本申請是國家申請?zhí)枮?00880127072.5，國際申請日為2008年12月16日，發(fā)明名稱為“光學元件的制造”的的發(fā)明專利申請的分案申請。

本發(fā)明處于借助于包括模壓或模制步驟的復制工藝在晶片規(guī)模上制造多個光學元件（例如折射光學元件或衍射微光學元件）的領域。更具體而言，本發(fā)明涉及一種用于復制光學元件的方法。

背景技術：

復制的光學元件包括用于以預先定義的方式影響光束的透明的衍射光學元件和/或折射光學元件，折射元件諸如透鏡、潛在地至少部分反射的元件等等。

當通過復制生產光學元件時，常常存在包括如下的基本配置：基板，復制工具，以及被放置得與該基板和/或該復制工具接觸的復制材料。該復制工具包括復制結構，所述復制結構是將被復制的元件的表面結構的反型（negative）。在復制工藝的過程中，復制材料被硬化，并且在此之后復制工具被除去，復制材料仍然接觸該基板。

特別關注的是晶片規(guī)模（wafer－scale）的制造工藝，其中在大規(guī)模的、例如盤狀（“晶片”）的結構上制造光學元件的陣列，在復制之后該結構被分離（“切割”）成各個元件，或者被堆疊在其它晶片狀的元件上并且在堆疊之后被分離成各個元件，例如如在wo2005/083789中描述的那樣。“晶片規(guī)?！笔侵妇哂信c半導體晶片相當?shù)拇笮〉谋P狀或板狀基板的大小，諸如具有2英寸至12英寸的直徑的盤。

在下文中，該基板有時被稱為“晶片”。這不應當被解釋成在基板的大小或形狀方面是限制性的，而是該術語表示適于光學元件的陣列的任何基板，所述光學元件在復制工藝以后的某個階段被切割成多個部件。

通過復制工藝所制造的光學元件常常在晶片的兩個面上都包括復制結構，所述兩個面一起例如構成透鏡單態(tài)（singlet）。在這樣的工藝中，第二面上的結構與第一面上的復制結構必須對準。這通常在所謂的掩模對準器中來實現(xiàn)，其中工具對準晶片上的某些結構。在通過一些機械特征將工具保持在合適位置的情況下，復制材料然后例如通過暴露于某些激活能、例如uv（紫外線）輻射形式的激活能而被硬化。由于硬化工藝通常是比較耗時的，因此對于大批量生產將必須使用大量的掩模對準器，以便可以并行執(zhí)行若干個復制工藝。另外，關于對準步驟，必須人工操作掩模對準器，因此需要大量人員或大量的協(xié)調。

技術實現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明的一個目的是創(chuàng)建一種克服現(xiàn)有技術方法的缺點的用于制造多個光學元件的方法。本發(fā)明的另一目的是創(chuàng)建一種用于制造多個光學元件的方法，該方法快速并且適于用于光學元件的大批量生產。還有一目的是提供用于大批量復制元件的方法和設施。

這些和其它目的通過包括如下步驟的方法來實現(xiàn)：

－提供基板；

－提供工具，該工具在復制側包括多個復制分段，每個復制分段限定光學元件之一的表面結構，該工具還包括至少一個接觸隔離物部分，所述接觸隔離物部分在復制側比復制分段的最外面的特征突出得更遠；

－將該工具與該基板的特征對準，并且使該工具和該基板的第一面組合在一起，其中復制材料處于該工具與該基板之間，接觸隔離物部分接觸該基板的第一面，并且由此導致隔離物部分附著到該基板的第一面，由此產生基板－工具組件；

－使該基板－工具組件移位至硬化站；

－在硬化站處使復制材料硬化；以及

－將該工具從該基板分離，其中硬化的復制材料附著于該基板。

因此，該方法可以包括：在將該工具和該基板相對于彼此對準以后，借助于從復制表面突出的特征并且利用與基板表面基本平行的平坦頂部即接觸隔離物進行鎖定。該鎖定使得能夠在沒有預先能量輸入的情況下將該基板工具組件從對準站轉移到其它站。根據現(xiàn)有技術解決方案的這樣的預先能量輸入既限制對準站的構造自由度（并且可能要求比較復雜的對準站）又是費時的。即使復制材料是液態(tài)或者高粘性的，或者抗力性極小而塑性可變形并且在硬化以前不提供任何維度的剛度，仍然可以在沒有預先能量輸入的情況下進行轉移。然而由于根據本發(fā)明的方法，接觸隔離物部分充當吸力底座，因此提供所需的機械穩(wěn)定性。而且，接觸隔離物還有助于限定所復制的元件的z維度。

該基板可以是所謂的“晶片規(guī)模”的基板或者本文之前提到的那種“晶片”、或其它底座元件，其中該基板具有被添加到其的附加的結構，例如具有被附著到其的硬化的復制材料結構，從而限定多個光學元件的表面，具有一些被以光刻方式添加上或除去的特征（比如孔徑等等），或者具有一些其它的結構。該基板可以包括任何材料或材料組合。在此的術語“基板”可以根據上下文表示簡單的玻璃板或者其它合適材料的板（也稱作“底座元件”）二者、或者其上面和/或里面配備有結構的這樣的底座元件，例如在其一面上具有硬化的復制品的玻璃板。

在上述用于對準的復制的方法步驟以后的某個階段，附著有復制品的該基板被分（切割）成各個光學元件。在切割以前，該方法可以可選地包括步驟：將該基板與承載光學元件的另外的基板、與限定不同基板之間的間隔的隔離物基板、和/或與承載多個其它元件的基板裝配在一起，其中所述承載多個其它元件的基板諸如：在最終產品是照相機的情況下為cmos或ccd晶片，在最終產品是準直光源的情況下為具有光源陣列的晶片，等等。

所述光學元件可以是影響照射它們的光的任何元件，包括但不限于：透鏡/準直器、圖案發(fā)生器、偏轉器、反射鏡、分束器、用于將輻射分解成其光譜成分的元件等等及其組合。在本文中，在基板的一面上的復制結構以及在基板的兩個面上的兩個對準的復制光學元件的整體都被稱為“光學元件”。本文中的“光學”元件包括能夠影響不僅僅光譜的可見部分中的電磁輻射的元件。光學元件尤其包括用于影響可見光、紅外輻射、以及可能地還包括uv輻射的元件。

工具（或“復制工具”）可以包括：形成剛性背板的第一硬質材料以及形成接觸隔離物部分和復制分段二者的第二較軟材料部分（復制部分）。更一般而言，接觸隔離物部分可以由與形成復制分段的工具部分相同的材料制成，并且可以僅僅是工具的結構特征（沒有添加元件）。作為替代方案，接觸隔離物部分可以包括附加的材料，例如位于最外面的表面上的軟性和/或粘性材料的涂層。

第二材料部分－或至少接觸隔離物部分的最外面的表面部分的材料－由具有比較低的剛度的材料制成，該材料可以小規(guī)模地變形以使其形狀適應于其靠著的對象的表面結構，諸如亞微米級的表面粗糙度。另外，所述材料可以具有比較低的表面能，從而使得這樣的適應在能量方面有吸引力。由此，接觸隔離物附著于基板表面，并且通過這種方式鎖定該工具和該基板的相對位置。只有用比在從一個站轉移到另一站期間發(fā)生的通常的剪力顯著更大的力或者用在z方向上具有大分量的力才能釋放該鎖定。

作為－優(yōu)選的－像pdms的低剛度材料的替代，接觸隔離物也可以包括粘合劑，例如粘合層。然而，將低剛度材料用于工具的整個復制部分的方法－該工具還包括限定將被復制的元件的表面結構的復制分段－提供在其制造方面比較有利這一優(yōu)點，因為不需要用于添加接觸隔離物或其涂層的單獨步驟。整個復制部分可以通過從也包括接觸隔離物部分的母版（master）或子母版（sub-master）進行復制（模制、模壓等等）而以單個形狀被制造出。

接觸隔離物部分可操作用于在復制期間抵靠該基板，其中在所述接觸隔離物部分與該基板之間沒有材料。接觸隔離物部分可以是連續(xù)的，或者可以包括圍繞周邊的或分布在周邊的大部分和/或復制表面的內部之上的多個離散部分。換言之，接觸隔離物部分可以－與如wo2007/107026中所述的可選的浮動隔離物部分一起－處于允許復制工具靠著基板的任意配置下。例如，接觸隔離物部分的分布是這樣的以使得接觸隔離物部分處于穿過工具的質心的每條平面內直線的兩側。

根據優(yōu)選的實施例，接觸隔離物部分和浮動隔離物部分（如果有的話）被布置和配置為使得如果該工具處于該基板上，則厚度（z維度，即垂直于基板和工具平面的維度）由隔離物部分限定，對此在wo2004/068198和wo2007/107026中有教導，在此這兩個文獻都通過引用被并入。

原則上，復制材料可以是液態(tài)的或者粘性的、或者在第一狀態(tài)下為塑性可變形的并且在制造周期期間可被硬化的任意合適的材料。根據將被制造的光學元件的性質，例如在該光學元件是透鏡的情況下復制材料在硬化以后還必須展示出一定透明度。用于復制材料的優(yōu)選的材料類是可uv固化的環(huán)氧樹脂。于是，在復制工具還處于適當位置時進行的硬化步驟可以是uv固化步驟。uv光固化是允許良好地控制硬化工藝的比較快的工藝。技術人員將會知道其它的材料和其它的硬化工藝。

為了將該工具和該基板對準，可以給這二者都（或者在例如該工具在對準站中具有明確限定的位置的情況下，僅僅給其中之一）配備合適的標記?；迳系倪@樣的標記可以已經存在于底座元件（原始的基板，例如晶片）中，例如是被刻劃到玻璃底座元件表面中的十字標記。

然而根據本發(fā)明的特別方面，通過復制來添加用于對準的標記。這對雙面復制的情況尤其有利，在該情況下，至少部分透明的基板的兩面都要被配備上必須彼此對準的復制結構。因此，根據本發(fā)明的該特別方面，一種用于制造多個光學元件的方法包括如下步驟：

－提供至少部分透明的底座元件；

－提供第一復制工具，第一復制工具包括多個復制分段，每個復制分段限定所述光學元件之一的表面結構，第一復制工具還包括對準標記復制分段；

－將第一復制工具和底座元件在復制材料位于它們之間的情況下彼此相向地移動，直到復制材料與底座元件的第二表面和復制工具這二者都接觸；

－使復制材料硬化以產生附著于底座元件的第二表面的復制結構，所述復制結構包括多個光學元件和至少一個對準標記，所述對準標記是對準標記復制分段的復制品；

－除去第一復制工具；

－提供第二復制工具，并且在另外的復制材料處于第二復制工具和底座元件的第一表面之間的情況下將第二復制工具的特征與對準標記對準；

－將第二復制工具和底座元件在該另外的復制材料位于它們之間的情況下彼此相向地移動，直到復制材料與底座元件的該表面和復制工具這二者都接觸；

－使該另外的復制材料硬化以產生附著于底座元件的第一表面的另外的復制結構；以及

－除去第二復制工具。

本發(fā)明的該特別方面的特點是以下顯著優(yōu)點：在第一復制步驟中，第一復制工具和底座元件的相對位置是非關鍵的，但是在第二復制步驟中，非常精確的對準是可能的。

在此第一復制工具優(yōu)選地包括被布置在不同的周邊位置（諸如對跖位置）處的兩個對準標記復制分段。然后，兩個所得到的對準標記被對準到第二復制工具的兩個相應特征。

該方法在與根據本發(fā)明的主要方面的配置不同的其它配置下也是有益的，其中基板－工具組件在硬化前被從對準站除去。然而優(yōu)選地，給至少第二工具以及例如還有第一工具配備充當上述鎖定裝置的接觸隔離物。

對準標記－無論是復制的還是以其它方式提供的－都可以例如是十字形的或者具有允許精確限定表面上的點的其它形狀，例如具有在轉角處相交的兩條邊緣的形狀。對于自動對準的情況而言，對準標記可以具有允許標記的識別和精確測量這二者的特征形狀。

對于對準站，可以使用市場上可獲得的掩模對準器。作為替代方案，可以使用具有用于基于光學信息精確對準兩個對象的部件的其它裝置，例如包括顯微鏡的其它裝置?？尚械倪€有自動對準器，其可以基于圖像處理技術、激光跟蹤或者甚至基于非光學標記物，諸如磁標記物等等。

在任何情況下對準站都可以被裝備為執(zhí)行可以包括如下子步驟的對準和接觸步驟：

－使基板的表面和工具的表面平行；

－將該基板和該工具上的特征彼此對準，以使得它們在由該基板和該工具的表面所限定的平面中的位置相對于彼此處于嚴格定義的關系中，并且例如彼此對應；以及

－隨后將該基板和該工具組合在一起，使以得該工具的最外面的特征接觸該基板。

在第一子步驟中被布置為平行的該基板和該工具的表面不必是連續(xù)的平坦平面，而是可以由不同的部分來限定，諸如接觸隔離物的最外面的平坦表面。作為接觸隔離物的最外面的平坦表面的替代，可以將該工具的剛性背板或者該工具的其它參考平面用于平行化的子步驟。

根據本發(fā)明的主要方面，使基板－工具組件移位至硬化站的步驟包括使該組件從一個站到另一站的移位。因此優(yōu)選地，其不是僅在例如z方向上輕微偏移一定的偏移量－而是該移位包括使該組件從對準站范圍中退出，并且將其引入到硬化站中，由此進入到照明設備（該照明設備被放置為使得其不達到對準站）的范圍內。例如，移位步驟可以包括：將該組件沿著x-y平面移動至少對應于該組件的直徑的距離。

附圖說明

在下面的正文中將參考附圖中所示的示例性的優(yōu)選實施例更詳細地說明本發(fā)明的主題。附圖示意性地示出：

圖1：通過工具和基板的橫截面；

圖2和圖3：通過替代工具的橫截面；

圖4：通過基板工具組件的橫截面；

圖5a－圖5c：復制多個光學元件的工藝中的方法步驟；

圖6：用于制造多個光學元件的設施；以及

圖7：示出用于制造多個光學元件的方法的方法步驟的流程圖。

在附圖中，給相同或類似的部分配備相同的附圖標記。

具體實施方式

圖1示意性地示出了通過工具1和基板10的橫截面。所示實施例中的工具1包括由第一材料（例如玻璃）制成的剛性背板2以及由第二軟性材料（例如pdms）制成的復制部分3。該復制部分形成包括多個復制分段4的復制表面，每個復制分段4的表面都是將被制造的光學元件的表面形狀的（反型）復制。在圖中，復制分段被示出為是凹形的并且因此限定凸形光學元件表面，例如折射透鏡的凸形光學元件表面。然而，本文獻的教導不依賴于將被復制的光學元件的形狀，而是涉及所有可能的光學元件形狀，包括凹形形狀以及衍射元件的微結構化的形狀。

在圖1中，還示出了笛卡爾（cartesian）坐標系，其中x－y平面由復制工具和基板的平坦面來限定，z方向是垂直于x－y平面的方向。貫穿整個本說明書并且針對所有的附圖使用該坐標系的定義。例如，復制結構的z維度總是表示該復制結構的垂直于其附著于的表面所測量的厚度。

在圖1所示的配置中，復制表面還包括浮動隔離物部分5，所述浮動隔離物部分5圍繞復制分段并且在復制工藝期間肯定會靠在復制材料的薄膜上。關于（可選的）浮動隔離物部分及其功能，讀者可參考文獻wo2007/107026，該文獻的教導通過引用被并入本申請。

此外，復制表面包括溢出腔6，所述溢出腔6用于在復制材料的量未被正確限定的情況下接納多余量的復制材料。

另外，復制表面包括接觸隔離物部分7，所述接觸隔離物部分7被示出為布置在周邊。接觸隔離物部分是復制工具的突出到z方向（在此不區(qū)分z方向和負z方向）上最遠的結構。接觸隔離物部分基本上平坦，并且因此可操作用于在復制期間靠在基板上，其中在接觸隔離物部分與基板之間沒有材料。接觸隔離物部分可以例如形成圍繞復制表面周邊的環(huán)，其可以包括圍繞該周邊的多個離散的部分，或者其可以包括分布在該周邊的大部分和/或復制表面的內部之上的多個離散部分。

基板10具有第一面10.1和第二面10.2，并且可以包括任意合適材料例如玻璃的盤狀底座元件11。該基板還包括添加到該基板的、復制品要對準的結構。該結構可以例如包括在x－y平面中被結構化的涂層11，諸如如同所示的具有孔徑的屏或者結構化的ir濾光片等等。附加地或者可替代地，該結構可以包括另外的特征（feature）12，比如標記等等。另外或者作為又一替代方案，該結構可以包括構成光學元件的表面的硬化的復制材料結構，如在下面進一步描述的其它附圖中予以示出的。

為了復制該工具的復制表面，復制材料被施加到該基板或該工具或者該基板和該工具二者。復制材料的這樣的施加可以包括：將復制材料的多個部分施加到該工具和/或該基板，一個部分用于一個復制分段。每個部分可以例如通過由可以例如以類似噴墨打印機的方式工作的投放工具噴射一個或多個液滴而被施加。每個部分可以可選地由多個僅在復制期間彼此接觸的子部分構成。關于多個部分的施加及其優(yōu)點，讀者可參考wo2007/107027，該文獻通過引用并入本申請。

在圖1中，示出了僅僅兩個復制材料部分21。

在施加復制材料之后，該基板和該工具被相對于彼此對準。為此，可以使用與用在所謂的掩模對準器中的工藝類似的工藝，所述掩模對準器本來是被設計用于曝光掩模與半導體晶片的對準。該對準過程可以包括：將該工具和/或該基板的至少一個特定的特征（優(yōu)選地使用兩個特征）分別與該基板或該工具的至少一個特定的特征對準，或者與對準裝置的參考點對準。用于此的合適的特征包括該結構本身的明確限定的元素（比如結構化涂層的限定的轉角或透鏡頂點等等），具體而言即所添加的對準標記或者可能的還有底座元件等的邊緣等等。如現(xiàn)有技術中已知的那樣，對準還包括：使工具和基板表面精確地平行，以避免楔形誤差（wedgeerror）；這樣的平行化可以在x－y對準之前進行。

在對準之后，基板和工具被組合在一起，其中接觸隔離物部分靠在基板表面上并且（如果存在的話與浮動隔離物一起）限定z維度，并且還鎖定該工具以防止x－y運動。在此之后，基板－工具組件被從對準站除去并且被轉移到硬化站，如在下面進一步更詳細地說明的那樣。

該工具的復制部分3－或者至少接觸隔離物部分的表面－由具有相對低的剛度的材料制成，使得其可以在例如除了由躺在該基板上的工具（或反之亦然）的重力產生的壓力外沒有更多壓力的“正?！睏l件下適應于微米和/或亞微米級的粗糙度，并且因此可以形成到基板表面的緊密連接。另外，該工具的復制部分、或者至少接觸隔離物部分的表面可以具有相對低的表面能，以使得有利于對微米和/或亞微米級的粗糙度的這樣的適應。

這樣的材料的優(yōu)選例子是聚二甲基硅氧烷pdms。該材料也非常適用于復制工具成形工藝，如在wo2004/068198中所述的（其中參考了圖14－16），該文獻通過引用并入本申請。

圖2和圖3示出了工具的可替代的設計原理。可以獨立地或以任意組合的形式被添加的特性包括：

a.接觸隔離物，其分布在復制表面的主要部分之上，例如在復制分段之間和/或包圍復制分段4（例如圖2）；

b.圍繞復制分段的復制材料流動限制特征8（比如在圖2和3中），例如如在wo2007/107025中予以描述的那樣，該文獻通過引用并入本申請；

c.缺少浮動隔離物（比如在圖2和3中）；

圖2的實施例尤其有利，因為其提供分布在大表面上的復制工具與基板表面之間（比如分布在工具表面上的限定吸力底座（suctionbase）的多個位置）的附著接觸。

可以通過涉及如下項目的不同工具設置來給出另外的變形方案：材料組成、總體工具形狀、隔離物形狀、溢出量原理（包括溢出通道等等）以及當然還有由不同功能所限定的不同復制分段形狀。

所有這些變形方案都可以結合本說明書中所述的方法步驟中的任一個來實施，所述步驟在適用的情況下包括復制前步驟（因此，該另外的復制工具也可以包括上述特性中的任一個或其任意組合）。

盡管上面的描述依賴于將復制材料投放到復制分段的各單個部分中，但是情況不必如此。圖4示出了如下的例子，其中復制材料21以單滴（blob）的形式被投放到基板和/或復制工具表面的主要部分之上。例如對于某些區(qū)域或對于子單元等等而言，與單個部分投放的組合是可能的。

圖5a至圖5c示出了使工具1對準通過復制添加的對準標記的可能性。該可能性涉及常常遇到的雙面復制情況，其中至少部分透明的基板10/底座元件11的兩面都將被提供一起形成光學元件的（多個）復制結構。對此，兩個面上的復制結構必須相對于彼此對準。

在包括這樣的雙面復制的工藝中，在包括對準的復制步驟之前，執(zhí)行用于將復制結構添加到基板的第二面10.2的復制前步驟。

為此，提供另一復制工具1’，該另一復制工具1’可以基于與上述工具1相同的原理并且包括多個復制分段，并且也可以包括接觸隔離物。除了復制分段，該另一復制工具1’還包括用于復制對準標記32的對準標記復制分段。圖5a示出了在該另一復制工具1’和底座元件11被組合在一起之前的配置。挨著復制分段中的復制材料部分21還存在對準標記復制分段中的復制材料部分31。如果楔形誤差嚴重，則復制前步驟可以可選地包括一些平行化，但是該步驟通常不需要任何x－y對準。

如已知的那樣，復制前步驟包括：在已經將另一復制工具1’和底座元件11在復制材料位于它們之間的情況下朝向彼此移動以后，使復制材料硬化，以及隨后除去該復制工具。

圖5b示出了完成復制前步驟以后并且在（第二）復制步驟的投放復制材料的各部分21之后的配置?；?0的第二面10.2包括硬化的復制材料的結構41，該結構41包括復制的對準標記32（優(yōu)選地，為了提供嚴格定義的x－y對準，存在兩個對準標記；該基板和該工具的第二對準標記在圖中未被示出）。工具1包括將與對準標記32對準的對準特征33。

圖5c示出了在復制步驟期間的配置，其中接觸隔離物部分7靠在基板的第一表面上。

圖6示意性地示出了用于生產光學元件的設施50或設備。在此，第一復制材料投放站51被示出為用于將復制材料投放在該（另一）復制工具上的各個部分中；其也可以用于將復制材料投放在底座元件/基板上和/或像圖4中那樣用于大批量投放。將該工具從復制材料投放站轉移到工具放置站52，在那里，使該工具與底座元件接觸。在此處所示的配置中，該（另一）復制工具是具有接觸隔離物的那種類型，并且允許進一步將復制工具底座裝元件組件轉移到第一硬化站53，在那里，該組件受到電磁輻射的照射，該電磁輻射在復制材料為可uv固化的環(huán)氧樹脂的情況下例如為uv輻射。該固化工藝可能花費大約1－20分鐘。在此之后，該組件可選地被進一步轉移到硬化后站54，在那里，該組件可以被擱置一段時間以允許完成復制材料硬化。在此之后，該（另一）復制工具被除去，并且所得到的基板被轉移到對準站56，在那里，使該基板與在對準之前在第二投放站55中被配備投放的復制材料的復制工具對準。該復制工具基板組件被從對準站56轉移到第二硬化站57，并且可選地被從那里轉移到硬化后站58，此后該復制工具被除去。

該配置可以在以下若干方面有變動：

a.如果該工藝不涉及雙面復制，則不需要存在前4個站51－54；

b.第一和第二投放站51、55不必是分開的，而是兩個投放過程可以在同一站中進行；

c.工具放置站52可以包括對準站的功能；

d.對準站56也可以用作工具放置站52；

e.第一和第二硬化站53、57不必是分開的，而是兩個硬化過程可以在同一站例如如下站中進行：大規(guī)模硬化站，其具有多個硬化位置；或者基于輸送機的硬化站，在該硬化站處，將被硬化的材料在預先定義的時間量期間被沿著光源輸送，其中將被硬化的不同元件根據fifo原則穿過該硬化站；

f.第一和第二硬化后站54、58（如果存在的話）可以例如通過共同的可能溫度受控的存儲位置而被組合；

g.硬化后站不必物理上同硬化站分開；而是：如果硬化站（一個或多個）具有足夠高的容量，則硬化后站可以由輻射源被關閉的硬化站組成；

h.投放站（51、）55不必物理上分別同工具放置站和/或對準站分開；

i.在特殊情況下，工具放置站52和第一硬化站53不必物理上分開，而是工具放置站可以包括輻射源并且也構成第一硬化站53。

上面的變形方案可以幾乎任意地彼此組合，當然除了變形方案a.，該方案僅僅與不要求存在復制前步驟的變形方案相兼容。變形方案b.、d.、e.和f.的組合將產生具有僅僅一條線55－58的設施，其中該線在雙面復制期間被遍歷兩次。

圖7描述了示出根據本發(fā)明的方法的例子的方法步驟的流程圖。該圖未描述（可選的）復制前步驟。

所示方法包括如下步驟：提供基板和復制工具（71）；將復制材料置于復制工具上和/或基板上（72），對準該工具的特征和該基板的特征（73），將該工具和該基板組合在一起，直到接觸隔離物部分接觸該基板（74），使所得到的組件從對準站移位至硬化站（76）；使復制材料硬化（77）；可選的到硬化后站的轉移（78）；可選的硬化后步驟（79）；以及將該工具從該基板分離的步驟（80）。

硬化后步驟79可以包括對復制材料的固化的－可能溫度受控的－完成。通常，在能量（諸如uv輻射）的照射之后，復制材料被預處理以完全硬化，但是其還未徹底變硬。更確切地說，在該材料充分硬化之前還要花費一些額外的時間（例如1－60分鐘）。因此，硬化后步驟可以僅僅包括等待步驟，該等待步驟可能具有對組件的溫度控制。