專利名稱：廢水處理系統(tǒng)和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝及測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體封裝 測(cè)試工藝中碾磨劃片的廢水處理系統(tǒng)和方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制造技術(shù)中，通過(guò)一系列的光刻、刻蝕、沉積、離子注入、 研磨、清洗等工藝形成具有各種功能的半導(dǎo)體芯片，然后將所述半導(dǎo)體 芯片進(jìn)行封裝和電性測(cè)試，并最終形成終端產(chǎn)品。出于成本和批量生產(chǎn) 的考慮，半導(dǎo)體芯片通常被制造在硅基的半導(dǎo)體晶片上。目前，半導(dǎo)體晶片的直徑一般為200或300mm。在進(jìn)行封裝之前，首先需要通過(guò)碾磨將 所述半導(dǎo)體晶片的厚度減??；接著通過(guò)劃片將每一半導(dǎo)體芯片從所述半 導(dǎo)體晶片上切割下來(lái)。在所述碾磨和劃片的工藝中會(huì)產(chǎn)生大量的工業(yè)廢 水，所述廢水中含有懸浮的硅和微量的碾磨劑?，F(xiàn)有的廢水處理方法一 般通過(guò)化學(xué)處理的方法，將所述工業(yè)廢水和電鍍廢水一起進(jìn)行PH值調(diào)節(jié)、 絮凝、沉降等過(guò)程除去懸浮的硅，廢水達(dá)標(biāo)后排放，所述懸浮的硅經(jīng)沉 降后變成污泥。專利公開(kāi)號(hào)為CN 1623911 A的中國(guó)專利申請(qǐng)文件公開(kāi)了 一 種廢水的處理系統(tǒng)和方法，在其公開(kāi)的專利文獻(xiàn)中，介紹了一種對(duì)半導(dǎo) 體晶片背面研磨工藝產(chǎn)生的廢水的化學(xué)處理方法和系統(tǒng)。圖l為所述專利申請(qǐng)文件公開(kāi)的系統(tǒng)的示意圖。如

圖1所示，將對(duì)半 導(dǎo)體晶片背面研磨的廢水10輸送至反應(yīng)槽14，同時(shí)向所述反應(yīng)槽14中同 時(shí)輸送其他工藝的廢水，例如，化學(xué)機(jī)械研磨后的廢水，晶片背面沖洗 的廢水等，即，所述反應(yīng)槽14中可以為半導(dǎo)體晶片背面研磨廢水、化學(xué) 機(jī)械研磨廢水等的混合溶液。然后向所述反應(yīng)槽14中通入用于凝結(jié)用的 高分子助凝劑13 (例如FSC-835 )，所述助凝劑與所述廢水中的粒子結(jié) 合并形成沉淀被析出；接著，通過(guò)輸出管線15將經(jīng)過(guò)所述反應(yīng)槽14處理 的廢水導(dǎo)入沉降槽17，向所述沉降槽17中通入凝結(jié)用高分子聚合物16(例 如EA-630),以結(jié)合剩余未與所述助凝劑結(jié)合的粒子。然后，通過(guò)一個(gè) 或多個(gè)抽污泥泵18將所述沉降槽17中的污泥抽出，并將所述沉降槽17中的經(jīng)過(guò)處理的廢水導(dǎo)入放流槽19中，在所述放流槽19中對(duì)所述廢水進(jìn)行 PH值調(diào)整，然后通過(guò)管線20、輸送泵21和放流管線22將經(jīng)過(guò)處理的廢水 輸送至回收槽。上述廢水處理的方法通過(guò)多步化學(xué)方法對(duì)半導(dǎo)體制造和封裝的廢水 進(jìn)行處理，需要才殳入大量的化學(xué)品，系統(tǒng)和工藝復(fù)雜，成本較高。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種廢水處理的系統(tǒng)和方法，本發(fā)明系統(tǒng)和方法工藝簡(jiǎn) 單，費(fèi)用較低。本發(fā)明提供的一種半導(dǎo)體封裝工藝中碾磨劃片的廢水處理系統(tǒng)，包 括收集半導(dǎo)體封裝工藝中碾磨和/或劃片的廢水的收集槽；將所述廢 水中的懸浮物通過(guò)物理過(guò)濾分離出來(lái)的物理過(guò)濾裝置，該物理過(guò)濾裝置 與所述收集槽流體性連接；接收所述物理過(guò)濾裝置處理后廢水的接收裝 置，該接收裝置與所述物理過(guò)濾裝置流體性連接。可選的，所述物理過(guò)濾裝置為過(guò)濾器、過(guò)濾機(jī)、壓濾機(jī)中的一種。可選的，所述物理過(guò)濾裝置為箱式壓濾機(jī)、帶式壓濾機(jī)、板框壓濾 機(jī)中的一種或組合?？蛇x的，所述壓濾機(jī)的過(guò)濾介質(zhì)為濾布和/或?yàn)V膜。 可選的，所述壓濾機(jī)的過(guò)濾介質(zhì)為濾布和濾膜，所述濾布的過(guò)濾孔 徑為0.5至10um，所述濾膜的過(guò)濾孔徑為0.1至lum?？蛇x的，所述物理過(guò)濾裝置為過(guò)濾器，所述過(guò)濾器的過(guò)濾介質(zhì)為濾心o可選的，所述濾芯的過(guò)濾孔徑為0.1至10um?？蛇x的，所述的半導(dǎo)體封裝工藝中碾磨劃片的廢水處理系統(tǒng)，還包 括有收集所述物理過(guò)濾裝置分離出的懸浮物的懸浮物收集裝置，所述 懸浮物收集裝置與所述物理過(guò)濾裝置相對(duì)放置；對(duì)所述懸浮物進(jìn)行烘干 的烘干裝置，所述烘干裝置與所述懸浮物收集裝置相對(duì)放置。可選的，所述收集槽和物理過(guò)濾裝置之間通過(guò)加壓傳送設(shè)備流體性 連接。相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體封裝工藝中碾磨劃片的廢水處理方法，包括收集半導(dǎo)體封裝工藝中碾磨和/或劃片的廢水；通過(guò)物理 過(guò)濾將所述廢水中的懸浮物分離出來(lái)；收集經(jīng)過(guò)所述物理過(guò)濾后的廢 水?？蛇x的，所述懸浮物為硅?？蛇x的，所述物理過(guò)濾采用的過(guò)濾介質(zhì)為濾布、濾膜、濾袋或?yàn)V芯 中的一種或其組合?？蛇x的，所述物理過(guò)濾為常壓過(guò)濾或加壓過(guò)濾中的一種?？蛇x的，所述的半導(dǎo)體封裝工藝中碾磨劃片的廢水處理方法，進(jìn)一統(tǒng)?？蛇x的，所述的半導(dǎo)體封裝工藝中碾磨劃片的廢水處理方法，進(jìn)一 步包括收集所述分離出來(lái)的懸浮物；烘干所述懸浮物。 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明的廢水處理系統(tǒng)包括收集槽、物理過(guò)濾裝置和接收裝置。所 述收集槽用于接收所述碾磨和/或劃片設(shè)備在工作過(guò)程中產(chǎn)生的廢水； 所述物理過(guò)濾裝置用于將所述廢水中的懸浮物過(guò)濾出來(lái)；所述接收裝置 用于接收所述物理過(guò)濾裝置過(guò)濾后的廢水。本發(fā)明的物理過(guò)濾裝置可將 懸浮物從所述廢水中過(guò)濾出來(lái)，實(shí)現(xiàn)懸浮物和水的分離。相對(duì)于現(xiàn)有技 術(shù)中的廢水處理系統(tǒng)，本發(fā)明的廢水處理系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，在實(shí)現(xiàn)對(duì)廢水 的處理過(guò)程中，完全依靠物理的方法，而不必添加任何的化學(xué)藥品，因 而也不會(huì)對(duì)所述廢水處理系統(tǒng)中的各個(gè)裝置產(chǎn)生化學(xué)腐蝕，延長(zhǎng)了設(shè)備 的使用壽命，并降低了成本。本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝工藝中碾磨劃片的廢水處理方法在對(duì)廢水的 處理過(guò)程中不必添加化學(xué)物，使得工藝簡(jiǎn)單，成本降低；在對(duì)廢水處理 中也不會(huì)對(duì)分離后的懸浮物硅和水引入新的雜質(zhì)，經(jīng)本發(fā)明的廢水處理 系統(tǒng)后的廢水可再次供工業(yè)使用，分離后的硅也可再次送入晶圓廠再次 被利用。附困說(shuō)明圖1為現(xiàn)有的一種廢水處理系統(tǒng)的示意圖；圖2為本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝工藝中碾磨劃片的廢水處理系統(tǒng)的第一 實(shí)施例的示意圖；圖3為圖2所示的廢水處理系統(tǒng)中的箱式壓濾機(jī)過(guò)濾室的剖面示意圖；圖4為本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝工藝中碾磨劃片的廢水處理系統(tǒng)的第二 實(shí)施例的示意圖；圖5為本發(fā)明半導(dǎo)體封裝工藝中碾磨劃片的廢水處理方法的實(shí)施例 的流程圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。半導(dǎo)體芯片在封裝之前，需要將半導(dǎo)體晶片背面減薄并將半導(dǎo)體芯 片從所述半導(dǎo)體晶片上切割下來(lái)，然后單個(gè)或數(shù)個(gè)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行封 裝、打引線和測(cè)試。背面減薄工藝是通過(guò)碾磨設(shè)備除去半導(dǎo)體晶片背面 部分硅材料的工藝，例如，對(duì)于300mm的半導(dǎo)體晶片，其厚度一般為 700至800mm，在封裝之前通常需要被減薄至200至400mm;切割工 藝通過(guò)使用金剛石刀刃的劃片鋸把半導(dǎo)體芯片從半導(dǎo)體晶片上切下來(lái)。 無(wú)論在碾磨還是切割工藝中都會(huì)產(chǎn)生大量含有硅懸浮物的廢水。本發(fā)明 提供一種對(duì)所述廢水的處理系統(tǒng)。所述廢水處理系統(tǒng)包括收集槽、物理 過(guò)濾裝置和接收裝置。其中所述收集槽與半導(dǎo)體封裝工藝中的碾磨和/ 或劃片的設(shè)備做流體性連接，用于接收所述碾磨和/或劃片設(shè)備在工作 過(guò)程中產(chǎn)生的廢水。 一流體連接管道(或管線)由所述收集槽伸出并連 接至所述物理過(guò)濾裝置的輸入端口 ，所述收集槽中的廢水可由所述流體 連接管道(或管線)流入所述物理過(guò)濾裝置。通過(guò)所述物理過(guò)濾裝置將 所述廢水中的懸浮物過(guò)濾出來(lái)。經(jīng)過(guò)所述物理過(guò)濾裝置過(guò)濾的廢水經(jīng)由 連接管道(或管線)輸送至接收裝置，并再次利用。所述物理過(guò)濾裝置可以是過(guò)濾器、過(guò)濾機(jī)、壓濾機(jī)中的一種。其中，所述壓濾機(jī)可以是箱式壓濾機(jī)、帶式壓濾機(jī)、板框壓濾機(jī)中的一種或組 合。在所述物理過(guò)濾裝置中有過(guò)濾介質(zhì)，所述過(guò)濾介質(zhì)可以是濾布、濾 膜、濾芯、濾袋等。所述過(guò)濾介質(zhì)的過(guò)濾孔徑小于所述懸浮物的尺寸。 在廢水通過(guò)所述過(guò)濾介質(zhì)時(shí)，所述廢水中的懸浮物被所述過(guò)濾介質(zhì)所阻 擋而沉積下來(lái)，從而達(dá)到了懸浮物和水分離的目的。所述廢水處理系統(tǒng) 還可以包括一懸浮物收集裝置，該懸浮物收集裝置用于收集所述物理過(guò) 濾裝置過(guò)濾而分離出來(lái)的懸浮物。本發(fā)明的廢水處理系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體封裝工藝中碾磨和/或劃片廢 水的物理過(guò)濾，通過(guò)過(guò)濾裝置將所述廢水中的懸浮物硅和水分離開(kāi)來(lái)，在分離過(guò)程中不添加任何的化學(xué)物等消耗品，節(jié)省了費(fèi)用；另外也不會(huì) 對(duì)分離后的水和硅？ 1入新的雜質(zhì)，經(jīng)本發(fā)明的系統(tǒng)而處理的廢水可再次 供工業(yè)使用，分離后的硅也可再次送入晶圓廠再次被利用。下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝工藝中碾磨劃片的廢水處 理的系統(tǒng)進(jìn)行描述。圖2為本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝工藝中碾磨劃片的廢水處理系統(tǒng)的第一 實(shí)施例的示意圖。如圖2所示，所述廢水處理系統(tǒng)包括收集槽30、物理過(guò)濾裝置34 和接收裝置36。其中所述收集槽30與半導(dǎo)體封裝工藝中的碾磨設(shè)備和/ 或劃片設(shè)備(未示出)做流體性連接，用于接收所述碾磨設(shè)備和/或劃 片設(shè)備在工作過(guò)程中產(chǎn)生的廢水31,所述廢水31中含有懸浮的硅。一 第一流體連接管道(或管線)32由所述收集槽30伸出，所述第一流體 連接管道32上配置有一個(gè)或兩個(gè)加壓傳送設(shè)備33,例如水泵，所述加 壓傳送設(shè)備33的輸出端口連接至所述物理過(guò)濾裝置34的輸入端口 ，所 述收集槽30中的廢水可由所述第一流體連接管道(或管線)32及加壓 傳送i史備33輸送至所述物理過(guò)濾裝置34。通過(guò)所述物理過(guò)濾裝置34 將所述廢水中的懸浮物硅過(guò)濾出來(lái)。在其它的實(shí)施例中，在所述第一流 體連接管道32上也可以不配置所述加壓傳送設(shè)備33,而直接和所述物理過(guò)濾裝置34的輸入端口連接，在自然重力和大氣壓的作用下，所述 收集槽30中的廢水可經(jīng)由所述第一流體連接管道32輸送至所述物理過(guò)濾裝置34。所述接收裝置36經(jīng)由一第二連接管道(或管線)35與所述 物理過(guò)濾裝置34的輸出端口連接，該第二連接管道35可將經(jīng)過(guò)所述物 理過(guò)濾裝置34過(guò)濾后的廢水排放至所述接收裝置36。在另外的實(shí)施例 中，所述第二連接管道(或管線)35上可配置有加壓傳送設(shè)備，這里不 再贅述。
本實(shí)施例中所述物理過(guò)濾裝置34為箱式壓濾才幾，其中的過(guò)濾介質(zhì) 為濾布和濾膜，所述濾布的過(guò)濾孔徑為0.5至10um，所述濾膜的過(guò)濾 孔徑為0.1至lum。圖3為所述箱式壓濾機(jī)的過(guò)濾室的剖面示意圖，如 圖3所示，所述箱式壓濾機(jī)的過(guò)濾室41中具有濾布和濾膜42組成的密 封的腔室，管路43與所述第一流體連接管道(或管線)32連接，通過(guò) 所述管路43可向所述濾布和濾膜42組成的腔室中輸送廢水，通過(guò)所述 箱式壓濾機(jī)內(nèi)部產(chǎn)生的壓力擠壓所述濾布和濾膜42，使其組成的腔室的 內(nèi)部空間減小，將所述腔室中的廢水通過(guò)濾布和濾膜42上的過(guò)濾孔排 出，然后經(jīng)由輸出管路44被輸出至所述第二流體連接管道(或管線) 35,然而由于所述濾布和濾膜42上的過(guò)濾孔的過(guò)濾孔徑小于所述廢水 中懸浮物的尺寸，在所述廢水通過(guò)所述濾布和濾膜42時(shí)，所述廢水中 的懸浮物45被阻擋而積聚在所述腔室之中，從而達(dá)到了懸浮物和水分 離的目的。
本實(shí)施例的廢水處理系統(tǒng)還可以包括懸浮物收集裝置34a和烘干裝 置40,如圖2所示的，所述懸浮物收集裝置34a用于收集所述物理過(guò)濾 裝置34過(guò)濾而分離出來(lái)的懸浮物，本實(shí)施例中所述懸浮物為硅。所述 烘干裝置34用于對(duì)所述懸浮物收集裝置34a收集的硅進(jìn)行烘干，生成 硅粉，所述硅粉經(jīng)烘干后可輸送至晶圓廠進(jìn)行再次利用。
所述接收裝置36中接收的經(jīng)所述物理過(guò)濾裝置34處理后的廢水可 經(jīng)由輸送泵37輸送至工業(yè)用水系統(tǒng)再次利用，或經(jīng)過(guò)過(guò)濾裝置38后輸 送至工業(yè)用水系統(tǒng)再次利用。
本發(fā)明的廢水處理系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體封裝工藝中碾磨和/或劃片廢 水的物理過(guò)濾，通過(guò)所述物理過(guò)濾裝置34將所述廢水中的懸浮物硅和 水分離開(kāi)來(lái)，在分離過(guò)程中不添加任何的化學(xué)物等消耗品，簡(jiǎn)化了工藝，節(jié)省了費(fèi)用，另外也不會(huì)對(duì)分離后的水和硅引入新的雜質(zhì)，經(jīng)本發(fā)明的 系統(tǒng)而處理的廢水和硅粉均可再次被利用。
圖4為本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝工藝中碾磨劃片的廢水處理系統(tǒng)的第二 實(shí)施例的示意圖。如圖4所示，所述廢水處理系統(tǒng)包括收集槽30、過(guò)濾 裝置34和接收裝置36。其中所述收集槽30與半導(dǎo)體封裝工藝中的碾磨 設(shè)備和/或劃片設(shè)備流體性連接，用于接收所述碾磨設(shè)備和/或劃片設(shè)備 在工作過(guò)程中產(chǎn)生的廢水31，所述廢水31中含有懸浮的硅。 一第一流 體連接管道(或管線)32由所述收集槽30伸出，所述第一流體連接管 道32上配置有加壓傳送設(shè)備33，例如水泵，所述加壓傳送設(shè)備33的輸 出端口連接至所述物理過(guò)濾裝置34的輸入端口 ，所述收集槽30中的廢 水可由所述第一流體連接管道(或管線)32及加壓傳送設(shè)備33輸送至 所述物理過(guò)濾裝置34。通過(guò)所述物理過(guò)濾裝置34將所述廢水中的懸浮 物硅過(guò)濾出來(lái)。所述接收裝置36經(jīng)由一第二連接管道(或管線)35與 所述物理過(guò)濾裝置34的輸出端口連接，該第二連接管道35可將經(jīng)過(guò)所 述物理過(guò)濾裝置34過(guò)濾后的廢水排放至所述接收裝置36。本實(shí)施例中 所述過(guò)濾裝置34為過(guò)濾器，所述過(guò)濾器的過(guò)濾介質(zhì)為鈦合金濾芯，所 述濾芯的過(guò)濾孔徑為0.1至10um。
本實(shí)施例的廢水處理系統(tǒng)還可以包括烘干裝置40。所述烘干裝置用 于對(duì)過(guò)濾器過(guò)濾后產(chǎn)生的硅進(jìn)行烘干，所述硅經(jīng)烘千后可輸送至晶圓廠 進(jìn)行再次利用。所述接收裝置36中接收的經(jīng)所述物理過(guò)濾裝置處理后 的廢水可經(jīng)由輸送泵37輸送至工業(yè)用水系統(tǒng)再次利用，或經(jīng)過(guò)過(guò)濾裝 置38后送至工業(yè)用水系統(tǒng)再次利用。
本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體封裝工藝中碾磨劃片的廢水處理方法。在 本發(fā)明的方法中，首先收集所述具有懸浮物的廢水，然后通過(guò)物理過(guò)濾 的方法將所述廢水中的懸浮物分離出來(lái)，達(dá)到固液分離的目的，經(jīng)所述 分離裝置分離的廢水可以作為工業(yè)用水再次利用，分離出的懸浮物硅經(jīng) 脫水烘干后可再次^_用，本發(fā)明方法通過(guò)物理過(guò)濾的方法對(duì)所述廢水進(jìn) 行處理再利用，工藝簡(jiǎn)單，費(fèi)用較低。
下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的廢水處理方法進(jìn)行描述。圖5為本發(fā)明的廢水處理方法的實(shí)施例的流程圖。
如圖5所示，首先收集半導(dǎo)體封裝工藝中碾磨和/或劃片的廢水 (S100 );將一收集槽與碾磨設(shè)備和/或劃片設(shè)備通過(guò)一流體連接管路連 接，將所述碾磨設(shè)備和/或劃片設(shè)備在工作過(guò)程中產(chǎn)生的廢水暫存在所 述收集槽中，所述廢水中的懸浮物為硅。
接著，通過(guò)物理過(guò)濾的方法將所述廢水中的懸浮物分離出來(lái) (SllO)。即，使所述含有懸浮物的廢水通過(guò)一過(guò)濾介質(zhì)，所述過(guò)濾介 質(zhì)的過(guò)濾孔徑小于所述懸浮物的尺寸，通過(guò)所述過(guò)濾介質(zhì)攔截所述廢水 中的懸浮物，達(dá)到將所述懸浮物從所述廢水中分離出來(lái)的目的。所述過(guò) 濾介質(zhì)可以是濾布、濾膜、濾袋或?yàn)V芯中的一種或其組合。所述物理過(guò) 濾可以是常壓過(guò)濾或加壓過(guò)濾。
本實(shí)施例中采用箱式壓濾機(jī)作為過(guò)濾裝置，所述箱式壓濾機(jī)的過(guò)濾 介質(zhì)為濾布和濾膜，所述濾布的過(guò)濾孔徑為0.5至10um，所述濾膜的 過(guò)濾孔徑為0.1至lum。通過(guò)一流體連接管道以及所述流體連接管道上 加壓傳送設(shè)備將所述收集槽中暫存的廢水輸送至所述箱式壓濾機(jī)的輸 入端口，通過(guò)所述箱式壓濾機(jī)的中濾布和濾膜，將所述廢水中的硅被過(guò) 濾出來(lái)。在其它的實(shí)施例中，可以采用過(guò)濾器、過(guò)濾才幾作為過(guò)濾裝置來(lái) 實(shí)現(xiàn)物理過(guò)濾，這里不再贅述。
然后，收集經(jīng)過(guò)所述物理過(guò)濾后的廢水(S120)。將所述經(jīng)過(guò)物理 過(guò)濾后的廢水收集至一接收裝置，例如接收槽。然后輸送至工業(yè)用水系 統(tǒng)。
本發(fā)明的方法還包括收集所述物理過(guò)濾后產(chǎn)生的硅，并將所述收集 的硅進(jìn)行烘干后輸送至晶圓廠再次利用。
本發(fā)明雖然以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，但其并不是用來(lái)限定本發(fā)明， 任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能 的變動(dòng)和修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的 范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種半導(dǎo)體封裝工藝中碾磨劃片的廢水處理系統(tǒng)，其特征在于包括收集半導(dǎo)體封裝工藝中碾磨和/或劃片的廢水的收集槽；將所述廢水中的懸浮物通過(guò)物理過(guò)濾分離出來(lái)的物理過(guò)濾裝置，該物理過(guò)濾裝置與所述收集槽流體性連接；接收所述物理過(guò)濾裝置處理后廢水的接收裝置，該接收裝置與所述物理過(guò)濾裝置流體性連接。
2、 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝工藝中碾磨劃片的廢水處理系 統(tǒng)，其特征在于所述物理過(guò)濾裝置為過(guò)濾器、過(guò)濾機(jī)、壓濾機(jī)中的一 種。
3、 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝工藝中碾磨劃片的廢水處理系 統(tǒng)，其特征在于所述物理過(guò)濾裝置為箱式壓濾機(jī)、帶式壓濾機(jī)、板框 壓濾機(jī)中的 一種或組合。
4、 如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝工藝中碾磨劃片的廢水處理系 統(tǒng)，其特征在于所述壓濾機(jī)的過(guò)濾介質(zhì)為濾布和/或?yàn)V膜。
5、 如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝工藝中碾磨劃片的廢水處理系 統(tǒng)，其特征在于所述壓濾機(jī)的過(guò)濾介質(zhì)為濾布和濾膜，所述濾布的過(guò) 濾孔徑為0.5至10um，所述濾膜的過(guò)濾孔徑為0.1至lum。
6、 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝工藝中碾磨劃片的廢水處理系 統(tǒng)，其特征在于所述物理過(guò)濾裝置為過(guò)濾器，所述過(guò)濾器的過(guò)濾介質(zhì) 為濾芯。
7、 如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝工藝中碾磨劃片的廢水處理系 統(tǒng)，其特征在于所述濾芯的過(guò)濾孔徑為0.1至10um。
8、 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝工藝中碾磨劃片的廢水處理系 統(tǒng)，其特征在于，還包括有收集所述物理過(guò)濾裝置分離出的懸浮物的懸浮物收集裝置，所述懸 浮物收集裝置與所述物理過(guò)濾裝置相對(duì)放置；對(duì)所述懸浮物進(jìn)行烘干的烘干裝置，所述烘干裝置與所述懸浮物收集裝置相對(duì)放置。
9、 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝工藝中碾磨劃片的廢水處理系 統(tǒng)，其特4正在于所述收集槽和物理過(guò)濾裝置之間通過(guò)加壓傳送設(shè)備流體性連接。
10、 一種半導(dǎo)體封裝工藝中碾磨劃片的廢水處理方法，其特征在于， 包括收集半導(dǎo)體封裝工藝中碾磨和/或劃片的廢水； 通過(guò)物理過(guò)濾將所述廢水中的懸浮物分離出來(lái)； 收集經(jīng)過(guò)所述物理過(guò)濾后的廢水。
11、 如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝工藝中碾磨劃片的廢水處理 方法，其特征在于所述懸浮物為硅。
12、 如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝工藝中碾磨劃片的廢水處理 方法，其特征在于所述物理過(guò)濾采用的過(guò)濾介質(zhì)為濾布、濾膜、濾袋 或?yàn)V芯中的一種或其組合。
13、 如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝工藝中碾磨劃片的廢水處理 方法，其特征在于所述物理過(guò)濾為常壓過(guò)濾或加壓過(guò)濾中的一種。
14、 如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝工藝中碾磨劃片的廢水處理 方法，其特征在于，進(jìn)一步包括將所述經(jīng)過(guò)物理過(guò)濾后的廢水再次過(guò) 濾后輸送至工業(yè)用水系統(tǒng)。
15、 如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝工藝中碾磨劃片的廢水處理 方法，其特征在于，進(jìn)一步包括收集所述分離出來(lái)的懸浮物； 烘干所述懸浮物。
全文摘要
一種半導(dǎo)體封裝工藝中碾磨劃片的廢水處理系統(tǒng)，包括收集半導(dǎo)體封裝工藝中碾磨和/或劃片的廢水的收集槽；將所述廢水中的懸浮物通過(guò)物理過(guò)濾分離出來(lái)的物理過(guò)濾裝置，該物理過(guò)濾裝置與所述收集槽流體性連接；接收所述物理過(guò)濾裝置處理后廢水的接收裝置，該接收裝置與所述物理過(guò)濾裝置流體性連接。本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體封裝工藝中碾磨劃片的廢水處理方法。本發(fā)明使得半導(dǎo)體封裝工藝中碾磨劃片的廢水處理工藝簡(jiǎn)單化，成本降低。
文檔編號(hào)C02F1/00GK101244847SQ20071003768
公開(kāi)日2008年8月20日 申請(qǐng)日期2007年2月13日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月13日
發(fā)明者均 馮, 江 劉, 彭云新, 林信才 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司