醛樹脂（群榮化學(xué)社制、RESITOPPL-3224)(在表1中記作J)(以酚 醛樹脂計為1質(zhì)量份），除此以外，按照與實施例3同樣的步驟得到導(dǎo)電膜形成用組合物。
[0143] <實施例8>
[0144] 使用鈀微粒分散液（和光純藥社制）（在表1中記作Q)(以鈀微粒計為0.38質(zhì)量 份）代替乙酸鈀（0.38質(zhì)量份），除此以外，按照與實施例3同樣的步驟得到導(dǎo)電膜形成用 組合物。
[0145] <實施例9>
[0146] 使用鉑微粒分散液（和光純藥社制）（在表1中記作R)(以鉑微粒計為0.38質(zhì)量 份）代替乙酸鈀（0.38質(zhì)量份），除此以外，按照與實施例3同樣的步驟得到導(dǎo)電膜形成用 組合物。
[0147] < 實施例 10 >
[0148] 使用鎳微粒分散液（和光純藥社制）（在表1中記作S)(以鎳微粒計為0.38質(zhì)量 份）代替乙酸鈀（0.38質(zhì)量份），除此以外，按照與實施例3同樣的步驟得到導(dǎo)電膜形成用 組合物。
[0149]〈實施例 11 >
[0150] 使用乙酸鈀的2質(zhì)量％丙酮溶液（19質(zhì)量份）代替乙酸鈀（0.38質(zhì)量份），并且將 水的混配量由46. 4質(zhì)量份變更為27. 8質(zhì)量份，除此以外，按照與實施例3同樣的步驟得到 導(dǎo)電膜形成用組合物。需要說明的是，導(dǎo)電膜形成用組合物中含有的由水和丙酮構(gòu)成的混 合溶劑的SP值為17. 2。
[0151] <比較例1>
[0152] 將氧化銅的混配量由7. 6質(zhì)量份變更為2. 53質(zhì)量份，將三羥甲基丙烷的混配量由 38質(zhì)量份變更為12. 7質(zhì)量份，將乙酸鈀的混配量由0. 38質(zhì)量份變更為0. 126質(zhì)量份，除此 以外，按照與實施例3同樣的步驟得到導(dǎo)電膜形成用組合物。
[0153] <比較例2>
[0154] 將三羥甲基丙烷的混配量由38質(zhì)量份變更為114質(zhì)量份，除此以外，按照與實施 例3同樣的步驟得到導(dǎo)電膜形成用組合物。
[0155] <比較例3>
[0156] 將三羥甲基丙烷的混配量由38質(zhì)量份變更為7. 6質(zhì)量份，除此以外，按照與實施 例3同樣的步驟得到導(dǎo)電膜形成用組合物。
[0157] <比較例4>
[0158] 將乙酸鈀的混配量由0.38質(zhì)量份變更為1. 52質(zhì)量份，除此以外，按照與實施例3 同樣的步驟得到導(dǎo)電膜形成用組合物。
[0159] <比較例5>
[0160] 沒有混配乙酸鈀，除此以外，按照與實施例3同樣的步驟得到導(dǎo)電膜形成用組合 物。
[0161] <比較例6>
[0162] 使用銅微粒分散液（Ι0Χ公司制）（在表1中記作T)(以銅微粒計為0· 38質(zhì)量份） 代替乙酸鈀（0. 38質(zhì)量份），除此以外，按照與實施例3同樣的步驟得到導(dǎo)電膜形成用組合 物。
[0163] <比較例7>
[0164] 沒有混配氧化銅顆粒，除此以外，按照與實施例3同樣的步驟得到導(dǎo)電膜形成用 組合物。
[0165](導(dǎo)電膜的制造）
[0166] 利用涂布棒將所得到的導(dǎo)電膜形成用組合物（實施例1~11和比較例1~7)分 別涂布在合成石英基板（IGC公司制）上，得到涂膜。之后，在氮氣氣氛下對所得到的涂膜 進(jìn)行加熱處理（200°C、30分鐘），得到導(dǎo)電膜。
[0167](導(dǎo)電性）
[0168] 對于所得到的導(dǎo)電膜，使用四探針法電阻率計測定體積電阻率，根據(jù)以下標(biāo)準(zhǔn)評 價了導(dǎo)電性。將結(jié)果匯總示于表1中。在實用上，優(yōu)選為AA或A~C，更優(yōu)選為AA、A或B， 進(jìn)一步優(yōu)選為AA或A，特別優(yōu)選為AA。
[0169] ·AA:體積電阻率小于5X10 5Ω·cm
[0170] ·A:體積電阻率為5X10 5Ω ·cm以上且小于1X104Ω · cm
[0171] ·B :體積電阻率為1X10 4Ω · cm以上且小于5X10 4Ω · cm
[0172] ·C :體積電阻率為5X10 4Ω · cm以上且小于1X10 3Ω · cm
[0173] ·D :體積電阻率為1 X 10 3Ω · cm以上
[0174](空孔率）
[0175] 通過Helios400S型FIB/SEM-EDS復(fù)合機（FEI公司制）對所得到的導(dǎo)電膜進(jìn) 行FIB加工，進(jìn)行截面SEM觀察。使用圖像軟件（AdobeSystems，Inc.公司制的"Adobe Photoshop"）調(diào)整閾值，將所得到的截面SEM照片黑白二值化，由白色點（dot)與黑色點的 數(shù)量比算出空孔率（空隙率）。根據(jù)以下標(biāo)準(zhǔn)對算出的空孔率進(jìn)行評價。將結(jié)果匯總示于 表1中。在實用上，優(yōu)選為AA、A或B，更優(yōu)選為AA或A，進(jìn)一步優(yōu)選為AA。
[0176]·ΑΑ:空孔率小于5%
[0177] ·A :空孔率為5%以上且小于15%
[0178] ·B:空孔率為15%以上且小于30%
[0179] ·C:空孔率為30%以上且小于50%
[0180].D:空孔率為50%以上
[0181]
[0182] 由表1可知，由本文實施例的組合物所得到的導(dǎo)電膜均顯示優(yōu)異的導(dǎo)電性，并且 空孔少。
[0183] 另外，根據(jù)實施例1~6的對比，由還原劑為分子內(nèi)具有二個以上羥基的化合物的 實施例1~3、5和6的組合物所得到的導(dǎo)電膜顯示了更優(yōu)異的導(dǎo)電性。其中，由還原劑為 "分子內(nèi)具有兩個以上羥基且沒有羰基而且沸點為250Γ以下的化合物"的實施例3和6的 組合物所得到的導(dǎo)電膜顯示了更進(jìn)一步優(yōu)異的導(dǎo)電性。
[0184]另外，根據(jù)實施例3和7的對比，由含有熱固性樹脂的實施例7的組合物所得到的 導(dǎo)電膜的空孔更少。
[0185]另外，根據(jù)實施例3和8的對比，由金屬催化劑為鹽化合物的實施例3的組合物所 得到的導(dǎo)電膜顯示了更優(yōu)異的導(dǎo)電性。
[0186] 另外，根據(jù)實施例3和11的對比，由溶劑的溶解度參數(shù)為10 (cal/cm3)1/2~ 20(cal/cm3)1/2的實施例11的組合物所得到的導(dǎo)電膜顯示了更優(yōu)異的導(dǎo)電性。
[0187]另一方面，由不含有氧化銅顆粒的比較例7、含有氧化銅顆粒但氧化銅顆粒的含量 相對于銅顆粒的含量小于50質(zhì)量％的比較例1、還原劑的含量相對于氧化銅顆粒的含量超 過800mol%的比較例2、還原劑的含量相對于氧化銅顆粒的含量小于lOOmol%的比較例3、 不含有包含銅以外的金屬的金屬催化劑的比較例5和6以及含有包含銅以外的金屬的金屬 催化劑但上述金屬催化劑的含量相對于氧化銅顆粒的含量超過10質(zhì)量％的比較例4的組 合物所得到的導(dǎo)電膜的導(dǎo)電性均不足，并且觀察到大量空孔。
【主權(quán)項】
1. 一種導(dǎo)電膜形成用組合物，其含有平均粒徑為Inm~10 μπι的銅顆粒、平均粒徑為 Inm~500nm的氧化銅顆粒、具有羥基的還原劑、含有銅以外的金屬的金屬催化劑和溶劑， 所述氧化銅顆粒的含量相對于所述銅顆粒的含量為50質(zhì)量％~300質(zhì)量％，所述還原劑的 含量相對于所述氧化銅顆粒的含量為100摩爾％~800摩爾％，所述金屬催化劑的含量相 對于所述氧化銅顆粒的含量為10質(zhì)量％以下。2. 如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜形成用組合物，其中，所述還原劑為分子內(nèi)含有2個以上 羥基的化合物。3. 如權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電膜形成用組合物，其中，所述還原劑的沸點為250°C以下， 并且所述還原劑為由如下通式（1)或（2)表示的化合物，在通式（1)和（2)中，RpRjP 1?3分別獨立地表示氫原子、烷基、烷氧基、羥烷基或烷氧 基烷基，Rp私和R3不含甲?；螋驶?。4. 如權(quán)利要求1~3中任一項所述的導(dǎo)電膜形成用組合物，其中，所述金屬催化劑是含 有選自由鈀、鉑、鎳和銀組成的組中的至少一種金屬的金屬催化劑。5. 如權(quán)利要求1~4中任一項所述的導(dǎo)電膜形成用組合物，其中，所述金屬催化劑是鹽 化合物。6. 如權(quán)利要求1~5中任一項所述的導(dǎo)電膜形成用組合物，其中，所述溶劑的溶解度參 數(shù)（SP 值）為 10 ~20 (cal/cm3)1/2。7. 如權(quán)利要求1~6中任一項所述的導(dǎo)電膜形成用組合物，其中，還含有樹脂。8. 如權(quán)利要求7所述的導(dǎo)電膜形成用組合物，其中，所述樹脂為熱固性樹脂。9. 一種導(dǎo)電膜的制造方法，其具備： 涂膜形成工序，將權(quán)利要求1~8中任一項所述的導(dǎo)電膜形成用組合物涂布在基材上， 形成涂膜； 加熱處理工序，對所述涂膜進(jìn)行加熱處理，形成導(dǎo)電膜。10. 如權(quán)利要求9所述的導(dǎo)電膜的制造方法，其中，所述加熱處理的溫度為200°C以下。
【專利摘要】本發(fā)明的課題在于提供一種能夠形成導(dǎo)電性優(yōu)異且空洞少的導(dǎo)電膜的導(dǎo)電膜形成用組合物以及使用該組合物的導(dǎo)電膜的制造方法。本發(fā)明的導(dǎo)電膜形成用組合物含有平均粒徑為1nm～10μm的銅顆粒、平均粒徑為1nm～500nm的氧化銅顆粒、具有羥基的還原劑、含有銅以外的金屬的金屬催化劑和溶劑，所述氧化銅顆粒的含量相對于所述銅顆粒的含量為50質(zhì)量％～300質(zhì)量％，所述還原劑的含量相對于所述氧化銅顆粒的含量為100摩爾％～800摩爾％，所述金屬催化劑的含量相對于所述氧化銅顆粒的含量為10質(zhì)量％以下。
【IPC分類】C09D1/00, H05K1/09, C09D7/12, H05K3/12, H01B1/22, C09D201/00, H01B1/00, H01B13/00, C09D5/24
【公開號】CN105358640
【申請?zhí)枴緾N201480037398
【發(fā)明人】津山博昭, 渡邊徹, 早田佑一
【申請人】富士膠片株式會社
【公開日】2016年2月24日
【申請日】2014年6月12日
【公告號】EP3029119A1, EP3029119A4, US20160137855, WO2015015918A1