已經(jīng)提出了在逐層的基礎(chǔ)上生成三維物體的增材制造系統(tǒng)，作為制造三維物體的潛在便捷方式。

附圖說明

為了更好地理解本文所描述的示例，并且為了更清楚地示出如何可以實(shí)現(xiàn)這些示例，現(xiàn)將僅通過示例的方式來參考以下附圖，其中：

圖1示出用于對(duì)溫度進(jìn)行控制的方法的示例；

圖2示出與校準(zhǔn)測(cè)試相關(guān)的方法的示例；

圖3a至圖3c是例示了用于執(zhí)行校準(zhǔn)測(cè)試的方法的示例；

圖4示出溫度曲線的示例，并且例示了熔點(diǎn)的示例；

圖5示出用于對(duì)熔點(diǎn)進(jìn)行校準(zhǔn)的方法的示例；

圖6示出溫度曲線的示例，并且例示了結(jié)晶點(diǎn)的示例；

圖7示出用于對(duì)結(jié)晶點(diǎn)進(jìn)行校準(zhǔn)的方法的示例；

圖8a至圖8c示出可視化方法的示例；

圖9示出用于對(duì)結(jié)晶點(diǎn)進(jìn)行校準(zhǔn)的方法的示例；

圖10示出用于生成三維物體的裝置的示例；

圖11示出用于生成三維物體的裝置的示例；以及

圖12示出與校準(zhǔn)測(cè)試相關(guān)的方法的另一示例。

具體實(shí)施方式

生成有形的三維物體的工序可以包括例如一系列步驟，包括：形成構(gòu)造材料層，將試劑(例如聚結(jié)劑和聚結(jié)改性劑)選擇性地遞送至構(gòu)造材料層的表面的一個(gè)或多個(gè)部分；將預(yù)定水平的能量暫時(shí)施加到構(gòu)造材料層。暫時(shí)施加能量可以導(dǎo)致在其上聚結(jié)劑已被遞送或已經(jīng)滲透的構(gòu)造材料的部分加熱到構(gòu)造材料的熔點(diǎn)之上并聚結(jié)。在冷卻時(shí)，已經(jīng)聚結(jié)的部分變?yōu)楣腆w并且形成正在生成的三維物體的一部分。然后重復(fù)這些步驟以形成三維物體。也可以與這些用于生成三維物體的步驟一起使用其他的步驟和過程。

在本文所描述的示例中，聚結(jié)劑和聚結(jié)改性劑可包括可以使用任何適當(dāng)?shù)牧黧w遞送機(jī)構(gòu)(也稱為試劑分配器)來遞送的流體。在一個(gè)示例中，試劑以液滴形式遞送。

聚結(jié)改性劑可被用于多種目的。在一個(gè)示例中，聚結(jié)改性劑可以被遞送至與聚結(jié)劑被遞送的位置相鄰的位置，例如以便有助于降低橫向聚結(jié)滲出的影響。這可被用于例如提高物體邊緣或表面的清晰度或精確度和/或用于降低表面粗糙度。在另一示例中，聚結(jié)改性劑可以與聚結(jié)劑穿插地遞送，其可被用于使得物體性質(zhì)能夠被改性。

本文所描述的示例涉及構(gòu)造材料。在一個(gè)示例中，構(gòu)造材料是基于粉末的構(gòu)造材料。如本文所使用的，術(shù)語基于粉末的材料旨在包含基于干燥粉末和基于潮濕粉末的材料兩者、微粒狀材料和顆粒狀材料。

本文所描述的示例涉及對(duì)用于生成三維物體的裝置中的溫度進(jìn)行控制的方法及裝置，其中對(duì)構(gòu)造工序中的至少一個(gè)溫度點(diǎn)(例如構(gòu)造工序中的熔點(diǎn)和/或結(jié)晶點(diǎn))進(jìn)行校準(zhǔn)。如本文中所使用的，“熔點(diǎn)”是指構(gòu)造材料例如通過燒結(jié)、熔化、熔合或聚結(jié)而變成粘結(jié)塊的溫度。如將在下面的示例中更為詳細(xì)描述的，可以執(zhí)行校準(zhǔn)測(cè)試以對(duì)至少一個(gè)溫度點(diǎn)進(jìn)行校準(zhǔn)，校準(zhǔn)測(cè)試基于將被用于生成三維物體的構(gòu)造材料。根據(jù)示例，至少一個(gè)溫度點(diǎn)的校準(zhǔn)可以具有如下優(yōu)點(diǎn)，即，當(dāng)構(gòu)造三維物體或部件時(shí)，能夠關(guān)聯(lián)于這種校準(zhǔn)后的溫度點(diǎn)(例如熔點(diǎn)和/或結(jié)晶點(diǎn))而更準(zhǔn)確地對(duì)構(gòu)造材料的溫度進(jìn)行控制。

當(dāng)生成三維物體時(shí)，在一個(gè)示例中，在結(jié)晶溫度和熔化溫度之間對(duì)構(gòu)造材料(例如粉末狀或顆粒狀的材料)進(jìn)行預(yù)熱。例如，構(gòu)造材料可以被加熱并保持為剛好低于熔合溫度并且保持在構(gòu)造材料的結(jié)晶點(diǎn)之上。取決于所使用的構(gòu)造材料的類型(例如，哪種類型的粉末狀材料、或哪種類型的塑料、或者所使用的特定制造商)，結(jié)晶點(diǎn)和熔點(diǎn)可以顯著改變。應(yīng)注意，在被用于對(duì)溫度進(jìn)行監(jiān)控的傳感器中或者在被用于生成三維物體的其它系統(tǒng)部件中也可以存在變化。

根據(jù)本文所描述的示例，通過對(duì)至少一個(gè)溫度點(diǎn)(例如特定構(gòu)造材料的熔點(diǎn)或結(jié)晶點(diǎn)中的至少一個(gè))進(jìn)行校準(zhǔn)，能夠更精確地對(duì)構(gòu)造材料的特征進(jìn)行控制，從而允許更可靠地生成三維物體。

圖1示出在用于生成三維物體的裝置中對(duì)溫度進(jìn)行控制的方法的示例。該方法包括：對(duì)將被用于生成三維物體的構(gòu)造材料的樣本執(zhí)行校準(zhǔn)測(cè)試(步驟101)。根據(jù)校準(zhǔn)測(cè)試來對(duì)至少一個(gè)溫度點(diǎn)進(jìn)行校準(zhǔn)(步驟103)。在步驟105中，在裝置的后續(xù)溫度控制期間使用至少一個(gè)校準(zhǔn)后的溫度點(diǎn)。

圖2示出用于執(zhí)行用于對(duì)至少一個(gè)溫度點(diǎn)進(jìn)行校準(zhǔn)的校準(zhǔn)測(cè)試的方法的示例。校準(zhǔn)測(cè)試可以被用于例如對(duì)將要在構(gòu)造工序中使用的結(jié)晶點(diǎn)和/或熔點(diǎn)進(jìn)行校準(zhǔn)。該方法包括：將聚結(jié)劑沉積在例如構(gòu)造帶的至少一部分上(步驟201)。應(yīng)注意，聚結(jié)劑可以包括當(dāng)被暴露于能量源時(shí)被用于與構(gòu)造材料相互作用或聚結(jié)的任何材料或流體。例如，聚結(jié)劑可以包括吸收性油墨或其它印刷流體。應(yīng)注意，聚結(jié)改性劑也可以沉積在聚結(jié)劑上或者與聚結(jié)劑一起沉積。在步驟203中，將構(gòu)造材料沉積在聚結(jié)劑上。例如，可以將構(gòu)造材料層沉積在將要執(zhí)行監(jiān)控操作的聚結(jié)劑的至少一部分上。在一個(gè)示例中，將單層的構(gòu)造材料沉積在聚結(jié)劑上。在另一示例中，將多層的構(gòu)造材料沉積在聚結(jié)劑上。在步驟205中，將能量施加到構(gòu)造材料。例如，能量可以通過用于對(duì)構(gòu)造材料進(jìn)行加熱的能量源(例如燈、可見光源、紫外線光源、微波能量源、輻射源或激光源)來施加。也可以使用其它能量源或熱源。在一個(gè)示例中，受控量的能量被施加。

在一個(gè)示例中，步驟201包括將聚結(jié)劑沉積在構(gòu)造帶的至少一部分上，例如在將要監(jiān)控或者采取溫度測(cè)量的區(qū)域中、例如僅在構(gòu)造帶的中心區(qū)域中、或者僅在一個(gè)角落中。根據(jù)另一示例，步驟201包括將聚結(jié)劑沉積在多個(gè)區(qū)域中，該多個(gè)區(qū)域被監(jiān)控以形成平均值或最小值或最大值。在這種示例中，可以在能夠被分別監(jiān)控的多個(gè)范圍(region)中的每一個(gè)范圍中執(zhí)行校準(zhǔn)測(cè)試。在另一示例中，步驟201包括將聚結(jié)劑沉積在整個(gè)構(gòu)造帶上。在這些示例中的每一個(gè)示例中，可以使用至少一個(gè)熱傳感器(例如熱相機(jī)或傳感器陣列)，來監(jiān)控特定范圍或多個(gè)范圍或者整個(gè)構(gòu)造帶。

圖3a至圖3c示出一個(gè)示例，該示例例示了如何可以進(jìn)一步地實(shí)施圖2的方法。在圖3a中，聚結(jié)劑33被示出為沉積在例如構(gòu)造帶32的至少一部分中(構(gòu)造帶例如由支撐體31所限定，例如為諸如粉末床等床的表面)。在圖3b中，構(gòu)造材料35(例如粉末層)形成或沉積在聚結(jié)劑33上。在一個(gè)示例中，構(gòu)造材料層沉積在整個(gè)打印區(qū)域上(并因此位于聚結(jié)劑之上)。在另一示例中，構(gòu)造材料層沉積在聚結(jié)劑的至少一部分上。如上所述，可以沉積單層或多層的構(gòu)造材料。應(yīng)注意，圖中所示的層的厚度僅是為了說明性的目的，并且可以與所示出的不同或發(fā)生變化。圖3c示出施加到構(gòu)造材料的能量37，例如來自對(duì)構(gòu)造材料35進(jìn)行加熱的燈或熱源的受控能量。如以上所提及的，除了圖3a至圖3c所示出的示例之外，聚結(jié)劑和構(gòu)造材料還可以沉積在其它范圍或區(qū)域上。

圖4示出溫度曲線的示例，并且例示了構(gòu)造材料的熔點(diǎn)的示例。當(dāng)將能量施加到構(gòu)造材料時(shí)，溫度升高直到達(dá)到了范圍40為止，與達(dá)到了熔點(diǎn)的溫度點(diǎn)相對(duì)應(yīng)。在一個(gè)示例中，該工序?qū)⑨槍?duì)特定的構(gòu)造材料在恒定溫度下進(jìn)行(即，不管使用了哪種聚結(jié)材料，例如當(dāng)構(gòu)造材料對(duì)熔點(diǎn)具有更大的影響時(shí))。在這種示例中，可以針對(duì)正在使用的每種構(gòu)造材料來執(zhí)行校準(zhǔn)測(cè)試。在另一示例中，該工序?qū)⑨槍?duì)構(gòu)造材料和聚結(jié)劑的特定組合在恒定溫度下進(jìn)行。在這種示例中，可以針對(duì)正在使用的構(gòu)造材料與聚結(jié)劑的每種組合來執(zhí)行校準(zhǔn)測(cè)試。

因此，通過執(zhí)行圖2或圖3a至圖3c的校準(zhǔn)步驟，隨后確定在哪個(gè)溫度達(dá)到熔點(diǎn)，這能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)特定構(gòu)造材料或者構(gòu)造材料與聚結(jié)劑的組合的熔點(diǎn)進(jìn)行校準(zhǔn)的示例。

在一個(gè)示例中，可以在執(zhí)行諸如圖2和圖3a至圖3c所示的校準(zhǔn)測(cè)試的同時(shí)，對(duì)溫度曲線或溫度數(shù)據(jù)進(jìn)行監(jiān)控。

圖5示出用于對(duì)熔點(diǎn)進(jìn)行校準(zhǔn)的方法的實(shí)例。在步驟501中，當(dāng)將能量施加到構(gòu)造材料時(shí)，接收與構(gòu)造材料的溫度相關(guān)的溫度信號(hào)。溫度信號(hào)可以例如從對(duì)構(gòu)造材料的溫度進(jìn)行監(jiān)控的溫度傳感器接收。應(yīng)注意，溫度傳感器可以包括例如非接觸式溫度傳感器或熱傳感器，諸如紅外傳感器等。在一個(gè)示例中，溫度傳感器是也在標(biāo)準(zhǔn)構(gòu)造工序的一部分中使用的溫度傳感器。還可以使用一個(gè)以上的傳感器，其中多個(gè)范圍被監(jiān)控。對(duì)接收到的溫度信號(hào)進(jìn)行監(jiān)控，以檢測(cè)作為熔點(diǎn)的特征的溫度變化(步驟503)。檢測(cè)溫度變化可以包括例如檢測(cè)圖4的溫度曲線中所示出的特征40。隨后將校準(zhǔn)后的熔點(diǎn)設(shè)置為檢測(cè)到溫度變化時(shí)的溫度(步驟505)。

在一個(gè)示例中，監(jiān)控溫度信號(hào)包括監(jiān)控溫度曲線的輪廓或監(jiān)控溫度數(shù)據(jù)。這可以涉及將所接收的溫度曲線與預(yù)定的溫度曲線或輪廓進(jìn)行比較，或者通過將溫度曲線與一組溫度曲線進(jìn)行匹配。在一個(gè)示例中，監(jiān)控溫度信號(hào)包括將所接收的溫度數(shù)據(jù)與表示熔點(diǎn)的預(yù)定數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，例如用于檢測(cè)所接收的溫度數(shù)據(jù)中的特定模式。

圖6示出溫度曲線的示例，并且例示了結(jié)晶點(diǎn)60的示例。溫度曲線可以例如通過圖2或圖3a至圖3c中所示的方法來生成。在移除能量源并且允許構(gòu)造材料冷卻之后，溫度下降，直到達(dá)到了范圍60為止，與達(dá)到了結(jié)晶點(diǎn)的溫度相對(duì)應(yīng)。在一個(gè)示例中，該工序?qū)⑨槍?duì)特定的構(gòu)造材料在恒定溫度下進(jìn)行(即，不管使用了哪種聚結(jié)材料，例如當(dāng)構(gòu)造材料對(duì)結(jié)晶點(diǎn)具有更大的影響時(shí))。在這種示例中，可以針對(duì)正在使用的每種構(gòu)造材料來執(zhí)行校準(zhǔn)測(cè)試。在另一示例中，該工序?qū)⑨槍?duì)構(gòu)造材料和聚結(jié)劑的特定組合在恒定溫度下進(jìn)行。在這種示例中，可以針對(duì)正在使用的構(gòu)造材料和聚結(jié)劑的每種組合來執(zhí)行校準(zhǔn)測(cè)試。

圖7示出用于對(duì)結(jié)晶點(diǎn)進(jìn)行校準(zhǔn)的方法的示例。在步驟701中，該方法包括將能量施加到構(gòu)造材料(構(gòu)造材料位于聚結(jié)劑之上，例如如圖2和圖3a至圖3c的示例中所描述的)，直到構(gòu)造材料已經(jīng)超過熔點(diǎn)為止。在步驟703中，當(dāng)構(gòu)造材料冷卻時(shí)，接收與構(gòu)造材料的溫度相關(guān)的溫度信號(hào)。對(duì)接收到的溫度信號(hào)進(jìn)行監(jiān)控，以檢測(cè)作為結(jié)晶點(diǎn)的特征的溫度變化(步驟705)。將校準(zhǔn)后的結(jié)晶點(diǎn)設(shè)置為檢測(cè)到溫度變化時(shí)的溫度(步驟707)。

在一個(gè)示例中，構(gòu)造材料冷卻至結(jié)晶點(diǎn)的速率例如通過受控地移除能量源來得到控制。

與以上所描述的熔點(diǎn)的示例一樣，溫度信號(hào)的監(jiān)控可以包括監(jiān)控溫度曲線的輪廓或監(jiān)控溫度數(shù)據(jù)。這可以涉及將接收到的溫度曲線與預(yù)定的溫度曲線或輪廓進(jìn)行比較，或者將接收到的溫度數(shù)據(jù)與表示結(jié)晶點(diǎn)的預(yù)定數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，例如用于檢測(cè)接收到的溫度數(shù)據(jù)中的特定模式，或者通過將溫度曲線與一組溫度曲線進(jìn)行匹配。

因此，在本文所描述的示例中，檢測(cè)特征溫度變化可以包括將溫度曲線的輪廓與表示結(jié)晶點(diǎn)或熔點(diǎn)的特征的至少一個(gè)預(yù)定曲線進(jìn)行比較，或者將溫度數(shù)據(jù)與表示結(jié)晶點(diǎn)或熔點(diǎn)的特征的預(yù)定溫度數(shù)據(jù)進(jìn)行比較。

因此，示例可以涉及對(duì)溫度日志的分析，以使用熱傳感器來確定熔點(diǎn)。由于構(gòu)造材料/聚結(jié)劑的相變?cè)谝恢碌臏囟认掳l(fā)生，因此可以進(jìn)行監(jiān)控并明確定義，如例如在以上圖4中所示出的那樣。結(jié)晶點(diǎn)可以基于例如以上圖6中所示出的特征通過相同的方法論來確定。

盡管上述示例涉及對(duì)諸如溫度曲線或溫度數(shù)據(jù)的溫度信號(hào)進(jìn)行監(jiān)控，但是根據(jù)一個(gè)示例可以可視化地執(zhí)行熔點(diǎn)的校準(zhǔn)。

圖8a至圖8c示出如何可以使用可視化指示器來校準(zhǔn)溫度點(diǎn)的示例。

圖8a示出已經(jīng)沉積在聚結(jié)劑上的構(gòu)造材料81的層。響應(yīng)于正被暴露于能量源(例如通過燈或加熱源被加熱)，構(gòu)造材料隨著溫度升高而開始經(jīng)歷相變，相變由圖8b中的分區(qū)83示出。隨著溫度繼續(xù)升高，如圖8c中的分區(qū)85所示，當(dāng)聚結(jié)劑和構(gòu)造材料已經(jīng)熔化并熔合時(shí)，可以可視化地確定出熔點(diǎn)。

圖9示出根據(jù)用于對(duì)熔點(diǎn)進(jìn)行校準(zhǔn)的示例的方法。該方法包括：在步驟901中，當(dāng)將能量施加到構(gòu)造材料上時(shí)，對(duì)構(gòu)造材料進(jìn)行可視化監(jiān)控。在步驟903中，檢測(cè)構(gòu)造材料中作為熔點(diǎn)的特征的預(yù)定顏色變化。在步驟905中，將校準(zhǔn)后的熔點(diǎn)設(shè)置為檢測(cè)到預(yù)定顏色變化時(shí)的溫度。

在一個(gè)示例中，檢測(cè)預(yù)定顏色變化包括確定顏色密度是否已經(jīng)達(dá)到指定水平。

在一個(gè)示例中，通過光學(xué)感測(cè)設(shè)備來執(zhí)行可視化監(jiān)控。在傳感器包括光學(xué)傳感器或密度計(jì)的示例中，監(jiān)控的步驟可以包括獲取值，并且確定該讀取值是否已經(jīng)達(dá)到閾值，諸如先前建立的閾值(例如在針對(duì)正被使用的特定構(gòu)造材料和/或聚結(jié)劑的先前校準(zhǔn)測(cè)試期間執(zhí)行)。在另一示例中，可視化監(jiān)控由裝置的操作者來執(zhí)行。

因此，在一個(gè)示例中，可以通過目視觀察來確定熔點(diǎn)，例如觀察構(gòu)造材料的頂層或表面的顏色改變。當(dāng)顏色密度達(dá)到指定水平時(shí)，例如對(duì)應(yīng)于圖8c，其指示構(gòu)造材料的熔合，例如粉末的完全熔合。使用光學(xué)感測(cè)設(shè)備，可以對(duì)熔點(diǎn)進(jìn)行定義，并且將熔點(diǎn)校準(zhǔn)為該點(diǎn)處的構(gòu)造材料的溫度。

在示例中，施加受控能量可以包括將能量施加到構(gòu)造帶上，直到聚結(jié)劑穿透構(gòu)造材料的至少一部分為止。

圖10示出用于生成三維物體的裝置1000的示例。該裝置包括用于對(duì)構(gòu)造材料進(jìn)行加熱的能量源1001。校準(zhǔn)單元1003使用將被用于生成三維物體的構(gòu)造材料的樣本來對(duì)至少一個(gè)溫度點(diǎn)進(jìn)行校準(zhǔn)。溫度控制器1005使用至少一個(gè)校準(zhǔn)后的溫度點(diǎn)來控制能量源1101。例如，溫度控制器1005可以根據(jù)校準(zhǔn)后的溫度來適應(yīng)或調(diào)節(jié)被供應(yīng)給能量源的功率或由此發(fā)射出的能量，從而能夠?qū)嵤└_的構(gòu)造工序。

在一個(gè)示例中，裝置1000包括聯(lián)接到校準(zhǔn)單元1003的溫度傳感器1007，用于向校準(zhǔn)單元提供與構(gòu)造材料相關(guān)的溫度信號(hào)(例如對(duì)如以上所提及的溫度曲線或溫度數(shù)據(jù)進(jìn)行監(jiān)控)。在一個(gè)示例中，裝置1000包括聯(lián)接到校準(zhǔn)單元的光學(xué)傳感器1009，用于在校準(zhǔn)測(cè)試期間對(duì)構(gòu)造材料的表面進(jìn)行監(jiān)控(例如，用于如上所述對(duì)特定溫度點(diǎn)進(jìn)行光學(xué)檢測(cè))。

圖11示出裝置1100的示例，其中可以例如根據(jù)圖3a至圖3c中所示的步驟來執(zhí)行校準(zhǔn)測(cè)試(例如通過將能量37施加到已經(jīng)被沉積在聚結(jié)劑33上的構(gòu)造材料35上)，隨后相應(yīng)地對(duì)溫度進(jìn)行控制。該裝置可以包括溫度傳感器1107和/或光學(xué)傳感器1109，例如用于分別對(duì)溫度曲線/數(shù)據(jù)進(jìn)行監(jiān)控和/或如上所述進(jìn)行可視化監(jiān)控。

在上述示例中，通過將構(gòu)造材料沉積在聚結(jié)劑上來進(jìn)行校準(zhǔn)測(cè)試。然而，根據(jù)圖12所示的另一示例，校準(zhǔn)測(cè)試可以包括沉積構(gòu)造材料(步驟1201)，并且隨后將聚結(jié)劑沉積在構(gòu)造材料的至少一部分上(步驟1203)，以及將能量施加到構(gòu)造材料和聚結(jié)劑(步驟1205)。沉積構(gòu)造材料的步驟可以包括沉積單層的構(gòu)造材料或沉積多層的構(gòu)造材料。在一個(gè)示例中，可以隨后實(shí)施上述用于對(duì)至少一個(gè)溫度點(diǎn)進(jìn)行校準(zhǔn)的步驟，例如通過對(duì)溫度曲線或溫度數(shù)據(jù)進(jìn)行電子監(jiān)控或者對(duì)表面進(jìn)行可視化監(jiān)控，以便對(duì)至少一個(gè)溫度點(diǎn)(例如熔點(diǎn)或結(jié)晶點(diǎn))進(jìn)行校準(zhǔn)。

在用于生成三維物體的裝置的示例中，構(gòu)造材料層的被選擇部分可以在用于支撐構(gòu)造材料的支撐體(例如支撐床)上聚結(jié)或熔合。在其上已經(jīng)沉積有試劑(例如使用試劑分配器來選擇性地分布(例如聚結(jié)劑和聚結(jié)改性劑))的構(gòu)造材料層的部分被聚結(jié)，從而避免支撐體上的構(gòu)造材料的其余部分到達(dá)熔合點(diǎn)或熔點(diǎn)。通過對(duì)這些溫度點(diǎn)中的至少一個(gè)進(jìn)行校準(zhǔn)，可以對(duì)每種不同的構(gòu)造材料結(jié)晶和熔化的地方的溫度的任何變化進(jìn)行補(bǔ)償。校準(zhǔn)還可以對(duì)系統(tǒng)參數(shù)(諸如傳感器靈敏度等)的變化傾向進(jìn)行補(bǔ)償。

通過對(duì)溫度點(diǎn)(例如構(gòu)造材料的結(jié)晶點(diǎn)和/或熔點(diǎn))進(jìn)行校準(zhǔn)，能夠?qū)崿F(xiàn)提供構(gòu)造工序的更精確控制的示例。

更精確控制可以引發(fā)改善的熔化工序，并且避免生成劣質(zhì)的物體，如果未足夠精確地獲知特定構(gòu)造材料的溫度點(diǎn)，則可能會(huì)發(fā)生這種情況。

從上述可以看出，一個(gè)示例包括通過沉積聚結(jié)劑(例如覆蓋大部分構(gòu)造帶的吸收性油墨)來確定熔點(diǎn)，用構(gòu)造材料(例如粉末)重新涂覆，以及施加受控溫度。

在一個(gè)示例中，可以通過將能量(諸如來自燈的熱量等)施加到構(gòu)造帶上來確定熔點(diǎn)，使得溫度升高直到構(gòu)造材料(例如粉末)達(dá)到聚結(jié)劑將上升而穿過構(gòu)造材料的點(diǎn)(例如在施加有聚結(jié)劑的區(qū)域中)為止。如上面圖4所示，該工序?qū)⒃诤愣囟认逻M(jìn)行。

在示例中，可以如下確定結(jié)晶點(diǎn)。一旦超過熔點(diǎn)，就不再需要加熱。例如通過移除能量源或以受控速度來進(jìn)行冷卻如上面圖6所示也將在恒定溫度下使熔化后的粉末結(jié)晶。

校準(zhǔn)后的溫度點(diǎn)(例如熔點(diǎn)和/或結(jié)晶點(diǎn))可以由溫度控制器來存儲(chǔ)和使用。在一個(gè)示例中，校準(zhǔn)后的溫度值被用于整批的構(gòu)造材料。在另一示例中，校準(zhǔn)后的溫度值可被用于當(dāng)前作業(yè)/料斗，從而可以以這種方式來例如考慮由于環(huán)境條件而引起的變化。在一個(gè)示例中，校準(zhǔn)后的溫度值可以與其他材料的校準(zhǔn)一起存儲(chǔ)在針對(duì)特定構(gòu)造材料而專門或動(dòng)態(tài)生成的“配置文件”中。

這些示例使得構(gòu)造材料(例如粉末或顆粒狀材料)的至少一個(gè)精確工作點(diǎn)能夠獨(dú)立于特定制造商或批次而被確定并校準(zhǔn)。

因此，在一個(gè)示例中，針對(duì)特定批次的構(gòu)造材料，結(jié)晶點(diǎn)和/或熔點(diǎn)被校準(zhǔn)一次，并且在該特定批次的構(gòu)造材料的后續(xù)處理期間相應(yīng)地對(duì)裝置進(jìn)行控制。

在一個(gè)示例中，在來自一批構(gòu)造材料的構(gòu)造材料的樣本上對(duì)結(jié)晶點(diǎn)和/或熔點(diǎn)進(jìn)行校準(zhǔn)，并且在該特定批次的構(gòu)造材料的后續(xù)處理期間相應(yīng)地對(duì)裝置進(jìn)行控制。

在一個(gè)示例中，當(dāng)構(gòu)造材料被用于構(gòu)造三維物體時(shí)，針對(duì)構(gòu)造材料來校準(zhǔn)結(jié)晶點(diǎn)和/或熔點(diǎn)。

在一個(gè)示例中，周期性地執(zhí)行溫度(例如結(jié)晶點(diǎn)和/或熔點(diǎn))的校準(zhǔn)，以對(duì)影響構(gòu)造材料的任何環(huán)境條件進(jìn)行補(bǔ)償。

根據(jù)一個(gè)示例，通過能夠?qū)τ捎诶匣?、溫度或相?duì)濕度而造成的構(gòu)造材料(諸如粉末)所遭受的可能外部污染進(jìn)行校正，能夠使得生成三維物體的工序更為強(qiáng)壯。

本文所描述的示例可以實(shí)現(xiàn)提供更穩(wěn)定、精確和受控的打印工序。示例可以使得所期望的性能(例如機(jī)械性、精確性或外觀)能夠使用任何粉末或顆粒狀材料被再現(xiàn)。

在一個(gè)示例中，用于對(duì)溫度進(jìn)行監(jiān)控的傳感器或其他部件或者用于生成三維物體的其它系統(tǒng)部件中的任何變化可以由于正在將生成三維物體的裝置中實(shí)施的校準(zhǔn)操作而得到補(bǔ)償，因此在校準(zhǔn)操作期間將考慮任何這類可變因素。

根據(jù)一個(gè)示例，提供了一種對(duì)用于生成三維物體的構(gòu)造材料的溫度進(jìn)行控制的方法，所述方法包括：將構(gòu)造材料預(yù)加熱到構(gòu)造材料的結(jié)晶點(diǎn)與構(gòu)造材料的熔點(diǎn)之間的溫度；其中在進(jìn)行預(yù)加熱之前，至少對(duì)結(jié)晶點(diǎn)和/或熔點(diǎn)進(jìn)行校準(zhǔn)。

雖然上述一些示例涉及遞送聚結(jié)劑和聚結(jié)改性劑，但應(yīng)注意，示例可以與遞送僅一種形式的試劑或多種不同試劑的裝置一起使用。

在上述示例中，通過將構(gòu)造材料遞送到制劑上(而不是反之亦然)，從而具有能夠更容易地檢測(cè)熔點(diǎn)的優(yōu)點(diǎn)。

應(yīng)當(dāng)注意，以上所提及的示例用于說明而不是限制本文所描述的內(nèi)容，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離所附權(quán)利要求的范圍的情況下將能夠設(shè)計(jì)許多替代示例。詞語“包括”不排除權(quán)利要求中所列出的元件或步驟之外的元件或步驟的存在，“一”不排除多個(gè)，并且單個(gè)處理器或其他單元可以實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求中所述的若干單元的功能。權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記不應(yīng)被解釋為限制其范圍。