技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種主動陣列基板的制造方法，包括：提供基板；形成柵極于基板上；依序形成柵極絕緣層、半導體層及歐姆接觸層于所述透明基材及所述柵極上；形成源電極及漏電極于所述歐姆接觸層上；形成保護層于所述源電極及所述漏電極上；以及形成像素電極層于所述保護層上，其中所述像素電極層是電性連接于所述漏電極；其中，所述柵極絕緣層包括納米多孔硅及納米顆粒，所述納米顆粒的介電常數(shù)大于硅層的介電常數(shù)。本發(fā)明可實現(xiàn)柵極絕緣層的介電常數(shù)可調(diào)。

技術(shù)研發(fā)人員：卓恩宗
受保護的技術(shù)使用者：惠科股份有限公司;重慶惠科金渝光電科技有限公司
文檔號碼：201611270692
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.30
技術(shù)公布日：2017.05.10