專利名稱：電磁加熱式熔爐的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及加熱裝置，尤其涉及冶煉金屬用加熱熔爐，更具體說(shuō)是利用電磁加熱式熔爐。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的熔爐包括高爐、沖天爐、冶煉爐、反射爐、熔爐等普遍存在排出的煙氣溫度太高、熱能利用率低，能耗大，污染嚴(yán)重的缺點(diǎn)。高爐、沖天爐等必須使用焦炭，焦炭資源有限，價(jià)格昂貴，焦炭生產(chǎn)污染環(huán)境、增加能耗，高爐、沖天爐在使用過(guò)程中存在煙氣沖天，特別是沖天爐，更是污染嚴(yán)重，高爐生產(chǎn)中產(chǎn)生大量的高爐煤氣，如利用不當(dāng)必然帶來(lái)大量的能源浪費(fèi)，高爐煤氣利用設(shè)備投資大，利用效益不高，沖天爐煙氣中的一氧化碳含量也很高，煙氣溫度很高，這些都帶來(lái)大量的能源浪費(fèi)。因此，需要一種加熱效率高且最好無(wú)污染的熔爐來(lái)取代已有的熔爐，可以就可以減少對(duì)環(huán)境的污染，且提高生產(chǎn)效益。

實(shí)用新型內(nèi)容因此，本實(shí)用新型針對(duì)這個(gè)問(wèn)題，提出一種電磁加熱式熔爐。這種電磁加熱式熔爐不僅硬件投入少，且采用電磁加熱式的高效電能-熱能轉(zhuǎn)換方式來(lái)實(shí)現(xiàn)，不僅高效且無(wú)污
^fe ο本實(shí)用新型的技術(shù)方案是電磁加熱式熔爐，包括一內(nèi)設(shè)電磁加熱部件的加熱筒和一內(nèi)設(shè)控制板的控制柜， 二者通過(guò)導(dǎo)線電連接；其中，加熱筒包括筒體外殼，筒體外殼底部設(shè)有固定架，固定架用于固定電磁加熱架，上部設(shè)有環(huán)形上蓋，蓋合于筒體上；電磁加熱架，由圓環(huán)和直立且沿圓圈固定設(shè)置的支撐肋構(gòu)成的架體，架體上螺旋環(huán)繞數(shù)圈設(shè)有銅管，石墨坩堝，設(shè)置于電磁加熱架內(nèi)；保溫層，填充設(shè)置于石墨坩堝與電磁加熱架之間；控制柜包括柜體外殼，柜體外殼上設(shè)有控制鍵，內(nèi)設(shè)有控制板，控制板，通過(guò)導(dǎo)線電連接于電磁加熱架的銅管。進(jìn)一步的，所述的電磁加熱架還包括設(shè)置在底面的圓盤面片，用于將直立的支撐肋支撐固定于其上。進(jìn)一步的，所述的電磁加熱架還包括沿架體一圈側(cè)壁設(shè)置的圓筒壁面片，用于將直立的支撐肋包裹固定于其內(nèi)。進(jìn)一步的，所述的電磁加熱架的支撐肋上開設(shè)固定槽，用于固定螺旋環(huán)繞架體上的銅管。進(jìn)一步的，所述的筒體外殼是金屬外殼。進(jìn)一步的，所述的電磁加熱架的架體是由耐熱非導(dǎo)磁材料片架構(gòu)而成。進(jìn)一步的，所述的保溫層是耐高溫絕填充物層。進(jìn)一步的，所述的控制板的控制電路可以采用本公司已授權(quán)的專利號(hào) “201120015808. 9”的技術(shù)方案，其具體是市電輸入端串聯(lián)一個(gè)濾波電容后接入一個(gè)整流橋單元和一個(gè)LC濾波單元，再串聯(lián)一個(gè)雙推挽式高頻振蕩單元，其中的雙推挽式高頻振蕩單元是由一個(gè)控制芯片的2個(gè)PWM輸出端口分別各連接驅(qū)動(dòng)管來(lái)控制雙推挽式高頻振蕩單元中的2個(gè)功率開關(guān)管，2個(gè)串聯(lián)的功率開關(guān)管兩端還并接2組由2個(gè)電容串聯(lián)的電容組，2 組電容組的中間端為線圈輸出端，分別接入電磁加熱筒的電磁線圈的2接入端而構(gòu)成的雙推挽式高頻振蕩單元，其中一個(gè)線圈輸出端還通過(guò)一個(gè)電流互感器采集采樣信號(hào)至上述的控制芯片的采樣信號(hào)輸入端，所述的電磁加熱筒上還設(shè)有一個(gè)熱電偶，并通過(guò)串聯(lián)一個(gè)溫控器輸入連接至該控制芯片的溫度采集信號(hào)輸入端。本實(shí)用新型采用如上技術(shù)方案，是通過(guò)控制柜的控制板來(lái)使電磁加熱架上的銅管進(jìn)行電磁加熱石墨坩堝進(jìn)行升溫的電熱熔爐，保溫層用于保持溫度。本實(shí)用新型的電磁加熱式熔爐采用電磁加熱式的高效電能-熱能轉(zhuǎn)換方式來(lái)實(shí)現(xiàn)，不僅高效且無(wú)污染，且硬件投入少。

圖1是本實(shí)用新型的爆炸結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本實(shí)用新型的組裝結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是本實(shí)用新型的電磁加熱架的第二種實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)圖。圖4是本實(shí)用新型的電磁加熱架的第三種實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)圖。圖5是本實(shí)用新型的控制板的控制電路原理圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明。參閱圖1和圖2所示，本實(shí)施例的電磁加熱式熔爐，包括一內(nèi)設(shè)電磁加熱部件的加熱筒和一內(nèi)設(shè)控制板的控制柜，二者通過(guò)導(dǎo)線電連接；其中，加熱筒包括筒體外殼1，筒體外殼1底部設(shè)有固定架11，固定架11用于固定電磁加熱架2，上部設(shè)有環(huán)形上蓋12，蓋合于筒體上；電磁加熱架2，由圓環(huán)21和直立且沿圓圈固定設(shè)置的支撐肋22構(gòu)成的架體，架體上螺旋環(huán)繞數(shù)圈設(shè)有銅管23，石墨坩堝3，設(shè)置于電磁加熱架2內(nèi)；保溫層4，填充設(shè)置于石墨坩堝3與電磁加熱架2之間；控制柜包括柜體外殼，柜體外殼上設(shè)有控制鍵，內(nèi)設(shè)有控制板，控制板，通過(guò)導(dǎo)線電連接于電磁加熱架2的銅管23。[0038]優(yōu)選的，所述的筒體外殼1是金屬外殼，可以是不銹鋼外殼或鋁合金外殼等。優(yōu)選的，所述的電磁加熱架2的架體是由耐熱非導(dǎo)磁材料片架構(gòu)而成，可以是陶瓷材料或者合成樹脂材料，如電木等。優(yōu)選的，所述的保溫層4是耐高溫絕填充物層，如可以采用石棉、硅藻土等形成。上述實(shí)施例的電磁加熱架2直接固定在筒體外殼1底部的固定架11即可。為了架構(gòu)形成更可靠的架體結(jié)構(gòu)，電磁加熱架2還可以采用以下2中擴(kuò)展實(shí)施方式。參閱圖3所示，該實(shí)施例2的電磁加熱架2還包括設(shè)置在底面的圓盤面片M1，用于將直立的支撐肋22支撐固定于其上。參閱圖4所示，該實(shí)施例3的電磁加熱架2還包括沿架體一圈側(cè)壁設(shè)置的圓筒壁面片對(duì)2，用于將直立的支撐肋22包裹固定于其內(nèi)。優(yōu)選的，如上所述的3個(gè)實(shí)施例的電磁加熱架2的支撐肋22上開設(shè)固定槽，用于固定螺旋環(huán)繞架體上的銅管23。參閱圖5所示，所述的控制板的控制電路可以采用本公司已授權(quán)的專利號(hào) “201120015808. 9”的技術(shù)方案，其具體是市電輸入端串聯(lián)一個(gè)濾波電容C7后接入一個(gè)整流橋單元Dl和一個(gè)LC濾波單元，再串聯(lián)一個(gè)雙推挽式高頻振蕩單元。優(yōu)選的，為了更好的保護(hù)電源安全，防止意外，所述的市電輸入端的火線POW-L上串聯(lián)一個(gè)熱熔保險(xiǎn)絲FUSE1， 且火線POW-L和零線POW-N之間并聯(lián)一個(gè)防浪涌壓敏電阻RVl。所述的整流橋單元Dl是由 4個(gè)二極管組成的全波橋式整流單元，對(duì)交流市電進(jìn)行橋式全波整流。所述的LC濾波單元是由一濾波電感Ll和兩端連接的濾波電容Cl、C2組成。該控制板的控制電路的詳細(xì)工作原理可以查閱該專利文獻(xiàn)，于此不再詳細(xì)闡明。盡管結(jié)合優(yōu)選實(shí)施方案具體展示和介紹了本實(shí)用新型，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明白，在不脫離所附權(quán)利要求書所限定的本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，在形式上和細(xì)節(jié)上可以對(duì)本實(shí)用新型做出各種變化，均為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.電磁加熱式熔爐，其特征在于包括一內(nèi)設(shè)電磁加熱部件的加熱筒和一內(nèi)設(shè)控制板的控制柜，二者通過(guò)導(dǎo)線電連接；其中，加熱筒包括筒體外殼(1)，筒體外殼(1)底部設(shè)有固定架(11)，固定架(11)用于固定電磁加熱架 (2)，上部設(shè)有環(huán)形上蓋(12)，蓋合于筒體上；電磁加熱架(2)，由圓環(huán)(21)和直立且沿圓圈固定設(shè)置的支撐肋(22)構(gòu)成的架體，架體上螺旋環(huán)繞數(shù)圈設(shè)有銅管(23)，石墨坩堝(3)，設(shè)置于電磁加熱架(2)內(nèi)；保溫層(4)，填充設(shè)置于石墨坩堝(3)與電磁加熱架(2)之間；控制柜包括柜體外殼，柜體外殼上設(shè)有控制鍵，內(nèi)設(shè)有控制板，控制板，通過(guò)導(dǎo)線電連接于電磁加熱架(2)的銅管(23)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁加熱式熔爐，其特征在于所述的電磁加熱架(2)還包括設(shè)置在底面的圓盤面片(241)，用于將直立的支撐肋(22)支撐固定于其上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁加熱式熔爐，其特征在于所述的電磁加熱架(2)還包括沿架體一圈側(cè)壁設(shè)置的圓筒壁面片(242)，用于將直立的支撐肋(22)包裹固定于其內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的電磁加熱式熔爐，其特征在于所述的電磁加熱架 (2)的支撐肋(22)上開設(shè)固定槽，用于固定螺旋環(huán)繞架體上的銅管(23)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁加熱式熔爐，其特征在于所述的筒體外殼(1)是金屬外tJXi ο
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁加熱式熔爐，其特征在于所述的電磁加熱架(2)的架體是由耐熱非導(dǎo)磁材料片架構(gòu)而成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁加熱式熔爐，其特征在于所述的保溫層(4)是耐高溫絕填充物層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁加熱式熔爐，其特征在于所述的控制板的控制電路具體是市電輸入端串聯(lián)一個(gè)濾波電容(C7)后接入一個(gè)整流橋單元(Dl)和一個(gè)LC濾波單元，再串聯(lián)一個(gè)雙推挽式高頻振蕩單元，其中的雙推挽式高頻振蕩單元是由一個(gè)控制芯片 (ICl)的2個(gè)PWM輸出端口分別各連接驅(qū)動(dòng)管(Gl、G2)來(lái)控制雙推挽式高頻振蕩單元中的 2個(gè)功率開關(guān)管(IGBTl、IGBT2), 2個(gè)串聯(lián)的功率開關(guān)管(IGBTl、IGBT2)兩端還并接2組由 2個(gè)電容串聯(lián)的電容組(C3和C4、C5和C6)，2組電容組的中間端為線圈輸出端，分別接入電磁加熱筒(HTl)的電磁線圈(L2)的2個(gè)接入端而構(gòu)成的雙推挽式高頻振蕩單元，其中一個(gè)線圈輸出端還通過(guò)一個(gè)電流互感器(CTl)采集采樣信號(hào)至上述的控制芯片(ICl)的采樣信號(hào)輸入端，所述的電磁加熱筒(HTl)上還設(shè)有一個(gè)熱電偶(WK1)，并通過(guò)串聯(lián)一個(gè)溫控器 (Ul)輸入連接至該控制芯片(ICl)的溫度采集信號(hào)輸入端。
專利摘要本實(shí)用新型涉及加熱裝置，尤其涉及冶煉金屬用加熱熔爐，更具體說(shuō)是利用電磁加熱式熔爐。本實(shí)用新型的電磁加熱式熔爐，包括一內(nèi)設(shè)電磁加熱部件的加熱筒和一內(nèi)設(shè)控制板的控制柜，二者通過(guò)導(dǎo)線電連接；其中，加熱筒包括筒體外殼，筒體外殼底部設(shè)有固定架，固定架用于固定電磁加熱架，上部設(shè)有環(huán)形上蓋，蓋合于筒體上；電磁加熱架，由圓環(huán)和直立且沿圓圈固定設(shè)置的支撐肋構(gòu)成的架體，架體上螺旋環(huán)繞數(shù)圈設(shè)有銅管，石墨坩堝，設(shè)置于電磁加熱架內(nèi)；保溫層，填充設(shè)置于石墨坩堝與電磁加熱架之間；控制柜包括柜體外殼，柜體外殼上設(shè)有控制鍵，內(nèi)設(shè)有控制板，控制板，通過(guò)導(dǎo)線電連接于電磁加熱架的銅管。本實(shí)用新型適合冶煉金屬用。
文檔編號(hào)F27B14/06GK202304387SQ20112040416
公開日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2011年10月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月21日
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