本實用新型涉及廢水處理技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種電漿拋光清洗零排放裝置及系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

機械加工生產(chǎn)過程中，會對零件進(jìn)行磨光與拋光等加工工藝。拋光技術(shù)又稱鏡面加工，是制造平坦而且加工變形層很小，沒有擦痕的平面加工工藝。拋光不僅增加工件的美觀，而且能夠改善材料表面的耐腐蝕性、耐磨性及獲得特殊性能。在電子設(shè)備、精密機械、一起儀表、光學(xué)元件、醫(yī)療器械等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。在清洗、拋光過程中會產(chǎn)生大量的工業(yè)廢水。主要有含金屬離子與無機鹽類的酸洗和磷化工序清洗水、含有重金屬的鈍化工序的清洗廢水、含有油類、苯類等有機物質(zhì)的發(fā)黑工序的清洗水、含有酸、堿、重金屬或有機物的工序廢液及更換的槽液。

目前的廢水處理大多沒有專門的設(shè)備，僅僅經(jīng)過簡單的過濾、沉淀即排放到自然界中，對環(huán)境污染嚴(yán)重，影響惡劣。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的在于提供一種電漿拋光清洗零排放裝置，將電漿拋光設(shè)備與廢水處理系統(tǒng)結(jié)合，對電漿拋光去毛刺的廢水進(jìn)行回收、重復(fù)利用、循環(huán)利用，使得無廢水排出，達(dá)到節(jié)約能源、保護(hù)環(huán)境的目的。該裝置操作簡便、易于工業(yè)化操作。

本實用新型的另一目的在于提供一種電漿拋光清洗零排放系統(tǒng)，包括上述電漿拋光清洗零排放裝置，對金屬進(jìn)行清洗、拋光、鈍化、防銹等工藝的廢水利用廢水處理設(shè)備處理后，無廢水排出，減少成本，節(jié)約資源，保護(hù)環(huán)境。

本實用新型的實施例是這樣實現(xiàn)的：

一種電漿拋光清洗零排放裝置，包括用于對金屬表面進(jìn)行電漿拋光的拋光設(shè)備和用于對由拋光設(shè)備排出的廢水進(jìn)行處理的廢水處理設(shè)備；廢水處理設(shè)備包括用于存儲和輸送廢水的廢水槽、用于對廢水進(jìn)行凈化的廢水處理器、利用廢水處理器產(chǎn)生的凈化水進(jìn)行漂洗作業(yè)的漂洗槽、回收廢水處理器產(chǎn)生的固體的回收槽，拋光設(shè)備、廢水槽、廢水處理器、漂洗槽、回收槽依次連接，且廢水處理器與回收槽連接。

優(yōu)選地，廢水槽包括用于收集中水的中水槽和用于收集濃水的濃水槽，中水槽與拋光設(shè)備、濃水槽連接。

優(yōu)選地，廢水處理器包括用于凈化由中水槽輸出的廢水的中水處理器和用于凈化由濃水槽輸出的廢水的濃水處理器，中水處理器與中水槽連接，濃水處理器與濃水槽、回收槽連接。

優(yōu)選地，漂洗槽包括利用由中水處理器排出的第一凈化水進(jìn)行漂洗作業(yè)的第一漂洗槽和利用由濃水處理器排出的第二凈化水進(jìn)行漂洗作業(yè)的第二漂洗槽，第一漂洗槽分別與中水處理器、中水槽連接，第二漂洗槽分別與濃水處理器、濃水槽連接。

優(yōu)選地，濃水處理器包括蒸餾濃水的蒸餾設(shè)備。

優(yōu)選地，電漿拋光清洗零排放裝置還包括與蒸餾設(shè)備連接且用于提供蒸餾濃水熱源的廢熱處理器。

優(yōu)選地，拋光設(shè)備包括與對金屬表面進(jìn)行電漿拋光的電漿拋光槽連接的電解拋光槽。

優(yōu)選地，電漿拋光清洗零排放裝置還包括廢水處理設(shè)備的鈍化槽或防銹槽。

一種電漿拋光清洗零排放系統(tǒng)，包括依次連接的進(jìn)料臺、清洗槽、電漿拋光清洗零排放裝置、出料臺。

優(yōu)選地，電漿拋光清洗零排放系統(tǒng)還包括設(shè)置于電漿拋光清洗零排放裝置與出料臺之間的干燥裝置。

本實用新型實施例的有益效果：

本實用新型提供了一種電漿拋光清洗零排放裝置及系統(tǒng)，電漿拋光清洗零排放裝置采用等離子拋光對金屬表面進(jìn)行處理，拋光液環(huán)保，廢液污染小，精度控制極高，尺寸影響小，操作簡單，維護(hù)方便，減低成本。將其與廢水處理設(shè)備結(jié)合，使得拋光后的廢水進(jìn)行凈化處理后可用于漂洗，漂洗后的產(chǎn)生的廢水又進(jìn)行凈化處理，實現(xiàn)循環(huán)利用，使得無廢水排出，達(dá)到節(jié)約能源、保護(hù)環(huán)境的目的。該裝置操作簡便、易于工業(yè)化操作。電漿拋光清洗零排放系統(tǒng)利用了電漿拋光清洗零排放裝置，使得金屬制品在進(jìn)行表面處理的工業(yè)生產(chǎn)中，除產(chǎn)生廢渣外，無廢水的排出，減少成本，節(jié)約資源，保護(hù)環(huán)境。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例的技術(shù)方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，應(yīng)當(dāng)理解，以下附圖僅示出了本實用新型的某些實施例，因此不應(yīng)被看作是對范圍的限定，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他相關(guān)的附圖。

圖1為本實用新型實施例1提供的電漿拋光清洗零排放裝置的流程示意圖；

圖2為本實用新型實施例2提供的電漿拋光清洗零排放裝置的流程示意圖；

圖3為本實用新型實施例2提供的電漿拋光清洗零排放系統(tǒng)的流程示意圖；

圖4示出了本實用新型實施例3提供的電漿拋光清洗零排放系統(tǒng)的連接示意圖；

圖5為本實用新型實施例3提供的電漿拋光清洗零排放系統(tǒng)的流程示意圖。

圖標(biāo)：100-電漿拋光清洗零排放裝置；110-拋光設(shè)備；111-電漿拋光槽；113-電解拋光槽；120-廢水處理設(shè)備；130-廢水槽；131-中水槽；133-濃水槽；140-廢水處理器；141-中水處理器；143-濃水處理器；145-蒸餾設(shè)備；147-預(yù)處理設(shè)備；150-漂洗槽；151-第一漂洗槽；153-第二漂洗槽；160-回收槽；170-廢熱處理器；180-鈍化槽；190-防銹槽；200-電漿拋光清洗零排放裝置；300-電漿拋光清洗零排放系統(tǒng)；310-進(jìn)料臺；320-清洗槽；330-干燥裝置；340-出料臺。

具體實施方式

為使本實用新型實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。通常在此處附圖中描述和示出的本實用新型實施例的組件可以以各種不同的配置來布置和設(shè)計。

因此，以下對在附圖中提供的本實用新型的實施例的詳細(xì)描述并非旨在限制要求保護(hù)的本實用新型的范圍，而是僅僅表示本實用新型的選定實施例。基于本實用新型中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護(hù)的范圍。

應(yīng)注意到：相似的標(biāo)號和字母在下面的附圖中表示類似項，因此，一旦某一項在一個附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對其進(jìn)行進(jìn)一步定義和解釋。

在本實用新型的描述中，需要說明的是，術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等僅用于區(qū)分描述，而不能理解為指示或暗示相對重要性。

在本實用新型的描述中，還需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“設(shè)置”、“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內(nèi)部的連通。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本實用新型中的具體含義。

下面結(jié)合附圖，對本實用新型的一些實施方式作詳細(xì)說明。在不沖突的情況下，下述的實施例及實施例中的特征可以相互組合。

實施例1

請參照圖1，本實施例提供一種電漿拋光清洗零排放裝置100，包括用于對金屬表面進(jìn)行電漿拋光去毛刺的拋光設(shè)備110和用于對由拋光設(shè)備110排出的廢水進(jìn)行處理的廢水處理設(shè)備120。

拋光設(shè)備110包括電漿拋光槽111，電漿拋光槽111用于對金屬進(jìn)行電漿拋光，電漿拋光也稱等離子拋光。等離子納米拋光是一種全新的金屬表面處理工藝，僅在工件表面的分子層與等離子反應(yīng)。分子中原子一般間距為0.1～0.3納米，處理深度為0.3～1.5納米。拋光物的表面粗糙度在1mm范圍內(nèi)，因此等離子納米拋光處理可以化學(xué)活化工件表面，去除表面分子污染層。等離子也稱為物質(zhì)的第四態(tài)，是一種電磁氣態(tài)放電現(xiàn)象，使氣態(tài)粒子部分電離，這種被電離的氣體包括原子、分子、原子團(tuán)、離子和電子。等離子就是在高溫高壓下，拋光劑水溶，但是在高溫高壓下，電子會脫離原子核而跑出來，原子核就形成了一個帶正點的離子，當(dāng)這些離子達(dá)到一定數(shù)量的時候可以成為等離子態(tài)，等離子態(tài)能量很大，當(dāng)這些等離子和要拋光的物體摩擦?xí)r，頃刻間會使物體達(dá)到表面光亮的效果。

與傳統(tǒng)拋光工藝相比，等離子納米拋光工藝的納米拋光液環(huán)保，廢液污染較??；可以對精密工件進(jìn)行拋光，精度控制極高，尺寸影響小，使整個工件表面和死角部位都可以達(dá)到一致的鏡面效果；等離子納米拋光設(shè)備110為自動化控制，操作簡單，維護(hù)方便，減低成本。在本實施例中，電漿拋光槽111利用環(huán)保型納米金屬液態(tài)電漿拋光技術(shù)，改技術(shù)是一種新型現(xiàn)代化、高效能、對復(fù)雜形金屬部件進(jìn)行表面加工的技術(shù)，主要是對金屬部件進(jìn)行拋光、去毛刺處理，可明顯降低金屬表面的粗糙度，達(dá)到拋光要求。

廢水處理設(shè)備120用于對加工過程中產(chǎn)生的廢水進(jìn)行凈化處理，包括依次連接的廢水槽130、廢水處理器140、漂洗槽150、回收槽160。

廢水槽130用于存儲和輸送由外部設(shè)備輸入的廢水，同時將部分或全部的廢水經(jīng)由管道輸入廢水處理器140中。廢水槽130包括中水槽131和濃水槽133。中水槽131存儲和輸送清洗加工的污染較低的中水，濃水槽133存儲和輸送清洗加工過程中產(chǎn)生的高污染的濃水。中水槽131與濃水槽133連接，當(dāng)中水槽131中水量較高時，中水槽131中的中水會流入濃水槽133中。中水主要為工業(yè)生產(chǎn)、生活中的低污染水，固體污染物、有機污染物、油類污染物等含量較低；濃水主要為工業(yè)生產(chǎn)、生活中的高污染水，固體污染物、有機污染物、油類污染物、有毒污染物等含量較高。本實施例中，中水為中水為工廠加工清洗過程中產(chǎn)生的低污染廢水，濃水為工業(yè)拋光處理過程中產(chǎn)生的高污染的廢水。

廢水處理器140用于對廢水進(jìn)行凈化，凈化后的凈化水用于漂洗。廢水處理器140包括中水處理器141和濃水處理器143。中水處理器141與中水槽131連接，用于處理中水。在本實施例中，中水處理器141包括過濾設(shè)備(圖未示)。優(yōu)選地，過濾設(shè)備通過陶瓷膜超濾系統(tǒng)通過正滲透過濾中水，濾出的濾液含極少的污染物，過濾效果好。

陶瓷膜是以無機陶瓷材料經(jīng)特殊工藝制備而形成的非對稱膜。陶瓷膜板面密布微孔，在一定的膜孔徑范圍內(nèi)，滲透的物質(zhì)分子直徑不同而滲透率不同，以膜兩側(cè)的壓力差為驅(qū)動力，膜為過濾介質(zhì)進(jìn)行過濾。在一定壓力作用下，當(dāng)料液流過膜表面時，只允許水、無機鹽、小分子物質(zhì)透過膜，而阻止水中的懸浮物、膠和微生物等大分子物質(zhì)通過。陶瓷膜具有分離效率高、效果穩(wěn)定、化學(xué)穩(wěn)定性好、耐酸堿、耐有機溶劑、耐菌、耐高溫、抗污染、機械強度高、再生性能好、分離過程簡單、能耗低、操作維護(hù)簡便、使用壽命長等優(yōu)點。在本實用新型的其他實施例中，過濾設(shè)備可以利用滲透膜等其他技術(shù)進(jìn)行中水的凈化，本實用新型對其不做限定。

如圖1，濃水處理器143與濃水槽133連接，用于處理從濃水槽133中流出的濃水。較優(yōu)的，濃水處理器143包括對濃水進(jìn)行蒸餾處理的蒸餾設(shè)備145。蒸餾設(shè)備145利用高真空條件下的物料具有蒸餾溫度低、受熱時間短、分離程度高等特點，對濃水進(jìn)行凈化分離，提取得到純度較高的蒸餾水。凈化后的蒸餾水直接流入漂洗槽150中。在本實施例中，蒸餾設(shè)備145為真空負(fù)壓蒸餾裝置，在本實用新型的其他實施例中，可使用能提供與真空負(fù)壓蒸餾裝置相同作用的其他儀器替代，本實用新型對其不做限定。

具體的，蒸餾設(shè)備145與回收槽160連接?；厥詹?60用于收集蒸餾濃水后殘留的廢渣、油脂等廢料，可統(tǒng)一交由清運公司進(jìn)行處理。

因濃水的pH值過大的波動、過高或過低會影響處理后的液體的pH值，導(dǎo)致處理后的液體不滿足使用的標(biāo)準(zhǔn)。濃水處理器143還可設(shè)置用于調(diào)節(jié)pH值的預(yù)處理設(shè)備147，用于對濃水進(jìn)行初步的處理工藝。通過調(diào)節(jié)水中氫離子和氫氧根離子的含量以維持系統(tǒng)內(nèi)的酸堿平衡，達(dá)到最終改變水質(zhì)的目的。本實施例中，酸堿自動調(diào)節(jié)裝置為本技術(shù)領(lǐng)域通用設(shè)備，本實用新型對其結(jié)構(gòu)不做限定。

漂洗槽150利用廢水處理器140產(chǎn)生的凈化水進(jìn)行漂洗作業(yè)，包括第一漂洗槽151與第二漂洗槽153。第一漂洗槽151分別與中水處理器141、中水槽131連接。利用中水處理器141排出的第一凈化水(圖未示)對金屬表面進(jìn)行第一次漂洗，漂洗后的第一漂洗水(圖未示)流入中水槽131中，待凈化后循環(huán)利用。第二漂洗槽153分別與濃水處理器143、中水槽131連接。利用經(jīng)濃水處理器143凈化后的第二凈化水(圖未示)即蒸餾設(shè)備145蒸餾后的蒸餾水對金屬表面進(jìn)行第二次漂洗，漂洗后的第二漂洗水(圖未示)流入中水槽131中，待凈化后循環(huán)利用。

本實施例將工業(yè)生產(chǎn)中的電漿拋光與廢水處理設(shè)備120相結(jié)合，因電漿拋光的拋光液及廢液污染小、對環(huán)境友好，且本實施例中的廢水處理設(shè)備120可實現(xiàn)廢水零排放，故本實施例提供的電漿拋光清洗零排放裝置100在工業(yè)生產(chǎn)中高效的處理廢水，實現(xiàn)廢水零排放，資源循環(huán)利用，減少成本，保護(hù)環(huán)境，具有較好的應(yīng)用前景。

本實施例中，電漿拋光槽111、廢水槽130、廢水處理器140、漂洗槽150、回收槽160為本技術(shù)領(lǐng)域通用設(shè)備，本實用新型對其結(jié)構(gòu)不做限定。

實施例2

請參照圖2，本實施例提供一種電漿拋光清洗零排放裝置200。

電漿拋光清洗零排放裝置200與電漿拋光清洗零排放裝置100的不同之處主要在于：

拋光設(shè)備110包括與電漿拋光槽111連接的電解拋光槽113。在對金屬的拋光有多種方式，電解拋光是其中一種。電解拋光是以被拋工件為陽極，不溶性金屬為陰極，兩極同時浸入到電解槽中，通以直流電離反應(yīng)而產(chǎn)生有選擇性的陽極溶解，從而達(dá)到工件表面除去細(xì)微毛刺和光亮度增大的效果。電解拋光的拋光亮度高，光澤持久，但在拋光過程中需要配置電解液，其組成復(fù)雜，且含污染物較多，不易處理。

電漿拋光清洗零排放裝置200還包括與蒸餾設(shè)備145連接且用于提供蒸餾濃水熱源的廢熱處理器170。廢熱處理設(shè)備收集工業(yè)生產(chǎn)中的廢熱，并將廢熱提供給蒸餾設(shè)備145。蒸餾設(shè)備145利用廢熱處理器170提供的熱源對濃水進(jìn)行蒸餾分離。電漿拋光清洗零排放裝置200將廢熱再次利用，實現(xiàn)無廢熱排出，達(dá)到節(jié)約能源，保護(hù)環(huán)境的目的。本實施例中，廢熱處理設(shè)備為本技術(shù)領(lǐng)域通用設(shè)備，本實用新型對其結(jié)構(gòu)不做限定。

電漿拋光清洗零排放裝置200還可以根據(jù)具體的工件加工工藝流程設(shè)置不同的功能單元。請參照圖2，例如，功能單元可以是設(shè)置于廢水處理設(shè)備120的鈍化槽180。鈍化是使金屬表面轉(zhuǎn)化為不易被氧化的狀態(tài)，而延緩金屬的腐蝕速度的方法。請參照圖3，例如，功能單元可以是設(shè)置于廢水處理設(shè)備120的防銹槽190。防銹是用涂敷、表面處理、電鍍、化學(xué)藥品、陰極防銹處理等方法在金屬表面形成表面保護(hù)層的工藝。鈍化與防銹都是為了防止金屬表面生銹、腐蝕，從而使金屬具有更好的性能。

本實施例中，電解拋光槽113、廢熱處理器170、鈍化槽180、防銹槽190為本技術(shù)領(lǐng)域通用設(shè)備，本實用新型對其結(jié)構(gòu)不做限定。

為簡化表示，本實施例中未提及處，請參閱實施例1中相應(yīng)內(nèi)容。

實施例3

請參照圖4，本實施例還提供一種基于上述電漿拋光清洗零排放裝置200的電漿拋光清洗零排放系統(tǒng)300，利用電漿拋光清洗零排放系統(tǒng)300對金屬表面進(jìn)行處理可以顯著降低處理工藝中產(chǎn)生的廢水排放量，實現(xiàn)金屬處理的環(huán)保作業(yè)。電漿拋光清洗零排放系統(tǒng)300包括依次連接的進(jìn)料臺310、清洗槽320、電漿拋光清洗零排放裝置200和出料臺340。

具體地，金屬被輸送至進(jìn)料臺310進(jìn)行表面拋光等處理，再被送至清洗槽320進(jìn)行清洗，清洗后產(chǎn)生的廢水通過廢電漿拋光清洗零排放裝置200進(jìn)行回收利用，同時清洗后的金屬由出料臺340輸出廢水零排放系統(tǒng)。

本實施例中，進(jìn)料臺310、清洗槽320、出料臺340為本技術(shù)領(lǐng)域通用設(shè)備，本實用新型對其結(jié)構(gòu)不做限定。

較優(yōu)的，在本實施例中，電漿拋光清洗零排放系統(tǒng)300包括設(shè)置于電漿拋光清洗零排放裝置200與出料臺340之間的干燥裝置330，對經(jīng)由第一漂洗槽151、第二漂洗槽153漂洗后的金屬進(jìn)行干燥。在本實施例中，干燥裝置330為真空干燥，在本實用新型的其他實施例中，干燥裝置330可以為烘干機，本實用新型對其不做限定。

為簡化表示，本實施例中未提及處，請參閱實施例2中相應(yīng)內(nèi)容。

具體地，請參照圖4及圖5，金屬表面處理流程例如可以是：金屬制品從進(jìn)料臺310進(jìn)入電漿拋光清洗零排放系統(tǒng)300，經(jīng)過清洗槽320進(jìn)行清洗，清洗后的低污染中水流入廢水處理設(shè)備120的中水槽131待處理。清洗后的金屬制品依次進(jìn)入電漿拋光槽111、電解拋光槽113中進(jìn)行表面處理，拋光后的廢水進(jìn)入廢水處理設(shè)備120的濃水槽133待處理。拋光后的金屬制品進(jìn)入第一漂洗槽151中漂洗，經(jīng)過凈化的中水流入第一漂洗槽151中對拋光后的加工品進(jìn)行第一次漂洗，第一次漂洗后的中水排入中水槽131中。經(jīng)過第一次漂洗的金屬制品進(jìn)入鈍化槽180或防銹槽190中進(jìn)行表面處理，再進(jìn)入第二漂洗槽153中進(jìn)行漂洗。鈍化槽180或防銹槽190中的廢液進(jìn)入濃水槽133中待處理，在濃水處理器143中經(jīng)過蒸餾的蒸餾水進(jìn)入第二漂洗槽153，蒸餾得到的廢渣排入回收槽160中待回收清理。第二次漂洗后的第二漂洗水排入中水槽131中，第二次漂洗后的金屬制品進(jìn)入干燥裝置330中進(jìn)行干燥，干燥后從出料臺340輸出，完成加工。

以上所述僅為本實用新型的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本實用新型，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本實用新型可以有各種更改和變化。凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。