本技術(shù)涉及晶體清洗，特別涉及一種粘接有覆蓋層的待清洗籽晶的清洗卡塞裝置。

背景技術(shù)：

1、利用物理氣相傳輸法制備碳化硅晶體的過(guò)程中，碳化硅粉料在高溫的條件下升華后在碳化硅籽晶處結(jié)晶生長(zhǎng)，形成碳化硅晶體。碳化硅籽晶的缺陷會(huì)直接影響到生長(zhǎng)碳化硅晶體的質(zhì)量，其中，碳化硅籽晶生長(zhǎng)面的沾污物也是影響碳化硅晶體生長(zhǎng)質(zhì)量的一種原因。

2、在碳化硅晶體生長(zhǎng)前，需要在碳化硅籽晶的背面粘接覆蓋層，用以保護(hù)碳化硅籽晶在生長(zhǎng)過(guò)程中不受到高溫腐蝕。然而，粘接覆蓋層的過(guò)程中，通常以化學(xué)或物理吸附的方式在碳化硅籽晶的生長(zhǎng)面沾染有機(jī)物、無(wú)機(jī)物和顆粒狀雜質(zhì)，這些沾染物及顆粒狀雜質(zhì)會(huì)嚴(yán)重影響碳化硅晶體的質(zhì)量，因此需要針對(duì)粘接覆蓋層后的碳化硅籽晶進(jìn)行清洗，但目前尚無(wú)針對(duì)粘接覆蓋層后的碳化硅籽晶的清洗裝置。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型為解決上述技術(shù)問(wèn)題，提供一種粘接有覆蓋層的待清洗籽晶的清洗卡塞裝置，包括：

2、卡塞本體、第一梳齒單元、第二梳齒單元；

3、所述第一梳齒單元位于所述卡塞本體的一側(cè)，所述第二梳齒單元位于所述卡塞本體的另一側(cè)，所述第一梳齒單元與所述第二梳齒單元相對(duì)設(shè)置；

4、所述第一梳齒單元、所述第二梳齒單元均包括二組梳齒，所述二組梳齒間的間距可調(diào)，所述二組梳齒間用于固定待清洗籽晶。

5、可選的，梳齒的形狀為一側(cè)具有弧面的矩形、矩形、圓角矩形其中的一種。

6、可選的，所述第一梳齒單元、所述第二梳齒單元還均包括：固定桿、移動(dòng)桿；

7、所述固定桿與所述移動(dòng)桿并列設(shè)置且安裝于所述卡塞本體；

8、所述二組梳齒分別設(shè)置于所述固定桿和所述移動(dòng)桿上，通過(guò)調(diào)節(jié)所述移動(dòng)桿的位置調(diào)節(jié)所述二組梳齒間的間距。

9、可選的，所述第一梳齒單元、所述第二梳齒單元還均包括：二根移動(dòng)桿；

10、所述二根移動(dòng)桿并列設(shè)置且安裝于所述卡塞本體；

11、所述二組梳齒分別設(shè)置于所述二根移動(dòng)桿上，通過(guò)調(diào)節(jié)所述二根移動(dòng)桿的位置調(diào)節(jié)所述二組梳齒間的間距。

12、可選的，所述卡塞本體包括：卡塞限位槽結(jié)構(gòu)，所述卡塞限位槽結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述卡塞本體底部，所述卡塞限位槽結(jié)構(gòu)具有若干個(gè)卡塞凹槽，所述卡塞凹槽用于支撐待清洗籽晶的底部邊緣。

13、可選的，所述卡塞限位槽結(jié)構(gòu)中的每個(gè)卡塞凹槽的寬度范圍為0.5mm～2.5mm；所述卡塞限位槽結(jié)構(gòu)中的每個(gè)卡塞凹槽間的間距范圍為0.5cm～1cm。

14、可選的，所述卡塞限位槽結(jié)構(gòu)中的卡塞凹槽與所述第一梳齒單元的二組梳齒、所述第二梳齒單元的二組梳齒相配合設(shè)置，使得所述待清洗籽晶放置時(shí)的傾斜角度的范圍為15°～30°。

15、可選的，所述卡塞本體包括：卡塞底托板；所述卡塞底托板設(shè)于所述卡塞本體底部。

16、可選的，所述卡塞本體包括：卡塞擋板，所述卡塞擋板包括卡塞前后擋板、卡塞左右擋板；所述卡塞前后擋板豎直設(shè)置、所述卡塞左右擋板傾斜設(shè)置，使得所述卡塞裝置呈開(kāi)口面積大于所述卡塞裝置底部面積的倒梯形結(jié)構(gòu)。

17、可選的，所述卡塞本體包括：卡塞左右把手；所述卡塞左右把手設(shè)置于所述卡塞左右擋板的上方。

18、綜上所述，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)及有益效果為：

19、本實(shí)用新型提供的一種粘接有覆蓋層的待清洗籽晶的清洗卡塞裝置，包括：卡塞本體、第一梳齒單元、第二梳齒單元；所述第一梳齒單元位于所述卡塞本體的一側(cè)，所述第二梳齒單元位于所述卡塞本體的另一側(cè)，所述第一梳齒單元與所述第二梳齒單元相對(duì)設(shè)置；所述第一梳齒單元、所述第二梳齒單元均包括二組梳齒，所述二組梳齒間的間距可調(diào)，所述二組梳齒間用于固定待清洗籽晶。

20、采用可調(diào)節(jié)間距的所述第一梳齒單元、所述第二梳齒單元，滿(mǎn)足粘接有覆蓋層的籽晶的整體厚度和直徑大于常規(guī)尺寸的籽晶的清洗。

21、通過(guò)設(shè)計(jì)梳齒的形狀，增大所述梳齒與粘接有覆蓋層的籽晶的接觸面積，提升粘接覆蓋層后的籽晶在卡塞裝置中的穩(wěn)定性，實(shí)現(xiàn)粘接有覆蓋層的籽晶生長(zhǎng)表面的高質(zhì)量的清洗，降低污染物對(duì)晶體生長(zhǎng)的影響，提高晶體生長(zhǎng)質(zhì)量。

22、同時(shí)，通過(guò)在所述卡塞本體的底部設(shè)置具有卡塞凹槽的卡塞限位槽結(jié)構(gòu)，配合所述第一梳齒單元的二組梳齒、所述第二梳齒單元的二組梳齒，使得所述待清洗籽晶傾斜的置于所述卡塞裝置內(nèi)，滿(mǎn)足現(xiàn)有槽式清洗設(shè)備的高度要求，進(jìn)一步提升籽晶的清洗質(zhì)量，并且通過(guò)設(shè)計(jì)所述卡塞凹槽的寬度，滿(mǎn)足每二片所述待清洗籽晶以覆蓋層相對(duì)的放置方式同時(shí)置于所述卡塞凹槽內(nèi)，降低清洗過(guò)程中清洗液對(duì)覆蓋層的腐蝕作用，從而保護(hù)所述待清洗籽晶的覆蓋層。

技術(shù)特征：

1.一種粘接有覆蓋層的待清洗籽晶的清洗卡塞裝置，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的一種粘接有覆蓋層的待清洗籽晶的清洗卡塞裝置，其特征在于，梳齒的形狀為一側(cè)具有弧面的矩形、矩形、圓角矩形其中的一種。

3.如權(quán)利要求1所述的一種粘接有覆蓋層的待清洗籽晶的清洗卡塞裝置，其特征在于，所述第一梳齒單元、所述第二梳齒單元還均包括：固定桿、移動(dòng)桿；

4.如權(quán)利要求1所述的一種粘接有覆蓋層的待清洗籽晶的清洗卡塞裝置，其特征在于，所述第一梳齒單元、所述第二梳齒單元還均包括：二根移動(dòng)桿；

5.如權(quán)利要求1所述的一種粘接有覆蓋層的待清洗籽晶的清洗卡塞裝置，其特征在于，所述卡塞本體包括：卡塞限位槽結(jié)構(gòu)，所述卡塞限位槽結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述卡塞本體底部，所述卡塞限位槽結(jié)構(gòu)具有若干個(gè)卡塞凹槽，所述卡塞凹槽用于支撐待清洗籽晶的底部邊緣。

6.如權(quán)利要求5所述的一種粘接有覆蓋層的待清洗籽晶的清洗卡塞裝置，其特征在于，所述卡塞限位槽結(jié)構(gòu)中的每個(gè)卡塞凹槽的寬度范圍為0.5mm~2.5mm；所述卡塞限位槽結(jié)構(gòu)中的每個(gè)卡塞凹槽間的間距范圍為0.5cm~1cm。

7.如權(quán)利要求5所述的一種粘接有覆蓋層的待清洗籽晶的清洗卡塞裝置，其特征在于，所述卡塞限位槽結(jié)構(gòu)中的卡塞凹槽與所述第一梳齒單元的二組梳齒、所述第二梳齒單元的二組梳齒相配合設(shè)置，使得所述待清洗籽晶放置時(shí)的傾斜角度的范圍為15°~30°。

8.如權(quán)利要求1所述的一種粘接有覆蓋層的待清洗籽晶的清洗卡塞裝置，其特征在于，所述卡塞本體包括：卡塞底托板；所述卡塞底托板設(shè)于所述卡塞本體底部。

9.如權(quán)利要求1所述的一種粘接有覆蓋層的待清洗籽晶的清洗卡塞裝置，其特征在于，所述卡塞本體包括：卡塞擋板，所述卡塞擋板包括卡塞前后擋板、卡塞左右擋板；所述卡塞前后擋板豎直設(shè)置、所述卡塞左右擋板傾斜設(shè)置，使得所述卡塞裝置呈開(kāi)口面積大于所述卡塞裝置底部面積的倒梯形結(jié)構(gòu)。

10.如權(quán)利要求9所述的一種粘接有覆蓋層的待清洗籽晶的清洗卡塞裝置，其特征在于，所述卡塞本體包括：卡塞左右把手；所述卡塞左右把手設(shè)置于所述卡塞左右擋板的上方。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及晶體清洗技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種粘接有覆蓋層的待清洗籽晶的清洗卡塞裝置。包括：卡塞本體、第一梳齒單元、第二梳齒單元；第一梳齒單元與第二梳齒單元相對(duì)設(shè)置；第一梳齒單元、第二梳齒單元均包括二組梳齒，所述二組梳齒間的間距可調(diào)，所述二組梳齒間用于固定待清洗籽晶。采用可調(diào)節(jié)間距的第一梳齒單元、第二梳齒單元，滿(mǎn)足粘接覆蓋層后的待清洗籽晶的厚度和直徑大于常規(guī)尺寸的籽晶的清洗。通過(guò)設(shè)計(jì)梳齒的形狀，增大梳齒與粘接有覆蓋層的籽晶的接觸面積，提升粘接覆蓋層后的籽晶在卡塞裝置中的穩(wěn)定性，實(shí)現(xiàn)粘接有覆蓋層的籽晶生長(zhǎng)表面的高質(zhì)量的清洗，降低污染物對(duì)晶體生長(zhǎng)的影響，提高晶體生長(zhǎng)質(zhì)量。

技術(shù)研發(fā)人員：汪靈哲,杜博,劉暢
受保護(hù)的技術(shù)使用者：浙江材孜科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240412
技術(shù)公布日：2024/12/19