專利名稱：一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及殺菌消毒領(lǐng)域，特別涉及一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水及其制備方法。
背景技術(shù)：
消毒領(lǐng)域中引入氧化還原電位的概念是源于日本20世紀80年代研制生產(chǎn)的酸性氧化電位水生成機及由生成機產(chǎn)生的酸性氧化電位水。酸性氧化電位水(簡稱E0W)是指 具有高氧化還原電位(ORP)、低pH值特性和低濃度有效氯(ACC)的水。酸性氧化電位水殺菌的機理如下首先，由于自然界中大多數(shù)種類的微生物生活在pH 4-9的環(huán)境中，而酸性氧化電位水的pH值可影響微生物生物膜上的電荷以及養(yǎng)料的吸收、酶的活性，并改變環(huán)境中養(yǎng)料的可給性或有害物質(zhì)的毒性，從而達到殺滅微生物的目的。其次，由于氫離子、鉀離子、鈉離子等在微生物生物膜內(nèi)外的分布不同，使得膜內(nèi)、外電位達到動態(tài)平衡時有一定的電位差，一般約為-700 +900mV。需氧細菌的生物膜內(nèi)外的的電位差一般為+200 +800mV,而厭氧細菌的生物膜內(nèi)外的的電位差一般為-700 +200mV。酸性氧化電位水中的氧化、還原物質(zhì)和pH等因素，使其ORP高于IlOOmV,超出了微生物的生存范圍。具有高ORP (即0RP>1 IOOmV)的EOW接觸微生物后迅速奪取電子，干擾生物膜平衡，改變生物膜內(nèi)外電位差、膜內(nèi)外的滲透壓，導致生物膜通透性增強、細胞腫脹及細胞代謝酶的破壞，使胞內(nèi)物質(zhì)溢出、溶解，從而達到快速殺滅微生物的目的。最后，有效氯能使細胞的通透性發(fā)生改變，或使生物膜發(fā)生機械性破裂，促使細胞內(nèi)溶物向外滲出，致使細菌死亡。并且，次氯酸為中性小分子物質(zhì)，易侵入細胞內(nèi)與蛋白質(zhì)發(fā)生氧化作用或破壞其磷酸脫氫酶，使糖代謝失調(diào)致使細菌死亡，從而達到殺滅微生物的目的。EOW系統(tǒng)的殺菌能力是以ACC為主導，低pH值及高ORP為重要促進的三者協(xié)同作用的結(jié)果。該系統(tǒng)協(xié)同效果遠高于單一的ACC、低pH值及高ORP作用的簡單加和，其ACC越高、PH值越低、ORP越高，系統(tǒng)綜合滅菌效果就越好。但是，現(xiàn)有的酸性氧化電位殺菌水具有普遍的金屬腐蝕性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的第一目的在于提供一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水的制備方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的酸性氧化電位殺菌水具有普遍的金屬腐蝕性的技術(shù)性問題。本發(fā)明的第二目的在于提供一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的酸性氧化電位殺菌水具有普遍的金屬腐蝕性的技術(shù)性問題。本發(fā)明目的通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水的制備方法，包括以下步驟(I)提供可以產(chǎn)生氫離子的A單元；
(2)提供含有有效氯或者可以產(chǎn)生有效氯的B單元；(3)將所述A單元與所述B單元混合，得到酸性強氧化性溶液，所述酸性強氧化性溶液的PH值在2-7間，其氧化還原電位不低于700mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其每一種腐蝕性金屬離子的含量不高于O. 02mol/L，所述腐蝕性金屬離子能與單質(zhì)鋁發(fā)生置換反應(yīng)。優(yōu)選地,所述腐蝕性金屬離子為Ti、Zr、V、Mn、Sm、Nb、Zn、Cr、Ga、Fe、Cd、In、Tl、Co、Ni、Mo、Sn、Tm、Pb、Cu、Tc、Po、Hg、Ag、Rh、Pd、Pt 或 Au 的離子。優(yōu)選地，所有腐蝕性金屬離子的含量之和不高于O. 02mol/L。優(yōu)選地，在步驟(I)中還包括對所述A單元進行預(yù)處理。優(yōu)選地，在步驟(2)中還包括對所述B單元進行預(yù)處理。優(yōu)選地，在步驟(3)中還包括對所述A單元與所述B單元混合后的混合液進行后處理。優(yōu)選地，對所述A單元進行預(yù)處理的方法可選自加入腐蝕性金屬離子失活劑、膜分離法、電化學法、層析法、吸附法或離子交換法中的一種或者幾種，以去除部分腐蝕性金
屬離子。優(yōu)選地，對所述B單元進行預(yù)處理的方法可選自加入腐蝕性金屬離子失活劑、膜分離法、電化學法、層析法、吸附法或離子交換法中的一種或者幾種，以去除部分腐蝕性金
屬離子。優(yōu)選地，所述后處理的方法可選自加入腐蝕性金屬離子失活劑、膜分離法、電化學法、層析法、吸附法或離子交換法中的一種或者幾種，以去除部分腐蝕性金屬離子。優(yōu)選地，所述A單元為酸性。優(yōu)選地，所述B單元含有液氯、二氧化氯、次氯酸鹽、次氯酸鹽的復鹽、亞氯酸鹽或有效氯前體物質(zhì)中的一種或幾種，所述有效氯前體物質(zhì)是指與酸或者水反應(yīng)可以生成有效氯的含氯物質(zhì)。優(yōu)選地，所述B單元為中性或者堿性。一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水，包括使用前獨立分裝的A單元和B單元，所述A單元為可以產(chǎn)生氫離子的制劑；所述B單元為含有有效氯或者可以產(chǎn)生有效氯的制劑，所述A單元與所述B單元混合后得到酸性強氧化性溶液，所述酸性強氧化性溶液的pH值在
2-7間，其氧化還原電位不低于700mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其每一種腐蝕性金屬離 子的含量不高于O. 02mol/L，所述腐蝕性金屬離子能與單質(zhì)鋁發(fā)生置換反應(yīng)。優(yōu)選地,所述腐蝕性金屬離子為Ti、Zr、V、Mn、Sm、Nb、Zn、Cr、Ga、Fe、Cd、In、Tl、Co、Ni、Mo、Sn、Tm、Pb、Cu、Tc、Po、Hg、Ag、Rh、Pd、Pt 或 Au 的離子。優(yōu)選地，所有腐蝕性金屬離子的含量之和不高于O. 02mol/Lo優(yōu)選地，所述B單元含有液氯、二氧化氯、次氯酸鹽、次氯酸鹽的復鹽、亞氯酸鹽或有效氯前體物質(zhì)中的一種或幾種，所述有效氯前體物質(zhì)是指與酸或者水反應(yīng)可以生成有效氯的含氯物質(zhì)。優(yōu)選地,所述B單元為中性或者堿性。一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水，所述殺菌水的pH值在2-7間，其氧化還原電位不低于700mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其每一種腐蝕性金屬離子的含量不高于O. 02mol/L，所述腐蝕性金屬離子能與單質(zhì)鋁發(fā)生置換反應(yīng)。優(yōu)選地,所述腐蝕性金屬離子為Ti、Zr、V、Mn、Sm、Nb、Zn、Cr、Ga、Fe、Cd、In、Tl、Co、Ni、Mo、Sn、Tm、Pb、Cu、Tc、Po、Hg、Ag、Rh、Pd、Pt 或 Au 的離子。優(yōu)選地，所有腐蝕性金屬離子的含量之和不高于O. 02mol/Lo優(yōu)選地，所述殺菌水中含有無機酸、有機酸、強酸弱堿鹽、強堿弱酸鹽、弱酸弱堿鹽或者強酸強堿鹽的一種或者幾種。優(yōu)選地，所述殺菌水中的有效氯由液氯、二氧化氯、次氯酸鹽、次氯酸鹽的復鹽、亞氯酸鹽或有效氯前體物質(zhì)的一種或幾種生成，所述有效氯前體物質(zhì)是指與酸或者水反應(yīng)可以生成有效氯的含氯物質(zhì)。與現(xiàn)有的酸性氧化電位殺菌水相比，本發(fā)明有以下優(yōu)點 I、本發(fā)明的酸性氧化電位殺菌水可降低對金屬的腐蝕性，從而擴大了應(yīng)用范圍；2、在使用前，本發(fā)明的酸性氧化電位殺菌水的A單元和B單元單獨存放，當要使用時，再將A單元和B單元混合，解決了酸性氧化電位殺菌水的儲藏問題，使用非常方便；3、在制備本發(fā)明的酸性氧化電位殺菌水的過程中，增強了人為可調(diào)節(jié)性，可根據(jù)實際需求調(diào)節(jié)殺菌水的PH值、有效氯含量及氧化還原電位。


圖I為酸性環(huán)境中，氫離子對鋁的腐蝕效果示意圖；圖2為酸性環(huán)境中，金屬離子對鋁的腐蝕效果示意圖；圖3為酸性氧化性環(huán)境中，有效氯與金屬離子協(xié)同對鋁的腐蝕效果的示意圖；圖4為酸性氧化性環(huán)境中，pH值與金屬離子協(xié)同對鋁的腐蝕效果的示意圖；圖5為酸性氧化性環(huán)境中，不同的金屬離子對鋁的腐蝕效果的示意圖。
具體實施例方式以下對本發(fā)明進行詳細描述。目前，酸性氧化電位殺菌水對金屬的腐蝕性已經(jīng)展開了初步研究，已公布的結(jié)果顯示酸性氧化電位水具有普遍的金屬腐蝕性。但是對其腐蝕性的機理的研究并沒有進行，其腐蝕性通常被認為是過酸酸性(PH2-3)引起的，甚至認為近中性氧化電位水可以避免金屬腐蝕性。已公布的結(jié)果顯示酸性氧化電位水，對不銹鋼基本無腐蝕或者輕度腐蝕，對碳鋼、銅、鋁中度至嚴重腐蝕，其結(jié)論差異性很大。酸性氧化電位水對金屬的腐蝕主要是三方面因素造成，一是體系酸性，氫離子與活潑金屬(鐵、鎂、鋅等)的置換氫氣反應(yīng)；二是體系的氧化性(有效氯)；三是體系中其它離子的影響。但是酸性與氧化性是酸性氧化電位水的理化特質(zhì)，也是殺菌性能的決定因素，因此，在一定意義上，殺菌性能與金屬的腐蝕性是共存的矛盾體。與電解法相比，化學法制備酸性氧化電位溶液，通過計算即可控制溶液中的組分含量，其A、B單元的物質(zhì)來源范圍更廣泛。但是也造成了溶液中引入的雜質(zhì)的來源更為復雜。 在本發(fā)明中重點討論金屬離子在酸性環(huán)境中對鋁的腐蝕性。
化學法制備酸性氧化電位溶液，體系中金屬離子的引入主要有三種途徑，其一，酸堿調(diào)節(jié)劑及有效氯中含有或者產(chǎn)生金屬離子，如氯化鐵或者硫酸銨或者氫氧化鈉或次氯酸鈣等；其二，所使用原料中夾帶的金屬離子雜質(zhì)；其三，含有金屬離子的其他作用的組份，如增稠劑、穩(wěn)定劑、強化劑、干燥劑等。金屬離子對金屬(如常規(guī)檢測的Al、Fe、Cu材質(zhì)，及非常規(guī)的特種材質(zhì)的金屬)的腐蝕是通過活潑金屬與相對不活潑金屬形成的離子的置換進行的，如A1+X3+=A13++X 或者 2A1+3X2+=2A13++3X 或者 A1+3X+=A13++3X。3Fe+2X3+=3Fe2++2X 或者 Fe+X2+=Fe2++X 或者 Fe+2X+=Fe2++2X。3Cu+2X3+=3Cu2++2X 或者 Cu+X2+=Cu2++X 或者 Cu+2X+=Cu2++2X。常見金屬的活性順序如下Cs、Rb、K、(NH4+)、Ra、Ba、Sr、Ca、Na、Li、Ac、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Y、Mg、Dy、Am、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Sc、Pu、Th、Np、Be、U、Hf >[a|> Ti、Zr、·
V、Mn、Sm、Nb、Zn、Cr、Ga、Fe、Cd、In、Tl、Co、Ni、Mo、Sn、Tm、Pb、Cl、Tc、Po、Hg、Ag、Rh、Pd、
Pt、Au。能與鋁發(fā)生置換的金屬離子為比鋁更不活潑的金屬形成的離子，即在上述順序中在鋁元素后面的金屬形成的離子，而且越靠后的金屬形成的離子與鋁的反應(yīng)活性越強。如，單質(zhì)金是目前已知的金屬活性最弱的金屬，其離子與鋁的置換活性也是最強的。同樣，能與鐵發(fā)生置換的金屬離子為比鐵更不活潑的金屬形成的離子，即在上述順序中在鐵元素后面的金屬形成的離子，而且越靠后的金屬形成的離子與鐵的反應(yīng)活性越強。同樣，單質(zhì)金的離子與鐵的置換活性也是所有金屬離子里最強的。同樣，能與銅發(fā)生置換的金屬離子為比銅更不活潑的金屬形成的離子，即在上述順序中在銅元素后面的金屬形成的離子，而且越靠后的金屬形成的離子與銅的反應(yīng)活性越強。同樣，單質(zhì)金的離子與銅的置換活性也是所有金屬離子里最強的。綜上可知，對于常見金屬材質(zhì)鋁、鐵、銅，單質(zhì)金的離子與它們的的置換活性最大，腐蝕性也最大，因此以單質(zhì)金的離子作為金屬離子的腐蝕活性的參照物是合適的，因為相同限量濃度下，其它金屬離子的腐蝕活性要低于金離子的腐蝕活性。含金屬離子的酸性氧化電位水，金屬離子與氫離子及有效氯相互作用，極大的影響了體系對金屬的腐蝕性。請參閱圖1，圖中顯示酸性體系中，氫離子濃度的下降，使體系對鋁的腐蝕性有所下降。同時可知，金屬離子的加入及含量上升，增加了體系對鋁的腐蝕性。請參閱圖2，圖中顯示酸性體系中，金屬離子含量的增加，增強了體系對鋁的腐蝕性。同時可知，氫離子與金屬離子協(xié)同作用，增強了體系對鋁的腐蝕性。請參閱圖3，以腐蝕活性最強的元素金形成的金屬離子為例，圖中顯示在酸性氧化性環(huán)境中，不同的有效氯含量(>3mg/L)，金屬離子濃度的增大，均會產(chǎn)生對金屬腐蝕性的突躍。同時可知，有效氯的降低，使體系對金屬腐蝕性降低，而且降低了突躍顯著性。請參閱圖4，以腐蝕活性最強的元素金形成的金屬離子為例，圖中顯示在酸性氧化性環(huán)境中，不同的酸性環(huán)境(PH2-7)，金屬離子濃度的增大，均會產(chǎn)生對金屬腐蝕性的突躍。同時可知，酸性的降低，使體系對金屬腐蝕性降低，而且降低了突躍顯著性。請參閱圖5，圖中顯示在酸性氧化性環(huán)境中，不同的金屬離子濃度增大，對金屬的腐蝕活性產(chǎn)生相似的特性。金屬離子濃度的增大，使體系對金屬腐蝕性產(chǎn)生突躍。單質(zhì)金的離子反應(yīng)活性最強，其影響腐蝕性突躍的濃度最低(O. 02M)。其它金屬離子，隨著離子活性降低，突躍所需的濃度增大(> O. 02M)。本發(fā)明提供一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水的制備方法，包括以下步驟(I)提供可以產(chǎn)生氫離子的A單元；(2)提供含有有效氯或者可以產(chǎn)生有效氯的B單元；(3)將所述A單元與所述B單元混合，得到酸性強氧化性溶液，所述酸性強氧化性溶液的PH值在2-7間，其氧化還原電位不低于700mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其每一種腐蝕性金屬離子的含量不高于O. 02mol/L，所述腐蝕性金屬離子能與單質(zhì)鋁發(fā)生置換反應(yīng)。
所述腐蝕性金屬離子為Ti、Zr、V、Mn、Sm、Nb、Zn、Cr、Ga、Fe、Cd、In、Tl、Co、Ni、Mo、Sn、Tm、Pb、Cu、Tc、Po、Hg、Ag、Rh、Pd、Pt或Au的離子。上述所有腐蝕性金屬離子的含量之和不高于O. 02mol/Lo本發(fā)明還提供一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水，包括使用前獨立分裝的A單元和B單元，所述A單元為可以產(chǎn)生氫離子的制劑；所述B單元為含有有效氯或者可以產(chǎn)生有效氯的制劑，所述A單元與所述B單元混合后得到酸性強氧化性溶液，所述酸性強氧化性溶液的PH值在2-7間，其氧化還原電位不低于700mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其每一種腐蝕性金屬離子的含量不高于O. 02mol/L，所述腐蝕性金屬離子能與單質(zhì)鋁發(fā)生置換反應(yīng)。所述腐蝕性金屬離子為Ti、Zr、V、Mn、Sm、Nb、Zn、Cr、Ga、Fe、Cd、In、Tl、Co、Ni、Mo、Sn、Tm、Pb、Cu、Tc、Po、Hg、Ag、Rh、Pd、Pt或Au的離子。上述所有腐蝕性金屬離子的含量之和不高于O. 02mol/LoA單元的pH值優(yōu)選為0-7間，又優(yōu)選為1_6間，再優(yōu)選為1_5間，還有選為2_5間，最優(yōu)選為3-5間。A單元可選自無機酸、有機酸、強酸弱堿鹽或酸性物質(zhì)的前體的一種或者幾種。無機酸可選自鹽酸、氫溴酸、氫碘酸、硫酸、硝酸、氯酸、高氯酸、溴酸、高溴酸、偏高碘酸、偏磷酸、高錳酸、氫硼酸、氫砹酸、氫碲酸、氫疊碘酸、氟硅酸、氯鉛酸、鋨酸、硒酸、高鐵酸、氟磺酸、氰酸、硫氰酸、磷酸、硫酸氫鈉、亞硫酸或亞硝酸。有機酸可選自苦味酸、焦性苦味酸、三氟乙酸、三氯乙酸、乙酸、甲酸、甲磺酸、苯磺酸、KMD酸、2-氯乙硫醇、乙二酸、丙二酸、丁二酸、乳酸、丙酮酸、酒石酸、蘋果酸、枸椽酸、苯甲酸、水楊酸或咖啡酸。常見的強酸弱堿鹽通常為過渡金屬的強酸鹽或者胺類物質(zhì)的強酸鹽，如氯化鋁、氯化鐵、硫酸鋁、硫酸鐵、硝酸銅或氯化銨。酸性物質(zhì)的前體是指在溶液中能夠轉(zhuǎn)化為酸性物質(zhì)的物質(zhì)，如酸的酰氯衍生物，如琥珀酰氯。B單元可含有液氯、二氧化氯、次氯酸鹽、次氯酸鹽的復鹽、亞氯酸鹽或有效氯前體物質(zhì)中的一種或幾種。次氯酸鹽可選自次氯酸鈉、次氯酸鈣、漂白粉、漂白粉精、次氯酸鎂的一種或幾種。次氯酸鹽的復鹽可選自氯化磷酸三鈉(Na3PO4 · l/4NaOCl · 12H20)。亞氯酸鹽可選自亞氯酸鈉、亞氯酸鈣。有效氯前體物質(zhì)是指與酸或水反應(yīng)可以生成活化態(tài)有效氯的含氯物質(zhì)，且其在B單元中的穩(wěn)定性高于在A、B單元的混合液中，有效氯前體物質(zhì)可選自二氯異氰尿酸鈉、二氯異氰尿酸、三氯異氰尿酸、氯胺T、氯酸鹽、高氯酸鹽的一種或幾種。B單元的有效氯為有效氯的穩(wěn)定形態(tài)。有效氯穩(wěn)定形態(tài)是指在B單元中具有更好穩(wěn)定性，與酸或水反應(yīng)可以生成活化態(tài)有效氯的含氯物質(zhì)。B單元中有效氯含量應(yīng)保證A、B單元混合液中的有效氯含量不低于3mg/L。A、B單元混合液中的有效氯含量不低于3mg/L，其中優(yōu)選為3_6000mg/L，再優(yōu)選為
3-5000mg/L，又優(yōu)選為 3_4000mg/L，更優(yōu)選為 3_3000mg/L，最優(yōu)選為 30_1500mg/L。B單元的pH為堿性，其中，優(yōu)選為pH不低于8，再優(yōu)選為pH不低于9，還優(yōu)選為pH不低于10，又優(yōu)選為pH不低于11，更優(yōu)選為pH不低于12，最優(yōu)選為pH不低于13。B單元的pH控制可以是強堿、中強堿、弱堿或者強堿弱酸鹽的一種或者幾種。B單元所含堿性物質(zhì)可選自堿金屬的氫氧化物，如氫氧化鈉、氫氧化鉀等，也可選自堿土金屬的氫氧化物，如氫氧化鈣、氫氧化鋇、氫氧化鎂等，也可以選自過渡金屬的氫氧化物，如氫氧化鋅、氫氧化鐵等，也可以選自含氮物質(zhì)，如氨水、二乙醇胺、三乙胺等，也可選自強堿弱酸鹽，如碳酸鈉、乙酸鈉、磷酸鈉、檸檬酸鈉等。 A單元與B單元混合液中每一種腐蝕性金屬離子的含量不高于O. 02mol/L，其中優(yōu)選為不高于O. 015mol/L,再優(yōu)選為不高于O. 01mol/L,又優(yōu)選為不高于O. 005mol/L,還優(yōu)選為不高于O. 0025mol/L，最優(yōu)選為不高于O. 001mol/L。所述腐蝕性金屬離子優(yōu)選為Ti、Zr、V、Mn、Sm、Nb、Zn、Cr、Ga、Fe、Cd、In、Tl、Co、Ni、Mo、Sn、Tm、Pb、Cu、Tc、Po、Hg、Ag、Rh、Pd、Pt、Au 等金屬形成的離子，再優(yōu)選為 Ti、Mn、Zn、Cr、Fe、Ni、Sn、Pb、Cu、Hg,最優(yōu)選 Mn、Zn、Ni、Sn?？刂平饘匐x子含量的方法，其一，通過調(diào)整A、B單元的體積及內(nèi)在組分控制AB單元混合液中的物質(zhì)含量；其二，通過A或(及)B單元的預(yù)處理，去除部分金屬離子；其三，通過AB單元混合液的后處理，去除部分金屬離子。所述去除金屬離子的方法可以選擇如下方法的一種或者幾種，以去除或者屏蔽部分金屬離子?？梢约尤虢饘匐x子失活劑，如沉淀劑、螯合劑、氧化劑；也可以利用膜分離原理，如反滲透膜、離子選擇膜；也可以利用電化學原理，如電滲析法、電解法；也可以利用層析法、吸附法或離子交換法。含有效氯的溶液在通過上述方法去除部分金屬離子時，通常有效氯會有一定的損失，其含量需要重新測定。為了減少有效氯的損失，可以選擇快速處理方式；也可以選擇低溫條件下處理；也可以將B單元離子型有效氯轉(zhuǎn)為分子型有效氯(近中性或微酸性)，使之與離子性物質(zhì)區(qū)分；也可以將金屬離子轉(zhuǎn)為非離子性衍生物，使之與離子型有效成分(如，氫離子、次氯酸鈉)區(qū)分。去除目的性雜質(zhì)后，再恢復至有效氯的穩(wěn)定形態(tài)。本發(fā)明還提供一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水，所述殺菌水的pH值在2-7間，其氧化還原電位不低于700mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其每一種腐蝕性金屬離子的含量不高于0. 02mol/L，所述腐蝕性金屬離子能與單質(zhì)鋁發(fā)生置換反應(yīng)。所述腐蝕性金屬離子為Ti、Zr、V、Mn、Sm、Nb、Zn、Cr、Ga、Fe、Cd、In、Tl、Co、Ni、Mo、Sn、Tm、Pb、Cu、Tc、Po、Hg、Ag、Rh、Pd、Pt或Au的離子。上述所有腐蝕性金屬離子的含量之和不高于0. 02mol/Lo其pH值為2-7，其中優(yōu)選為3-7間，又優(yōu)選為4_7間，最優(yōu)選為5_7間。其pH值的酸性控制，可以單獨由酸性調(diào)節(jié)劑控制或者由酸性調(diào)節(jié)劑與堿性調(diào)節(jié)劑共同控制，使低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水含有無機酸、有機酸、強酸弱堿鹽、強堿弱酸鹽、弱酸弱堿鹽或者強酸強堿鹽的一種或者幾種。
所述酸性調(diào)節(jié)劑可選自無機酸、有機酸、強酸弱堿鹽或酸性物質(zhì)的前體的一種或者幾種。無機酸可選自鹽酸、氫溴酸、氫碘酸、硫酸、硝酸、氯酸、高氯酸、溴酸、高溴酸、偏高碘酸、偏磷酸、高錳酸、氫硼酸、氫砹酸、氫碲酸、氫疊碘酸、氟硅酸、氯鉛酸、鋨酸、硒酸、高鐵酸、氟磺酸、氰酸、硫氰酸、磷酸、硫酸氫鈉、亞硫酸或亞硝酸。有機酸可選自苦味酸、焦性苦味酸、三氟乙酸、三氯乙酸、乙酸、甲酸、甲磺酸、苯磺酸、KMD酸、2-氯乙硫醇、乙二酸、丙二酸、丁二酸、乳酸、丙酮酸、酒石酸、蘋果酸、枸椽酸、苯甲酸、水楊酸或咖啡酸。常見的強酸弱堿鹽通常為過渡金屬的強酸鹽或者胺類物質(zhì)的強酸鹽，如氯化鋁、氯化鐵、硫酸鋁、硫酸鐵、硝酸銅或氯化銨。酸性物質(zhì)的前體是指在溶液中能夠轉(zhuǎn)化為酸性物質(zhì)的物質(zhì)，如酸的酰氯衍生物，如琥珀酰氯。所述堿性調(diào)節(jié)劑可以是強堿、中強堿、弱堿或者強堿弱酸鹽的一種或者幾種。B單元所含堿性物質(zhì)可選自堿金屬的氫氧化物，如氫氧化鈉、氫氧化鉀等，也可選自堿土金屬的氫氧化物，如氫氧化鈣、氫氧化鋇、氫氧化鎂等，也可以選自過渡金屬的氫氧化物，如氫氧化鋅、氫氧化鐵等，也可以選自含氮物質(zhì)，如氨水、二乙醇胺、三乙胺等，也可選自強堿弱酸鹽， 如碳酸鈉、乙酸鈉、磷酸鈉、檸檬酸鈉等。所含有效氯可由液氯、二氧化氯、次氯酸鹽、次氯酸鹽的復鹽、亞氯酸鹽或有效氯前體物質(zhì)的一種或幾種生成。次氯酸鹽可選自次氯酸鈉、次氯酸鈣、漂白粉、漂白粉精、次氯酸鎂的一種或幾種。次氯酸鹽的復鹽可選自氯化磷酸三鈉(Na3PO4 · l/4NaOCl · 12H20)。亞氯酸鹽可選自亞氯酸鈉、亞氯酸鈣。有效氯前體物質(zhì)是指與酸或水反應(yīng)可以生成活化態(tài)有效氯的含氯物質(zhì)，有效氯前體物質(zhì)可選自二氯異氰尿酸鈉、二氯異氰尿酸、三氯異氰尿酸、氯胺T、氯酸鹽、高氯酸鹽的一種或幾種。其有效氯含量不低于3mg/L，其中優(yōu)選為3_6000mg/L，再優(yōu)選為3_5000mg/L，又優(yōu)選為 3-4000mg/L，更優(yōu)選為 3_3000mg/L，最優(yōu)選為 30_1500mg/L。其每一種腐蝕性金屬離子的含量不高于O. 02mol/L,其中優(yōu)選為不高于O. 015mol/L,再優(yōu)選為不高于O. 01mol/L,又優(yōu)選為不高于O. 005mol/L,還優(yōu)選為不高于O. 0025mol/L，最優(yōu)選為不高于 O. 001mol/L。所述腐蝕性金屬離子優(yōu)選為Ti、Zr、V、Mn、Sm、Nb、Zn、Cr、Ga、Fe、Cd、In、Tl、Co、Ni、Mo、Sn、Tm、Pb、Cu、Tc、Po、Hg、Ag、Rh、Pd、Pt、Au 等金屬形成的離子，再優(yōu)選為 Ti、Mn、Zn、Cr、Fe、Ni、Sn、Pb、Cu、Hg,最優(yōu)選 Mn、Zn、Ni、Sn。以下結(jié)合實施例詳細說明本發(fā)明。實施例I :配置1000L強酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為3mg/L)原料A :硫酸水溶液，PH2-3，[Ti4+] = 0. 025mol/L。預(yù)處理原料A加入與Ti4+等摩爾的EDTA，形成Ti鹽絡(luò)合物，超濾去除絡(luò)合物。濾液調(diào)整恢復酸性。量取1000L，灌裝，封口，得A單元:1000L酸性水，pH2_3，Ti4+=O. Imol。原料B : 二氯異氰尿酸鈉(有效氯0. 25g/g)，稱取12g，分裝，得B單元(有效氯約3g)。使用時，將A單元與B單元混合，使B單元溶解，制得1000L強酸性氧化電位殺菌水(pH2-3，0RP1050-1130mV，ACC3mg/L，[Ti4+] = O. 000ImoI/U。此時，溶液中含有強酸、弱
酸、強酸強堿鹽。實施例2 :配置1000L弱酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為30mg/L)
原料A :硫酸水溶液，pH3-5，[Zr4+] = O. 025mol/L。預(yù)處理原料A加入與Zr4+等摩爾的EDTA，形成Zr鹽絡(luò)合物，超濾去除絡(luò)合物。濾液調(diào)整恢復酸性。量取1000L，灌裝，封口，得A單元1000L酸性水，pH3_5，Zr4+=Imol。原料B :二氯異氰尿酸鈉(有效氯O. 25g/g)，稱取120g，分裝，得B單元(有效氯約30g)。
使用時，將A單元與B單元混合，使B單元溶解，制得1000L弱酸性氧化電位殺菌水(pH3-5，0RP900-1050mV，ACC30mg/L，[Zr4+] = O. 001mol/L)。此時，溶液中含有強酸、弱
酸、強酸強堿鹽。實施例3 :配置1000L微酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為3000mg/L)原料A :硫酸氫鈉水溶液，pH5-7，[V3+] = O. 025mol/L。預(yù)處理原料A加入與V3+等摩爾的EDTA，形成V的絡(luò)合物，超濾去除絡(luò)合物。濾液調(diào)整恢復酸性。量取1000L，灌裝，封口，得A單元1000L酸性水，pH5_7，V3+=5moL·原料B :二氯異氰尿酸鈉(有效氯O. 25g/g)，稱取12Kg，分裝，得B單元(有效氯約3000g)。使用時，將A單元加入B單元，使B單元溶解，制得1000L微酸性氧化電位殺菌水(pH5-7, 0RP1000-1200mV, ACC3000mg/L, [V3+] = 0. 005mol/L)。此時，溶液中含有強酸、弱
酸、強酸強堿鹽。實施例4 :配置1000L弱酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為4000mg/L)原料A :硝酸水溶液，ρΗ2· 5，[Mn2+] = O. 025mol/L。預(yù)處理原料A通過錳砂吸附柱。流出液調(diào)整恢復酸性。量取1000L，灌裝，封口，得 A 單元:1000L 酸性水，ρΗ2· 5，Mn2+=IOmol。原料B :三氯異氰尿酸(有效氯O. 4g/g)，稱取10Kg，添加120g氫氧化鈉，混合分裝，得B單元有效氯約4Kg。使用時，將A單元緩慢加入B單元(不小于15分鐘)，使B單元溶解，制得1000L酸性氧化電位殺菌水(pH3-4，0RP1100-1300mV，ACC4000mg/L，[Mn2+] = O. 01mol/L)。此時，溶液中含有強酸、弱酸、強酸強堿鹽。實施例5 :配置1000L微酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為5000mg/L)原料A :硫酸水溶液，ρΗ2· 5，[Nb3+] = O. 025mol/L。預(yù)處理原料A加入與Nb3+等摩爾的EDTA，形成Nb的絡(luò)合物，超濾去除絡(luò)合物。濾液調(diào)整恢復酸性。量取1000L，灌裝，封口，得A單元:1000L酸性水，ρΗ2· 5，Nb3+=15mol。原料B :氯胺T (有效氯0. 25g/g)，稱取20Kg，添加168g碳酸鈉，混合分裝，得B單元有效氯約5Kg。使用時，將A單元分批加入B單元，使B單元溶解，每批添加量100L，制得1000L酸性氧化電位殺菌水(PH5-7，0RP1000-1200mV，ACC5000mg/L，[Nb3+] = 0. 015mol/L)。此時，溶液中含有強酸、弱酸、弱酸強堿鹽、強酸強堿鹽。實施例6 :配置1000L微酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為6000mg/L)原料A :硫酸水溶液，ρΗ3· 5，[Zn2+] = O. 025mol/L。預(yù)處理原料A加入與Zn2+等摩爾的EDTA，形成Zn的絡(luò)合物，超濾去除絡(luò)合物。濾液調(diào)整恢復酸性。量取1000L，灌裝，封口，得A單元:1000L酸性水，ρΗ3· 5，Zn2+=20mol。
原料B :固體二氧化氯(有效氯O. 2g/g)，稱取30Kg，添加17g碳酸鈉，混合分裝，得B單元(有效氯約6Kg)。使用時，將A單元分批加入B單元，每批添加量50L，制得1000L微酸性氧化電位殺菌水(pH5-7，0RP1000-1200mV，ACC6000mg/L，[Zn2+] = O. 02mol/L)。此時，溶液中含有強酸、弱酸、弱酸強堿鹽、強酸強堿鹽。實施例7 :配置IOL強酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為3mg/L)原料A :鹽酸水溶液，PH2-3，[Cr3+] = O. 025mol/L。預(yù)處理原料A加入與Cr3+等摩爾的檸檬酸，形成Cr的螯合物，超濾去除螯合物。濾液調(diào)整恢復酸性。量取9. 99L，灌裝，封口，得A單元9. 99L酸性水，pH2-3，Cr3+=O. Olmol。原料B :穩(wěn)定性二氧化氯溶液(有效氯3mg/ml, pH10_ll,氫氧化鈉調(diào)節(jié))，量取IOml，灌裝，封口，得B單元(有效氯30mg)?！な褂脮r，將A單元與B單元混合，制得IOL酸性氧化電位殺菌水(pH2_3，0RP1050-1150mV, ACC3mg/L, [Cr3+] = O. 001mol/L)。此時，溶液中含有強酸、強酸強堿鹽。實施例8 :配置IOL弱酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為250mg/L)原料A :鹽酸水溶液，PH3-3. 5，Ga3+=O. 025mol/L。預(yù)處理原料A加入與Ga3+等摩爾的酒石酸，形成Ga的螯合物，超濾去除螯合物。濾液調(diào)整恢復酸性。量取9.9L，灌裝，封口，得A單元9.9L酸性水，pH3-3. 5，Ga3+==O. OOlmol ο原料B :次氯酸鈉溶液(有效氯25mg/ml, pH=10_ll,氫氧化鈉調(diào)節(jié)),量取O. 1L,灌裝，封口，得B單元0. IL溶液(有效氯25g)。使用時，將A單元與B單元混合，制得IOL弱酸性氧化電位殺菌水(pH3_5，0RP1000-1150mV, ACC250mg/L, [Ga3+] = O. 0001mol/L)。此時，溶液中含有強酸、弱酸、強酸
強堿鹽。實施例9 :配置10L微酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為1000mg/L)原料A :鹽酸水溶液，ρΗ5· 0-6. 0，[Fe2+] = 0. 025mol/L。預(yù)處理原料A加入與Fe2+等摩爾的水溶性硫離子，形成亞Fe的硫化物沉淀，超濾去除沉淀。濾液調(diào)整恢復酸性。量取9L，灌裝，封口，得A單元9L酸性水，pH5. 0-6. 0，F(xiàn)e2+=O. 05mol ο原料B :次氯酸鋰溶液(有效氯10mg/ml,pH=7. 5,氫氧化鋰調(diào)節(jié)),量取1L,灌裝,封口，得B單元IL溶液(有效氯IOg)。使用時，將A單元與B單元混合，制得10L微酸性氧化電位殺菌水(pH5_7，ORP1000-1IOOmV, ACC1000mg/L, [Fe2+]=0. 005nol/L)。此時，溶液中含有強酸、強酸強堿鹽。實施例10 :配置10L弱酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為1500mg/L)原料A :鹽酸水溶液，PH2-2. 5，[Cd2+] = O. 025mol/L。預(yù)處理原料A加入與Cd2+等摩爾的EDTA，形成Cd的絡(luò)合物，超濾去除絡(luò)合物。濾液調(diào)整恢復酸性。量取9L，灌裝，封口，得A單元9L酸性水，pH2-2. 5，Cd2+=O. 04mol。原料B :次氯酸鈉溶液(有效氯15mg/ml, pH=12. 5,氫氧化鈉-碳酸鈉調(diào)節(jié)),量取1L，灌裝，封口，得B單元(有效氯15g)。使用時，將A單元加入B單元，混合均勻，制得10L弱酸性氧化電位殺菌水(pH3_5，0RP1050-1200mV, ACC1500mg/L, [Cd2+]=0. 004mol/L)。此時，溶液中含有強酸、弱酸、強酸強堿鹽。實施例11 :配置IOL微酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為2000mg/L)原料A :鹽酸水溶液，ρΗ=3-3· 5, [In3+] = O. 025mol/L。預(yù)處理原料A加入與In3+等摩爾的EDTA，形成In的絡(luò)合物，超濾去除絡(luò)合物。濾液調(diào)整恢復酸性。量取9. 8L，灌裝，封口，得A單元9. 8L酸性水，pH=3-3. 5，In3+=O. Imol。原料B :次氯酸鉀溶液(有效氯100mg/ml, pH=12,氫氧化鉀調(diào)節(jié))，量取200ml,灌裝，封口，得B單元(有效氯20g，K+=7g)。使用時，將A單元分批加入B單元，每批加入量50ml，制得IOL酸性氧化電位殺菌 水(pH5-7，0RP1000-1200mV，ACC2000mg/L，[In3+] = O. Olmol/L)。此時，溶液中含有強酸、
強酸強堿鹽。實施例12 :配置IOL微酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為2500mg/L)原料A :鹽酸水溶液，pH2-3，[Tl3+] = O. 01mol/L。預(yù)處理原料A加入與Tl3+等摩爾的EDTA，形成Tl的絡(luò)合物，超濾去除絡(luò)合物。濾液連續(xù)通過活性鋁吸附柱及活性炭吸附柱，流出液加入少量EDTA，調(diào)整恢復酸性。量取
9.75L，灌裝，封口，得 A 單元9. 975L 酸性水，pH2_3，Tl3+=l(T7mol。原料B :次氯酸鈣溶液(有效氯100mg/ml，pH=12，氫氧化鈣調(diào)節(jié))，調(diào)整堿性，量取250ml，灌裝，封口，得B單元(有效氯25g)。使用時，將A單元緩慢加入B單元(時間不小于I分鐘)，制得10L酸性氧化電位殺菌水(pH5-7，0RP1000-1200mV, ACC2500mg/L, [Tl3+] =l(T8mol/L)。實施例13 :配置10L強酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為3000mg/L)原料A :鹽酸水溶液(pH2. 0-3. 0)，量取9L，灌裝，封口，得A單元9L酸性水。原料B :次氯酸鈉發(fā)生器制備次氯酸鈉溶液，pH=7. 5，[Co2+] 0. 03mol/L。預(yù)處理原料B加入與Co2+等摩爾的碳酸鈉，形成Co的碳酸鹽沉淀，超濾去除沉淀。濾液通過離子交換樹脂層析柱，流出液加入少量EDTA，調(diào)整pH至7. 5 (有效氯30mg/ml)。量取1L，灌裝，封口，得B單元(有效氯30g，Co2+=l(T8mol/L)。使用時，將A單元緩慢(不少于5分鐘)加入B單元，制得10L強酸性氧化電位殺菌水(pH2-3，0RP1200-1400mV, ACC3000mg/L, [Co2+] l(T7mol/L)。實施例14 :配置10L弱酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為4000mg/L)原料A :乙酸水溶液(pH4. 0-5. 0)，量取9. 5L，灌裝，封口，得A單元9. 5L酸性水。原料B :次氯酸鈉發(fā)生器制備次氯酸鈉溶液，pH=7. 5，[Ni2+] 0. 03mol/L。預(yù)處理原料B加入與Ni2+等摩爾的碳酸鈉，形成Ni的碳酸鹽沉淀，超濾去除沉淀。濾液通過離子交換樹脂層析柱，流出液加入少量EDTA，調(diào)整pH至7. 5 (有效氯80mg/ml, pH=7. 5，碳酸鈉調(diào)節(jié))。量取500ml，灌裝，封口，得B單元500ml溶液(有效氯40g，Ni2+=O. Olmol)。使用時，將A單元噴霧加入B單元，制得10L弱酸性氧化電位殺菌水(pH4_5，0RP1100-1300mV, ACC4000mg/L, [Ni2+] 0. 001mol/L)。此時，溶液中含有弱酸-弱酸強堿鹽緩沖體系。實施例15 :配置10L微酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為5000mg/L)
原料A :乙酸-乙酸鈉溶液(pH5. 0-5. 5)，量取9. 5L，灌裝，封口，得A單元9. 5L酸性水。原料B :次氯酸鈉發(fā)生器制備次氯酸鈉溶液，pH=7. 5，[Mo5+] O. 03mol/L。預(yù)處理原料B加入與Mo5+等摩爾的EDTA，形成Mo的絡(luò)合物，超濾去除絡(luò)合物。濾液通過活性鋁吸附柱，流出液調(diào)整pH至7. 5 (有效氯100mg/ml，pH=7. 5，氫氧化鋁調(diào)節(jié))。量取500ml，灌裝，封口，得B單元500ml溶液(有效氯50g, Mo5+=O. OOlmol)。使用時，將A單元滴加入B單元，制得IOL微酸性氧化電位殺菌水(pH5_7，0RP1000-1200mV, ACC5000mg/L, [Mo5+] = l(T4mol/L)。此時，溶液中含有乙酸-乙酸鈉緩沖體系。實施例16 :配置IOL弱酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為6000mg/L) 原料A:酸性溶液(O. IM乙酸，O. OlM鹽酸)，量取9. 4L，灌裝，封口，得A單元9. 4L酸性水。原料B :次氯酸鈉溶液，pH=13, [Sn2+] = O. 05mol/L。預(yù)處理原料B加入與Sn2+等摩爾的硫化鈉，形成Sn的硫化物沉淀,超濾去除沉淀。濾液調(diào)整pH至13. 3(有效氯100mg/ml/pH=13，三乙醇胺調(diào)節(jié))。量取600ml，灌裝封口，得 B 單元600ml 溶液(有效氯 60g, Sn2+=O. 01mol)o使用時，將A單元加入B單元，制得IOL酸性氧化電位殺菌水(pH3_5，0RP1050-1150mV, ACC6000mg/L, [Sn2+] = lmmol/L)。此時，溶液中含有強酸、弱酸、強酸強
堿鹽、強堿弱酸鹽。實施例17 :配置IOL弱酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為3mg/L)原料A :檸檬酸溶液(O. 1M)，量取9. 9L，灌裝，封口，得A單元9. 9L酸性水，Tc3+=O. 3mol ο原料B :次氯酸鈉溶液(有效氯lmg/ml/pH=13, 二異丙胺-碳酸鈉調(diào)節(jié))，量取100ml，灌裝封口，得 B 單元=IOOml 溶液(有效氯 IOOmg, Rh3+=O. 01mol)o使用時，將A單元分批加入B單元，每批400ml，制得IOL酸性氧化性溶液(ACC10mg/L)，快速通過離子交換層析柱，得到酸性氧化電位殺菌水(pH6. 85，0RP700mV,ACC3mg/L,腐蝕性金屬離子總濃度 O. 0051mol/L, [Tc3+] = O. 005mol/L, [Rh3+]=O. OOOlmol/L)。此時，溶液含有檸檬酸-檸檬酸鹽緩沖溶液。實施例18 :配置10L弱酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為1000mg/L)原料A :酒石酸固體，稱取lmol，包裝，封口，得A單元。原料B :亞氯酸鈉溶液(有效氯lmg/ml/pH=13-14,氫氧化鈉調(diào)節(jié)),量取10L,灌裝封口，得B單元10L溶液(有效氯IOg)。使用時，將A單元與B單元混合，制得10L酸性氧化電位殺菌水(pH3_5，0RP1100-1300mV, ACC1000mg/L，腐蝕性金屬離子的含量為0)。此時，溶液含有酒石酸-酒石酸鹽緩沖溶液。實施例19 :配置10L強酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為2000mg/L)原料A :琥珀酸溶液(1M)，量取10L，灌裝，封口，得A單元，Pb2+=O. 2mol。原料B : 二氯異氰尿酸鈉(有效氯0. 3g/g)，稱取80g，得B單元(有效氯約24g，Cu2+=O. 05mol )。
使用時，將A單元與B單元混合，制得IOL酸性氧化性溶液，加入O. 4mol的EDTA，超濾快速濾除絡(luò)合物，得到酸性氧化電位殺菌水(PH2-3，0RP1200-1400mV, ACC2000mg/L,腐蝕性金屬離子總濃度 O. 005mol/L, [Pb2+] =0. 003mol/L, [Cu2+] =0. 002mol/L)。實施例20 :配置IL酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為3000mg/L)原料A :檸檬酸固體，稱取Imol，含Ag+=O. 005mol。原料B :次氯酸鈣粉末(有效氯O. 2g/g)，稱取15g (有效氯約3g，Hg2+=O. 005mol)。將A原料與B原料及O. 2mol氯化I丐(干燥齊U、氯離子沉淀齊Li, Pd2+=O. 005mol)混合
一元包裝。 使用時，將AB組合物溶于IL水(Pt2+=O. 005mol)中，待溶液轉(zhuǎn)為酸性后，制得IOL酸性氧化性溶液，快速通過離子交換樹脂柱，制得酸性氧化電位殺菌水(PH2-7，0RP700-1130mV, ACC3000mg/L,腐蝕性金屬離子總濃度 O. 001mol/L, [Ag+] =0. 0003mol/L,[Hg2+] =0. 0001mol/L, [Pd2+] =0. 0003mol/L, [Pt2+] = 0. 0003mol/L)。此時，溶液中含有弱酸、
強酸強堿鹽、弱酸強堿鹽。實施例21 :配置IL酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為300mg/L)原料A :氯化鐵溶液(0. 015M)，量取0. 98L，灌裝，封口，得A單元，含F(xiàn)e3+=O. 015mol ο原料B :次氯酸鈉溶液(pH=7. 5)，量取20ml(有效氯300mg)，灌裝，封口，得B單元20ml溶液(有效氯300mg)。使用時，將A單元與B單元混合，待溶液轉(zhuǎn)為酸性后，制得IL酸性氧化電位殺菌水(pH2-7, 0RP800-1200mV, ACC300mg/L, [Fe3+] = O. 015mol/L)。此時，溶液含有強酸弱堿鹽、
強酸強堿鹽、強酸。實施例22 :配置IL酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為400mg/L)原料A :氯化鋁固體，稱取0. 02mol，灌裝，封口，得A單元。原料B :亞氯酸鈉溶液(ρΗ=7· 5)，量取IL (有效氯400mg)，灌裝，封口，得B單元IL 溶液(有效氯 400mg, Hg2+=O. Olmol )。使用時，將A單元與B單元混合，待溶液轉(zhuǎn)為酸性后，制得IL酸性氧化電位殺菌水(pH2-7，0RP800-1200mV, ACC400mg/L, [Hg2+] =0. 01mol/L)。此時，溶液含有強酸弱堿鹽、強
酸強堿鹽、強酸。實施例23 :配置IL酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為600mg/L)原料A :氯化鋅溶液(0. 02M)，量取1L，灌裝，封口，得A單元，Sm3+=O. 015mol 0原料B :氯化磷酸三鈉固體，稱取12g，包裝，得B單元(有效氯0. 6g，Tm3+=O. Olmol )。使用時，將A單元與B單元混合，溶解，制得IL酸性氧化性溶液，快速通過離子交換樹脂柱，得到酸性氧化電位殺菌水(PH2-3，0RP1100-1250mV, ACC600mg/L，腐蝕性金屬離子總濃度 0. 0006mol/L, [Sm3+] 0. 0001mol/L, [Tm3+] 0. 0005mol/L)。此時，溶液含有強酸弱堿
鹽、強酸強堿鹽、強酸、弱酸。實施例24 :配置IL酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為700mg/L)原料A :硫酸鐵固體，稱取0. Olmol。原料B :次氯酸鈣粉末(有效氯0. 4g/g)，稱取I. 75g，有效氯約700mg。
將A原料與B原料及5g乙酸鈉混合一元包裝。使用時，將AB組合物溶于IL水Pd2+=O. Immol)中，待溶液轉(zhuǎn)為酸性后，制得IL酸性氧化電位殺菌水(PH2-7，0RP800-1200mV，有效氯含量為 700mg/L，[Fe3+] =0. Olmol/L,[Pd2+]=0. lmmol/L)。此時，溶液含有強酸、弱酸、強酸強堿鹽、弱酸弱堿鹽、強酸弱堿鹽、弱酸強堿鹽。因為硫酸鈣的溶解性差，所以體系中有不溶物，但是不影響其有效氯、pH、0RP的特性。實施例25 :配置IL酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為800mg/L)原料A :琥珀酰氯，稱取O. 03mol，包裝，封口，得A單元。 原料B :次氯酸鈉溶液(pH=ll，氫氧化鈉-碳酸鈉調(diào)節(jié))，量取IL (有效氯800mg)，灌裝，封口，得B單元IL溶液(有效氯800mg)。使用時，將A單元加入B單元，溶解，待溶液轉(zhuǎn)為酸性后，制得IL酸性氧化電位殺菌水(pH2-7，0RP800-1300mV，ACC800mg/L，腐蝕性金屬離子的含量為O)。此時，溶液含有強
酸、弱酸、強酸強堿鹽、強堿弱酸鹽。實施例26 :配置IL酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為900mg/L)原料A :琥拍酰氯粉末,稱取 O. 03mol (Zn2+=O. Immol )。原料B :次氯酸I丐粉末,稱取3g,有效氯900mg (Pb2+=O. lmmol)。將A、B原料混合一元包裝。使用時，將AB組合物溶于IL水(Mn2+=O. Immol)中，待溶液轉(zhuǎn)為酸性后，制得IL酸性氧化電位殺菌水(PH2-7，0RP800-1300mV, ACC900mg/L，總腐蝕性金屬離子O. 3mmol/L，其中[Zn2+]O. lmmol/L, [Pb2+]O. lmmol/L, [Mn2+]O. lmmol/L)。此時，溶液含有強酸、弱酸、強酸
強堿鹽、強堿弱酸鹽。實施例27 :配置1000L強酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為1500mg/L)原料A 電解產(chǎn)生酸性氧化電位水(pH2_3，0RP1100-1300mV, ACC迅速分解)，量取1000L，灌裝，封口，得 A 單元:1000L 酸性水，Ti4+=2mol, Ni2+=2mol，Pt2+=2mol。原料B :次氯酸鈣粉末(有效氯500mg/g)，稱取3kg，分裝，得B單元3kg粉末(有效氯 1500g)。使用時，將A單元與B單元混合，制得1000L酸性氧化電位殺菌水(pH2_3，0RP1100-1300mV, ACC1500mg/L,總腐蝕性金屬離子 0. 006mol/L,其中[Ti4+] 2mmol/L，[Ni2+]2mmo1 /T,, [Pt2+]2mmol/L)。實施例28 :配置IL酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為50mg/L)原料A :鹽酸溶液(pH2_3)，量取1L，Au3+=O. 5mmol，獨立包裝。原料B :氯氣/氮氣混合氣，灌裝量5ml，有效氯50mg，獨立高密封包裝。使用時，密閉條件下，將A單元加入B單元混合，制得IL酸性氧化電位殺菌水(pH2-3，0RP1100-1200mV, ACC50mg/L, [Au3+]0. 5mmol/L)。此時，溶液含有強酸、弱酸。實施例29 :配置10L酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為500mg/L)原料A :鹽酸溶液(3M)，量取15ml，獨立防腐包裝。原料B :氯酸鈉溶液(2. 5M，pH=8，碳酸鈉調(diào)節(jié))，量取10ml，獨立防腐包裝。使用時，將A單元與B單元混合后，再用9. 975L的水(Zn2+=IOmmol, Mn2+=IOmmol,Zr3+=5mmol)稀釋，制得 IOL 酸性氧化電位殺菌水(ρΗ2· 5-3. 5，0RP1100-1300mV, ACC500mg/L，總腐蝕性金屬離子 O. 0025mol/L,其中[Zn2+] lmmol/L, [Mn2+] lmmol/L, [Zr3+] O. 5mmol/L)。此時，溶液含有強酸、弱酸、強酸強堿鹽。實施例30 :配置IOL酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為150mg/L)原料A :鹽酸溶液(4M)，量取10ml，獨立防腐包裝。原料B :高氯酸鈉溶液(O. 5M，pH=8，碳酸鈉調(diào)節(jié))，量取10ml，F(xiàn)e3+=O. 2g，獨立防腐包裝。使用時，將A單元與B單元混合后，再用9. 98L的水(Sn2+=15mmol, Mn2+=15mmol,Pt2+=20mmol)稀釋，制得 IOL 酸性氧化電位殺菌水(pH5_7，0RP800-1050mV, ACC150mg/L，總腐蝕性金屬離子 O. 005mol/L,其中[Sn2+] 1 Smmol /T,, [Mn2+] 1 Smmol /I,, [Pt2+] 20mmol/L)。此時，溶液含有強酸、弱酸、強酸強堿鹽。
實施例31 :配置IL酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為200mg/L)原料A :鹽酸溶液(ρΗ=0)，量取10ml，獨立包裝。原料B :次氯酸鈉溶液(pH=12. 5，氫氧化鈉調(diào)節(jié))，量取IOml (有效氯200mg)，獨立包裝。使用時，將A 單兀與 B 單兀置于 O. 98L 水(Sn2+=5mmo I, Mn2+=3mmol, Pb2+=2mmol)中，制得IL酸性氧化電位殺菌水(pH2-3，0RP1150-1300mV, ACC200mg/L,總腐蝕性金屬離子
O.Olmol/L,其中[Sn2+] 5mmol/L, [Mn2+] 3mmol/L, [Pb2+] 2mmol/L)。此時，溶液含有強酸、弱
酸、強酸強堿鹽。實施例32 :配置1000L強酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為1000mg/L)原料A :酸性水溶液 2000L (pH2_3，Mn2+=IOOmol )。原料A預(yù)處理方法I,原料A加入水溶性硫離子(IOOmol),形成MnS沉淀,超濾,取濾液,調(diào)整pH,得到原料 Al (pH2-3，Mn2+〈0. 001mol/L)。方法2，原料A通過鈉型離子交換樹脂層析柱，去除Mn2+，調(diào)整pH，得到原料A2(pH2-3，Mn2+〈0. 005mol/L)。方法3，原料A通過錳砂吸附柱，部分吸附Mn2+，調(diào)整pH，得到原料A3 (pH2_3，Mn2+<0. 0025mol/L)。方法4，原料A通過納濾膜，控制條件，使被截留的Mn2+的量大于其它離子，調(diào)整pH，得到原料 A4 (pH2-3，Mn2+〈0. 01mol/L)。方法5，原料A —定電流下通過離子選擇膜，去除部分Mn2+，調(diào)整pH，得到原料A5(pH2-3，Mn2+〈0. 02mol/L)。分別量取原料A1-A5各1000L，灌裝，封口，得A單元1_5 :1000L酸性水(pH2_3，[Mn2+] 0. 001-0. 02mol/L)。原料B :次氯酸鈣粉末(有效氯200mg/g)，稱取5kg，分裝，得B單元5kg粉末(有效氯 1000g)。制備相同B單元各5份。使用時，將A單元A1-A5分別與一份B單元混合，制得1000L酸性氧化電位殺菌水1-5 (pH2-3, 0RP1150-1350mV, ACC1000mg/L, [Mn2+]O.001-0. 02mol/L)。
上述酸性氧化電位殺菌水5繼續(xù)后處理方法1，殺菌水5加入定量水溶性硫離子，使S2- =Mn2+的摩爾比1: 1，形成沉淀，快速超濾去除沉淀，得到殺菌水 6 (pH2-3,0RP1200-1350mV,ACC950mg/L, [Mn2+] < O. OOlmol/L)。方法2，殺菌水5快速通過鈉型離子交換樹脂層析柱，去除Mn2+，得到殺菌水7(pH2-3，0RP1200-1350mV, ACC850mg/L, [Mn2+]〈O. 002mol/L)。方法3，殺菌水5快速通過納濾膜，控制條件，使被截留的Mn2+的量大于其它離子，得到殺菌水 8 (pH2-3，0RP1200-1350mV, ACC750mg/L, [Mn2+]〈O. 003mol/L)。方法4，殺菌水5在一定電流下分別快速通過離子選擇膜，去除部分Mn2+，得到殺菌水 9 (pH2-3, 0RP1200-1350mV, ACC650mg/L, [Mn2+]〈O. 004mol/L)。
殺菌水的后處理會使有效氯部分損失，但是在pH2-7，ORP彡700mV, ACC彡3mg/L的范圍內(nèi)，均可以產(chǎn)生足夠的殺菌效果。實施例33 :配置IOL強酸性氧化電位殺菌水(有效氯500_1000mg/L)原料A :檸檬酸粉末，稱量Imol，分裝，得A單元。分別制備相同的4份。原料B :有效氯溶液 IOOL (pH7. 5，Zn2+=3mol)。原料B預(yù)處理方法1，原料B定量加入水溶性硫離子3mol，形成硫化物沉淀，超濾，濾除沉淀后，調(diào)整 pH，得原料 BI (ρΗ7· 5，ACC1000mg/L，[Zn2+] < O. 0001mol/L)。方法2，原料B酸化至pH6. 5-7,快速通過鈉型離子交換樹脂層析柱，去除Zn2+，調(diào)整 pH，得原料 B2 (pH7. 5, ACC900mg/L, [Zn2+] < 0. 002mol/L)。方法3，原料B快速通過納濾膜，去除部分Zn2+，調(diào)整pH，得到原料B3 (pH7. 5，ACC700mg/L, [Zn2+] < 0. 01mol/L)。方法4，原料B酸化至pH6. 5_7，在一定電流下快速通過離子選擇膜，去除部分Zn2+，調(diào)整 pH，得到原料 B4 (pH7. 5, ACC700mg/L, [Zn2+] < 0. 02mol/L)。經(jīng)過上述處理，有效氯會有一定損失，其含量需要重新測定。原料B1-B4各量取10L，灌裝，封口，制得B1-B4單元。使用時，將B1-B4單元分別與一份A單元混合，制得10L酸性氧化電位殺菌水1_4(pH2-3，0RP1200-1350mV, ACC700-1000mg/L, [Zn2+] < 0.0001-0. 02mol/L)。上述酸性氧化電位殺菌水4繼續(xù)后處理 方法I,殺菌水4定量加入水溶性硫離子0. 2mol,形成硫化物沉淀,濾除沉淀，得到殺菌水 5 (pH2-3，0RP1200-1300mV, ACC650mg/L, [Zn2+] < 0. 001mol/L)。方法2，殺菌水4快速通過鈉型離子交換樹脂層析柱，去除部分Zn2+，得到殺菌水6(pH2-3，0RP1200-1300mV, ACC650mg/L, [Zn2+] < 0.005mol/L)。方法3，殺菌水4快速通過納濾膜，控制條件，使被截留的Zn2+的量大于其它離子，得到殺菌水 7 (pH2-3，0RP1200-1300mV, ACC500mg/L, [Zn2+] < 0. 006mol/L)。方法4，殺菌水4在一定電流下快速通過離子選擇膜，去除部分Zn2+，得到殺菌水8(pH2-3，0RP1200-1300mV, ACC600mg/L, [Zn2+] < 0.01mol/L)。殺菌水的后處理會使有效氯部分損失，但是在pH2-7，ORP彡700mV, ACC彡3mg/L的范圍內(nèi)，均可以產(chǎn)生足夠的殺菌效果。
實施例34 :配置100L酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量1000mg/L)原料A :鹽酸溶液 100L (pH2_3，[Ni2+] O. lmol/L)。預(yù)處理原料A加入EDTA(IOmol)，形成絡(luò)合物，超濾，濾除大分子后，調(diào)整pH，得到原料 Al(pH2-3，[Ni2+] O. 005mol/L)o 量取 99L，灌裝，封口，制得 Al 單元。原料B :次氯酸鈉溶液 IOL (ρΗ7· 5，[Ni2+]O. lmol/L)。預(yù)處理原料B加入EDTA(Imol)，形成絡(luò)合物，超濾，濾除大分子后，調(diào)整pH，得到原料 BI(pH7. 5,ACC100mg/ml, [Ni2+]0. 01mol/L)。量取 IL 原料 BI，灌裝，封口，制得 BI 單
J Li ο使用時，將Al單元與BI單元混合，制得100L酸性氧化電位殺菌水(pH2_3， 0RP1200-1350mV, ACC1000mg/L, [Ni2+] 0. 00505mol/L)。實施例35 :配置10L酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量800mg/L)原料A :酸水溶液(pH5_6，Sn2+=O. 05mol/L)，量取9L，灌裝，封口，制得A單元。原料B :次氯酸鈉溶液(pH7. 5, ACC10g/L, Sn2+=O. 05mol/L)，稱取 1L，灌裝，封口，制得BI單元。使用時，將Al單元與BI單元混合，制得10L高含Sn的酸性氧化電位殺菌水(pH6-7，ACC1000mg/L, 0RP1000-1200mV, [Sn2+]0. 05mol/L)。上述殺菌水快速通過鈉型離子交換樹脂層析柱，部分吸附Sn2+，再調(diào)整pH，制得低Sn2+殺菌水(pH5_7，ACC800mg/ml,0RP1000-1200mV, [Sn2+] < 0. 005mol/L)。消毒效果試驗以金黃色葡萄球菌ATCC 6538作為細菌繁殖體中化膿性球菌的代表；大腸桿菌8099作為細菌繁殖體中腸道菌的代表；銅綠假單胞菌ATCC 15442作為醫(yī)院感染中最常分離的細菌繁殖體的代表；白色葡萄球菌8032作為空氣中細菌的代表；龜分枝桿菌膿腫亞種ATCC 93326作為人結(jié)核分枝桿菌的代表；枯草桿菌黑色變種芽孢ATCC 9372作為細菌芽孢的代表；白色念珠菌ATCC 10231和黑曲霉菌ATCC 16404作為致病性真菌的代表；脊髓灰質(zhì)炎病毒-I型疫苗株(Poliovirus- I )作為病毒的代表；以耐甲氧西林的金黃色葡萄球菌(MRSA)和耐萬古霉素腸球菌(VRE)作為耐藥菌的代表；以副溶血性弧菌、單增李斯特菌代表水產(chǎn)品中的致病菌；以雞白痢沙門氏菌代表禽類致病菌；以小麥條銹菌代表農(nóng)業(yè)致病菌。殺菌試驗I (懸液定量)，酸性氧化電位殺菌水殺滅對數(shù)及時間試驗品1，ACC3mg/L、ρΗ6· 8、0RP730mV, [Zn2+] 0. lmmol/L試驗品2，ACC3mg/L、ρΗ2· 0、0RP1030mV, [Zn2+] 0. lmmol/L對照品1，機器電解酸性氧化電位水I (ACC3mg/L、pH6. 8、0RP730mV)對照品2，機器電解酸性氧化電位水2 (ACC3mg/L、pH2. O、0RP1030mV)表I作用時間15min后的殺滅對數(shù)
試驗囷試驗品I試驗品2對照品I對照品2
金黃色葡萄球菌>5. 00~ >5. 00~ >5. 00~ >5. 00
權(quán)利要求
1.一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，包括以下步驟 (1)提供可以產(chǎn)生氫離子的A單元； (2)提供含有有效氯或者可以產(chǎn)生有效氯的B單元； (3)將所述A單元與所述B單元混合，得到酸性強氧化性溶液，所述酸性強氧化性溶液的PH值在2-7間，其氧化還原電位不低于700mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其每一種腐蝕性金屬離子的含量不高于O. 02mol/L，所述腐蝕性金屬離子能與單質(zhì)鋁發(fā)生置換反應(yīng)。
2.如權(quán)利要求I所述的低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，所述腐蝕性金屬離子為 Ti、Zr、V、Mn、Sm、Nb、Zn、Cr、Ga、Fe、Cd、In、Tl、Co、Ni、Mo、Sn、Tm、Pb、Cu、Tc、Po、Hg、Ag、Rh、Pd、Pt 或 Au 的離子。
3.如權(quán)利要求I所述的低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，所有腐蝕性金屬離子的含量之和不高于O. 02mol/Lo
4.如權(quán)利要求I或3所述的低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，在步驟(I)中還包括對所述A單元進行預(yù)處理。
5.如權(quán)利要求I或3所述的低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，在步驟(2)中還包括對所述B單元進行預(yù)處理。
6.如權(quán)利要求I或3所述的低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，在步驟(3)中還包括對所述A單元與所述B單元混合后的混合液進行后處理。
7.如權(quán)利要求4所述的低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，對所述A單元進行預(yù)處理的方法可選自加入腐蝕性金屬離子失活劑、膜分離法、電化學法、層析法、吸附法或離子交換法中的一種或者幾種，以去除部分腐蝕性金屬離子。
8.如權(quán)利要求5所述的低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，對所述B單元進行預(yù)處理的方法可選自加入腐蝕性金屬離子失活劑、膜分離法、電化學法、層析法、吸附法或離子交換法中的一種或者幾種，以去除部分腐蝕性金屬離子。
9.如權(quán)利要求6所述的低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，所述后處理的方法可選自加入腐蝕性金屬離子失活劑、膜分離法、電化學法、層析法、吸附法或離子交換法中的一種或者幾種，以去除部分腐蝕性金屬離子。
10.如權(quán)利要求I所述的低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，所述A單元為酸性。
11.如權(quán)利要求I所述的低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，所述B單元含有液氯、二氧化氯、次氯酸鹽、次氯酸鹽的復鹽、亞氯酸鹽或有效氯前體物質(zhì)中的一種或幾種，所述有效氯前體物質(zhì)是指與酸或者水反應(yīng)可以生成有效氯的含氯物質(zhì)。
12.如權(quán)利要求I所述的低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，所述B單元為中性或者堿性。
13.一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水，其特征在于，包括使用前獨立分裝的A單元和B單元，所述A單元為可以產(chǎn)生氫離子的制劑；所述B單元為含有有效氯或者可以產(chǎn)生有效氯的制劑，所述A單元與所述B單元混合后得到酸性強氧化性溶液，所述酸性強氧化性溶液的PH值在2-7間，其氧化還原電位不低于700mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其每一種腐蝕性金屬離子的含量不高于O. 02mol/L，所述腐蝕性金屬離子能與單質(zhì)鋁發(fā)生置換反應(yīng)。
14.如權(quán)利要求13所述的低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水，其特征在于，所述腐蝕性金屬離子為 Ti、Zr、V、Mn、Sm、Nb、Zn、Cr、Ga、Fe、Cd、In、Tl、Co、Ni、Mo、Sn、Tm、Pb、Cu、Tc、Po、Hg、Ag、Rh、Pd、Pt 或 Au 的離子。
15.如權(quán)利要求13所述的低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水，其特征在于，所有腐蝕性金屬離子的含量之和不高于O. 02mol/Lo
16.如權(quán)利要求13所述的低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水，其特征在于，所述B單元含有液氯、二氧化氯、次氯酸鹽、次氯酸鹽的復鹽、亞氯酸鹽或有效氯前體物質(zhì)中的一種或幾種，所述有效氯前體物質(zhì)是指與酸或者水反應(yīng)可以生成有效氯的含氯物質(zhì)。
17.如權(quán)利要求13所述的低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水，其特征在于，所述B單元為中性或者堿性。
18.一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水，其特征在于，所述殺菌水的pH值在2-7間，其氧化還原電位不低于700mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其每一種腐蝕性金屬離子的含量不高于O. 02mol/L，所述腐蝕性金屬離子能與單質(zhì)鋁發(fā)生置換反應(yīng)。
19.如權(quán)利要求18所述的低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水，其特征在于，所述腐蝕性金屬離子為 Ti、Zr、V、Mn、Sm、Nb、Zn、Cr、Ga、Fe、Cd、In、Tl、Co、Ni、Mo、Sn、Tm、Pb、Cu、Tc、Po、Hg、Ag、Rh、Pd、Pt 或 Au 的離子。
20.如權(quán)利要求18所述的低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水，其特征在于，所有腐蝕性金屬離子的含量之和不高于O. 02mol/Lo
21.如權(quán)利要求18所述的低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水，其特征在于，所述殺菌水中含有無機酸、有機酸、強酸弱堿鹽、強堿弱酸鹽、弱酸弱堿鹽或者強酸強堿鹽的一種或者幾種。
22.如權(quán)利要求18所述的低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水，其特征在于，所述殺菌水中的有效氯由液氯、二氧化氯、次氯酸鹽、次氯酸鹽的復鹽、亞氯酸鹽或有效氯前體物質(zhì)的一種或幾種生成，所述有效氯前體物質(zhì)是指與酸或者水反應(yīng)可以生成有效氯的含氯物質(zhì)。
全文摘要
本發(fā)明涉及殺菌消毒領(lǐng)域，特別涉及一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水及其制備方法。本發(fā)明的低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水的制備方法，包括以下步驟(1)提供可以產(chǎn)生氫離子的A單元；(2)提供含有有效氯或者可以產(chǎn)生有效氯的B單元；(3)將所述A單元與所述B單元混合，得到酸性強氧化性溶液，所述酸性強氧化性溶液的pH值在2-7間，其氧化還原電位不低于700mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其每一種腐蝕性金屬離子的含量不高于0.02mol/L，所述腐蝕性金屬離子能與單質(zhì)鋁發(fā)生置換反應(yīng)。與已有的化學法配置的酸性氧化電位殺菌水相比，本發(fā)明的酸性氧化電位殺菌水可降低或者控制對金屬的腐蝕性，從而擴大了應(yīng)用范圍。
文檔編號C02F1/46GK102963962SQ20121036200
公開日2013年3月13日 申請日期2012年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月31日
發(fā)明者邵鵬飛 申請人:邵鵬飛