專利名稱：高濃度微粒濃縮物、高濃度微粒濃縮物制造方法、粉末及粉末制造方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及高濃度微粒濃縮物、高濃度微粒濃縮物制造方法、粉末及粉末制造方法。
背景技術(shù)：
半導體制造中使用的硅襯底及晶片等薄襯底，采用CMP(化學機械研磨)系統(tǒng)進行研磨使平坦化。一般的CMP系統(tǒng)，由于在半導體裝置制造工序中實施曝光的層可完全平坦化，減輕了曝光技術(shù)的負擔，使產(chǎn)品合格率穩(wěn)定，所以，是進行層間絕緣膜、BPSG膜平坦化、軟吹·溝槽隔離分離等時必須的技術(shù)。
在半導體裝置制造工序中，作為等離子體CVD(Chemical VaporDeposition、化學蒸鍍法)、低壓-CVD等方法形成的二氧化硅絕緣膜等無機絕緣膜層進行平坦化時的CMP研磨劑，優(yōu)選的可以采用例如氧化鈰(CeO2)、二氧化硅粒子、氧化鋁粒子、二氧化鈦(TiO2)粒子等。另外，上述研磨劑，通常分散在水等溶劑中，進一步地，把適當?shù)臍溲趸浀然瘜W反應催化劑或有機高分子或表面活性劑等分散劑添加至該分散液中，形成研磨淤漿。
采用該CMP系統(tǒng)，通過控制，在采用與載體片或壓力板一起旋轉(zhuǎn)的研磨臺或壓板加以支承的研磨頭之間，配置襯底(例如，半導體晶片)進行研磨。對研磨頭來說，即使襯底在研磨頭表面上粘接時，上述研磨淤漿仍可供給達到襯底的中央部分，因此，其表面形成細小的溝，在研磨期間，對研磨頭來說，上述研磨淤漿可用泵等連續(xù)供給。
采用該CMP系統(tǒng)，可以消除SiO2絕緣膜表面的凹凸，在全部半導體襯底上形成平滑的面。
還有，下面對半導體襯底上的SiO2絕緣膜層的CMP加以說明，但又不限于此，具有規(guī)定配線的配線板、玻璃、氮化硅等無機絕緣膜；光學掩模·透鏡·棱鏡等光學玻璃、ITO(氧化銦錫)等無機導電膜；用玻璃及晶體材料構(gòu)成的光學集成電路·光學轉(zhuǎn)換元件·光導波路、光學纖維端面、閃爍器等光學用單晶；固體激光單晶、藍色激光用LED藍寶石基板、SiC、GaP、GaAs等半導體單晶；磁盤用玻璃基板、磁頭等都可采用CMP研磨。
上述CMP系統(tǒng)中排出的CMP廢水，例如含有研磨劑中使用的氧化鈰粒子、二氧化硅粒子、氧化鋁粒子、二氧化鈦粒子及研磨下來的金屬化合物微粒等有用的金屬化合物微粒。
因此，希望回收這些有用的金屬化合物微粒加以再利用。
近幾年來，例如采用過濾膜把CMP廢水中所含的金屬化合物微粒加以濃縮的裝置己經(jīng)開發(fā)出來。采用該從前的裝置可將CMP排水中的微粒濃縮至1000～5000mg/L。
然而，達到這種濃縮度的微粒難以再利用。
特別是最近開發(fā)出的過濾裝置“スラリ一クロ一ザ”(商品名)(例如，特開2003-135914號公報)，在孔徑0.25μm過濾膜表面形成凝膠過濾膜，再從過濾膜內(nèi)用泵抽吸廢水的形式，對于膜表面洗滌僅產(chǎn)生輕微的空氣泡。采用該過濾裝置，例如可將微粒濃縮至1萬～30萬mg/L，濃縮效率顯著提高。
希望提高該高濃縮微粒淤漿的附加值。
發(fā)明概述本發(fā)明的目的在于謀求使廢水中回收的微粒附加值增大，進一步提高循環(huán)使用周期。
本發(fā)明有以下特征。
(1)一種高濃度微粒濃縮物，其是通過把pH調(diào)至3～8的含低濃度微粒的溶液濃縮至含有1重量％～50重量％的高濃度微粒的淤漿而得到。
上述高濃度微粒濃縮物，可直接在各領域中使用，另外，由于高濃縮，即使進行干燥(水分調(diào)節(jié))也可以用短時間得到所希望的粉末。
(2)一種高濃度微粒濃縮物制造方法，把pH調(diào)至3～8的含低濃度微粒的溶液濃縮至含有1重量％～50重量％的高濃度微粒淤漿。
與上述同樣的高濃度微粒濃縮物，可直接在各領域中使用，另外，由于高濃縮，即使進行干燥(水分調(diào)節(jié))也可以用短時間得到所希望的粉末。
(3)一種制造粉末的方法，其中，把上述(1)中所述的高濃度微粒濃縮物，即含上述高濃度微粒的淤漿，再根據(jù)干燥后所得到的粉末粒徑，再分散時調(diào)節(jié)含微粒的淤漿濃度，然后進行干燥(水分調(diào)節(jié))。
把含高濃度微粒的淤漿，再根據(jù)干燥后所得到的粉末粒徑，調(diào)節(jié)再分散時含微粒的淤漿濃度，然后進行干燥(水分調(diào)節(jié))，可以得到所希望的締合狀態(tài)，即所需要粒徑的粉末。
(4)一種制造粉末的方法，其中，把上述(2)中所述的含高濃度微粒的淤漿，再根據(jù)干燥后所得到的粉末粒徑，再分散時調(diào)節(jié)含微粒的淤漿濃度，然后進行干燥。
把與上述同樣的含高濃度微粒的淤漿，再根據(jù)干燥后所得到的粉末粒徑，調(diào)節(jié)再分散時微粒的淤漿濃度，然后進行干燥(水分調(diào)節(jié))，可以得到所希望的締合狀態(tài)，即所希望粒徑的粉末。
(5)一種粉末制造方法把pH調(diào)至3～8的含有20重量％～50重量％的濃度的微粒的淤漿，進行真空冷凍干燥，生成粉末。
由于采用高濃度粉末的淤漿，進行真空冷凍干燥，故可以大幅縮短粉末干燥的時間，同時，采用淤漿可以得到高附加值的粉末。
(6)一種高濃度微粒濃縮物，其中上述(1)中所述的該微粒的平均粒徑為50nm～500nm。
(7)一種高濃度微粒濃縮物的制造方法，其中上述(2)中所述的該微粒的平均粒徑為50nm～500nm。
(8)一種粉末制造方法，其中，上述(3)、(4)、(5)中任何一項所述的該微粒的平均粒徑為50nm～500nm。
(9)在上述(1)中所述的高濃度微粒濃縮物中，含有上述低濃度微粒的溶液為CMP廢水。
(10)在上述(2)中所述的高濃度微粒濃縮物制造方法中，含有上述低濃度微粒的溶液為CMP廢水。
(11)在上述(1)或(6)中所述的高濃度微粒濃縮物中，該微粒至少含有SiO2。
(12)在上述(2)或(7)中所述的高濃度微粒濃縮物制造方法中，該微粒至少含有SiO2。
(13)在上述(3)、(4)、(5)任何一項所述的粉末制造方法中，該微粒至少含有SiO2。
由于上述SiO2是作為試劑在廣泛的領域中使用的物質(zhì)，故作為粉末得到可以增大附加值。
(14)在上述(1)中所述的高濃度微粒濃縮物中，含有上述低濃度微粒的溶液是把酸性CMP廢水和堿性CMP廢水加以混合，調(diào)至pH3～8。
(15)在上述(2)中所述的高濃度微粒濃縮物制造方法中，含有上述低濃度微粒的溶液是酸性CMP廢水和堿性CMP廢水加以混合，把pH調(diào)至3～8。
(16)在上述(1)或(6)中所述的高濃度微粒濃縮物中，所述微粒至少含有SiO2、氧化鈰、氧化鋁、二氧化鈦、金屬氫氧化物、氧化物、陶瓷、銦、氫氧化鐵、氟化鈣。
(17)在上述(2)或(7)中所述的高濃度微粒濃縮物制造方法中，上述微粒至少含有SiO2、氧化鈰、氧化鋁、二氧化鈦、金屬氫氧化物、氧化物、陶瓷、銦、氫氧化鐵、氟化鈣。
(18)在上述(3)、(4)、(5)任何一項所述的粉末制造方法中，上述微粒至少含有SiO2、氧化鈰、氧化鋁、二氧化鈦、金屬氫氧化物、氧化物、陶瓷、銦、氫氧化鐵、氟化鈣。
上述微粒均為有用的金屬化合物，希望回收再利用。
(19)在上述(5)所述的粉末制造方法中，上述微粒至少含有SiO2、氧化鈰、氧化鋁、二氧化鈦。
例如，下述CMP廢水中所含的上述至少SiO2、氧化鈰、氧化鋁、二氧化鈦，可作為用途廣泛、附加值高的粉末而得到。
(20)在上述(3)、(4)、(5)、(8)、(13)、(18)、(19)任何一項所述的粉末制造方法中，所得到的粉末比表面積為10m2/g～400m2/g。
通過干燥，可使所得粉末比表面積增大。進而，通過變更干燥條件，可把所得粉末比表面積控制在合適的程度。
(21)一種粉末，其特征在于，在上述(5)、(8)、(13)、(19)、(20)任何一項所述的粉末制造方法中，所得到的粉末的平均粒徑為5μm～100μm。
(22)一種粉末，其可以采用上述(3)、(4)、(8)、(13)、(18)、(19)、(20)任何一項所述的粉末制造方法得到。
按照本發(fā)明，可以得到能循環(huán)再利用的高濃度淤漿及比該淤漿附加值高的粉末。
圖1是說明本發(fā)明實施方案的粉末制造裝置構(gòu)造圖。
圖2是含低濃度SiO2微粒的溶液pH和所得到的SiO2粉末比表面積關(guān)系圖。
圖3是含有酸性低濃度SiO2微粒的溶液中的SiO2粒子的表面狀態(tài)模式圖。
圖4是含有堿性低濃度SiO2微粒的溶液中的SiO2粒子的表面狀態(tài)模式圖。
圖5是SiO2等電點附近的含有低濃度SiO2粒子的溶液中的SiO2微粒的表面狀態(tài)模式圖。
具體實施方案下面說明本發(fā)明的優(yōu)選實施方案。
圖1表示本發(fā)明的粉末制造方法中使用的粉末制造裝置結(jié)構(gòu)。如圖1所示，本實施方案的粉末制造裝置大致構(gòu)成為把上述CMP(化學機械研磨)廢水加以處理的過濾裝置10；和，把通過該過濾裝置10濃縮至高濃度，例如1重量％～50重量％，優(yōu)選20重量％～50重量％的淤漿進行真空冷凍干燥的真空冷凍干燥器20。并且，在過濾裝置10內(nèi)，如上所述，在孔徑0.25μm的過濾膜表面設置膜組件12，該組件中安裝了至少1片或1片以上的形成凝膠層的凝膠過濾膜。另外，泵14從膜組件12的凝膠過濾膜內(nèi)抽吸廢水。還有，作為上述過濾裝置10，例如進一步優(yōu)選能在膜表面輕微發(fā)生氣泡的“スラリ一クロ一ザ”(商品名)(三洋アクアテクノ株式會社制)。
作為上述CMP廢水中的微粒，例如，可以舉出CMP系統(tǒng)中使用的研磨劑，例如氧化鈰(CeO2)、二氧化硅粒子、氧化鋁粒子、二氧化鈦(TiO2)粒子等，這些研磨劑微粒是CMP廢水中的主要成分，另外，還含有作為半導體襯底的SiO2絕緣膜層研磨屑的SiO2粒子或金屬氫氧化物、氧化物、陶瓷、銦、氫氧化鐵、氟化鈣等。
特別是，半導體襯底的SiO2絕緣膜層，采用由二氧化硅粒子構(gòu)成的研磨劑進行研磨時產(chǎn)生的CMP廢水，由于其pH接近10，故被稱作堿性CMP廢水，該堿性CMP廢水，其CMP廢水中的無機微粒幾乎100％是SiO2。而且，作為CMP廢水，上述堿性CMP廢水所占的比例大。另一方面，在半導體領域或其他領域中進行研磨時而產(chǎn)生的，且含有很多除SiO2以外的金屬的CMP廢水，由于其pH接近2，故被稱作酸性CMP廢水。
這種CMP廢水中微粒的平均粒徑為50nm～500nm，處于稱作膠體的粒徑范圍，優(yōu)選50nm～200nm，通常多數(shù)在100nm附近。例如，當微粒為SiO2時，呈膠體二氧化硅狀態(tài)。
供給上述過濾裝置10的含低濃度微粒的溶液，特別是CMP廢水的pH調(diào)整至3～8者是優(yōu)選的。如圖2所示，在含無機微粒為100％SiO2的低濃度溶液中，在pH4附近的比表面積最高，該pH為等電點。另外，采用上述粉末制造裝置進行濃縮·真空冷凍干燥后的SiO2的粉末比表面積，為作為高效能粒子可使用的比表面積為130m2/g或130m2/g以上，希望pH在8或8以下。另一方面，當含低濃度微粒的溶液pH小于3時，比表面積不僅減少，而且，在過濾裝置10中進行濃縮處理時有時會發(fā)生腐蝕，是不理想的。
另外，對于含低濃度微粒的溶液pH和濃縮·真空冷凍干燥后的粉末比表面積的關(guān)系，以僅含SiO2微粒的低濃度溶液為例，用圖3～圖5加以詳細說明。
如圖3所示，含SiO2微粒的溶液pH比等電點pH4低，即低于4時(在這里稱作“酸性溶液”)，通過微粒表面的帶電粒子間排斥力的作用，粒子間距離拉開，結(jié)果是難以凝聚，比表面積有變小的傾向。另外，如圖4所示，當含SiO2微粒的溶液pH比等電點pH4大，即大于4時(在這里稱作“堿性溶液”)，通過微粒表面的帶電粒子間排斥力的作用，粒子間距離拉開，結(jié)果是難以凝聚，比表面積有變小的傾向。另外，如圖5所示，當含SiO2微粒的溶液pH為等電點pH4時(在這里稱作“中性溶液”)，由于微粒表面不帶電，粒子間不發(fā)生排斥作用，粒子間距離接近，粒子易于凝聚，結(jié)果是比表面積加大。
作為上述含低濃度微粒的溶液pH調(diào)整方法，可以舉出(a)把上述酸性CMP廢水和堿性CMP廢水加以適當混合，可以調(diào)整至pH3～8。(b)向酸性及/或堿性CMP廢水中添加pH調(diào)節(jié)劑，可以配制經(jīng)過pH調(diào)節(jié)后的含低濃度微粒的溶液。在這里，作為pH調(diào)節(jié)劑，例如可以采用氫氧化鉀、氫氧化銨等。作為其他方案，(c)向上述過濾裝置10中供給未調(diào)節(jié)pH的含低濃度微粒的溶液后，可以用上述pH調(diào)節(jié)劑適當調(diào)節(jié)上述過濾裝置10中的pH。另外，作為另一實施方案，(d)把含有未調(diào)整過pH的低濃度微粒溶液供給上述過濾裝置10，在該過濾裝置10內(nèi)邊監(jiān)測pH邊在pH超出3～8的范圍時使該濃縮處理終止，可以作為含有高濃度微粒的淤漿。
在本實施方案中，作為CMP廢水，特別優(yōu)選把以SiO2微粒作為主體的堿性CMP廢水的pH加以調(diào)整，進行濃縮·真空冷凍干燥。在這種情況下，由于可以得到純度高的純的SiO2粉末，故可再用作高附加值粉末。
另外，把上述含低濃度微粒的溶液通過上述過濾裝置10濃縮至高濃度，優(yōu)選1重量％～50重量％，更優(yōu)選濃縮至20重量％～50重量％的淤漿。特別是把濃縮至20重量％～50重量％的高濃度的淤漿進行真空冷凍干燥，可以大幅縮短干燥時間，另外，可均勻保持所得粉末的粒徑。
在本實施方案中，作為用于干燥含高濃度微粒的淤漿的干燥器，優(yōu)選采用真空冷凍干燥器20。作為真空冷凍干燥的條件，可根據(jù)含高濃度微粒的淤漿濃度適當選擇，例如在-70℃～0℃、優(yōu)選-60℃～-5℃、更優(yōu)選-10℃～-5℃(冰溫)，優(yōu)選真空度為2～5mmHg(2.7～6.7hPa(N/m2))。作為真空冷凍干燥器，例如，可以采用“TFD-550-8SP”(株式會社寶制作所制)。
在這里，按照本發(fā)明人的實驗，采用上述過濾裝置10濃縮至30重量％的淤漿中的微粒平均粒徑為18.5μm時，當進行冷凍干燥，不進行粉碎，其粉末的平均粒徑為59.0μm。另一方面，當對該淤漿進行加熱干燥時，由于微粒變成燒結(jié)體故用乳缽進行粉碎。該粉碎過的粉末平均粒徑為120.8μm。因此，在想要得到粒徑小的粉末時，優(yōu)選實施冷凍干燥。
通過上述過濾裝置10得到的高濃度微粒濃縮物的高濃度淤漿，既可以直接使用，也可以用作陶瓷的瓷釉、化妝材料、研磨劑。另外，還可根據(jù)用途往上述高濃度微粒的濃縮物中添加適當?shù)钠渌砑觿?br>
采用上述粉末制造裝置，通過在上述條件下進行真空冷凍干燥得到的粉末平均粒徑為5μm～100μm，例如，當粉末為SiO2時，可以得到平均粒徑約30μm的粉末即熱解二氧化硅。
另外，把根據(jù)上述過濾裝置10得到的含高濃度微粒淤漿，干燥后再根據(jù)所得到的粉末粒徑，在再分散時調(diào)整微粒淤漿濃度后進行干燥是優(yōu)選的。
在上述干燥工序中，例如在真空冷凍干燥工序中，通過適當調(diào)整真空狀態(tài)及干燥溫度，可以控制干燥粉末的粒徑。因此，根據(jù)所得到的粉末用途，把所希望粒徑的粉末加以精制。
在上述干燥中得到的粉末比表面積為10m2/g～400m2/g。
通過進行上述干燥，可以使所得到的粉末比表面積加大。進一步，通過改變干燥條件，可把所得到的粉末比表面積控制在合適的程度。
采用上述粉末制造裝置及粉末制造方法得到的粉末，例如，可在多孔材料、化妝材料、吸附劑、陶瓷、過濾助劑、親水處理劑、分析儀器用填料(例如，氣體色譜法等填料)、印刷用調(diào)色劑的添加劑等。
高濃度淤漿，可根據(jù)該淤漿中所含的粉末適當選擇其用途，例如，可用作陶瓷器的瓷釉、化妝材料、研磨劑。
在CMP廢水進行干燥得到的粉末可以再利用的任何一個領域，例如多孔材料、化妝材料、吸附劑、陶瓷、過濾助劑、親水處理劑、分析儀器用填料(例如，氣體色譜法等填料)、印刷用調(diào)色劑的添加劑等均適用。
權(quán)利要求
1.一種高濃度微粒濃縮物，其把pH調(diào)整至3～8的含低濃度微粒的溶液濃縮至1重量％～50重量％的含高濃度微粒淤漿。
2.一種高濃度微粒濃縮物的制造方法，其把pH調(diào)整至3～8的含低濃度微粒的溶液濃縮至1重量％～50重量％的含高濃度微粒淤漿。
3.一種粉末制造方法，其把權(quán)利要求1中所述的高濃度微粒濃縮物，即上述含高濃度微粒的淤漿，進一步根據(jù)干燥后所得粉末粒徑，再次分散時調(diào)整含微粒的淤漿濃度，然后進行干燥。
4.一種粉末制造方法，其把權(quán)利要求2中所述的含高濃度微粒的淤漿，進一步根據(jù)干燥后所得粉末粒徑，再次分散時調(diào)整含微粒的淤漿濃度，然后進行干燥。
5.一種粉末制造方法，其把pH調(diào)整至3～8的含20重量％～50重量％微粒濃度的淤漿進行真空冷凍干燥，制成粉末。
6.一種高濃度微粒濃縮物，其中，權(quán)利要求1中所述的上述微粒的平均粒徑為50nm～500nm。
7.一種高濃度微粒濃縮物的制造方法，其中，權(quán)利要求2中所述的上述微粒的平均粒徑為50nm～500nm。
8.一種粉末的制造方法，其中，權(quán)利要求3中所述的上述微粒的平均粒徑為50nm～500nm。
9.一種粉末的制造方法，其中，權(quán)利要求4中所述的上述微粒的平均粒徑為50nm～500nm。
10.一種粉末的制造方法，其中，權(quán)利要求5中所述的上述微粒的平均粒徑為50nm～500nm。
11.如權(quán)利要求1中所述的高濃度微粒濃縮物，其中，上述含低濃度微粒的溶液為CMP廢水。
12.如權(quán)利要求2中所述的高濃度微粒濃縮物制造方法，其中，上述含低濃度微粒的溶液為CMP廢水。
13.如權(quán)利要求1中所述的高濃度微粒濃縮物，其中，上述微粒至少含有SiO2。
14.如權(quán)利要求2中所述的高濃度微粒濃縮物制造方法，其中，上述微粒至少含有SiO2。
15.如權(quán)利要求3中所述的粉末制造方法，其中，上述微粒至少含有SiO2。
16.如權(quán)利要求4中所述的粉末制造方法，其中，上述微粒至少含有SiO2。
17.如權(quán)利要求5中所述的粉末制造方法，其中，上述微粒至少含有SiO2。
18.如權(quán)利要求1中所述的高濃度微粒濃縮物，其中，上述含低濃度微粒的溶液通過把酸性CMP廢水和堿性CMP廢水進行混合，使pH調(diào)整為3～8。
19.如權(quán)利要求2中所述的高濃度微粒濃縮物制造方法，其中，上述含低濃度微粒的溶液通過把酸性CMP廢水和堿性CMP廢水進行混合，使pH調(diào)整為3～8。
20.如權(quán)利要求1中所述的高濃度微粒濃縮物，上述微粒至少含有SiO2、氧化鈰、氧化鋁、二氧化鈦、金屬氫氧化物、氧化物、陶瓷、銦、氫氧化鐵、氟化鈣。
21.如權(quán)利要求2中所述的高濃度微粒濃縮物制造方法，上述微粒至少含有SiO2、氧化鈰、氧化鋁、二氧化鈦、金屬氫氧化物、氧化物、陶瓷、銦、氫氧化鐵、氟化鈣。
22.如權(quán)利要求3中所述的粉末制造方法，其中，上述微粒至少含有SiO2、氧化鈰、氧化鋁、二氧化鈦、金屬氫氧化物、氧化物、陶瓷、銦、氫氧化鐵、氟化鈣。
23.如權(quán)利要求4中所述的粉末制造方法，其中，上述微粒至少含有SiO2、氧化鈰、氧化鋁、二氧化鈦、金屬氫氧化物、氧化物、陶瓷、銦、氫氧化鐵、氟化鈣。
24.如權(quán)利要求5中所述的粉末制造方法，其中，上述微粒至少含有SiO2、氧化鈰、氧化鋁、二氧化鈦。
25.如權(quán)利要求3中所述的粉末制造方法，其中，所得到的粉末比表面積為10m2/g～400m2/g。
26.如權(quán)利要求4中所述的粉末制造方法，其中，所得到的粉末比表面積為10m2/g～400m2/g。
27.如權(quán)利要求5中所述的粉末制造方法，其中，所得到的粉末比表面積為10m2/g～400m2/g。
28.一種粉末，其特征在于，在權(quán)利要求5中所述的粉末制造方法中，所得到的粉末平均粒徑為5μm～100μm。
29.一種瓷釉，其中含有權(quán)利要求1中所述的高濃度微粒濃縮物。
30.一種研磨劑，其中含有權(quán)利要求1中所述的高濃度微粒濃縮物。
31.一種化妝材料，其中含有權(quán)利要求1中所述的高濃度微粒濃縮物。
32.一種粉末，其在權(quán)利要求3所述的粉末制造方法中得到。
33.一種粉末，其在權(quán)利要求4所述的粉末制造方法中得到。
34.一種多孔材料，包括權(quán)利要求5所述的粉末制造方法中得到的粉末。
35.一種化妝材料，其中含有權(quán)利要求5所述的粉末制造方法中得到的粉末。
36.一種吸附劑，其中含有權(quán)利要求5所述的粉末制造方法中得到的粉末。
37.一種陶瓷，其中含有權(quán)利要求5所述的粉末制造方法中得到的粉末。
38.一種過濾助劑，其中含有權(quán)利要求5所述的粉末制造方法中得到的粉末。
39.一種親水處理劑，其中含有權(quán)利要求5所述的粉末制造方法中得到的粉末。
40.一種分析儀器用填料，其中含有權(quán)利要求5所述的粉末制造方法中得到的粉末。
41.一種印刷用調(diào)色劑的添加劑，其中含有權(quán)利要求5所述的粉末制造方法中得到的粉末。
42.一種多孔材料，包括權(quán)利要求3所述的粉末制造方法中得到的粉末。
43.一種化妝材料，其中含有權(quán)利要求3所述的粉末制造方法中得到的粉末。
44.一種吸附劑，其中含有權(quán)利要求3所述的粉末制造方法中得到的粉末。
45.一種陶瓷，其中含有權(quán)利要求3所述的粉末制造方法中得到的粉末。
46.一種過濾助劑，其中含有權(quán)利要求3所述的粉末制造方法中得到的粉末。
47.一種親水處理劑，其中含有權(quán)利要求3所述的粉末制造方法中得到的粉末。
48.一種分析儀器用填料，其中含有權(quán)利要求3所述的粉末制造方法中得到的粉末。
49.一種印刷用調(diào)色劑的添加劑，其中含有權(quán)利要求3所述的粉末制造方法中得到的粉末。
50.一種多孔材料，包括權(quán)利要求4所述的粉末制造方法中得到的粉末。
51.一種化妝材料，其中含有權(quán)利要求4所述的粉末制造方法中得到的粉末。
52.一種吸附劑，其中含有權(quán)利要求4所述的粉末制造方法中得到的粉末。
53.一種陶瓷，其中含有權(quán)利要求4所述的粉末制造方法中得到的粉末。
54.一種過濾助劑，其中含有權(quán)利要求4所述的粉末制造方法中得到的粉末。
55.一種親水處理劑，其中含有權(quán)利要求4所述的粉末制造方法中得到的粉末。
56.一種分析儀器用填料，其中含有權(quán)利要求4所述的粉末制造方法中得到的粉末。
57.一種印刷用調(diào)色劑的添加劑，其中含有權(quán)利要求4所述的粉末制造方法中得到的粉末。
全文摘要
一種粉末制造裝置，其由處理CMP廢水的過濾裝置10和把通過過濾裝置10濃縮至高濃度的淤漿加以干燥的真空冷凍干燥裝置20構(gòu)成，在過濾裝置10中，在孔徑0.25μm的過濾膜表面上至少設置1塊或1塊以上形成了凝膠層的凝膠過濾膜的膜組件12。另外，通過泵14從膜組件12的凝膠過濾膜內(nèi)抽吸廢水。把從過濾裝置10得到的高濃度淤漿直接供給各種用途，或通過傳送泵16傳送至真空冷凍干燥裝置20進行干燥，得到粉末。
文檔編號B01D37/00GK1689684SQ20051005954
公開日2005年11月2日 申請日期2005年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月29日
發(fā)明者中村崇, 柴田悅郎, 前田正之, 上杉浩之, 井關(guān)正博, 梅澤浩之, 對比地元幸 申請人:三洋電機株式會社, 三洋水能源科技株式會社