本發(fā)明涉及承載電子元件的承盤的制造方法，特別是指一種具有無線識(shí)別標(biāo)簽的晶圓承盤的制造方法。

背景技術(shù)：

晶盤(Tray)主要是供以承載切割后的晶體，并能據(jù)以承載晶體進(jìn)行后續(xù)的封裝制程成為所需晶片；而該晶盤于封裝過程中是同時(shí)經(jīng)過封裝制程中的烘烤、清洗工序，并持續(xù)地被重復(fù)使用，而由于晶盤在每次的封裝制程中必須承受烘烤的高溫，因此晶盤在使用一定次數(shù)后就必須被更換，避免因晶盤無預(yù)警的破損而造成其上承載晶片瞬間失去承載掉落產(chǎn)生的龐大損失。

一般使用者多憑靠經(jīng)驗(yàn)法則以使用時(shí)間作為晶盤使用壽命的概略推算，但這樣的推算并無法精準(zhǔn)地反映使用次數(shù)，因而仍無法有風(fēng)險(xiǎn)的存在而待改善。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種具有無線識(shí)別標(biāo)簽的晶圓承盤的制造方法，其主要目的是提供一種能制造可精準(zhǔn)掌控晶圓承盤使用次數(shù)的方法。

為解決上述，本發(fā)明提供一種具有無線識(shí)別標(biāo)簽的晶圓承盤的制造方法，包含依序進(jìn)行的：

提供包膜標(biāo)簽步驟，提供一包膜標(biāo)簽，該包膜標(biāo)簽由一電子標(biāo)簽(Tag)外包覆一保護(hù)膜層所構(gòu)成，其中，該保護(hù)膜層能承受300～330℃的高溫；

包膜標(biāo)簽入模步驟，將該包膜標(biāo)簽置入一射出成形模具中，該射出成形模具包含一固定模以及一可相對(duì)該固定模位移的可動(dòng)模，該包膜標(biāo)簽置入該固定模中；

合模步驟，使該可動(dòng)模對(duì)合于該固定模；

埋入射出步驟，包含一射出條件控制步驟以及一射出塑料包覆標(biāo)簽步驟以及，該射出條件控制步驟系控制射出之塑料的溫度(料溫)介于180～300℃之間，當(dāng)塑料射出后接著控制該射出成形模具的保持壓力(保壓)介于50～70Mpa之間，且保壓時(shí)間介于3～5秒之間，且該塑料射出后該塑料成為具有多個(gè)承載槽的晶圓承盤并包覆固定該包膜標(biāo)簽；

開模步驟，埋入射出步驟完成并冷卻完成后開啟該射出成形模具；

成品取出步驟，開模步驟后即可取出成品。

進(jìn)一步地，埋入射出步驟中，更控制該射出成形模具的溫度(模溫)介于50～120℃之間。

進(jìn)一步地，埋入射出步驟中，控制料溫及模溫后更控制塑料射出速度介于15～135mm/s之間進(jìn)行射出。

進(jìn)一步地，埋入射出步驟后，更控制冷卻時(shí)間介于5～15秒之間。

進(jìn)一步地，埋入射出步驟中，該塑料為由PPE或ABS材質(zhì)所制成。

進(jìn)一步地，所述晶圓承盤完整包覆該包膜標(biāo)簽。

本發(fā)明透過于射出成形模具中置入包膜標(biāo)簽，配合本發(fā)明考量電子標(biāo)簽結(jié)構(gòu)特性、及考量后端使用條件下所設(shè)定的射出成形條件，據(jù)此就能以單一個(gè)射出成形工序同時(shí)成形晶圓承盤并穩(wěn)定結(jié)合包膜標(biāo)簽，不僅制造效率高，更能產(chǎn)出可精準(zhǔn)掌控使用次數(shù)的晶圓承盤，降低產(chǎn)生損失的風(fēng)險(xiǎn)，提高經(jīng)濟(jì)效益。

附圖說明

圖1為本發(fā)明具有無線識(shí)別標(biāo)簽的晶圓承盤的制造方法之制造流程圖。

附圖標(biāo)記說明

提供包膜標(biāo)簽步驟10

包膜標(biāo)簽入模步驟20

合模步驟30

埋入射出步驟40

開模步驟50

成品取出步驟60

具體實(shí)施方式

本發(fā)明一種具有無線識(shí)別標(biāo)簽的晶圓承盤的制造方法的較佳實(shí)施例如圖1所示，包含依序進(jìn)行的：

提供包膜標(biāo)簽步驟10，提供一包膜標(biāo)簽，該包膜標(biāo)簽由一電子標(biāo)簽(Tag)外包覆一保護(hù)膜層所構(gòu)成，其中，該保護(hù)膜層能承受300～330℃的高溫；

包膜標(biāo)簽入模步驟20，將該包膜標(biāo)簽置入一射出成形模具中，該射出成形模具包含一固定模以及一可相對(duì)該固定模位移的可動(dòng)模，該包膜標(biāo)簽置入該固定模中；

合模步驟30，使該可動(dòng)模對(duì)合于該固定模；

埋入射出步驟40，包含一射出條件控制步驟以及一射出塑料包覆標(biāo)簽步驟以及，該射出條件控制步驟系控制射出的塑料的溫度(料溫)介于180～300℃之間，控制該射出成形模具的溫度(模溫)介于50～120℃之間，控制料溫及模溫后更控制塑料射出速度介于15～135(mm/s)之間進(jìn)行射出，當(dāng)塑料射出后接著控制該射出成形模具的保持壓力(保壓)介于50～70Mpa之間，且保壓時(shí)間介于3～5秒之間，同時(shí)，當(dāng)預(yù)定量的塑料射出完成后，更必須控制冷卻時(shí)間介于5～15秒之間，且本發(fā)明的塑料射出后該塑料成為具有多個(gè)承載槽的晶圓承盤并包覆固定該包膜標(biāo)簽，且該晶圓承盤可完整包覆該包膜標(biāo)簽或部分接觸該包膜標(biāo)簽而使該包膜標(biāo)簽的部分外露，且該塑料為由PPE(Polyphenylene ether，聚苯醚)或ABS(Acrylonitrile-Butadene–Styrene，丙烯晴-丁二烯-苯乙烯共聚合物)材質(zhì)所制成；其中，當(dāng)該塑料由ABS所制成時(shí)，該射出條件控制步驟是控制射出的塑料的溫度(料溫)介于180～220℃之間，且控制塑料射出速度為15進(jìn)行射出為最佳；而當(dāng)該塑料由PPE所制成時(shí)，該射出條件控制步驟系控制射出的塑料的溫度(料溫)介于260～300℃之間，且控制塑料射出速度為135進(jìn)行射出為最佳。

開模步驟50，埋入射出步驟完成并冷卻完成后開啟該射出成形模具；

成品取出步驟60，開模步驟后即可取出成品。

以上為本發(fā)明具有無線識(shí)別標(biāo)簽的晶圓承盤的制造方法的制造流程及特征，本發(fā)明主要是將該電子標(biāo)簽包覆保護(hù)膜層后以埋入式的塑膠射出工法成形晶圓承盤，據(jù)此使晶圓承盤內(nèi)嵌電子標(biāo)簽，則只要在封裝的制程中安裝可感應(yīng)該電子標(biāo)簽的讀取器(Reader)就能感應(yīng)該電子標(biāo)簽，據(jù)此精準(zhǔn)計(jì)算該晶圓承盤的使用次數(shù)，并能在預(yù)定使用壽命的對(duì)應(yīng)次數(shù)時(shí)更換該晶圓承盤，避免晶圓承盤無預(yù)警損壞造成的損失。

而由于本發(fā)明的晶圓承盤必須由射出成形產(chǎn)出，且該晶圓承盤于使用時(shí)也必須承受封裝過程中的高溫烘干，因此本發(fā)明的電子標(biāo)簽必須包覆該保護(hù)膜層，透過該保護(hù)膜層的耐高溫特性，使得包覆該保護(hù)膜層確保該電子標(biāo)簽于埋入射出步驟中不會(huì)損壞，且也能確保后續(xù)于封裝過程中正常運(yùn)作。

同時(shí)，基于本發(fā)明的晶圓承盤必須持續(xù)使用于整個(gè)封裝制程中的需求，本發(fā)明更特別以PPE或ABS作為成形為晶圓承盤的材質(zhì)，據(jù)此確保該晶圓承盤本身在封裝制程中能正常使用不會(huì)損壞。

此外，由于本發(fā)明于埋入射出步驟40中必需考量到該電子標(biāo)簽包覆于塑料中的狀態(tài)，并非一般的射出條件可以完成，因此本發(fā)明于料溫、保壓的條件均以該電子標(biāo)簽的 耐熱條件、耐壓條件為基準(zhǔn)而定，透過上述設(shè)定就能在單一個(gè)埋入射出步驟40同時(shí)成形晶圓承盤并結(jié)合電子標(biāo)簽，在制造上非?？焖俦憷?，而成品則能極穩(wěn)固地結(jié)合該電子標(biāo)簽，據(jù)此供使用者精準(zhǔn)地掌控晶圓承盤的使用次數(shù)及壽命，避免損失風(fēng)險(xiǎn)產(chǎn)生的可能；此外，透過成形為該晶圓承盤的塑料材質(zhì)的配置則又能滿足于封裝制程的條件需求，整體附加價(jià)值高。