專利名稱：快閃記憶卡封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明為一種微型快閃記憶卡封裝方法，尤其指一種利用射出成型的方式并采用熱固性材料而封裝成型的記憶卡。
背景技術(shù)：
隨著科技快速進(jìn)步的腳步，因應(yīng)生活外圍而產(chǎn)生的物品是趨向小而美且功能強(qiáng)大，就以人手一支的移動(dòng)電話為例，其功能包含高音質(zhì)的音樂(lè)播放、高畫(huà)素的照相功能等等。在這些的多功能應(yīng)用的背后，儲(chǔ)存媒介為背后最大的功臣。例如數(shù)字卡Secure Digital(SD)card、多媒體片Multi Media Card(MMC)等，而micro SD卡及RS-MMC卡的出現(xiàn)，則使尺寸變小。但最現(xiàn)今一代的微型記憶卡TransFlash(T-flash)，尺寸更一步的縮小，規(guī)格則乃能與SD、minSD兼容，為移動(dòng)電話最滿意的迷你體積及性能，于速度、性能、交換資料及安全性等更符合使用者各方面的需求。
由于此類(lèi)的記憶卡體積非常小，例如T-flash尺寸規(guī)格僅為15×11×1mm(長(zhǎng)×寬×高)，現(xiàn)今產(chǎn)業(yè)界生產(chǎn)此類(lèi)微型記憶卡的作法是先制作一大面積的電路板，并于表面直接封裝完成，由于單一個(gè)電路板上已分布了許多組單一內(nèi)存的電路，最后再以水刀及雷射方式進(jìn)行切割的步驟，切割出每個(gè)記憶卡所需的既定尺寸及形狀。但在切割過(guò)程中，會(huì)使得封裝完成的記憶卡損壞，或是在切割過(guò)程中電路基板與封裝材料的間產(chǎn)生裂縫，使得不良率提高，因此本發(fā)明即思考采用另一種不同于傳統(tǒng)的封裝方法來(lái)改善此問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的是提供一種采用熱固性材料進(jìn)行射出成型方式所完成快閃記憶卡封裝的方法，能使生產(chǎn)效率更為快速，不良率也會(huì)降低。
本發(fā)明的次要目的是提供一種適用于小型或超薄型快閃記憶卡所使用的封裝方法，利用此方式能讓廠商在生產(chǎn)薄型快閃記憶卡時(shí)更為容易，且所完成的記憶卡是個(gè)別獨(dú)立封裝密封，無(wú)傳統(tǒng)裂縫的問(wèn)題，防水性及封密性更佳。
本發(fā)明再一目的是提供一種能減少成本損失及降低不良率的封裝方法，運(yùn)用本發(fā)明的封裝方法萬(wàn)一發(fā)生不良品時(shí)，能進(jìn)一步將封裝材料與電路基板分離，重新再次封裝電路基板，而傳統(tǒng)方式因采用切割方式，即無(wú)法重新再次封裝，因此本發(fā)明能有效減少成本的損失及提升優(yōu)良率。
為達(dá)上述的目的，本發(fā)明的封裝方法，是先將一電路基板置入一模具中，再將熱固性材料注入模具，之后移動(dòng)電路基板使得熱固性材料進(jìn)一步均勻分布于周?chē)耙粋?cè)，最后再加熱硬化成型及脫膜，藉此完成快閃記憶卡的封裝作業(yè)。
為使審查員清楚了解本發(fā)明的詳細(xì)流程及技術(shù)內(nèi)容，本發(fā)明人將配合以下的圖式及詳細(xì)的解說(shuō)，以求審查員清楚了解本發(fā)明的精神所在。


圖1為本發(fā)明的流程圖；圖2為本發(fā)明封裝過(guò)程中所使用的模具的局部剖面放大圖；圖3為本發(fā)明封裝過(guò)程中所使用的模具的局部剖面放大圖，此時(shí)電基板已置放于模具內(nèi)；圖4為本發(fā)明封裝過(guò)程中模具內(nèi)的局部剖面放大圖，此時(shí)熱固性材料已注入模具中；圖5為本發(fā)明封裝過(guò)程中模具內(nèi)的局部剖面放大圖，此時(shí)熱固性材料進(jìn)一步包覆于電路基板周?chē)?；圖6為本發(fā)明封裝過(guò)程中模具內(nèi)的局部剖面放大圖，此時(shí)加熱硬化成型。
圖中2 電路基板31 主模310 容置空間311 頂掣件32 副模321 凹陷空間322 灌注道4 熱固性材料具體實(shí)施方式
如圖1所示，為本發(fā)明的流程圖，其封裝方法的步驟為步驟11.將已完成電性連接的至少為一個(gè)的電路基板置入一射出成型機(jī)的模具中；步驟12.將熱固性材料注入前述模具內(nèi)；步驟13.移動(dòng)電路基板使得熱固性材料進(jìn)一步均勻包覆于電路基板周?chē)耙粋?cè)；步驟14.加熱至預(yù)定溫度及時(shí)間，使得電路基板外圍所包覆的熱固性材料硬化成型，最后獲得的形狀及尺寸皆符合一預(yù)定的快閃記憶卡的規(guī)格。
前述電路基板為已完成記憶卡電路布置的電路板，并經(jīng)切割為簡(jiǎn)單的外型(例如為長(zhǎng)方型)，一側(cè)面設(shè)有數(shù)個(gè)電性接觸部(即俗稱的金手指)，封裝完成后此部份須裸露出來(lái)，以供使用時(shí)與外界作電性的連接。另一面則為相關(guān)的電路芯片的布置位置，本發(fā)明欲封裝的區(qū)域即為此面及周?chē)?，并使得最后成型的外觀形狀符合與記憶卡規(guī)格的特殊外型。
為方便審查員更清楚了解本發(fā)明的運(yùn)作方式，本實(shí)施例將以T-flash的結(jié)構(gòu)來(lái)輔助說(shuō)明，但不因此限制本發(fā)明僅能使用此種記憶卡，任何運(yùn)用本發(fā)明技術(shù)所完成的記憶卡結(jié)構(gòu)，皆為本發(fā)明的范疇。
以下將以圖1及配合圖2～圖6的各狀態(tài)剖面圖作說(shuō)明。
如圖2所示為本發(fā)明所采用的模具的局部放大示意圖，該模具3包括主模31及副模32，主模31另設(shè)有一可移動(dòng)的頂掣件311，該頂掣件311形狀對(duì)應(yīng)于電路基板最初的外型，頂部與主模31表面之間成一容置空間310，該容置空間310是供電路基板置放其中，并固定于其位置，使熱固性材料注入模具內(nèi)時(shí)，暫時(shí)不會(huì)任意移動(dòng)。該副模32下方對(duì)應(yīng)于頂掣件311的位置設(shè)有凹陷空間321，并設(shè)有灌注道322使材料能進(jìn)入其中，此凹陷空間321的模內(nèi)形狀及尺寸是等于成型后的快閃記憶卡的形狀，也為熱固性材料最初注入的空間。
如圖3所示為前述步驟11的剖面放大圖，此時(shí)電路基板2已被置放于射出成型機(jī)的模具3的主模31內(nèi)，即被暫時(shí)被卡掣于頂掣件311頂部位置。
如圖4所示為熱固性材料注入模具中的示意圖，為步驟12的狀態(tài)，在本實(shí)施例中所用的熱固性材料4為電木粉，亦可為其它同質(zhì)的材料。在注入的過(guò)程中射出成型機(jī)會(huì)預(yù)熱將電木粉轉(zhuǎn)換為黏稠狀的液態(tài)，經(jīng)灌注道322注入凹陷空間321內(nèi)并填滿。由于電路基板2此時(shí)卡設(shè)于頂掣件311頂部的容置空間，故不會(huì)使之偏移。
如圖5所示為前述步驟13的模具內(nèi)的剖面示意圖，在此過(guò)程中前述熱固性材料4已停止注入的動(dòng)作，本實(shí)施例利用頂掣件311向上伸出的動(dòng)作，使電路基板2頂面及其周?chē)M(jìn)一步被熱固性材料4所包覆，并控制在預(yù)定厚度，在本實(shí)施例中由于為T(mén)-FLASH，故整體厚度約1mm。而過(guò)程中多余的原料可經(jīng)由灌注道322回流，或經(jīng)主模31與副模32對(duì)合后的間所產(chǎn)生的幾毫米的間隙溢出皆可。本過(guò)程中電路基板2上升擠壓的動(dòng)作也有助于黏稠狀的液態(tài)材料更均勻分布于模內(nèi)各處及維持適當(dāng)壓力。
如圖6所示為前述步驟14的模具內(nèi)的剖面示意圖，此時(shí)射出成型機(jī)將溫度再上升至預(yù)定高溫狀態(tài)并維持適當(dāng)時(shí)間，使液態(tài)的熱固性材料硬化成型并與電路基板2結(jié)合為一體，最后再脫模去除毛邊，即成為一快閃記憶卡的外型。
綜合以上所述，本發(fā)明的快閃記憶卡封裝方法，是利用熱固性材料以射出成型方式使快閃記憶卡達(dá)到快速封裝的目的，并能使生產(chǎn)的不良率降低，對(duì)于一些小型或超薄的記憶卡更為適用，例如T-Flash、mini-SD、RS-MMC等，符合專利的申請(qǐng)要件。
以上所述者，僅為本發(fā)明作的較佳實(shí)施例而已，并非用來(lái)限定本發(fā)明實(shí)施例的范圍。即凡依本發(fā)明申請(qǐng)專利范圍所作的均等變化及修飾，皆為本發(fā)明的權(quán)利要求范圍所涵蓋。
權(quán)利要求
1.一種快閃記憶卡封裝方法，其特征在于所述封裝方法的步驟為a.將至少一電路基板置入模具內(nèi)；b.將熱固性材料注入前述模具中；c.移動(dòng)電路基板使前述熱固性材料包覆其周?chē)耙粋?cè)；b.加熱成型，形成一快閃記憶卡的外型。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快閃記憶卡封裝方法，其特征在于其中該電路基板已設(shè)有快閃內(nèi)存相關(guān)電路布置的基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快閃記憶卡封裝方法，其特征在于其中該熱固性材料為電木粉。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快閃記憶卡封裝方法，其特征在于其中步驟b中該熱固性材料已預(yù)熱轉(zhuǎn)換為黏稠性的液態(tài)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快閃記憶卡封裝方法，其特征在于其中步驟C中，該電路基板的移動(dòng)過(guò)程中，該熱固性材料已停止注入動(dòng)作。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快閃記憶卡封裝方法，其特征在于其中步驟D中，該加熱成型過(guò)程中是將溫度上升的預(yù)定高溫及維持適當(dāng)時(shí)間，使得熱固性材料硬化并與電路基板結(jié)合在一起。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快閃記憶卡封裝方法，其特征在于其中該封裝過(guò)程是在一射出成型機(jī)中所完成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快閃記憶卡封裝方法，其特征在于其中該快閃記憶卡為T(mén)-Flash。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快閃記憶卡封裝方法，其特征在于其中該快閃記憶為mini-SD。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快閃記憶卡封裝方法，其特征在于其中該快閃記憶為RS-MMC。
全文摘要
本發(fā)明為一種快閃記憶卡的封裝方法，主要是先將已完成電路布置的記憶卡電路基板置入一模具中，再將熱固性材料注入前述模具內(nèi)，再移動(dòng)電路基板使熱固性材料進(jìn)一步包覆于其周?chē)?，最后加熱至預(yù)定溫度及時(shí)間使之硬化成型，脫模后成為一個(gè)已封裝完成的快閃記憶卡成品。
文檔編號(hào)B29C45/17GK101051616SQ200610072948
公開(kāi)日2007年10月10日 申請(qǐng)日期2006年4月7日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月7日
發(fā)明者劉欽棟 申請(qǐng)人:劉欽棟