專利名稱：制造熱塑性樹(shù)脂容器的方法與模具的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及制造熱塑性樹(shù)脂容器的方法和模具，該容器特別是可用作熱塑性樹(shù)脂帶式載體，其具有許多凹槽用以分別容納電子元件例如集成電路芯片。
按照本發(fā)明，對(duì)于包括一基面部分、一對(duì)從該平面基面部分延伸的側(cè)壁和一在該兩側(cè)壁之間在基面部分與底面部分之間沿底面部分的厚度方向的距離處延伸的底面部分以便形成容納一元件的凹槽之容器的制造方法，包括在加熱熱塑性樹(shù)脂片材的一部分以后將該部分熱塑性樹(shù)脂片材壓進(jìn)模具的模腔內(nèi)的步驟，以便以所述距離形成底面部分和各側(cè)壁，其中模腔的底面具有一向遠(yuǎn)離基面部分的深度方向突出的凸?fàn)蠲娣e，其中所述基面部分在模具上形成在熱塑性樹(shù)脂片材的另一部分上。
按照本發(fā)明，由熱塑性樹(shù)脂片材制造包括一基面部分、一對(duì)從該平面基面部分延伸的側(cè)壁和一在該兩側(cè)壁之間在基面部分與底面部分之間沿底面部分的厚度方向的距離處延伸的底面部分之容器的模具，包括適合于接納在加熱熱塑性樹(shù)脂片材以后的該部分熱塑性樹(shù)脂片材的模腔，以便在模腔內(nèi)以所述距離形成底面部分和各側(cè)壁從而形成一用于在其中容納一元件的容器的凹槽，還包括一鄰接于模腔并圍繞模腔的平面基面面積，其中模腔的底面具有一向遠(yuǎn)離平面基面面積的深度方向突出的凸?fàn)蠲娣e。
由于模腔的底面具有向遠(yuǎn)離基面部分的深度方向突出的凸?fàn)蠲娣e，其中基面部分圍繞凹槽形成在熱塑性樹(shù)脂片材的另一部分上，改善了在熱塑性樹(shù)脂容器冷卻到大氣溫度以后底面部分上的平面度而不管在將熱塑性樹(shù)脂片材變形到形成容器以后所產(chǎn)生熱塑性樹(shù)脂片材的熱應(yīng)力和/或變形如何。
當(dāng)模腔沿深度方向的深度大于所述距離時(shí)，底面部分受約束而不會(huì)向相反于深度方向的方向突出從而改善了在熱塑性樹(shù)脂容器冷卻到大氣溫度以后底面部分上的平面度。優(yōu)選的是凸出形狀為一半球形、截圓錐形或截棱錐形。底面部分的主面積可以基本上平行于基面部分延伸。為改善平面度優(yōu)選的是，在凸?fàn)畹捻敹伺c其底端之間在遠(yuǎn)離平面基面部分的方向上的深度差為0.1-1mm。該熱塑性樹(shù)脂容器可適合于容納一球柵極鎮(zhèn)流(ball grid allay)電子元件。
當(dāng)在所述距離變成等于模腔的深度以后該距離被減至變成小于模腔的深度時(shí)和/或在底面部分與模腔的底面接觸以后該距離被減小時(shí)，有效地改善了平面度。當(dāng)模腔的底面具有一鄰接于凸形面積并圍繞該凸形面積的平面面積和/或凸形面積在其頂端具有一平面面積時(shí)，進(jìn)一步改善了平面度。
優(yōu)選實(shí)施例詳述如

圖1中所示，容器1用作一電子元件例如SOP(小型封裝)、SSOP(壓縮小型封裝)、TSOP(薄小型封裝)、TSSOP(薄壓縮小型封裝)、PLCC(有引線芯片塑料載體)、QFP(方形扁平封裝)和BGA(球柵陣列)等的載體帶，并且由軟質(zhì)樹(shù)脂制成，該容器1具有凹槽(模壓的區(qū)域2)，其包括所述的各側(cè)壁和底面部分以及一作為所述基面部分的凸緣3。各凹槽2沿載體帶的縱方向以恒定的間距定位并可以在其中容納有關(guān)的電子元件。一帶式蓋(未示出)粘結(jié)于凸緣3上以覆蓋各凹槽從而防止電子元件從凹槽中脫落，并且在凸緣的至少一側(cè)上沿縱向方向設(shè)置帶輸送孔4。各凹槽2通過(guò)氣動(dòng)力(通過(guò)造成真空或壓縮空氣引起的壓力差)將熱塑性樹(shù)脂片材壓進(jìn)模具的各個(gè)模腔內(nèi)來(lái)形成。
當(dāng)模具的模腔具有面積27mm×27mm和深度3mm，模腔的底面在其中心具有高度0.3mm的四邊形截棱錐凸?fàn)畹陌疾浚翼敹似矫婷娣e26mm×26mm，并且將一厚度0.3mm的聚苯乙烯片材在加熱到180℃后靠氣動(dòng)力壓進(jìn)該模腔時(shí)則形成所述凹槽，Ko＝3.05mm，Kc＝3.10mm，Po＝0.28mm和Pc＝0.20mm，其中Ko是凹槽在其中心在凸緣3的上表面與其中心之間的深度，Kc是凹槽在其周邊在凸緣3的上表面與其周邊之間的深度，Po是片材在其中心的厚度，以及Pc是片材在其周邊的厚度。翹曲W＝(Kc+Pc)-(Ko+Po)＝-0.03mm，因此翹曲W是非常小的。
當(dāng)該凹槽在其中容納一BGA封裝件時(shí)，Zo＝0.45mm，Zc＝0.5mm，而Zo是容納于凹槽內(nèi)的BGA封裝件的高度與凹槽在其中心的深度之間的差值，Zc是BGA封裝件的高度與凹槽在其周邊的深度之間的差值。
當(dāng)模具的模腔不包括如上所述的四邊形截棱錐凸?fàn)畹陌疾繒r(shí)，Ko＝2.75mm，Kc＝3.10mm，Po＝0.28mm，Pc＝0.20mm，W＝(Kc+Pc)-(Ko+Po)＝0.27mm，Zo＝0.15mm和Zc＝0.5mm。
因此，Zo是非常小的從而可能容易損壞BGA封裝件。
權(quán)利要求
1.一種熱塑性樹(shù)脂容器的制造方法，該容器包括一基面部分、從該基面部分延伸的各側(cè)壁和一在各側(cè)壁之間以在基面部分與底面部分之間沿底面部分的厚度方向的距離處延伸的底面部分，該方法包括以下步驟在熱塑性樹(shù)脂片材的一部分加熱后將該部分熱塑性樹(shù)脂片材壓進(jìn)模具的模腔，從而以所述距離形成底面部分和各側(cè)壁，其特征在于，模腔的底面具有一向遠(yuǎn)離基面部分的深度方向突出的凸?fàn)蠲娣e，其中所述基面部分在模具上形成在熱塑性樹(shù)脂片材料的另一部分上。
2.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，模腔在深度方向的深度大于所述距離。
3.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述凸?fàn)钍且唤貓A錐形或截棱錐形。
4.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述底面部分的主面積基本上平行于基面部分延伸。
5.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述凸?fàn)畹捻敹伺c其底端之間沿遠(yuǎn)離所述基面部分的深度方向的深度差為0.1-1mm。
6.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述熱塑性樹(shù)脂容器適合于容納一球柵極鎮(zhèn)流電子元件。
7.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述距離變成等于模腔的深度以后該距離被減至變成小于模腔的深度。
8.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述底面部分與模腔的底面接觸以后所述距離被減小。
9.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，模腔的底面具有鄰接于凸?fàn)蠲娣e并圍繞該凸?fàn)蠲娣e的環(huán)形平面面積。
10.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述凸?fàn)蠲娣e在其頂端具有一平面面積。
11.一種由熱塑性樹(shù)脂片材制造容器的模具，該容器包括一基面部分、從該基面部分延伸的各側(cè)壁和一在各側(cè)壁之間以在基面部分與底面部分之間沿底面部分的厚度方向的距離處延伸的底面部分，該模具包括一模腔，其適合于在熱塑性樹(shù)脂片材加熱后容納該部分熱塑性樹(shù)脂片材，以便在模腔內(nèi)以所述距離形成所述底面部分和各側(cè)壁，以及一平面基面面積，其鄰接于模腔并圍繞該模腔；其特征在于，模腔的底面具有向遠(yuǎn)離平面基面面積的深度方向突出的凸?fàn)蠲娣e。
12.按照權(quán)利要求11所述的模具，其特征在于，模腔在深度方向的深度大于所述距離。
13.按照權(quán)利要求11所述的模具，其特征在于，所述凸?fàn)钍墙貓A錐形或截棱錐形。
14.按照權(quán)利要求11所述的模具，其特征在于，底面部分的主面積基本上平行于基面部分延伸。
15.按照權(quán)利要求11所述的模具，其特征在于，在所述凸?fàn)畹捻敹伺c其底端之間沿遠(yuǎn)離平面基面面積的深度方向的深度差為0.1～1mm。
16.按照權(quán)利要求11所述的模具，其特征在于，所述熱塑性樹(shù)脂容器適合于容納球柵極鎮(zhèn)流電子元件。
17.按照權(quán)利要求11所述的模具，其特征在于，在所述距離變成等于模腔的深度以后該距離被減至變成小于模腔的深度。
18.按照權(quán)利要求11所述的模具，其特征在于，所述模具使在所述底面部分與模腔的底面接觸以后可以減小所述距離。
19.按照權(quán)利要求11所述的模具，其特征在于，模腔的底面具有一鄰接于凸?fàn)蠲娣e并圍繞該凸?fàn)蠲娣e的環(huán)形平面面積。
20.按照權(quán)利要求11所述的模具，其特征在于，所述凸?fàn)蠲娣e在其頂端具有一平面面積。
全文摘要
熱塑性樹(shù)脂容器的凹槽通過(guò)在熱塑性樹(shù)脂片材的一部分加熱后將該部分熱塑性樹(shù)脂片材部分壓進(jìn)模具的模腔內(nèi)來(lái)形成,從而形成凹槽的一底面部分和各側(cè)壁,其特征在于,模腔的底面具有沿遠(yuǎn)離基面部分的深度方向突出的凸?fàn)蠲娣e,其中所述基面部分在模具上形成在熱塑性樹(shù)脂的另一部分上形成。
文檔編號(hào)B65D73/02GK1357443SQ0114311
公開(kāi)日2002年7月10日 申請(qǐng)日期2001年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2000年12月7日
發(fā)明者陳德豐, 青木秀人 申請(qǐng)人:住友電木株式會(huì)社, 新加坡速密電子包裝有限公司