多晶硅包裝物以及通過(guò)向其中填充多晶硅并熔接而將多晶硅包裝到塑料袋中的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種多晶硅包裝物（袋子），以及用于通過(guò)向其中填充多晶硅并熔接而將多晶硅包裝到塑料袋中的方法。所述袋子包含多晶硅并被熔接并且包括由PE膜形成的至少一個(gè)熔縫，該P(yáng)E膜具有150μm-900μm的厚度；具有彎曲模量Fmax為300mN-2000mN且Ft為100mN-1300mN的硬度；具有通過(guò)動(dòng)態(tài)穿透測(cè)試測(cè)定的斷裂力F為200N-1500N、斷裂能量Ws為2J-30J、以及穿透能量Wtot為2.2J-30J；具有在15%的縱向和橫向伸長(zhǎng)下膜拉伸應(yīng)力為9MPa-50MPa；具有埃爾門多夫縱向膜抗撕裂強(qiáng)度為10cN-60cN，以及埃爾門多夫橫向膜抗撕裂強(qiáng)度為18cN-60cN；具有縱向膜斷裂伸長(zhǎng)率為300%-2000%；具有橫向膜斷裂伸長(zhǎng)率為450%-3000%；并且具有熔縫強(qiáng)度為25N-150N/15mm。所述方法包括通過(guò)大于0.01N/mm2的熔接鉗通過(guò)用接觸壓力脈沖密封來(lái)進(jìn)行熔接，從而產(chǎn)生具有25N-150N/15mm熔縫強(qiáng)度的熔縫。
【專利說(shuō)明】多晶硅包裝物以及通過(guò)向其中填充多晶硅并熔接而將多晶硅包裝到塑料袋中的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及多晶娃包裝物，特別是塊狀多晶娃(chunk polycrystallinesilicon)(塊狀多晶體娃(chunk polysilicon))。
【背景技術(shù)】
[0002]例如，通過(guò)西門子法由三氯甲硅烷中沉積出多晶硅，然后，粉碎，理想地，沒(méi)有污染物。EP1645333A1中描述了用于自動(dòng)壓碎的方法和對(duì)應(yīng)的裝置。
[0003]對(duì)于在半導(dǎo)體和太陽(yáng)能行業(yè)中的應(yīng)用而言，希望具有最少污染物的塊狀多晶硅。因此，在將材料運(yùn)送給客戶之前，還應(yīng)以最少污染物進(jìn)行包裝。
[0004]通常，將用于電子行業(yè)的塊狀多晶硅包裝在具有+/_F50g重量公差的5kg袋子中。對(duì)于太陽(yáng)能行業(yè)而言，通常將塊狀多晶硅包裝在包含IOkg重量具有+/-最大IOOg重量公差的袋子中。
[0005]原則上適合用于包裝塊狀硅的筒袋機(jī)可商購(gòu)。例如，在DE3640520A1中描述了相應(yīng)的包裝機(jī)。
[0006]塊狀多晶硅是一種具有單獨(dú)的Si塊重量上達(dá)至2500g的邊緣鋒利的、不能自由流動(dòng)的散裝材料(大塊材料，bulk material)。因此,在包裝過(guò)程中，在填充過(guò)程中必須確保該材料不穿透常規(guī)塑料袋，或者在最壞的情況下，甚至完全破壞常規(guī)塑料袋。為了防止發(fā)生這種情況，出于包裝多晶硅的目的，不得不適當(dāng)?shù)馗牧忌虡I(yè)包裝機(jī)。
[0007]對(duì)于商業(yè)包裝機(jī)，由于通常使用的復(fù)合薄膜(因?yàn)榛瘜W(xué)添加物)能夠?qū)е聣K狀多晶硅的污染物增加，所以通常不可能滿足對(duì)塊狀多晶硅的純度要求。
[0008]EP1334907B1是一種用于成本有效地、全自動(dòng)傳送、稱量、分份、填充以及包裝高純度多晶硅碎片的裝置，該裝置包括用于多晶硅碎片的輸送機(jī)管道，連接到料斗上的多晶硅碎片的稱重設(shè)備，由硅制成的偏轉(zhuǎn)板，由高純度塑料薄膜形成塑料袋的填充設(shè)備；包括防止靜態(tài)充電并且因此防止塑料膜被微粒污染的去離子器，用于將多晶硅碎片填充塑料袋的熔接設(shè)備，安裝在輸送機(jī)管道、稱重設(shè)備、填充設(shè)備以及熔接設(shè)備上方并且防止多晶硅碎片被微粒污染的流料箱(flowbox)，具有用于填充有多晶硅碎片的熔接塑料袋的磁感應(yīng)檢測(cè)器的輸送帶，其中，與多晶硅碎片接觸的所有成分均覆套有硅或者包覆有高度耐磨的塑料。
[0009]DE102007027110A1描述了用于包裝多晶硅的方法，該方法包括通過(guò)填充設(shè)備將多晶硅填充到自由懸置的、完全形成的袋子中，然后，將這樣填充的袋子閉合，其中，袋子由具有10 μ m至1000 μ m的壁厚度的高純度塑料構(gòu)成。優(yōu)選地，填充有多晶硅的閉合的塑料袋被裝入具有IOym至IOOOym的壁厚度的其他PE塑料袋中，并且閉合第二塑料袋。在此，因此將第一袋子插入到第二袋子中(雙層袋)。
[0010]原則上,存在兩種形式的袋子，即，扁平袋(flat bag)和自立袋(free-standingbag)。
[0011]通過(guò)擠出機(jī)能夠獲得管型薄膜。根據(jù)螺旋輸送器的工作原理，已知作為輸送裝置的擠出機(jī)在高壓和高溫下從成型孔中將固體均勻地壓制成粘性和可擠出材料。該過(guò)程稱為擠出。熱塑性聚合物(諸如PVC、PE、PP)已知為可擠出的材料。
[0012]通過(guò)密封和后續(xù)與管型薄膜分開，能夠由這樣獲得的管型薄膜制備袋子。還能夠以現(xiàn)成方式商購(gòu)該袋子。
[0013]經(jīng)驗(yàn)表明由具有非限定特性的商業(yè)PE膜制成的、填充有塊狀多晶硅的袋子在運(yùn)輸過(guò)程中被損壞。例如，鋒利邊緣的塊狀硅以刺穿和撕開熔縫的形式引起損壞。
[0014]該問(wèn)題產(chǎn)生了本發(fā)明的目的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0015]通過(guò)一種包裝物，通常是袋子，實(shí)現(xiàn)了本發(fā)明的目的。
[0016]—個(gè)方面，本發(fā)明提供一種多晶娃包裝物。
[0017]該多晶硅包裝物，其包含多晶硅并被熔接并且包括由PE膜形成的至少一個(gè)熔縫，所述PE膜具有150 μ m-900 μ m的厚度；具有彎曲模量Fmax為300mN-2000mN且Ft為100mN-1300mN的硬度；具有通過(guò)動(dòng)態(tài)穿透測(cè)試測(cè)定的斷裂力F為200N-1500N、斷裂能量Ws為2J-30J以及穿透能量Wtot為2.2J-30J ;具有在15%縱向和橫向伸長(zhǎng)下膜拉伸應(yīng)力為9MPa-50MPa ;具有埃爾門多夫縱向膜抗撕裂強(qiáng)度為10cN-60cN和埃爾門多夫橫向膜抗撕裂強(qiáng)度為18cN-60cN ;具有縱向膜斷裂伸長(zhǎng)率為300%-2000% ;具有橫向膜斷裂伸長(zhǎng)率為450%-3000% ;并且具有熔縫強(qiáng)度為25N-150N/15mm。
[0018]優(yōu)選地，所述多晶硅包裝物為袋子。
[0019]優(yōu)選地，所述袋子包括內(nèi)袋和外袋。
[0020]另一個(gè)方面，本發(fā)明提供了一種通過(guò)將多晶硅填充到袋子中且熔接所述袋子用于將多晶硅包裝到塑料袋中的方法，所述方法包括通過(guò)大于0.01N/mm2的熔接鉗通過(guò)用接觸壓力脈沖密封來(lái)進(jìn)行所述熔接，從而產(chǎn)生具有25N-150N/15_熔縫強(qiáng)度的熔縫。
[0021]優(yōu)選地，所述接觸壓力脈沖密封通過(guò)以下完成:進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)脈沖密封，其通過(guò)密封線的電阻測(cè)量，不使用傳感器，對(duì)每個(gè)密封操作中的密封溫度進(jìn)行檢測(cè)并且相應(yīng)地進(jìn)行調(diào)節(jié)來(lái)實(shí)施。
[0022]優(yōu)選地，所述接觸壓力脈沖密封通過(guò)以下完成:進(jìn)行時(shí)間控制的脈沖密封。
[0023]優(yōu)選地，所述時(shí)間控制的脈沖密封在生產(chǎn)袋子過(guò)程中以及在填充塊狀多晶硅之后的熔接中實(shí)施。
[0024]優(yōu)選地，所述接觸壓力脈沖密封通過(guò)以下完成:進(jìn)行時(shí)間控制的溫度調(diào)節(jié)脈沖密封。
[0025]優(yōu)選地，所述時(shí)間控制的溫度調(diào)節(jié)脈沖密封在生產(chǎn)袋子過(guò)程中以及在填充塊狀多晶硅之后的熔接中實(shí)施。
【具體實(shí)施方式】
[0026]在一個(gè)【具體實(shí)施方式】中，本發(fā)明提供一種多晶硅包裝物，其通常為袋子。所述多晶硅包裝物(具體可以為袋子)包含多晶硅并被熔接(welding)并且包括由PE膜形成的至少一條熔縫(weld seal)，所述PE模具有150 μ m-900 μ m的厚度；具有300mN-2000mN的彎曲模量Fmax和100mN-1300mN的Ft的硬度；具有通過(guò)動(dòng)態(tài)穿透測(cè)試測(cè)定的200N-1500N的斷裂力F，2J-30J的斷裂能Ws以及2.2J-30J的穿透能量Wttrt ;具有縱向和橫向延伸15%的9MPa-50MPa的薄膜拉伸應(yīng)力；具有10cN_60cN的埃爾門多夫(Elmendorf )縱向薄膜抗撕裂強(qiáng)度和18cN-60cN的埃爾門多夫橫向薄膜抗撕裂強(qiáng)度；具有300%-2000%的斷裂縱向薄膜伸長(zhǎng)率；具有450%-3000%的斷裂橫向薄膜伸長(zhǎng)率；并且具有25N-150N/15mm的熔縫強(qiáng)度。
[0027]在一個(gè)【具體實(shí)施方式】中，本發(fā)明提供將多晶硅填充到袋子中并熔接袋子而將多晶硅包裝到塑料袋中的方法。該方法包括通過(guò)大于0.01N/mm2的熔接鉗方式通過(guò)用接觸壓力脈沖密封來(lái)進(jìn)行熔接，從而產(chǎn)生具有25N-150N/15_熔縫強(qiáng)度的熔縫。
[0028]優(yōu)選地，多晶硅包括在西門子反應(yīng)器中多晶硅沉積之后存在的塊狀多晶硅并且隨后粉碎沉積的多晶硅棒。如果適當(dāng)?shù)脑挘诎b之前，這些塊狀物經(jīng)過(guò)化學(xué)清洗操作，以使塊狀物表面免受例如金屬污染。
[0029]多晶硅還包括棒或者桿件。通過(guò)分割(例如，鋸開)西門子反應(yīng)器中沉積的多晶硅棒可獲得桿件。然而，與鋒利邊緣塊狀物的情況相比較，這些棒或者桿件對(duì)袋子的運(yùn)輸損傷問(wèn)題不太顯著。
[0030]優(yōu)選地，由管型PE膜通過(guò)擠出機(jī)方式可生產(chǎn)袋子并且進(jìn)行密封。優(yōu)選地，在通過(guò)脈沖密封將多晶硅填充到袋子中之前將袋子密封。
[0031]優(yōu)選的是進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)的脈沖密封。在這種情況下，在每個(gè)密封操作中，調(diào)節(jié)密封溫度以確?？芍噩F(xiàn)的密封結(jié)果和均一的密封質(zhì)量，尤其是在使用高頻率的延長(zhǎng)的操作中。通過(guò)密封線的電阻測(cè)量，不使用傳感器，對(duì)每個(gè)密封操作中的密封溫度進(jìn)行檢測(cè)并且相應(yīng)地進(jìn)行調(diào)節(jié)。
[0032]密封給予袋子側(cè)向的密封接縫。
[0033]在生產(chǎn)筒袋時(shí)，使用成型管或者成型凸肩(shaping shoulder)。在這種情況下，使用成型凸肩使薄膜在運(yùn)行方向上形成管。根據(jù)所需的袋子形狀，可使用圓形或者角形規(guī)格的管。根據(jù)使用的膜材料，能夠以突出的密封接縫或者扁平的密封接縫形式完成縱向密封接縫。在用于分割或者切割筒袋的裝置也被整合到其中的水平密封臺(tái)上制作筒袋的水平底部和頂部的密封接縫。通過(guò)相對(duì)于彼此可移動(dòng)的橫向鉗優(yōu)選地產(chǎn)生縱向密封接縫。
[0034]在生產(chǎn)扁平袋的情況下，將薄膜材料的內(nèi)部放置在彼此的頂部上，并且薄膜材料通過(guò)密封接受其形狀和希望的尺寸。以三邊緣密封或者四邊緣密封(下側(cè)具有另外的密封接縫)的形式可以完成密封。
[0035]為了生產(chǎn)和填充袋子，可以使用水平袋機(jī)或者垂直筒袋機(jī)。
[0036]優(yōu)選使用其中以非金屬材料(例如，聚四氟乙烯(PTFE ))覆套的金屬熔接線的熱密封熔接設(shè)備來(lái)熔接填充有多晶硅的PE袋子。
[0037]通過(guò)時(shí)間控制的脈沖密封或者時(shí)間控制的溫度調(diào)節(jié)脈沖密封能夠?qū)嵤┰谏a(chǎn)袋子過(guò)程中以及在填充塊狀多晶硅之后的熔接。
[0038]如果使用兩條熔接線(熔接線和分隔線)，能夠去除過(guò)量的薄膜殘余物。
[0039]應(yīng)當(dāng)調(diào)整擠出機(jī)的參數(shù)，使得通過(guò)加工由管型薄膜生產(chǎn)的袋子開口不因阻斷而變得復(fù)雜。更具體地，在管筒離開擠出機(jī)之后將管筒冷卻。
[0040]為了實(shí)現(xiàn)熔縫強(qiáng)度+/-15%的發(fā)散寬度，時(shí)間控制的脈沖密封是不夠的。在這種情況下，時(shí)間控制的溫度調(diào)節(jié)脈沖密封是必要的。
[0041]通過(guò)熔接鉗施加到熔接部位上的接觸壓力必須大于0.01N/mm2。[0042]在填充之前，過(guò)度封閉的袋子難以打開，使得生產(chǎn)率顯著下降。
[0043]優(yōu)選地，在熔接之前，從袋子中抽出空氣，直至包含少量空氣的扁平袋產(chǎn)生。
[0044]在包裝之前，首先對(duì)多晶硅進(jìn)行分份和稱量。通過(guò)本發(fā)明的計(jì)量裝置可對(duì)塊狀多晶硅進(jìn)行分份和稱量。
[0045]理想地，內(nèi)袋由具有100 μ m-500 μ m厚度的聚合物膜構(gòu)成。
[0046]優(yōu)選地，使用的聚合物是PE-LD、PE-LLD或者PE-HD單膜。同樣可以使用來(lái)自吹膜擠出或者流延(鑄造，casting)工藝的多層膜。
[0047]內(nèi)袋在頂部、底部以及縱向密封處設(shè)置有單一、雙重、或者三重熔縫。
[0048]成形器的抗磨損涂層防止袋子內(nèi)部的污染。
[0049]通常，為了將硅包裝到兩個(gè)袋子中，需要第二包裝裝置。
[0050]根據(jù)本發(fā)明，在上述包裝單元中，但是現(xiàn)在使用水平設(shè)置使用第二袋子進(jìn)行包裝。
[0051]將第二塑料袋成型，同時(shí)通過(guò)輸送管道或者其他合適的運(yùn)輸單元將包含多晶硅的第一個(gè)、已經(jīng)閉合的塑料袋水平引入第二塑料袋中。隨后，閉合第二塑料袋。
[0052]水平包裝能夠防止被較大硅塊磨損和穿透，如在垂直包裝機(jī)的情況下經(jīng)常觀察到的。
[0053]通過(guò)管型預(yù)成形機(jī)或者空氣注射法或者薄膜鋪展器，或者更優(yōu)選地，通過(guò)其組合，可實(shí)現(xiàn)袋子的無(wú)褶皺成型。
[0054]替代薄膜鋪展器，還可以使用致動(dòng)的塑料輪或者金屬夾片。
[0055]通過(guò)布置在底部和頂部的成型管，成型的和縱向密封的及水平布置的管型薄膜優(yōu)選地被壓制成扁平的。
[0056]在填充塑料袋之后，優(yōu)選地通過(guò)兩個(gè)成型鉗方式進(jìn)行熔接。
[0057]封閉設(shè)備/封閉臺(tái)優(yōu)選為熔接裝置，更優(yōu)選，基于優(yōu)選地以非金屬材料(例如，聚四氟乙烯(PTFE ))覆套的加熱熔接線的熱密封熔接設(shè)備。
[0058]已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在沒(méi)有上述手段的情況下，在較大硅塊(50mm-130mm)的情況下不可能進(jìn)行無(wú)褶皺的橫向密封。
[0059]可替代地，通過(guò)使處于橫向熔接鉗下游的運(yùn)輸帶或者運(yùn)輸裝置降低，也能夠?qū)崿F(xiàn)無(wú)褶皺熔縫。
[0060]為此目的，在閉合橫向熔接鉗之前不久，輸送帶必須降低至這樣的程度使得內(nèi)袋能夠在外袋內(nèi)滑動(dòng)，直至已產(chǎn)生熔縫。
[0061]因此，將管型薄膜拉到熔接鉗的邊緣之上并且產(chǎn)生無(wú)褶皺的熔縫。
[0062]此外，通過(guò)內(nèi)袋的限定位置，外袋還可變得短于上述變體中的情況。
[0063]同樣，外袋優(yōu)選由來(lái)自平板制造的上述聚合物薄膜中的一種構(gòu)成。
[0064]通過(guò)第二包裝機(jī)和同樣地密封有單一、雙重、或者三重熔縫使聚合物薄膜成型。夾緊孔還可以穿過(guò)熔縫，以便于從包裝機(jī)中移除。
[0065]包裝機(jī)還可裝配有薄膜的自動(dòng)調(diào)節(jié)或者一致對(duì)齊，用于對(duì)稱的鰭片接縫。
[0066]產(chǎn)品標(biāo)簽可被施加到內(nèi)袋和外袋上。
[0067]標(biāo)簽可印制有條型碼或者數(shù)據(jù)矩陣碼。
[0068]同樣可以使用RFID標(biāo)簽。
[0069]能夠以提高操作可靠性的無(wú)褶皺方式來(lái)熔接外袋。[0070]以彎曲模量的硬度被測(cè)定為DIN53121。彎曲模量是指在彎曲測(cè)試中獲得的應(yīng)力-應(yīng)變圖中彈性極限內(nèi)的最大纖維應(yīng)力與最大應(yīng)變的比率。可替代的術(shù)語(yǔ)是彈性彎曲模量。硬度是塑料彎曲耐受性的量度。其包括塑性特征和彈性特征并且因此是比實(shí)際值更高的用于彈性模量的表觀值。(ASTM D-747)
[0071]動(dòng)態(tài)穿透測(cè)試按照DIN53373進(jìn)行。測(cè)試塑料膜；使用電子數(shù)據(jù)記錄沖擊穿透測(cè)試。
[0072]膜抗撕裂強(qiáng)度和膜斷裂伸長(zhǎng)率的測(cè)定按照DIN EN IS0_527_3進(jìn)行:塑料-拉伸特性的測(cè)定。
[0073]在15%伸長(zhǎng)率下膜拉伸應(yīng)力的測(cè)定按照DIN EN IS0-527-3進(jìn)行。
[0074]根據(jù)埃爾門多夫(Elmendorf) (DIN EN21974)進(jìn)行膜抗撕裂強(qiáng)度的測(cè)定。根據(jù)ASTM D1922/DIN EN IS06383-2來(lái)測(cè)定膜的撕裂傳播和破裂特征、以及埃爾門多夫抗破裂性。
[0075]熔縫強(qiáng)度按照DIN55543-3測(cè)定,測(cè)定了布袋(sack)和袋子(bag)的縱向接縫的強(qiáng)度。
[0076]實(shí)施例
[0077]比較例1-包裝在具有下列膜特性的扁平PE袋中:
[0078]膜厚度:100μ m
[0079]以彎曲模量的硬度=Fniax=IOOmN；Ft=50mN
[0080]動(dòng)態(tài)穿透測(cè)試:
[0081]斷裂力F=IOON
[0082]斷裂能Ws=IJ
[0083]穿透能量Wtrt=IJ
[0084]在15%伸長(zhǎng)率下縱向膜拉伸應(yīng)力=6MPa
[0085]在15%伸長(zhǎng)率下橫向膜拉伸應(yīng)力=5MPa
[0086]埃爾門多夫縱向膜抗撕裂強(qiáng)度=5cN
[0087]埃爾門多夫橫向膜抗撕裂強(qiáng)度=5cN
[0088]縱向膜斷裂伸長(zhǎng)率=100%
[0089]橫向膜斷裂伸長(zhǎng)率=150%
[0090]PE膜用于生產(chǎn)60個(gè)PE袋，PE袋中填充有具有60mm-150mm邊緣長(zhǎng)度的塊尺寸為4的5kg塊狀多晶硅。
[0091]通過(guò)時(shí)間控制的溫度調(diào)節(jié)的脈沖密封進(jìn)行熔接:
[0092]溫度:200度
[0093]密封時(shí)間:2秒
[0094]通過(guò)熔接鉗的接觸壓力:0.01N/mm2
[0095]平均熔縫強(qiáng)度=20N/15mm
[0096]每6個(gè)袋子裝入到一個(gè)紙板箱內(nèi)。將10個(gè)紙板箱在卡車上行駛2000km通過(guò)德國(guó)。
[0097]在運(yùn)輸之后，針對(duì)損壞的熔縫目測(cè)檢查袋子，并且在水浸法的幫助下，針對(duì)穿透目測(cè)檢查袋子。[0098]水浸法包括將填充空氣的空袋子浸入到填充水的水池中。通過(guò)上升的氣泡可立即識(shí)別出PE袋中的滲漏。
[0099]在運(yùn)輸過(guò)程中，20%的熔縫開放。
[0100]在運(yùn)輸之后，50%的袋子不再防漏。
[0101]實(shí)施例1-包裝到具有下列膜特性的扁平PE袋中:
[0102]膜厚度:300μ m
[0103]以彎曲模量的硬度:FMX=500mN；Ft=200mN
[0104]動(dòng)態(tài)穿透測(cè)試:
[0105]斷裂力F=3OON
[0106]斷裂能Ws=4J
[0107]穿透能量WtQt=4.5J
[0108]在15%伸長(zhǎng)率下縱向膜拉伸應(yīng)力=12MPa
[0109]在15%伸長(zhǎng)率下橫向膜拉伸應(yīng)力=13MPa
[0110]埃爾門多夫縱向膜抗撕裂強(qiáng)度=15cN
[0111]埃爾門多夫橫向膜抗撕裂強(qiáng)度=25cN
[0112]縱向膜斷裂伸長(zhǎng)率=500%
[0113]橫向膜斷裂伸長(zhǎng)率=700%
[0114]該P(yáng)E膜用于生產(chǎn)60個(gè)PE袋，PE袋填充有具有60mm-150mm的邊緣長(zhǎng)度的塊尺寸為4的5kg塊狀多晶硅。
[0115]通過(guò)時(shí)間控制的溫度調(diào)節(jié)的脈沖密封進(jìn)行熔接:
[0116]溫度:240度
[0117]密封時(shí)間:4秒
[0118]通過(guò)熔接鉗的接觸壓力:0.02N/mm2
[0119]平均熔縫強(qiáng)度=45N/15mm
[0120]60個(gè)PE袋子的熔縫強(qiáng)度具有相對(duì)于平均值+/-15%的發(fā)散。
[0121]每6個(gè)袋子裝入到一個(gè)紙板箱內(nèi)。將10個(gè)紙板箱在卡車上行駛2000km通過(guò)德國(guó)。
[0122]在運(yùn)輸之后，針對(duì)損壞的熔縫目測(cè)檢查袋子并且在水浸法的幫助下，針對(duì)穿透目測(cè)檢查袋子。
[0123]在運(yùn)輸過(guò)程中，0%的熔縫開放。
[0124]在運(yùn)輸之后，0%的袋子不再防漏(所有袋子都不漏)。
[0125]實(shí)施例2-包裝到具有下列膜特性的扁平PE袋中:
[0126]膜厚度:300μ m
[0127]以彎曲模量的硬度:FMX=500mN；Ft=200mN
[0128]動(dòng)態(tài)穿透測(cè)試:
[0129]斷裂力F=3OON
[0130]斷裂能Ws=4J
[0131]穿透能量WtQt=4.5J
[0132]在15%伸長(zhǎng)率下縱向膜拉伸應(yīng)力=12MPa[0133]在15%伸長(zhǎng)率下橫向膜拉伸應(yīng)力=13MPa
[0134]埃爾門多夫縱向膜抗撕裂強(qiáng)度=15cN
[0135]埃爾門多夫橫向膜抗撕裂強(qiáng)度=25cN
[0136]縱向膜斷裂伸長(zhǎng)率=500%
[0137]橫向膜斷裂伸長(zhǎng)率=700%
[0138]PE膜用于生產(chǎn)60個(gè)PE袋，PE袋填充有具有60mm-150mm的邊緣長(zhǎng)度的塊尺寸為4的5kg塊狀多晶硅。
[0139]通過(guò)時(shí)間控制的脈沖密封，無(wú)須溫度調(diào)節(jié)進(jìn)行熔接:
[0140]密封時(shí)間:4秒
[0141]通過(guò)熔接鉗的接觸壓力:0.02N/mm2。
[0142]熔縫強(qiáng)度=45N/15mm
[0143]60個(gè)PE袋子的熔縫強(qiáng)度具有相對(duì)于平均值+/-30%的發(fā)散。
[0144]每6個(gè)袋子裝入到一個(gè)紙板箱內(nèi)。將10個(gè)紙板箱在卡車上行駛2000km通過(guò)德國(guó)。
[0145]在運(yùn)輸之后，針對(duì)損壞的熔縫目測(cè)檢查袋子并且在水浸法的幫助下，針對(duì)穿透目測(cè)檢查袋子。
[0146]在運(yùn)輸過(guò)程中，5%的熔縫開放。
[0147]在運(yùn)輸之后，25%的袋子不再防漏。
[0148]與比較例相比較，實(shí)施例1和2顯示出明顯改進(jìn)。這些改進(jìn)歸因于膜的改變的特性以及歸因于改變的熔縫強(qiáng)度。
[0149]實(shí)施例1顯示出溫度調(diào)節(jié)的脈沖密封的優(yōu)點(diǎn)。這可以提供多袋的塊狀多晶硅，其顯示出無(wú)論如何在運(yùn)輸之后熔縫都沒(méi)有滲漏或者破口。
【權(quán)利要求】
1.一種多晶硅包裝物，其包含多晶硅并被熔接并且包括由PE膜形成的至少一個(gè)熔縫，所述PE膜具有150 μ m-900 μ m的厚度；具有彎曲模量Fmax為300mN-2000mN且Ft為100mN-1300mN的硬度；具有通過(guò)動(dòng)態(tài)穿透測(cè)試測(cè)定的斷裂力F為200N-1500N、斷裂能量Ws為2J-30J以及穿透能量Wtot為2.2J-30J ;具有在15%縱向和橫向伸長(zhǎng)下膜拉伸應(yīng)力為9MPa-50MPa ;具有埃爾門多夫縱向膜抗撕裂強(qiáng)度為10cN-60cN和埃爾門多夫橫向膜抗撕裂強(qiáng)度為18cN-60cN ;具有縱向膜斷裂伸長(zhǎng)率為300%-2000% ;具有橫向膜斷裂伸長(zhǎng)率為450%-3000% ;并且具有熔縫強(qiáng)度為25N-150N/15mm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅包裝物，其特征在于所述多晶硅包裝物為袋子。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多晶硅包裝物，其特征在于所述袋子包括內(nèi)袋和外袋。
4.一種通過(guò)將多晶硅填充到袋子中且熔接所述袋子用于將多晶硅包裝到塑料袋中的方法，所述方法包括通過(guò)大于0.01N/mm2的熔接鉗通過(guò)用接觸壓力脈沖密封來(lái)進(jìn)行所述熔接，從而產(chǎn)生具有25N-150N/15_熔縫強(qiáng)度的熔縫。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于所述接觸壓力脈沖密封通過(guò)以下完成:進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)脈沖密封，其通過(guò)密封線的電阻測(cè)量，不使用傳感器，對(duì)每個(gè)密封操作中的密封溫度進(jìn)行檢測(cè)并且相應(yīng)地進(jìn)行調(diào)節(jié)來(lái)實(shí)施。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于所述接觸壓力脈沖密封通過(guò)以下完成:進(jìn)行時(shí)間控制的脈沖密封。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于所述時(shí)間控制的脈沖密封在生產(chǎn)袋子過(guò)程中以及在填充塊狀多晶硅之后的熔接中實(shí)施。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于所述接觸壓力脈沖密封通過(guò)以下完成:進(jìn)行時(shí)間控制的溫度調(diào)節(jié)脈沖密封。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于所述時(shí)間控制的溫度調(diào)節(jié)脈沖密封在生產(chǎn)袋子過(guò)程中以及在填充塊狀多晶硅之后的熔接中實(shí)施。
【文檔編號(hào)】B65D30/02GK103848071SQ201310616033
【公開日】2014年6月11日 申請(qǐng)日期:2013年11月27日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月4日
【發(fā)明者】漢斯·沃赫納 申請(qǐng)人:瓦克化學(xué)股份公司