本公開涉及磁傳感器裝置。

背景技術(shù)：

1、磁傳感器裝置具備由磁性材料構(gòu)成的磁檢測元件。當(dāng)對磁性材料施加外力時，由于逆磁致伸縮效應(yīng)，對磁場的響應(yīng)會變動。特別是隧道磁阻效應(yīng)元件具有mr比大的優(yōu)異的輸出特性，另一方面，輸出特性容易因外力而變動。

2、在磁傳感器裝置中，也存在不是通過具有撓性的接合線而是通過無撓性的配線層將磁檢測元件和外部導(dǎo)通的裝置。在這種磁傳感器裝置中，由于溫度變化而膨脹或收縮的配線層的熱應(yīng)力可能作用于磁檢測元件上。在專利文獻(xiàn)1中，為了解決在加熱半導(dǎo)體裝置時產(chǎn)生基于配線層的熱變形的應(yīng)力而配線層的應(yīng)力到達(dá)傳感器元件這樣的問題，公開有一種半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置將配線部配置于在半導(dǎo)體芯片的厚度方向上不與傳感器元件重疊的位置的半導(dǎo)體裝置。

3、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)

5、專利文獻(xiàn)1：日本特開2005－277034號公報

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的問題

2、但是，在專利文獻(xiàn)1的半導(dǎo)體裝置中，因為必須使配線部繞到在半導(dǎo)體芯片的厚度方向上不與傳感器元件重疊的位置，所以配線部的布局受到大幅限制。

3、本公開是鑒于這種情況而研發(fā)的，其目的在于，提供配線層的設(shè)計自由度高、輸出特性穩(wěn)定的磁傳感器裝置。

4、用于解決問題的技術(shù)方案

5、本公開的一方式提供一種磁傳感器裝置，其具備：多個磁檢測元件陣列，它們形成于第一層；配線層，其形成于與第一層不同的第二層，與多個磁檢測元件陣列電連接。多個磁檢測元件陣列包含第一磁檢測元件陣列及第二磁檢測元件陣列，第一磁檢測元件陣列和第二磁檢測元件陣列分別由相同數(shù)量的磁檢測元件構(gòu)成，在從第二層朝向第一層的法線方向上，與配線層的輪廓重疊的第一磁檢測元件陣列的磁檢測元件的個數(shù)、和與配線層的輪廓重疊的第二磁檢測元件陣列的磁檢測元件的個數(shù)大致相同。

6、本公開的另一方式提供一種磁傳感器裝置，其具備：多個磁檢測元件陣列，它們形成于第一層，配線層，其形成于與第一層不同的第二層，與多個磁檢測元件陣列電連接；以及虛擬圖案，其形成于第二層，不與多個磁檢測元件陣列電連接。多個磁檢測元件陣列包含第一磁檢測元件陣列及第二磁檢測元件陣列，第一磁檢測元件陣列和第二磁檢測元件陣列分別由相同數(shù)量的磁檢測元件構(gòu)成，在從第二層朝向第一層的法線方向上，與配線層的輪廓重疊的第一磁檢測元件陣列的磁檢測元件的個數(shù)、和與虛擬圖案的輪廓重疊的第二磁檢測元件陣列的磁檢測元件的個數(shù)大致相同。

7、在法線方向上與配線層或虛擬圖案的輪廓重疊的位置容易受到來自配線層或虛擬圖案的熱應(yīng)力的影響。根據(jù)這些方式，與配線層或虛擬圖案的輪廓重疊的磁檢測元件的個數(shù)在第一磁檢測元件陣列和第二磁檢測元件陣列中大致相同，因此，第一磁檢測元件陣列受到的熱應(yīng)力的影響和第二磁檢測元件陣列受到的熱應(yīng)力的影響均衡。電阻比等在第一磁檢測元件陣列和第二磁檢測元件陣列之間不易變化，因此，能夠提供輸出特性穩(wěn)定的磁傳感器。因為能夠以與第一磁檢測元件陣列和/或第二磁檢測元件陣列重疊的方式配置配線層，所以與必須繞過所有的磁檢測元件陣列的情況相比，能夠提高配線層的設(shè)計自由度。

8、在所述方式中，第一磁檢測元件陣列及第二磁檢測元件陣列也可以以構(gòu)成橋接電路的一部分的方式夾著輸出端口串聯(lián)地連接。

9、當(dāng)構(gòu)成橋接電路的并聯(lián)電路的第一磁檢測元件陣列及第二磁檢測元件陣列的電阻比如后面敘述那樣變化時，磁傳感器裝置的輸出特性會變得不穩(wěn)定。根據(jù)該方式，第一磁檢測元件陣列受到的熱應(yīng)力的影響和第二磁檢測元件陣列受到的熱應(yīng)力的影響均衡，橋接電路的平衡條件不易變化，因此，能夠使磁傳感器裝置的輸出特性穩(wěn)定。

10、在所述方式中，在法線方向上，與配線層重疊的第一磁檢測元件陣列的區(qū)域、和與配線層重疊的第二磁檢測元件陣列的區(qū)域可以是等積，也可以是不等積。

11、在所述方式中，在法線方向上，與配線層重疊的第一磁檢測元件陣列的區(qū)域、和與虛擬圖案重疊的第二磁檢測元件陣列的區(qū)域可以是等積，也可以是不等積。

12、第一磁檢測元件陣列及第二磁檢測元件陣列受到的熱應(yīng)力的影響不取決于與配線層或虛擬圖案重疊的面積或形狀，而取決于與配線層或虛擬圖案的輪廓重疊的磁檢測元件的個數(shù)。根據(jù)這些方式，能夠在第一磁檢測元件陣列和第二磁檢測元件陣列上對稱地配置配線層，使得第一磁檢測元件陣列及第二磁檢測元件陣列與配線層或虛擬圖案重疊的區(qū)域成為等積。也能夠在第一磁檢測元件陣列和第二磁檢測元件陣列上非對稱地配置配線層，使得第一磁檢測元件陣列及第二磁檢測元件陣列與配線層或虛擬圖案重疊的區(qū)域成為不等積。能夠更進(jìn)一步提高配線層的設(shè)計自由度。

13、在所述方式中，可以是角度傳感器具備磁傳感器裝置，也可以是磁羅盤具備磁傳感器裝置，也可以是電流傳感器具備磁傳感器裝置，還可以是攝像機(jī)模塊的自動聚焦機(jī)構(gòu)和/或光學(xué)式抖動校正機(jī)構(gòu)具備磁傳感器裝置。

14、根據(jù)這些方式，能夠?qū)⒋艂鞲衅餮b置應(yīng)用于各種目的。

15、發(fā)明效果

16、根據(jù)本公開，能夠提供配線層的設(shè)計自由度高、輸出特性穩(wěn)定的磁傳感器裝置。

技術(shù)特征：

1.一種磁傳感器裝置，其具備：

2.一種磁傳感器裝置，其具備：

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁傳感器裝置，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁傳感器裝置，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感器裝置，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁傳感器裝置，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁傳感器裝置，其中，

8.一種角度傳感器，其具備權(quán)利要求1或2所述的磁傳感器裝置。

9.一種磁羅盤，其具備權(quán)利要求1或2所述的磁傳感器裝置。

10.一種電流傳感器，其具備權(quán)利要求1或2所述的磁傳感器裝置。

11.一種攝像機(jī)模塊，其包含具備權(quán)利要求1或2所述的磁傳感器裝置的自動聚焦機(jī)構(gòu)和/或光學(xué)式抖動校正機(jī)構(gòu)。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種配線層的設(shè)計自由度高、輸出特性穩(wěn)定的磁傳感器裝置。磁傳感器裝置(1)具備形成于第一層(L1)上的多個磁檢測元件陣列(30)、和形成于與第一層(L1)不同的第二層(L2)上且與多個磁檢測元件陣列(30)電連接的配線層(4)。多個磁檢測元件陣列(30)包含第一磁檢測元件陣列(31)及第二磁檢測元件陣列(32)，第一磁檢測元件陣列(31)和第二磁檢測元件陣列(32)分別由相同數(shù)量的磁檢測元件(E)構(gòu)成，在從第二層(L2)朝向第一層(L1)的法線方向(Z)上，與配線層(4)的輪廓(O4)重疊的第一磁檢測元件陣列(31)的磁檢測元件(E′)的個數(shù)、和與配線層(4)的輪廓(O4)重疊的第二磁檢測元件陣列(32)的磁檢測元件(E′)的個數(shù)大致相同。

技術(shù)研發(fā)人員：山脅和真
受保護(hù)的技術(shù)使用者：TDK株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19