專利名稱：用于制造速度傳感元件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于制造傳感元件的方法、一種傳感元件以及該傳感元件在機動車中的應(yīng)用。
背景技術(shù)：
出版文獻WO 95/17680提出了一種具有引線框架的車輪轉(zhuǎn)速傳感元件，所述引線框架在兩側(cè)都設(shè)有部件且具有殼體，所述殼體具有布置在引線框架一側(cè)的探針元件和電子電路，及布置在引線框架另一側(cè)的磁體。出版文獻WO 97/36729提出了一種用于制造車輪轉(zhuǎn)速傳感元件的方法，所述車輪轉(zhuǎn)速傳感元件包括第一殼體部件，該第一殼體部件具有帶有集成的易熔部件的定位元件， 其中在注塑過程中，該第一殼體部件被第二殼體部件包圍。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提出一種用于制造傳感元件的方法，該方法可成本低地實施和/或?qū)崿F(xiàn)傳感元件的高制造質(zhì)量。根據(jù)本發(fā)明，該目的通過根據(jù)權(quán)利要求1的方法來實現(xiàn)。本發(fā)明的基本構(gòu)思在于，使傳感元件的至少一部分在制造期間經(jīng)歷至少一個等離子處理過程?？墒褂酶鞣N不同的方法產(chǎn)生用于等離子處理的等離子體，例如將高頻交流電壓施加在氣體上或者為此使用直流電流和/或利用微波激發(fā)氣體。用于等離子處理的示例性的氣體混合物包含氧、氬、氫和/或氮?；旌衔锏姆N類取決于等離子處理工藝的具體要求，該要求例如源于雜質(zhì)的種類和被處理的材料。根據(jù)氣體混合物的種類，等離子體起到氧化或還原或活化的作用。氧化等離子體適于去除有機雜質(zhì)，而還原等離子體適于去除無機沉積物和/或分解氧化沉積物。等離子處理過程優(yōu)選地包括等離子清潔過程和/或等離子活化過程。等離子清潔過程優(yōu)選地理解為干燥、無接觸的、化學的和/或物理的、無磨蝕的清潔工藝，通過該工藝可得到非常高的清潔質(zhì)量。有機雜質(zhì)尤其通過與等離子體的自由基的化學反應(yīng)轉(zhuǎn)化為例如水蒸氣、二氧化碳和/或CH4。為了化學地去除污物，等離子體含有例如氧或氫或氬。在此，氧適于去除有機污物，而氫適于去除無機和/或有機物質(zhì)以及還原氧化物。有利地，清潔過程是物理和化學作用過程的組合，或者優(yōu)選地僅僅是化學作用過程(無離子)。物理的如果將待清潔的物體例如與用于產(chǎn)生等離子體的陰極連接，則由于所施加的電場，來自等離子體的正離子沿等離子體的方向被加速。在碰撞時，由于直接的動量傳遞，這些離子使原子和分子從表面脫離?；瘜W的例如，被激發(fā)的氧和氧離子在與碳氫化合物反應(yīng)時形成二氧化碳和水。例如，被激發(fā)的氫形成鹵化物、硫化物、CHx和水蒸氣。
等離子活化過程優(yōu)選地理解為用于增大待處理或待活化的物體的表面張力或附著力的等離子處理過程。在此，基材或物體與待涂覆的材料如模制材料之間的附著力被增強?；幕蛟撐矬w因此能更容易被尤其是流體、介質(zhì)或物質(zhì)潤濕或附著地包裹。這里，物體上液滴的接觸角對于物體的表面張力來說是常用的度量。如果物體的表面是憎水的(不吸水的)，則其表面張力小。借助于等離子活化過程，如利用附著力增強劑那樣實現(xiàn)了表面張力的增大。在等離子活化過程之后，物體的表面變得親水或容易被潤濕，接觸角減小，并且分層的傾向更小。例如，氮和/或氧被用于等離子活化過程。例如，等離子活化過程用于改善粘合劑或涂層在特定塑料上的附著力。傳感元件的基底元件和/或載體元件優(yōu)選地在裝配過程之前和/或在與電連接件的接觸連接過程之前經(jīng)歷等離子處理過程，尤其是等離子清潔過程?；自?yōu)選地理解為引線框架和/或傳感元件的結(jié)構(gòu)元件和/或載體條/載體膜或MID元件(模制互連裝置或注塑模制的電路載體)，所述MID元件具有塑料體部或注塑體部，所述塑料體部或注塑體部具有施加在其上的和/或被其包封的印制導(dǎo)線，所述印制導(dǎo)線例如由金屬和/或有導(dǎo)電能力的塑料制成。優(yōu)選地，在至少一個模制封裝過程之前，尤其在注塑過程之前，使傳感元件的至少一部分經(jīng)歷等離子處理過程，尤其是等離子活化過程。尤其優(yōu)選地，這在至少一個裝配過程之后進行。該方法有利地包括接觸連接過程之前的等離子清潔過程以用于顯著減小易受腐蝕性，以及包括模制封裝過程之前的等離子活化過程以用于顯著減小易分層性。傳感元件優(yōu)選地具有至少一個探針元件和/或至少一個電子電路，它們尤其直接地或間接地布置在基底元件或載體元件上，尤其優(yōu)選地布置在基底元件的載體底座上或者接合島或芯片(管芯)墊盤上。更尤其優(yōu)選地，探針元件和/或電子電路按照焊球-針腳-焊球(ball-stitch-on-ball)鍵合方法(BSOB)或針腳-凸點(stitch-on-bump)鍵合方法(SOB)被電接觸連接，由此可實現(xiàn)電接觸連接的高抗拉強度和高剪切強度?；蛘?， 更尤其優(yōu)選地，探針元件和/或電子電路按照楔形-球形鍵合方法或按照反向針腳-焊球 (reverse-stitch-on-ball)鍵合方法(RSOB)被電接觸連接。探針元件優(yōu)選地理解為磁電轉(zhuǎn)換元件，尤其是AMR、GMR或其它磁阻元件或霍爾元件，其尤其優(yōu)選地具有橋式結(jié)構(gòu)并且也稱為橋式芯片。探針元件有利地具有組合的、工作方式不同的磁電轉(zhuǎn)換元件。基底元件和/或載體元件優(yōu)選地在兩側(cè)都分別具有至少一個構(gòu)件。探針元件與基底元件和/或載體元件的至少一部分優(yōu)選地被模制封裝，由此形成第一殼體。此外，基底元件和/或載體元件的至少一部分與尤其是電子保護元件被模制封裝，由此形成第二殼體。在此，尤其優(yōu)選地，第一和第二殼體彼此之間有確定的間距。更尤其優(yōu)選地，第一和第二殼體在另外的模制封裝過程中被共同地模制封裝，例如借助于包覆成型(overmold)-注塑過程，由此形成共同的第三殼體。包覆成型-注塑過程優(yōu)選地理解為這樣一種注塑過程，其中尤其借助于螺桿傳動裝置將熱塑性塑料壓入外模、例如用戶專用的外模中。尤其優(yōu)選地，通過擠出機螺桿將粘性的模塑材料如聚酰胺壓入注塑模具或模具型腔中，隨后，熱塑性塑料材料通過冷卻固化在注塑模具的壁上。然后從模具移除完成的注塑模制構(gòu)件。
優(yōu)選地，尤其在制造過程結(jié)束時，使傳感元件經(jīng)歷額外的等離子處理過程，尤其是等離子清潔過程，由此傳感元件的暴露的觸點或連接件較小程度地腐蝕或具有較小程度的腐蝕傾向。此外，由于等離子清潔過程，可免除用于保護暴露的觸點或連接件的電鍍過程， 如鍍錫或鍍鎳。隨后，有利地直接密封地包裝傳感元件。用于制造傳感元件的方法優(yōu)選地包括以下步驟由坯體沖裁出基底元件或引線框架或載體條，該坯體尤其由金屬板形成?；蛘撸褂幂d體條/載體膜或MID元件作為基底元件。接著在引線框架或基底元件的至少一側(cè)上涂覆表面涂層和/或至少一個接觸位置。然后為引線框架或基底元件裝配至少一個電子構(gòu)件。在裝配基底元件時，優(yōu)選地，首先在基底元件的第一側(cè)或第一面上設(shè)置第一粘合劑(分配)?？蛇x地，該第一粘合劑是可導(dǎo)電或絕緣的，而且具有較好的導(dǎo)熱性。然后，將至少一個電子電路(也稱為ASIC芯片)和/或尤其優(yōu)選地設(shè)計為橋的至少一個探針元件安裝在該第一側(cè)上。該ASIC芯片更尤其優(yōu)選地用作探針元件的安裝載體。在此，例如借助于倒裝安裝將探針元件布置在ASIC芯片上。ASIC芯片和探針元件有利地設(shè)計為集成的構(gòu)件。此后，優(yōu)選地加熱基底元件的第一側(cè)上的粘合劑或引線框架或基底元件以及構(gòu)件，由此借助于第一粘合劑使連接固化。然后，引線框架或基底元件有利地經(jīng)歷等離子處理過程，尤其是等離子清潔過程， 由此至少部分地清除基底元件和構(gòu)件的表面上的促進腐蝕的硫化物、鹵素和/或碳污物。 此外，氧化層被還原。這樣尤其有利地保證了鍵合引線(bonding wire)與引線框架或基底元件之間的可靠電接觸連接，和/或與ASIC芯片或探針元件的至少一個接觸位置的可靠電接觸連接。此外，該清潔用于在引線框架或基底元件被至少部分地注塑封裝時實現(xiàn)較高的不可透過性(密封性)。在裝配引線框架或基底元件的過程或相應(yīng)的裝配過程之后，尤其在隨后的等離子處理過程之后，優(yōu)選地，至少ASIC芯片和/或探針元件借助于引線鍵合過程彼此導(dǎo)電連接和/或與引線框架或基底元件導(dǎo)電連接。在此，尤其優(yōu)選地，首先以適當?shù)姆绞皆诨自虾拖鄳?yīng)構(gòu)件的接觸連接墊盤上或接觸連接件上的所有接觸位置處布置凸塊或鍵合凸塊或釬焊凸點或可鍵合層。然后，牽拉各個鍵合引線，這根據(jù)所謂的BSOB鍵合方法或SOB鍵合方法進行。更尤其優(yōu)選地，與ASIC芯片接觸連接的鍵合引線從ASIC芯片的接觸連接墊盤被拉向各個目標點及那里的電連接凸塊。通過這種類型的鍵合過程，構(gòu)件的不期望的熱影響和機械影響被保持得較小?；蛘?，探針元件和/或電子電路的電接觸連接更尤其優(yōu)選地按照楔形-球形鍵合方法或RSOB鍵合方法進行。有利地，在接觸連接過程中實施上述鍵合方法中的至少一種，尤其是多種，以用于與不同的電觸點接觸。尤其優(yōu)選地，電子構(gòu)件借助于SOB鍵合方法進行接觸連接，而基底元件或弓I線框架借助于楔形-球形鍵合方法或其它楔形鍵合方法進行接觸連接?；蛘?，優(yōu)選地，所有電接觸連接都借助于SOB或BSOB鍵合方法進行。ASIC芯片的接觸連接墊盤有利地至少部分地由鋁形成，和/或探針元件的接觸連接墊盤由金形成。ASIC芯片的由鋁形成的接觸連接墊盤尤其設(shè)計為厚度小于Ιμπι的金屬噴鍍物。
優(yōu)選地，金絲被用作鍵合引線，其具有作為添加物的鈀或摻雜了少量的鈀。上述接觸連接實現(xiàn)了高的熱負荷能力，尤其對于例如用于機動車中時的溫度高達 180°C的情況，以及實現(xiàn)了高的抗拉強度和剪切強度。隨后，有利地，在引線框架或基底元件的與第一側(cè)相對的第二側(cè)上涂覆第二粘合劑。然后，在第二側(cè)上在與所述橋相對的區(qū)域內(nèi)如此布置磁性件、尤其是鐵氧體，使得尤其優(yōu)選地，磁體的重心相對于基底元件垂直地位于探針元件的感應(yīng)面的重心和/或幾何中心的上方。更尤其優(yōu)選地，電子保護元件還與ASIC芯片離開確定的間距、可選地布置在基底元件的第一側(cè)或第二側(cè)上。該保護元件有利地安裝在與ASIC芯片相同的接合島上或者優(yōu)選地與ASIC芯片離開確定間距地安裝在基底元件的另一位置，同時該保護元件尤其與基底元件的兩個接觸連接腿機械和電連接。后者的優(yōu)點在于，改善了連接銷相對于模制殼體的機械穩(wěn)定性。同時，該保護元件有利地被第二殼體包圍。第二粘合劑優(yōu)選地可導(dǎo)電。優(yōu)選地，點狀地或作為交叉線地如此分配第一和第二粘合劑，使得在裝配過程或 “芯片安裝”之后，各構(gòu)件的角部被粘合劑充分地覆蓋。電子保護元件優(yōu)選地設(shè)計為電容器或優(yōu)選地設(shè)計為雙齊納二極管或變阻器。通過粘合連接或弓I線鍵合技術(shù)進行電接觸連接。然后，有利地，同樣通過加熱使第二粘合劑固化。該加熱尤其有利地分別在爐子中進行。在完全裝配好引線框架或基底元件后，在尤其執(zhí)行為傳遞模塑成型(transfer molding)的模制封裝過程之前不久，有利地進行額外的等離子處理過程。該額外的等離子處理過程尤其優(yōu)選地包括等離子清潔過程和其后的等離子活化過程。在此，等離子活化過程更尤其優(yōu)選地涉及ASIC芯片、粘合的和鐵氧體的表面，由此實現(xiàn)了模塑材料或注塑材料的附著力的改善。傳遞模塑成型優(yōu)選地理解為這樣一種注塑過程，其中固體的和/或預(yù)混合的模塑材料在增大的壓力和增高的溫度下液化，隨后尤其在增大的壓力下被導(dǎo)入注塑模中，模塑材料在該注塑模中凝固或結(jié)晶為熱固性塑料體，其中該熱固性塑料體基本上不可再熔化。有利地，ASIC芯片、探針元件及磁性件被共同地模制封裝，由此形成圍繞這些構(gòu)件的第一殼體。此外，尤其優(yōu)選地，單獨地模制封裝電子保護元件，由此形成額外的第二殼體。 傳遞模塑成型優(yōu)選地被用作模制封裝技術(shù)。傳感元件的基底元件優(yōu)選地通過基本上形式為鏈或條的連接片與其它傳感元件的基底元件連接。在模制封裝過程之后，基底元件尤其通過沖壓過程被切割。有利地，基底元件具有至少一個接合島/載體底座/芯片墊盤，在其上，ASIC芯片和探針元件布置在第一側(cè)而磁性件布置在第二側(cè)。此外，基底元件具有至少兩個與接合島部分地連接的觸點接頭。在模制封裝且尤其在基底元件或引線框架的切割之后，優(yōu)選地，磁性件被磁化。然后，尤其優(yōu)選地，引線框架與插頭端子或電纜通過壓接(crimping)和/或熔焊和/或釬焊和/或粘合導(dǎo)電連接，同時更尤其優(yōu)選地，接觸連接端子與插頭或電纜連接。ASIC芯片與探針元件或橋式芯片優(yōu)選地具有基本上相同的高度，且因此從基底元件的第一側(cè)基本上突出相同的距離。同時，ASIC芯片和橋式芯片在基底元件的第一側(cè)上布置為彼此間隔確定的長度。已發(fā)現(xiàn)，這種布置有利于共同的模制封裝。ASIC芯片和橋式芯片之間的確定長度或這種間隔尤其優(yōu)選地大于40 μ m,從而能夠沒有問題地進行這些構(gòu)件的粘合過程以及隨后的共同的模制封裝過程?；自蛞€框架優(yōu)選地包括兩個或更多個尤其通過第二殼體彼此連接的接觸連接腿，所述接觸連接腿尤其優(yōu)選地作為傳感元件的接觸元件從傳感元件的共同的第三殼體部分地突出。本發(fā)明還涉及按根據(jù)本發(fā)明的制造方法制造的傳感元件。此外，本發(fā)明還涉及傳感元件在機動車中的應(yīng)用，尤其作為速度傳感元件，尤其優(yōu)選地作為車輪轉(zhuǎn)速傳感元件的應(yīng)用。根據(jù)本發(fā)明的方法優(yōu)選地用于制造傳感元件，尤其用于制造適于安全性關(guān)鍵的應(yīng)用的傳感元件。該方法尤其優(yōu)選地用于制造速度傳感元件，更尤其優(yōu)選地制造用于機動車的速度傳感元件。


從屬權(quán)利要求和下面參照附圖對實施例的描述給出了其它優(yōu)選的實施方式。附圖示意性地示出圖1至3示出傳感元件的實施例，以及圖4示出用于制造傳感元件的方法的示例性流程圖。
具體實施例方式圖1示出示例性的傳感元件，其中圖la)示出基底元件1的第一側(cè)的俯視圖，圖 lb)示出側(cè)視圖以及圖Ic)示出基底元件1的第二側(cè)或底側(cè)的俯視圖。根據(jù)示例，基底元件 1被設(shè)計為由金屬制成的引線框架。基底元件1的第一側(cè)裝配有探針元件3和ASIC芯片2，所述探針元件3和ASIC芯片2通過電連接件或“鍵合引線”彼此連接以及與基底元件1的接觸連接腿9連接。探針元件3和ASIC芯片2從基底元件1突出基本相同的長度，或設(shè)計為相同的高度。根據(jù)本例， 布線或電接觸連接按照BSOB鍵合方法進行，其中金絲5與鍵合凸塊或凸塊或金凸點連接， 所述鍵合凸塊或凸塊或金凸點布置在基底元件1的接觸連接腿9上以及探針元件3和ASIC 芯片2的接觸連接墊盤10上。在圖1所示的實施例中，所示出的傳感元件相對于其基底元件借助于帶11或其它的連接件與其它基底元件連接。探針元件3和ASIC芯片2布置在基底元件1的載體底座12上。載體底座12或接合島在基底元件1的第二側(cè)裝配有磁性件4，該磁性件4設(shè)計為鐵氧體。此外，基底元件1的第二側(cè)裝配有根據(jù)本例設(shè)計為電容器元件的電子保護元件6， 所述電子保護元件6布置為距載體底座12或ASIC芯片2確定的距離，且與兩個接觸連接腿9連接。圖2示出具有第一和第二殼體7、8的傳感元件的實施例，所述殼體在注塑工藝中由熱固性模塑料如環(huán)氧物形成。在圖2a)中，傳感元件仍相對于其基底元件1借助于帶11 與其它傳感元件連接。在此，基底元件1具有兩個接觸連接腿9和一載體底座，其中該載體底座由所述第一殼體7包封。圖2b)示出切割過程之后的示例性的傳感元件，在切割過程中，僅基底元件1的對稍后完成的傳感元件很重要的部分被沖裁并被進一步處理。圖2c) 示出根據(jù)本例的傳感元件的側(cè)剖視圖。在此，由注塑環(huán)氧物制成的第一殼體7包含ASIC芯片2和探針元件3以及磁性件4或根據(jù)本例的鐵氧體，其中ASIC芯片2和探針元件3布置在基底元件1的載體底座12的第一側(cè)，而磁性件4或根據(jù)本例的鐵氧體布置在該載體底座 12的第二側(cè)。由注塑環(huán)氧物制成的第二殼體8包括作為電子保護元件6的電容器元件，該電子保護元件6與兩個接觸連接腿9連接。圖3示出示例性的傳感元件，其具有帶接觸連接腿9的基底元件1及由注塑材料形成的第一殼體7和第二殼體8。第一殼體7包括未示出的探針元件、ASIC芯片以及磁性件。第二殼體8示例性地包括電子保護元件或者在替換實施例中為“空”，即僅由基底元件的封裝模制部分和注塑模料本身組成。在此，該第二殼體8還用于消除機械負荷，尤其是相對于接觸連接腿9消除應(yīng)變。圖4示出用于制造傳感元件的示例性方法的流程圖。其中，在方法步驟A “裝配第一側(cè)”中裝配基底元件或引線框架的第一側(cè)。在該方法步驟A中，將電絕緣且導(dǎo)熱性相對較好的第一粘合劑施加在基底元件的第一側(cè)的一部分上，根據(jù)本例施加在載體底座的第一側(cè)上，這也稱為“粘合劑分配”。然后，將ASIC芯片和探針元件布置或粘合在該第一側(cè)上，這也可稱為“芯片安裝”。隨后，使第一粘合劑在爐子中硬化，即“固化”。接著，在方法步驟B中進行等離子清潔過程，即“等離子清潔”。這是為電接觸連接工藝做準備。然后，進行被布置在基底元件的第一側(cè)上的構(gòu)件或探針元件和ASIC芯片的接觸連接過程C，即“引線鍵合”，根據(jù)本例該接觸連接過程利用金絲按照BSOB鍵合方法進行。接著，進行基底元件的第二側(cè)的裝配過程D，即“裝配第二側(cè)”。其中，示例性地用導(dǎo)電的第二粘合劑潤濕基底元件的第二側(cè)的一部分，即“粘合劑分配”，然后將用于改善傳感元件的電磁兼容性的磁性件和電子保護元件彼此間隔地布置在第二側(cè)上。隨后，使第二粘合劑在爐子中硬化，即“固化”。在裝配過程之后，進行等離子活化過程E，即“等離子活化”，或者使傳感元件經(jīng)歷該等離子活化過程。接著，在注塑過程F即“傳遞模塑成型”中形成第一和第二殼體，所述第一和第二殼體包含之前布置在基底元件上的構(gòu)件。使殼體的注塑材料在爐子中硬化，即“模后固化”。此后，進行磁性件的磁化過程G，然后進行傳感元件的電性測試方法H，即“電性測試”，其中檢驗探針元件與磁性件共同作用的工作性能以及ASIC芯片的工作性能。接著，使傳感元件經(jīng)歷等離子清潔過程I，即“等離子清潔”，該過程減小了傳感元件或傳感元件的暴露的電觸點的易受腐蝕性。由此，不需要額外的電鍍過程，例如為暴露的電觸點鍍錫或鍍鎳。或者，完全不對傳感元件進行任何額外的處理來抗腐蝕，而是例如借助于密封地包裝或借助于密封的袋子對傳感元件進行合適的封裝。
權(quán)利要求
1.用于制造傳感元件的方法，其特征在于，所述傳感元件的至少一部分在制造期間經(jīng)歷至少一個等離子處理過程(B、Ε、I)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述等離子處理過程包括等離子清潔過程(B、I)和/或等離子活化過程(E)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，在裝配過程(A、D)之前和/或在與電連接件(5)的接觸連接過程(C)之前，所述傳感元件的基底元件(1)和/或載體元件經(jīng)歷等離子處理過程，尤其是等離子清潔過程(B、I)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中至少一項所述的方法，其特征在于，在至少一個模制封裝過程(F)、尤其是注塑過程之前，所述傳感元件的至少一部分經(jīng)歷等離子處理過程，尤其是等離子活化過程(E)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中至少一項所述的方法，其特征在于，所述傳感元件裝配有至少一個探針元件C3)和/或至少一個電子電路O)，所述探針元件C3)和/或所述電子電路 (2)尤其直接地或間接地布置在所述基底元件(1)和/或所述載體元件上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述探針元件C3)和/或所述電子電路 (2)按照焊球-針腳-焊球鍵合方法被電接觸連接(C)。
7.根據(jù)權(quán)利要求3至6中至少一項所述的方法，其特征在于，所述基底元件(1)和/或所述載體元件在兩側(cè)分別裝配有至少一個構(gòu)件(2、3、4、6)。
8.根據(jù)權(quán)利要求5至7中至少一項所述的方法，其特征在于，至少所述探針元件(3)與所述基底元件(1、1幻和/或所述載體元件的至少一部分被模制封裝(F)，由此形成第一殼體(7)；以及所述基底元件(1)和/或所述載體元件的至少一部分與尤其電子保護元件(6) 被模制封裝(F)，由此形成第二殼體(8)，所述第二殼體(8)尤其距所述第一殼體(7)確定的距離。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一殼體(7)和所述第二殼體(8)在另外的模制封裝過程中被共同地模制封裝，由此形成共同的第三殼體。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中至少一項所述的方法，其特征在于，尤其在所述制造方法結(jié)束時，所述傳感元件經(jīng)歷額外的等離子處理過程(I)。
11.傳感元件，尤其被設(shè)計為速度傳感元件，其按根據(jù)權(quán)利要求1至10中至少一項所述的制造方法來制造。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的傳感元件在機動車中的應(yīng)用。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于制造傳感元件的方法，其中傳感元件的至少一部分在制造期間經(jīng)歷至少一個等離子處理過程(B、E、I)。
文檔編號B29C45/14GK102171016SQ200980139136
公開日2011年8月31日 申請日期2009年10月1日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月2日
發(fā)明者A·卡拉斯, D·胡貝爾, E·德沃爾德, J·席林格, M·瓦特茲拉維克 申請人:大陸-特韋斯貿(mào)易合伙股份公司及兩合公司