本發(fā)明涉及主動陣列基板的制造方法,更具體的說,涉及一種顯示面板的主動陣列基板的制造方法。
背景技術(shù):
薄膜晶體管顯示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)由于具有低的功耗、優(yōu)異的畫面品質(zhì)以及較高的生產(chǎn)良率等性能,目前已經(jīng)逐漸占據(jù)了顯示領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。同樣,薄膜晶體管顯示器包含顯示面板和背光模組,顯示面板包括彩膜基板(Color Filter Substrate,CF Substrate,也稱彩色濾光片基板)和薄膜晶體管陣列基板(Thin Film Transistor Substrate,TFT Substrate),上述基板的相對內(nèi)側(cè)存在透明電極。兩片基板之間夾一層液晶分子(Liquid Crystal,LC)。顯示面板是通過電場對液晶分子取向的控制,改變光的偏振狀態(tài),并藉由偏光板實現(xiàn)光路的穿透與阻擋,實現(xiàn)顯示的目的。
由于集成電路、芯片以及TFT-LCD的尺寸不斷的減小,器件的封裝密度不停的增大,因此對材料各方面性能的要求不斷的提高。由于器件的比例縮小,目前器件的柵氧絕緣層厚度變得非常薄,對于比例小的器件而言,柵氧絕緣層厚度只會越來越薄,這需要有新的高K的柵氧絕緣介電材料。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種柵極絕緣層的介電常數(shù)大的主動陣列基板的制造方法。
本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的:
一種主動陣列基板的制造方法,其特征在于,包括:
提供基板;
形成柵極于基板上;
依序形成柵極絕緣層、半導(dǎo)體層及歐姆接觸層于所述透明基材及所述柵極上;
形成源電極及漏電極于所述歐姆接觸層上;
形成保護層于所述源電極及所述漏電極上;以及
形成像素電極層于所述保護層上,其中所述像素電極層是電性連接于所述漏電極;
其中,所述柵極絕緣層包括納米多孔硅及納米顆粒,所述納米顆粒的介電常數(shù)大于硅層的介電常數(shù)。
在一些實施例中,所述柵極絕緣層包括堆疊的第一絕緣層及第二絕緣層,所述納米多孔硅及所述納米顆粒是形成于所述第二絕緣層中。
在一些實施例中,納米顆粒包括二種以上不同介電常數(shù)的納米顆粒。
納米多孔硅可以做的非常薄,可以減小絕緣介電層的厚度,可以滿足集成電路、芯片以及TFT-LCD的尺寸不斷的減小的需求,納米多孔硅本身具有疏水性。
鍺的介電常數(shù)為16,通過調(diào)節(jié)鍺的比例提高柵極絕緣層的介電常數(shù),當(dāng)然也可以采用其他介電常數(shù)高的金屬和其他材料。
納米多孔硅可以做的非常薄,可以減小絕緣介電層的厚度,可以滿足集成電路、芯片以及TFT-LCD的尺寸不斷的減小的需求,納米多孔硅本身具有疏水性,鍺的介電常數(shù)為16,納米多孔硅本身具有很多硅孔,鍺納米顆粒可以存入硅孔內(nèi),不會增加通過納米多孔硅的厚度,通過調(diào)節(jié)鍺納米顆粒Ge的負載量實現(xiàn)介電系數(shù)可控調(diào)節(jié)。
其中,所述柵極絕緣層包括納米多孔硅,所述納米多孔硅包括多個彼此連接的空心柱狀的子組件,所述子組件切面為六邊形,所述子組件中間具有圓形通孔,所述子組件的圓形通孔上設(shè)有多個硅孔,所述硅孔內(nèi)設(shè)有鍺納米顆粒。
多孔硅的子部件切面六邊形方便多個子部件拼接排列,硅孔內(nèi)設(shè)有多個鍺納米顆粒,不影響多孔硅厚度。
其中,所述柵極絕緣層上對應(yīng)柵極導(dǎo)線段設(shè)有非晶硅層,所述非晶硅層上設(shè)有與非晶硅層對應(yīng)的歐姆接觸層,所述歐姆接觸層上設(shè)有分隔的源電極和漏電極,所述源電極和漏電極之間設(shè)有溝道,所述溝道穿過歐姆接觸層,所述溝道底部為非晶硅層,所述源電極和漏電極寬度大于非晶硅層的寬度,所述源電極和漏電極上設(shè)有保護層,所述保護層上設(shè)有像素電極層,所述保護層對應(yīng)漏電極設(shè)有過孔,所述像素電極層通過過孔與漏電極連接。
其中,所述柵極絕緣層上對應(yīng)柵極導(dǎo)線段設(shè)有非晶硅層,所述非晶硅層上設(shè)有與非晶硅層對應(yīng)的歐姆接觸層,所述歐姆接觸層上設(shè)有分隔的源電極和漏電極,所述源電極和漏電極之間設(shè)有溝道,所述溝道穿過歐姆接觸層,所述溝道底部為非晶硅層,所述源電極和漏電極寬度等于與其接觸的歐姆接觸層的寬度,所述源電極和漏電極上設(shè)有保護層,所述保護層上設(shè)有像素電極層,所述保護層對應(yīng)漏電極設(shè)有過孔,所述像素電極層通過過孔與漏電極連接。
其中,所述保護層的相對介電常數(shù)小于氮化硅和氧化硅的相對介電常數(shù)。
采用低介電常數(shù)保護層可以提高薄膜晶體管TFT器件性能,改善信號串?dāng)_問題和RC電路延時問題。
其中,所述低介電常數(shù)保護層包括介孔氧化硅
介孔氧化硅的相對介電常數(shù)εr=1.4~2.4,低介電常數(shù)保護層采用介孔氧化硅取代5-mask與4-mask工藝TFT器件中的保護層材料SiNx(相對介電常數(shù)εr=7~8),介孔氧化硅比一般氧化硅(相對介電常數(shù)εr=3.9~4.1)的εr更低,可以提高TFT器件性能,改善信號串?dāng)_問題和RC電路延時問題,減小低介電常數(shù)保護層的厚度,當(dāng)然低介電常數(shù)保護層也可以采用其他低介電常數(shù)的材料,如納米多孔硅等。
其中,所述介孔氧化硅包括多個子單元,所述子單元包括成三行排列的子部件,所述子單元的中間一行包括并排的三個子部件,所述子單元的第一行和第三行分別包括并排的兩個子部件,所述第一行和第三行的兩個子部件分別設(shè)置在中間一行三個子部件的任意兩個子部件之間,所述子部件切面為六邊形,所述子部件中間具有圓形通孔。
子單元具有排列規(guī)則有序的子部件,具有較高的比表面積,較好的熱穩(wěn)定性和水熱穩(wěn)定性,子部件通孔大小均勻,子部件切面為六邊形,方便多個子部件拼接排列。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的技術(shù)效果是:
第一層導(dǎo)線上設(shè)置的柵極絕緣層介電常數(shù)大于氧化硅層和氮化硅層的介電常數(shù),增大器件存儲電荷能力,柵極絕緣層包括組合物,組合物包括第一組成物和第二組成物,第一組成物的介電常數(shù)小于氧化硅層和氮化硅層的介電常數(shù),第二組成物的介電常數(shù)大于氧化硅層和氮化硅層的介電常數(shù),通過調(diào)節(jié)第一組成物和第二組成物的比例實現(xiàn)柵極絕緣層的介電常數(shù)可調(diào)。
附圖說明
所包括的附圖用來提供對本申請實施例的進一步的理解,其構(gòu)成了說明書的一部分,用于例示本申請的實施方式,并與文字描述一起來闡釋本申請的原理。顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。在附圖中:
圖1是本發(fā)明實施例一種主動陣列基板的示意圖;
圖2是本發(fā)明實施例一種主動陣列基板的示意圖;
圖3是本發(fā)明實施例一種主動陣列基板的另一示意圖;
圖4是本發(fā)明實施例納米多孔硅示意圖;
圖5是本發(fā)明實施例納米多孔硅和鍺納米顆粒示意圖;
圖6是本發(fā)明實施例介孔氧化硅示意圖;
圖7是本發(fā)明一實施例柵極絕緣層的示意圖。
具體實施方式
這里所公開的具體結(jié)構(gòu)和功能細節(jié)僅僅是代表性的,并且是用于描述本發(fā)明的示例性實施例的目的。但是本發(fā)明可以通過許多替換形式來具體實現(xiàn),并且不應(yīng)當(dāng)被解釋成僅僅受限于這里所闡述的實施例。
在本發(fā)明的描述中,需要理解的是,術(shù)語“中心”、“橫向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系,僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述,而不是指示或暗示所指的裝置或組件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作,因此不能理解為對本發(fā)明的限制。此外,術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的,而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個或者更多個該特征。在本發(fā)明的描述中,除非另有說明,“多個”的含義是兩個或兩個以上。另外,術(shù)語“包括”及其任何變形,意圖在于覆蓋不排他的包含。
在本發(fā)明的描述中,需要說明的是,除非另有明確的規(guī)定和限定,術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解,例如,可以是固定連接,也可以是可拆卸連接,或一體地連接;可以是機械連接,也可以是電連接;可以是直接相連,也可以通過中間媒介間接相連,可以是兩個組件內(nèi)部的連通。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言,可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。
這里所使用的術(shù)語僅僅是為了描述具體實施例而不意圖限制示例性實施例。除非上下文明確地另有所指,否則這里所使用的單數(shù)形式“一個”、“一項”還意圖包括復(fù)數(shù)。還應(yīng)當(dāng)理解的是,這里所使用的術(shù)語“包括”和/或“包含”規(guī)定所陳述的特征、整數(shù)、步驟、操作、單元和/或組件的存在,而不排除存在或添加一個或更多其他特征、整數(shù)、步驟、操作、單元、組件和/或其組合。
下面結(jié)合附圖和較佳的實施例對本發(fā)明作進一步說明。
下面參考圖1至圖7描述本發(fā)明實施例的顯示面板。
如圖1所示,在圖1的實施中顯示面板包括基板10,所述基板10上設(shè)有若干條第一層導(dǎo)線21,所述第一層導(dǎo)線21上設(shè)有柵極絕緣層22,所述柵極絕緣層22采用氮化硅或氧化硅,所述柵極絕緣層22上對應(yīng)第一層導(dǎo)線21的柵極導(dǎo)線段211設(shè)有非晶硅層23,所述非晶硅層23上設(shè)有與非晶硅層23對應(yīng)的歐姆接觸層24,所述歐姆接觸層24上設(shè)有分隔的源電極25和漏電極26,所述源電極25和漏電極26之間設(shè)有溝道27,所述溝道27穿過歐姆接觸層24,所述溝道27底部為非晶硅層23,所述源電極25和漏電極26的寬度大于非晶硅層23的寬度,所述源電極25和漏電極26上設(shè)有保護層30,所述保護層30上設(shè)有像素電極層50,所述保護層30對應(yīng)漏電極26設(shè)有過孔28,所述像素電極層50通過過孔28與漏電極26連接。其中,所述源電極25超出非晶硅層23部分一側(cè)直接連接?xùn)艠O絕緣層22另一側(cè)直接連接保護層30,所述柵極絕緣層22對應(yīng)過孔28部分與漏電極26之間連接。使用5Mask獲取的薄膜晶體管TFT,具有較好的性能。
如圖2所示,在圖2的實施中顯示面板包括基板10,所述基板10上設(shè)有若干條第一層導(dǎo)線21,所述第一層導(dǎo)線21上設(shè)有柵極絕緣層22,所述柵極絕緣層22采用氮化硅或氧化硅,所述柵極絕緣層22上對應(yīng)第一層導(dǎo)線21的柵極導(dǎo)線段211設(shè)有非晶硅層23,所述非晶硅層23上設(shè)有與非晶硅層23對應(yīng)的歐姆接觸層24,所述歐姆接觸層24上設(shè)有分隔的源電極25和漏電極26,所述源電極25和漏電極26之間設(shè)有溝道27,所述溝道27穿過歐姆接觸層24,所述溝道27底部為非晶硅層23,所述源電極25和漏電極26寬度大于非晶硅層23的寬度,所述源電極25和漏電極26上設(shè)有保護層30,所述保護層30上設(shè)有像素電極層50,所述保護層30對應(yīng)漏電極26設(shè)有過孔28,所述像素電極層50通過過孔28與漏電極26連接。其中,所述源電極25外側(cè)的保護層30直接與柵極絕緣層22連接,所述柵極絕緣層22對應(yīng)過孔28上方依次設(shè)有非晶硅層23、歐姆接觸層24和漏電極26。使用4Mask獲取的薄膜晶體管TFT具有較好的性能,而且可以節(jié)省一步Mask工藝。
目前工業(yè)界正在進行高K介電常數(shù)材料作為薄膜晶體的柵氧介電層材料。在過去的幾十年中,由于工藝和設(shè)計的進步,集成電路、芯片以及TFT-LCD的尺寸不斷的減小,器件的封裝密度不停的增大,因此對材料各方面性能的要求不斷的提高。由于器件的比例縮小,目前器件的柵氧絕緣層厚度變得非常薄,對于未來比例小的器件而言,柵氧絕緣層厚度只會越來越薄,這需要有新的高K的柵氧絕緣介電材料。上述實施例采用的四道工藝或五道工藝TFT-Array陣列,在TFT晶體管中,柵介電極與上級的絕緣保護層之間存在很高的電壓。柵氧層會受到隧穿電流的影響,當(dāng)柵極的柵極絕緣層很薄時,電子會在薄膜晶體管中隧穿通過柵極絕緣層。這將導(dǎo)致晶體管閥值電壓的漂移,無法切換開關(guān)狀態(tài)導(dǎo)致電路失效。傳統(tǒng)的柵氧絕緣介電材料(如SiO2、SiNx)已不滿足當(dāng)前TFT-LCD器件高封裝密度發(fā)展的需要。
如圖3、圖4和圖5所示,在圖3、圖4和圖5的實施中顯示面板包括:基板10;若干條第一層導(dǎo)線21,所述若干條第一層導(dǎo)線21設(shè)置在基板10上;柵極絕緣層22,所述柵極絕緣層22設(shè)置在若干條第一層導(dǎo)線21上,所述柵極絕緣層22的介電常數(shù)大于氧化硅層和氮化硅層的介電常數(shù),所述柵極絕緣層22包括組合物,所述組合物包括第一組成物和第二組成物。
第一層導(dǎo)線21上設(shè)置的柵極絕緣層22介電常數(shù)大于氧化硅層和氮化硅層的介電常數(shù),增大器件存儲電荷能力,柵極絕緣層22包括組合物,組合物包括第一組成物和第二組成物,第一組成物的介電常數(shù)小于氧化硅層和氮化硅層的介電常數(shù),第二組成物的介電常數(shù)大于氧化硅層和氮化硅層的介電常數(shù),通過調(diào)節(jié)第一組成物和第二組成物的比例實現(xiàn)柵極絕緣層22的介電常數(shù)可調(diào)。
可選的,其中,所述第一組成物包括納米多孔硅。納米多孔硅可以做的非常薄,可以減小絕緣介電層的厚度,可以滿足集成電路、芯片以及TFT-LCD的尺寸不斷的減小的需求,納米多孔硅本身具有疏水性。
可選的,其中,所述第二組成物包括鍺納米顆粒。鍺的介電常數(shù)為16,通過調(diào)節(jié)鍺的比例提高柵極絕緣層22的介電常數(shù),當(dāng)然也可以采用其他介電常數(shù)高的金屬和其他材料。
可選的,其中,所述第一組成物包括納米多孔硅,所述第二組成物包括鍺納米顆粒。納米多孔硅可以做的非常薄,可以減小絕緣介電層的厚度,可以滿足集成電路、芯片以及TFT-LCD的尺寸不斷的減小的需求,納米多孔硅本身具有疏水性,鍺的介電常數(shù)為16,納米多孔硅本身具有很多硅孔,鍺納米顆??梢源嫒牍杩變?nèi),不會增加通過納米多孔硅的厚度,通過調(diào)節(jié)鍺納米顆粒Ge的負載量實現(xiàn)介電系數(shù)可控調(diào)節(jié)。
其中,所述柵極絕緣層22包括納米多孔硅,所述納米多孔硅包括多個彼此連接的空心柱狀的子組件221,所述子組件221切面為六邊形,所述子組件221中間具有圓形通孔,所述子組件221的圓形通孔上設(shè)有多個硅孔,所述硅孔內(nèi)設(shè)有鍺納米顆粒。多孔硅的子部件42切面六邊形方便多個子部件42拼接排列,硅孔內(nèi)設(shè)有多個鍺納米顆粒,不影響多孔硅厚度。
其中,所述柵極絕緣層22上對應(yīng)柵極導(dǎo)線段211設(shè)有非晶硅層23,所述非晶硅層23上設(shè)有與非晶硅層23對應(yīng)的歐姆接觸層24,所述歐姆接觸層24上設(shè)有分隔的源電極25和漏電極26,所述源電極25和漏電極26之間設(shè)有溝道27,所述溝道27穿過歐姆接觸層24,所述溝道27底部為非晶硅層23,所述源電極25和漏電極26寬度大于非晶硅層23的寬度,所述源電極25和漏電極26上設(shè)有第二絕緣30,所述第二絕緣30上設(shè)有像素電極層50,所述第二絕緣30對應(yīng)漏電極26設(shè)有過孔28,所述像素電極層50通過過孔28與漏電極26連接。其中,所述源電極25超出非晶硅層23部分一側(cè)直接連接?xùn)艠O絕緣層22另一側(cè)直接連接低介電常數(shù)保護層40,所述柵極絕緣層22對應(yīng)過孔28部分與漏電極26之間連接。使用5Mask可以獲取更好性能的薄膜晶體管TFT。
如圖2、圖4和圖5所示,在圖2、圖4和圖5的實施中顯示面板包括:基板10;若干條第一層導(dǎo)線21,所述若干條第一層導(dǎo)線21設(shè)置在基板10上;柵極絕緣層22,所述柵極絕緣層22設(shè)置在若干條第一層導(dǎo)線21上,所述柵極絕緣層22的介電常數(shù)大于氧化硅層和氮化硅層的介電常數(shù),所述柵極絕緣層22包括組合物,所述組合物包括第一組成物和第二組成物。
第一層導(dǎo)線21上設(shè)置的柵極絕緣層22介電常數(shù)大于氧化硅層和氮化硅層的介電常數(shù),增大器件存儲電荷能力,柵極絕緣層22包括組合物,組合物包括第一組成物和第二組成物,第一組成物的介電常數(shù)小于氧化硅層和氮化硅層的介電常數(shù),第二組成物的介電常數(shù)大于氧化硅層和氮化硅層的介電常數(shù),通過調(diào)節(jié)第一組成物和第二組成物的比例實現(xiàn)柵極絕緣層22的介電常數(shù)可調(diào)。
可選的,其中,所述第一組成物包括納米多孔硅。納米多孔硅可以做的非常薄,可以減小絕緣介電層的厚度,可以滿足集成電路、芯片以及TFT-LCD的尺寸不斷的減小的需求,納米多孔硅本身具有疏水性。
可選的,其中,所述第二組成物包括鍺納米顆粒。鍺的介電常數(shù)為16,通過調(diào)節(jié)鍺的比例提高柵極絕緣層22的介電常數(shù),當(dāng)然也可以采用其他介電常數(shù)高的金屬和其他材料。
可選的,其中,所述第一組成物包括納米多孔硅,所述第二組成物包括鍺納米顆粒。納米多孔硅可以做的非常薄,可以減小絕緣介電層的厚度,可以滿足集成電路、芯片以及TFT-LCD的尺寸不斷的減小的需求,納米多孔硅本身具有疏水性,鍺的介電常數(shù)為16,納米多孔硅本身具有很多硅孔,鍺納米顆??梢源嫒牍杩變?nèi),不會增加通過納米多孔硅的厚度,通過調(diào)節(jié)鍺納米顆粒Ge的負載量實現(xiàn)介電系數(shù)可控調(diào)節(jié)。
其中,所述柵極絕緣層22包括納米多孔硅,所述納米多孔硅包括多個彼此連接的空心柱狀的子組件221,所述子組件221切面為六邊形,所述子組件221中間具有圓形通孔,所述子組件221的圓形通孔上設(shè)有多個硅孔,所述硅孔內(nèi)設(shè)有鍺納米顆粒。多孔硅的子部件42切面六邊形方便多個子部件42拼接排列,硅孔內(nèi)設(shè)有多個鍺納米顆粒,不影響多孔硅厚度。
其中,所述柵極絕緣層22上對應(yīng)柵極導(dǎo)線段211設(shè)有非晶硅層23,所述非晶硅層23上設(shè)有與非晶硅層23對應(yīng)的歐姆接觸層24,所述歐姆接觸層24上設(shè)有分隔的源電極25和漏電極26,所述源電極25和漏電極26之間設(shè)有溝道27,所述溝道27穿過歐姆接觸層24,所述溝道27底部為非晶硅層23,所述源電極25和漏電極26寬度等于與其接觸的歐姆接觸層24的寬度,所述源電極25和漏電極26上設(shè)有第二絕緣30,所述第二絕緣30上設(shè)有像素電極層50,所述第二絕緣30對應(yīng)漏電極26設(shè)有過孔28,所述像素電極層50通過過孔28與漏電極26連接。其中,所述源電極25外側(cè)的低介電常數(shù)保護層40直接與柵極絕緣層22連接,所述柵極絕緣層22對應(yīng)過孔28上方依次設(shè)有非晶硅層23、歐姆接觸層24和漏電極26。使用4道光罩(Mask)可以獲取更好性能的薄膜晶體管TFT,而且節(jié)省一步光罩(Mask)。
如圖2、圖3和圖6所示,在圖2、圖3和圖6的實施中顯示面板包括:基板10;若干條第一層導(dǎo)線21,所述若干條第一層導(dǎo)線21設(shè)置在基板10上;柵極絕緣層22,所述柵極絕緣層22設(shè)置在若干條第一層導(dǎo)線21上,所述柵極絕緣層22的介電常數(shù)大于氧化硅層和氮化硅層的介電常數(shù),所述柵極絕緣層22包括組合物,所述組合物包括第一組成物和第二組成物。
其中,所述第二絕緣30的相對介電常數(shù)小于氮化硅和氧化硅的相對介電常數(shù)。采用低介電常數(shù)保護層可以提高薄膜晶體管TFT器件性能,改善信號串?dāng)_問題和RC電路延時問題。
可選的,其中,所述柵極絕緣層22上對應(yīng)柵極導(dǎo)線段211設(shè)有非晶硅層23,所述非晶硅層23上設(shè)有與非晶硅層23對應(yīng)的歐姆接觸層24,所述歐姆接觸層24上設(shè)有分隔的源電極25和漏電極26,所述源電極25和漏電極26之間設(shè)有溝道27,所述溝道27穿過歐姆接觸層24,所述溝道27底部為非晶硅層23,所述源電極25和漏電極26寬度大于非晶硅層23的寬度,所述源電極25和漏電極26上設(shè)有第二絕緣30,所述第二絕緣30上設(shè)有像素電極層50,所述第二絕緣30對應(yīng)漏電極26設(shè)有過孔28,所述像素電極層50通過過孔28與漏電極26連接。其中,所述源電極25超出非晶硅層23部分一側(cè)直接連接?xùn)艠O絕緣層22另一側(cè)直接連接低介電常數(shù)保護層,所述柵極絕緣層22對應(yīng)過孔28部分與漏電極26之間連接。
可選的,其中,所述柵極絕緣層22上對應(yīng)柵極導(dǎo)線段211設(shè)有非晶硅層23,所述非晶硅層23上設(shè)有與非晶硅層23對應(yīng)的歐姆接觸層24,所述歐姆接觸層24上設(shè)有分隔的源電極25和漏電極26,所述源電極25和漏電極26之間設(shè)有溝道27,所述溝道27穿過歐姆接觸層24,所述溝道27底部為非晶硅層23,所述源電極25和漏電極26寬度等于與其接觸的歐姆接觸層24的寬度,所述源電極25和漏電極26上設(shè)有第二絕緣30,所述第二絕緣30上設(shè)有像素電極層50,所述第二絕緣30對應(yīng)漏電極26設(shè)有過孔28,所述像素電極層50通過過孔28與漏電極26連接。其中,所述源電極25外側(cè)的低介電常數(shù)保護層直接與柵極絕緣層22連接,所述柵極絕緣層22對應(yīng)過孔28上方依次設(shè)有非晶硅層23、歐姆接觸層24和漏電極26。
其中,所述低介電常數(shù)保護層包括介孔氧化硅。介孔氧化硅的相對介電常數(shù)εr=1.4~2.4,低介電常數(shù)保護層采用介孔氧化硅取代5-mask與4-mask工藝TFT器件中的保護層材料SiNx(相對介電常數(shù)εr=7~8),介孔氧化硅比一般氧化硅(相對介電常數(shù)εr=3.9~4.1)的εr更低,可以提高TFT器件性能,改善信號串?dāng)_問題和RC電路延時問題,減小低介電常數(shù)保護層的厚度,當(dāng)然低介電常數(shù)保護層也可以采用其他低介電常數(shù)的材料,如納米多孔硅等。
其中,所述介孔氧化硅包括多個子單元43,所述子單元43包括成三行排列的子部件42,所述子單元43的中間一行包括并排的三個子部件42,所述子單元43的第一行和第三行分別包括并排的兩個子部件42,所述第一行和第三行的兩個子部件42分別設(shè)置在中間一行三個子部件42的任意兩個子部件42之間,所述子部件42切面為六邊形,所述子部件42中間具有圓形通孔。子單元43具有排列規(guī)則有序的子部件42,具有較高的比表面積,較好的熱穩(wěn)定性和水熱穩(wěn)定性,子部件42通孔大小均勻,子部件42切面為六邊形,方便多個子部件42拼接排列。
在上述實施例中,非晶硅層采用a-Si材料,當(dāng)然也可以采用其他半導(dǎo)體層材料。
如圖7所示,在一些實施例中,柵極絕緣層22可包括堆疊的第一絕緣層221及第二絕緣層222。第一絕緣層221可不具有納米顆粒,例如為氮硅化合物(SiNx)絕緣層,而納米多孔硅及納米顆粒是形成于第二絕緣層222中。通過第一絕緣層221及第二絕緣層222的材料調(diào)整,可進一步調(diào)整柵極絕緣層22的介電常數(shù)。
在一些實施例中,納米顆粒可包括二種以上不同介電常數(shù)的納米顆粒。通過不同介電常數(shù)的納米顆粒調(diào)整,可進一步調(diào)整柵極絕緣層22的介電常數(shù)。
在上述實施例中,所述基板的材料可以選用玻璃、塑料等。
在上述實施例中,顯示面板包括液晶面板、OLED面板,曲面面板,等離子面板等,以液晶面板為例,液晶面板包括陣列基板和彩膜基板(CF),所述陣列基板與彩膜基板相對設(shè)置,所述陣列基板與彩膜基板之間設(shè)有液晶和間隔單元(photo spacer,PS),所述陣列基板上設(shè)有薄膜晶體管(TFT),彩墨基板上設(shè)有彩色濾光層。
在上述實施例中,彩膜基板可包括TFT陣列,彩膜及TFT陣列可形成于同一基板上,陣列基本可包括彩色濾光層。
在上述實施例中,本發(fā)明的顯示面板可為曲面型面板。
以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實施方式對本發(fā)明所作的進一步詳細說明,不能認定本發(fā)明的具體實施只局限于這些說明。對于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下,還可以做出若干簡單推演或替換,都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護范圍。