基材I的包括凹部3的對置的面B4和光透射性基材2的對置的面A4。由此，通過可見光VL被照射到被照射過紫外光UV的樹脂基材I的包括凹部3的對置的面B4和光透射性基材2的對置的面A4，從而由紫外光UV產(chǎn)生的具有熒光發(fā)光性的熒光分子成為激發(fā)狀態(tài)，引起電子向各合成樹脂材料中所包含的其它聞分子的移動，成為非突光分子。由此，能夠降低微芯片101的突光。另外，在可見光工序P13的可見光VL的照射中，也可以與可見光燈333 —起使用使380nm以下的波長的光截止的紫外線截止濾波器。由此，照射到樹脂基材I的包括凹部3的對置的面B4和光透射性基材2的對置的面A4的光成為幾乎不包含紫外光的實(shí)質(zhì)上包含從380nm至800nm的波長的光的可見光VL。因此，不會新生成因照射紫外光UV而產(chǎn)生的具有熒光發(fā)光性的熒光分子，能夠?qū)⒃谧贤夤夤ば騊ll中產(chǎn)生的熒光分子可靠地形成為非熒光分子。由此，能夠進(jìn)一步降低微芯片101的熒光。另外，本發(fā)明的微芯片101的制造方法在紫外光工序Pll之后進(jìn)行粘接工序P12,在粘接工序P12之后進(jìn)行照射可見光VL的可見光工序P13。由此，將因紫外光UV產(chǎn)生的具有熒光發(fā)光性的熒光分子可靠地變成非熒光分子，并且不會降低樹脂基材I與光透射性基材2的貼緊性，能夠使樹脂基材I與光透射性基材2的粘接可靠。由此，能夠制作除了能夠進(jìn)一步降低微芯片101的熒光以外耐壓性能等也優(yōu)良的微芯片101。<實(shí)施例1>下面，通過實(shí)施例1更詳細(xì)說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式。本發(fā)明不限定于以下所示的實(shí)施例。首先，作為樹脂基材I和光透射性基材2，使用由環(huán)烯烴聚合物(日本七' 才 >公司制、ZE0NEX330R、玻璃轉(zhuǎn)化點(diǎn)123°C )構(gòu)成的一對樹脂基材(70mmX20mm、厚度2mm)。樹脂基材I的凹部3、光透射性基材2的注入孔16是通過對該樹脂基材分別進(jìn)行機(jī)械加工來制作的。接著，通過Xe準(zhǔn)分子燈(々V才電機(jī)公司(USH10 INC.)制、UER20-172A)向樹脂基材I的對置的面B4和光透射性基材2的對置的面A4各自的表面照射紫外光UV(波長172nm)。紫外光UV的照射在大氣中進(jìn)行，將燈與樹脂基材I的表面的距離以及燈與光透射性基材2的表面的距離設(shè)為5mm，將照射強(qiáng)度設(shè)為lOmW/cm2，將照射時(shí)間設(shè)為60分鐘。將紫外光UV的照射面設(shè)為各自的粘接的整個(gè)粘接面。接著，使紫外光工序Pll結(jié)束后的樹脂基材I與光透射性基材2的紫外光UV的被照射面相互對置，使得成為相接的狀態(tài)，一邊向各被照射面相互貼緊的方向以壓力0.7MPa進(jìn)行加壓，一邊使整體升溫至100°C，以該狀態(tài)保持I個(gè)小時(shí)。之后，在使整體降溫至室溫之后停止上述加壓，確認(rèn)基板彼此是否粘接，其結(jié)果，基板彼此牢固地粘接，不進(jìn)行破壞則無法將兩者剝下。此外，在使用由與上述不同的環(huán)烯烴聚合物(日本七、才 >公司制、ZE0NEX480R、玻璃轉(zhuǎn)化點(diǎn)138°C )構(gòu)成的樹脂基材的情況以及使用由聚碳酸酯^ (Bayer)公司制、玻璃轉(zhuǎn)化點(diǎn)210°C)構(gòu)成的樹脂基材的情況下，也能夠獲得同樣的結(jié)果。另外，在將紫外光UV的照射時(shí)間設(shè)為5分 鐘的情況下，也能夠獲得同樣的結(jié)果。最后，通過氙燈(朝日分光公司制、LAX-1000)從光透射性基材2側(cè)對粘接工序P12結(jié)束后的微芯片101進(jìn)行了實(shí)質(zhì)上包含可見區(qū)域的波長的光的可見光VL的照射?？梢姽釼L的照射在干燥空氣中進(jìn)行，將燈與樹脂基材I的表面的距離以及燈與光透射性基材2的表面的距離設(shè)為5cm，將照射強(qiáng)度設(shè)為50mW/cm2，將照射時(shí)間設(shè)為10分鐘。作為其它條件，在將照射強(qiáng)度設(shè)為167mW/cm2、將照射時(shí)間設(shè)為10分鐘的條件下對其它微芯片試樣進(jìn)行。圖3是表示在本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的微芯片101的制造方法的可見光工序P13中使用的可見光VL相對于波長的相對光強(qiáng)度的圖表。如圖3所示，所使用的氙燈的可見光VL成為包含一部分380nm以下的紫外光的可見區(qū)域的光，因此在同時(shí)使用使380nm以下的波長的光截止的紫外線截止濾波器的情況下更為適當(dāng)。實(shí)際上，使用了使400nm以下的波長的光截止的紫外線截止濾波器。另外，圖4是表不其它光源的相對于波長的相對光強(qiáng)度的圖表，圖4(a)是LED光源的光的一例，圖4(b)是自然光(陽光)。如圖4所示，雖然能夠使用幾乎不包含紫外光的LED光、同時(shí)使用紫外線截止濾波器的自然光，但是在這兩種情況下，為了輸出lOmW/cm2以上的照射強(qiáng)度，都必須將大量的光源匯集來設(shè)置成多光源，或者必須使用將透鏡組合而成的用于聚光的聚光系統(tǒng)，并且自然光是還大量包含紅外光的光，因此更優(yōu)選如在本實(shí)施例1中使用的那樣的可見光。圖5是使用了本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的微芯片101的制造方法的實(shí)施例1的測定結(jié)果，是測定了相對于波長的熒光光譜的圖表。圖表中的A和B表示照射紫外光UV前的樹脂基材I和光透射性基材2的自身熒光強(qiáng)度，圖表中的C表示在照射紫外光UV后粘接工序P12結(jié)束后的微芯片101的熒光強(qiáng)度，圖表中的D表示本條件(將照射強(qiáng)度設(shè)為50mW/cm2，將照射時(shí)間設(shè)為10分鐘)下的可見光工序P13結(jié)束后的微芯片101的熒光強(qiáng)度，圖表中的E表示其它條件(將照射強(qiáng)度設(shè)為167mW/cm2，將照射時(shí)間設(shè)為10分鐘)下的可見光工序P13結(jié)束后的微芯片101的熒光強(qiáng)度。如圖5所示,C與A及B相比,通過紫外光UV的照射,約420nm 約600nm的頻帶下的熒光強(qiáng)度增加。而且，D及E與C相比，通過可見光VL的照射，其熒光強(qiáng)度降低。因而，可以說，通過向包含因紫外光UV產(chǎn)生的具有熒光發(fā)光性的熒光分子的微芯片101照射可見光VL，能夠降低微芯片101的熒光。另外，在可見光工序P13中的照射強(qiáng)度更大的E的情況下，與D相比，其熒光強(qiáng)度降低，因此可以說，在照射強(qiáng)度更大的情況下其效果大。由此，在本發(fā)明的微芯片101的制造方法中，通過向被照射過紫外光UV的樹脂基材I的對置的面B4和光透射性基材2的對置的面A4照射可見光VL，因紫外光UV產(chǎn)生的具有熒光發(fā)光性的熒光分子成為激發(fā)狀態(tài)，引起電子向各合成樹脂材料中包含的其它高分子的移動，成為非突光分子。由此，能夠降低微芯片101的突光。另外，由于是幾乎不包含紫外光的實(shí)質(zhì)上包含從380nm至800nm的波長的光的可見光VL，因此不會新產(chǎn)生因照射紫外光UV而產(chǎn)生的具有熒光發(fā)光性的熒光分子，能夠?qū)⒃谧贤夤夤ば騊ll中產(chǎn)生的熒光分子可靠地變成非熒光分子。由此，能夠進(jìn)一步降低微芯片101的熒光。 另外，在紫外光工序Pll后進(jìn)行粘接工序P12,在粘接工序P12后進(jìn)行照射可見光VL的可見光工序P13，因此將因紫外光UV產(chǎn)生的具有熒光發(fā)光性的熒光分子可靠地變成非熒光分子，并且不會降低樹脂基材I與光透射性基材2的貼緊性，能夠使樹脂基材I與光透射性基材2的粘接可靠。由此，能夠制作除了能夠進(jìn)一步降低微芯片101的熒光以外耐壓性能等也優(yōu)良的微芯片101。另外，樹脂基材是自身熒光少的環(huán)烯烴聚合物，因此能夠?qū)⒁蜃贤夤釻V產(chǎn)生的具有熒光發(fā)光性的熒光分子更可靠地變成非熒光分子。由此，能夠更進(jìn)一步降低微芯片101的熒光。[第二實(shí)施方式]圖6是說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的微芯片201的制造方法的一例的圖，圖6(a)和圖6(b)是表示向一對樹脂基材照射紫外光UV的紫外光工序I3Ul的結(jié)構(gòu)圖，圖6(c)和圖6(d)是表示向紫外光工序PUl結(jié)束后的一對樹脂基材的對置的面94照射可見光VL的可見光工序PV2的結(jié)構(gòu)圖，圖6(e)是表示粘接工序PA3結(jié)束后的微芯片201的結(jié)構(gòu)圖。此外，對與第一實(shí)施方式相同的構(gòu)件附加相同的符號，并省略說明。本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的微芯片201的制造方法由如下工序構(gòu)成:紫外光工序PUl，向一對樹脂基材粘接之前的對置的面94照射紫外光UV ;可見光工序PV2，向被照射過紫外光UV的一對樹脂基材的對置的面94照射可見光VL ；以及粘接工序PA3，使可見光工序PV2后的對置的面94相互接觸來將一對樹脂基材粘接。
首先，準(zhǔn)備作為一對樹脂基材的第一樹脂基材11、第二樹脂基材21。在第一樹脂基材11上，在一面形成有作為微小流路的凹部3，在第二樹脂基材21中多處形成有用于注入試料的注入孔16。另外，考慮強(qiáng)度、加工性以及樹脂基材彼此的粘接性等，第一樹脂基材11和第_■樹脂基材21使用環(huán)烯烴共聚物(COC)、環(huán)烯烴聚合物(C0P)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚二甲基硅氧烷(PDMS)等硅酮樹脂、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、非晶聚烯烴等材質(zhì)，但是，特別是環(huán)烯烴共聚物(C0C)、環(huán)烯烴聚合物(COP)是自身熒光少的合成樹脂材料，因此適合使用。接著，如圖6(a)和圖6(b)所示，使用紫外光燈111向一對樹脂基材(第一樹脂基材11、第二樹脂基材21)粘接之前的對置的面94即第一面14和第二面24照射紫外區(qū)域的波長的光即紫外光UV (紫外光工序PUl)。接著，如圖6(c)和圖6(d)所示，使用可見光燈333對紫外光工序PUl結(jié)束后的第一樹脂基材11的包括凹部3的第一面14和第二樹脂基材21的第二面24照射包含可見區(qū)域的波長的光的可見光VL (可見光工序PV2)。最后，在使照射過可見光VL的包括凹部3的第一面14與第二面24對置之后，在使第一面14與第二面24相互接觸的狀態(tài)下升溫，由此將第一樹脂基材11與第二樹脂基材21粘接(粘接工序PA3)。這樣，如圖6(e)所示，得到微芯片201。由此，在紫外光工序I3Ul之后進(jìn)行向被照射過紫外光UV的第一樹脂基材11的包括凹部3的第一面14和第二樹脂基材21的第二面24照射可見光VL的可見光工序PV2，在可見光工序PV2結(jié)束后進(jìn)行粘接工序PA3，因此能夠?qū)⒁蜃贤夤釻V產(chǎn)生的具有熒光發(fā)光性的熒光分子可靠地變成非熒光分子。由此，能夠進(jìn)一步降低微芯片201的熒光。<實(shí)施例2>下面，通過實(shí)施·例2更詳細(xì)說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式。本發(fā)明不限定于以下所示的實(shí)施例。首先，作為第一樹脂基材11和第二樹脂基材21，使用了由環(huán)烯烴共聚物( ”午公司制、T0PAS5013L-10、玻璃轉(zhuǎn)化點(diǎn)134 °C )構(gòu)成的一對樹脂基材
(30mmX30mm、厚度1.5mm)。第一樹脂基材11和第二樹脂基材21是使用用于形成第一樹脂基材11的凹部3、第二樹脂基材21的注入孔16的模具進(jìn)行注射成型而制作的。接著，通過Xe準(zhǔn)分子燈(勺V才電機(jī)公司(USH10 INC.)制、UER20-172A)向第一樹脂基材11的第一面14和第二樹脂基材21的第二面24各自的表面照射紫外光UV (波長172nm)。紫外光UV的照射在氮?dú)夥罩羞M(jìn)行，將燈與第一樹脂基材11的表面的距離以及燈與第二樹脂基材21的表面的距離設(shè)為5mm，將照射強(qiáng)度設(shè)為lOmW/cm2，將照射時(shí)間設(shè)為20分鐘。將紫外光UV的照射面設(shè)為各自的粘接的整個(gè)粘接面。接著，通過氙燈(朝日分光社制、LAX-1000)向紫外光工序PUl結(jié)束后的第一樹脂基材11的包括凹部3的第一面14和第二樹脂基材21的第二面24進(jìn)行了實(shí)質(zhì)上包含可見區(qū)域的波長的光的可見光VL的照射。可見光VL的照射在干燥空氣中進(jìn)行，將燈與第一樹脂基材11的表面的距離以及燈與第二樹脂基材21的表面的距離設(shè)為5cm，將照射強(qiáng)度設(shè)為78mW/cm2，將照射時(shí)間設(shè)為10分鐘。作為其它條件，使用其它微芯片試樣，在氮?dú)夥罩羞M(jìn)行了可見光VL的照射。另外，可見光VL使用如圖3所示那樣的包含一部分380nm以下的紫外光的可見區(qū)域的光。最后，使可見光工序PV2結(jié)束后的第一樹脂基材11與第二樹脂基材21的紫外光UV的被照射面相互對置，使得成為相接的狀態(tài)，一邊向各被照射面相互貼緊的方向以壓力
0.7MPa進(jìn)行加壓，一邊使整體升溫至100°C，將該狀態(tài)保持I個(gè)小時(shí)。之后，在使整體降溫至室溫之后停止上述加壓，確認(rèn)樹脂基材彼此是否粘接，其結(jié)果，樹脂基材彼此牢固地粘接，不進(jìn)行破壞則無法將兩者剝下。圖7是使用了本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的微芯片201的制造方法的實(shí)施例2的測定結(jié)果，是測定了相對于波長的熒光光譜的圖表。圖表中的F表示照射紫外光UV前的第一樹脂基材11的自身突光強(qiáng)度，圖表中的G表不照射紫外光UV后的第一樹脂基材11的熒光強(qiáng)度，圖表中的H表示本條件(將照射強(qiáng)度設(shè)為78mW/cm2，將照射時(shí)間設(shè)為10分鐘，干燥空氣中)下的可見光工序PV2結(jié)束后的第一樹脂基材11的突光強(qiáng)度，圖表中的I表不其它條件(將照射強(qiáng)度設(shè)為78mW/cm2，將照射時(shí)間設(shè)為10分鐘，氮?dú)夥罩?下的可見光工序PV2結(jié)束后的第一樹脂基材11的熒光強(qiáng)度。如圖7所示,G與F相比,通過紫外光UV的照射,約420nm 約600nm的頻帶下的熒光強(qiáng)度增加。而且，H及I與G相比，通過可見光VL的照射，其熒光強(qiáng)度降低。另外，氮?dú)夥罩羞M(jìn)行了照射的I與H相比，其熒光強(qiáng)度降低，因此可以說，氮?dú)夥罩姓丈鋾r(shí)的效果大。由此，在本發(fā)明的微芯片201的制造方法中，通過向被照射過紫外光UV的第一樹脂基材11的第一面14和第二樹脂基材21的第二面24照射可見光VL，因紫外光UV產(chǎn)生的具有熒光發(fā)光性的熒光分子成為激發(fā)狀態(tài)，引起電子向各合成樹脂材料中包含的其它高分子的移動，成為非突光分子。由此，能夠降低微芯片201的突光。另外，由于是實(shí)質(zhì)上包含從380nm至800nm的波長的光的可見光VL，因此不會新生成因照射紫外光UV而產(chǎn)生的具有熒光發(fā)光性的熒光分子，能夠?qū)⒃谧贤夤夤ば騊Ul中產(chǎn)生的熒光分子可靠地變成 非熒光分子。由此，能夠進(jìn)一步降低微芯片201的熒光。另外，在紫外光工序PUl結(jié)束后進(jìn)行向被照射過紫外光UV的第一樹脂基材11的第一面14和第二樹脂基材21的第二面24照射可見光VL的可見光工序PV2，在可見光工序PV2后進(jìn)行粘接工序PA3，因此能夠?qū)⒁蜃贤夤釻V產(chǎn)生的具有熒光發(fā)光性的熒光分子可靠地變成非熒光分子。由此，能夠進(jìn)一步降低微芯片201的熒光。另外，樹脂基材是自身熒光少的環(huán)烯烴共聚物(COC)，因此能夠?qū)⒁蜃贤夤釻V產(chǎn)生的具有熒光發(fā)光性的熒光分子更可靠地變成非熒光分子。由此，能夠更進(jìn)一步降低微芯片201的熒光。此外，本發(fā)明不限定于上述實(shí)施方式，例如能夠如下變形來實(shí)施，這些實(shí)施方式也屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。<變形例1>在上述第一實(shí)施方式中，是在樹脂基材I中形成凹部3并在光透射性基材2中形成注入孔16的結(jié)構(gòu)，但是也可以是在樹脂基材I中形成注入孔16并在光透射性基材2中形成凹部3的結(jié)構(gòu)。另外，凹部3也可以設(shè)置在樹脂基材I和光透射性基材2這雙方。另夕卜，也可以在樹脂基材I和光透射性基材2中的某一方中設(shè)置凹部3和注入孔16。<變形例2>圖8是說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的微芯片201的制造方法的變形例2的結(jié)構(gòu)圖。圖8(a)和圖8(b)是向第一樹脂基材31的第一面34和第二樹脂基材41的第二面44照射紫外光UV的紫外光工序TO1，圖8 (c)和圖8 (d)是向第一樹脂基材31和第二樹脂基材41照射可見光VL的可見光工序PV2，圖8 (e)是說明粘接工序PA3結(jié)束后得到的微芯片301的結(jié)構(gòu)圖。在該變形例2中，將第一樹脂基材31和第二樹脂基材41設(shè)為透光性基材。由此，在上述第二實(shí)施方式中，在可見光工序PV2中，如圖6(c)和圖6(d)所示，向包括凹部3的第一面14和第二面24進(jìn)行了可見光VL的照射，但是也可以如圖8(c)和圖8(d)所示那樣透過各基材中來對第一樹脂基材31的包括凹部3的第一面34和第二樹脂基材41的第二面44進(jìn)行可見光VL的照射。本發(fā)明不限定于上述實(shí)施方式，只要不脫離本發(fā)明的目的的范圍就能夠適當(dāng)?shù)刈兏７栒f明1:樹脂基材2:光透射性基材3:凹部4、A4、B4、94:對置的面101,201,301:微芯片UV:紫外光

VL:可見光Pll:紫外光工序P12:粘接工序P13:可見光工序PUl:紫外光工序PA3:粘接工序PV2:可見光工序
權(quán)利要求
1.一種微芯片的制造方法，該微芯片具有對置的面相互粘接的一對樹脂基材，在上述對置的面中的至少一面上形成有凹部，該微芯片的制造方法的特征在于， 在向上述一對樹脂基材被粘接之前的上述對置的面照射紫外區(qū)域的波長的光即紫外光之后，向被照射過上述紫外光的上述一對樹脂基材的上述對置的面照射實(shí)質(zhì)上包含可見區(qū)域的波長的光的可見光。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微芯片的制造方法，其特征在于， 上述可見光是實(shí)質(zhì)上包含從380nm至800nm的波長的光的來自光源的光。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微芯片的制造方法，其特征在于， 上述一對樹脂基材中的至少一個(gè)是使上述可見光透射的光透射性基材， 上述制造方法包括以下工序: 紫外光工序，向上述一對樹脂基材被粘接之前的上述對置的面照射上述紫外光； 粘接工序，使上述紫外光工序后的上述對置的面相互接觸來將上述一對樹脂基材粘接；以及 可見光工序，在上述粘接工序后，從上述光透射性基材一側(cè)照射上述可見光。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微芯片的制造方法，其特征在于，包括以下工序: 紫外光工序，向上述一對樹脂基材被粘接之前的上述對置的面照射上述紫外光； 可見光工序，向被照射過上述紫外光的上述一對樹脂基材的上述對置的面照射上述可 見光；以及 粘接工序，使上述可見光工序后的上述對置的面相互接觸來將上述一對樹脂基材粘接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微芯片的制造方法，其特征在于， 上述樹脂基材中的至少一個(gè)是環(huán)烯烴聚合物或環(huán)烯烴共聚物。
全文摘要
在以往的微芯片的制造方法中，在一對樹脂基板的粘接中使用紫外光，導(dǎo)致在被照射該紫外光的樹脂基板的表面產(chǎn)生熒光。因此，在對檢體附加熒光標(biāo)記來進(jìn)行測定的熒光標(biāo)識法的情況下，如果使用該微芯片，則存在如下問題在樹脂基板的表面上產(chǎn)生的熒光對測定帶來壞影響，檢測精度降低。一種微芯片的制造方法，該微芯片具有對置的面相互粘接的一對樹脂基材，在對置的面中的至少一面上形成有凹部，該微芯片的制造方法為如下制造方法在向一對樹脂基材被粘接之前的對置的面照射紫外區(qū)域的波長的光即紫外光之后，向被照射過紫外光的一對樹脂基材的對置的面照射實(shí)質(zhì)上包含可見區(qū)域的波長的光的可見光。
文檔編號B01J19/00GK103249480SQ20118005882
公開日2013年8月14日 申請日期2011年8月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月6日
發(fā)明者谷口義尚, 田口好弘, 杉村博之, 金永鐘 申請人:阿爾卑斯電氣株式會社