900°C預燒3小時后取出，再次研磨后，于1450°C燒制2小時。
[0037]本實施例制備的近紅外長余輝發(fā)光材料的長余輝光譜如圖1 (a)所示，在254納米紫外光下輻照10分鐘后，間隔30秒后測試，得到了近紅外長余輝發(fā)光，發(fā)光峰位于766，780納米。如圖1(b)，監(jiān)測766納米的近紅外長余輝發(fā)光，發(fā)現(xiàn)時間長達100分鐘。說明此種材料具有優(yōu)良的近紅外長余輝發(fā)光。
[0038]實施例2
[0039]本實施例的Cr3+和Bi 3+共摻雜的SrT1 3的近紅外長余輝發(fā)光材料的制備方法如下:
[0040]按照以下成分:基體為SrTi03;Cr 3+的摻雜量為5mol%，Bi 3+的摻雜量為20mol%;分別稱取氧化鈦、碳酸鍶、氧化鉻(Cr2O3)、氧化鉍(Bi2O),經(jīng)研磨混勻后在空氣中600°C預燒I小時后取出，再次研磨后，于1300°C燒制5小時。
[0041]本實施例制備的近紅外長余輝發(fā)光材料的長余輝光譜如圖2 (a)所示，在254納米紫外光下輻照10分鐘后，間隔30秒后測試，得到了近紅外長余輝發(fā)光，發(fā)光峰位于766納米。如圖2(b)，監(jiān)測766納米的近紅外長余輝發(fā)光，發(fā)現(xiàn)時間長達100分鐘。說明此種材料具有優(yōu)良的近紅外長余輝發(fā)光。
[0042]實施例3
[0043]本實施例的單摻雜Cr3+的BaSnO 3的近紅外長余輝發(fā)光材料的制備方法如下:
[0044]按照以下成分:基體為BaSn03;Cr 3+的摻雜量為5mol%;分別稱取氧化錫、碳酸鋇、氧化鉻，經(jīng)研磨混勻后在還原性氣氛(5% H2+95% N2) 600°C預燒I小時后取出，再次研磨后，于1350°C燒制5小時。
[0045]本實施例制備的近紅外長余輝發(fā)光材料的長余輝光譜如圖3 (a)所示，在254納米紫外光下輻照10分鐘后，間隔30秒后測試，得到了近紅外長余輝發(fā)光，發(fā)光峰位于800納米。如圖3(b)，監(jiān)測800納米的近紅外長余輝發(fā)光，發(fā)現(xiàn)時間長達100分鐘。說明此種材料具有優(yōu)良的近紅外長余輝發(fā)光。
[0046]實施例4
[0047]本實施例的Cr3+和Bi 3+共摻雜的BaSnO 3的近紅外長余輝發(fā)光材料的制備方法如下:
[0048]按照以下成分:基體為BaSn03;Cr3+的摻雜量為0.001mol%，Bi 3+的摻雜量為20mol% ;分別稱取氧化錫、碳酸鋇、氧化鉻、氧化鉍，經(jīng)研磨混勻后在空氣中900°C預燒3小時后取出，再次研磨后，于1500°C燒制2小時。
[0049]本實施例制備的近紅外長余輝發(fā)光材料的長余輝光譜如圖4 (a)所示，在254納米紫外光下輻照10分鐘后，間隔30秒后測試，得到了近紅外長余輝發(fā)光，發(fā)光峰位于800納米。如圖4(b)，監(jiān)測800納米的近紅外長余輝發(fā)光，發(fā)現(xiàn)時間長達100分鐘。說明此種材料具有優(yōu)良的近紅外長余輝發(fā)光。
[0050]上述實施例為本發(fā)明較佳的實施方式，但本發(fā)明的實施方式并不受所述實施例的限制，其他的任何未背離本發(fā)明的精神實質與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡化，均應為等效的置換方式，都包含在本發(fā)明的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種Cr摻雜的鈣鈦礦結構的近紅外長余輝發(fā)光材料，其特征在于，基體材料為ABO3,所述A為Ca、Sr或Ba ;所述B為Sn或Ti ;所述基體材料中摻雜0.001?5mol %的Cr3+O
2.根據(jù)權利要求1所述的Cr摻雜的鈣鈦礦結構的近紅外長余輝發(fā)光材料，其特征在于，所述基體材料中還摻雜O?20mol%的Bi3+。
3.權利要求1所述的Cr摻雜的鈣鈦礦結構的近紅外長余輝發(fā)光材料的制備方法，其特征在于，單摻雜Cr3+的AT1 3的制備方法包括以下步驟: (1)稱量物料:分別稱量含A化合物、含Ti化合物、含Cr化合物； (2)物料經(jīng)研磨混勻后在還原性氣氛中600?900°C預燒I?3小時后取出，再次研磨后，在還原性氣氛中于1300?1450°C燒制2?5小時。
4.根據(jù)權利要求3所述的Cr摻雜的鈣鈦礦結構的近紅外長余輝發(fā)光材料的制備方法，其特征在于，所述還原性氣氛為由體積百分比為5%的HjP體積百分比為95% N2組成。
5.權利要求1所述的Cr摻雜的鈣鈦礦結構的近紅外長余輝發(fā)光材料的制備方法，其特征在于，Cr3+和Bi 3+共摻雜的AT1 3的制備方法包括以下步驟: (1)稱量物料:分別稱量含A化合物、含Ti化合物、含Cr化合物、含Bi化合物； (2)物料經(jīng)研磨混勻后在空氣中600?900°C預燒I?3小時后取出，再次研磨后，在空氣中于1300?1450°C燒制2?5小時。
6.權利要求1所述的Cr摻雜的鈣鈦礦結構的近紅外長余輝發(fā)光材料的制備方法，其特征在于，單摻雜Cr3+的ASnO 3的制備方法包括以下步驟: (1)稱量物料:分別稱量含A化合物、含Sn化合物、含Cr化合物； (2)物料經(jīng)研磨混勻后在還原性氣氛600?900°C預燒I?3小時后取出，再次研磨后，在還原性氣氛中于1350?1500°C燒制2?5小時。
7.根據(jù)權利要求6所述的Cr摻雜的鈣鈦礦結構的近紅外長余輝發(fā)光材料的制備方法，其特征在于，Cr3+和Bi 3+共摻雜的ASnO 3的制備方法包括以下步驟: (1)稱量物料:分別稱量含A化合物、含Sn化合物、含Cr化合物、含Bi化合物； (2)物料經(jīng)研磨混勻后在空氣中600?900°C預燒I?3小時后取出，再次研磨后，在空氣中于1350?1500°C燒制2?5小時。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種Cr摻雜的鈣鈦礦結構的近紅外長余輝發(fā)光材料，基體材料為ABO3，所述A為Ca、Sr或Ba；所述B為Sn或Ti；所述基體材料中摻雜0.001～5mol％的Cr3+。本發(fā)明還公開了上述近紅外長余輝發(fā)光材料的制備方法，包括(1)稱量物料：分別稱量含A化合物、含Ti化合物、含Cr化合物；(2)物料經(jīng)研磨混勻后在還空氣/還原性氣氛中預燒后取出，再次研磨后，在空氣/還原性氣氛中于燒制小時。本發(fā)明的近紅外長余輝發(fā)光材料發(fā)射帶位于650-850納米，發(fā)射峰位于760納米，余輝時間長達100分鐘；本發(fā)明的制備方法工藝簡單，原料價格低廉，易于大規(guī)模技術推廣。
【IPC分類】C09K11-68
【公開號】CN104861970
【申請?zhí)枴緾N201510160378
【發(fā)明人】邱建榮, 李楊, 陳汝春, 秦嬉嬉, 吳溢鈴
【申請人】華南理工大學
【公開日】2015年8月26日
【申請日】2015年4月3日