本公開涉及堿土類硅酸鹽熒光體的表面被表面處理層覆蓋的表面處理熒光體的制造方法、用該方法得到的表面處理熒光體、以及使用了該表面處理熒光體的波長轉(zhuǎn)換部件及發(fā)光裝置。

背景技術(shù)：

例如(Sr，Ba，Ca)₂SO₄:Eu²⁺等堿土類硅酸鹽熒光體通過調(diào)節(jié)組成容易得到各種發(fā)光波長的光且發(fā)光效率高，因此作為白色LED用的熒光體受到關(guān)注。

但是，通常堿土類硅酸鹽熒光體的耐濕性差。具體而言，在水或空氣中的水分的存在下，在堿土類硅酸鹽熒光體的表面，通過堿土類金屬和水的反應(yīng)，形成氫氧化物。由于氫氧化物的形成，堿土類熒光體發(fā)生劣化，導(dǎo)致發(fā)光效率的降低。因此，以往提出了在堿土類硅酸鹽熒光體的表面上形成具有耐濕性的表面處理層的技術(shù)。

例如，提出了使含有硫酸鹽等水溶性化合物的表面處理水溶液與堿土類硅酸鹽熒光體接觸，在堿土類硅酸鹽熒光體的表面上形成表面處理層的制造方法(例如參照專利文獻(xiàn)1)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2013-40236號公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開的表面處理熒光體的制造方法是含有堿土類金屬的硅酸鹽的堿土類硅酸鹽熒光體的表面被表面處理層覆蓋的表面處理熒光體的制造方法。表面處理熒光體的制造方法包括：通過使堿土類硅酸鹽熒光體與經(jīng)熔融或熱分解的表面處理物質(zhì)接觸，在堿土類硅酸鹽熒光體的表面上形成表面處理層的表面處理。表面處理物質(zhì)為選自硫酸鹽、磷酸鹽、碳酸鹽、硼酸鹽、硼酸、鈦酸鹽以及氟化物中的至少1種。

通過以上的構(gòu)成，能夠制造初期的發(fā)光效率高且長期可靠性高的表面處理熒光體。本公開的表面處理熒光體以及使用了其的波長轉(zhuǎn)換部件及發(fā)光裝置的初期的發(fā)光效率高，且長期可靠性高。

附圖說明

圖1是表示本公開的實(shí)施方式的表面處理熒光體的制造方法的一個例子的圖。表示混合工序A、加熱工序B及C、洗滌工序D。

圖2是表示本公開的實(shí)施方式的表面處理熒光體粉末的掃描型電子顯微鏡照片的一個例子的圖。

圖3是表示本公開的實(shí)施方式的表面處理熒光體以及波長轉(zhuǎn)換部件的示意圖。

圖4是本公開的實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的立體圖。

圖5A是圖4中的5A－5A線截面圖。

圖5B是圖4中的5B－5B線截面圖。

圖6是用于說明圖4所示的半導(dǎo)體發(fā)光裝置中的密封部件的形成方法的圖。

具體實(shí)施方式

在說明本公開的實(shí)施方式之前，說明相關(guān)的表面處理熒光體的制造方法中的課題。

在通過專利文獻(xiàn)1的方法形成表面處理層時，堿土類硅酸鹽熒光體與表面處理水溶液接觸。因此，在形成表面處理層之前，堿土類硅酸鹽熒光體的表面與水發(fā)生反應(yīng)，形成氫氧化物。因此，在利用專利文獻(xiàn)1的制造方法得到的表面處理熒光體中，初期的發(fā)光效率降低。

另外，在專利文獻(xiàn)1的方法中，即使形成了表面處理層，在堿土類硅酸鹽熒光體的表面與表面處理層之間也殘留來自表面處理水溶液的水。因此，殘留的水長期緩慢使堿土類硅酸鹽熒光體的表面發(fā)生劣化。因而發(fā)光效率緩慢降低，即長期可靠性差。

此外，由專利文獻(xiàn)1的方法得到的表面處理熒光體中，殘留的水可能會使表面處理層發(fā)生劣化。

以下，對本公開的實(shí)施方式的表面處理熒光體的制造方法、由該方法得到的表面處理熒光體、以及使用了其的波長轉(zhuǎn)換部件及發(fā)光裝置進(jìn)行詳細(xì)說明。

[表面處理熒光體的制造方法]

本實(shí)施方式的表面處理熒光體的制造方法為具有由堿土類金屬形成的硅酸鹽的堿土類硅酸鹽熒光體和覆蓋堿土類硅酸鹽熒光體的表面的表面處理層的表面處理熒光體的制造方法。實(shí)施方式的表面處理熒光體的制造方法具有下述的表面處理工序。

(表面處理工序)

在表面處理工序中，通過使堿土類硅酸鹽熒光體與經(jīng)熔融或熱分解的表面處理物質(zhì)接觸，在堿土類硅酸鹽熒光體的表面上形成表面處理層。表面處理物質(zhì)為選自硫酸鹽、磷酸鹽、碳酸鹽、硼酸鹽、硼酸、鈦酸鹽以及氟化物中的至少1種。首先，對本工序中使用的堿土類硅酸鹽熒光體以及表面處理物質(zhì)進(jìn)行說明。

＜堿土類硅酸鹽熒光體＞

本實(shí)施方式中使用的堿土類硅酸鹽熒光體含有堿土類金屬的硅酸鹽。堿土類硅酸鹽熒光體包含作為熒光體的母體晶體的堿土類金屬的硅酸鹽和活化劑等除堿土類金屬的硅酸鹽以外的物質(zhì)。

在堿土類金屬的硅酸鹽中，堿土類金屬例如為選自鍶、鋇以及鈣中的至少1種。

在堿土類金屬的硅酸鹽中，具體而言，例如母體的晶體結(jié)構(gòu)為具有與M₃SiO₅或M₂SiO₄的晶體結(jié)構(gòu)實(shí)質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)的硅酸鹽。其中，M例如為選自Sr、Ba以及Ca中的至少1種堿土類金屬。此外，與M₃SiO₅或M₂SiO₄的晶體結(jié)構(gòu)實(shí)質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)是指，在用X射線衍射法測定堿土類金屬的硅酸鹽時，具有與M₃SiO₅或M₂SiO₄相同的X射線衍射圖案。

作為堿土類硅酸鹽熒光體所含的活化劑，可以列舉例如選自Fe、Mn、Cr、Bi、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm以及Yb中的至少一種元素。

堿土類硅酸鹽熒光體中根據(jù)需要可以含有例如Zn、Ga、Al、Y、Gd以及Tb等金屬元素、F、Cl以及Br等鹵素元素、硫(S)以及磷(P)。這些元素可以含有1種或2種以上。

作為堿土類硅酸鹽熒光體的例子，可以列舉例如具有通式(1)的組成的橙色熒光體、具有通式(2)的組成的橙色熒光體、具有通式(3)的組成的綠色或黃色熒光體或者具有通式(4)的組成的綠色或黃色熒光體等。

(Sr_1－xM_x)_ySiO₅:Eu²⁺ (1)

式(1)中，M為選自Ba以及Ca中的至少1種金屬。另外，式(1)中，0≤x＜1.0，2.6≤y≤3.3。

(Sr_1－xM_x)_ySiO₅:Eu²⁺D (2)

式(2)中，M為選自Ba以及Ca中的至少1種金屬。D為選自F、Cl以及Br中的鹵素陰離子。另外，式(2)中，0≤x＜1.0，2.6≤y≤3.3。

(Sr_1－xM_x)_ySiO₄:Eu²⁺ (3)

式(3)中，M為選自Ba以及Ca中的至少1種金屬，0≤x＜1.0，1.8≤y≤2.2。

(Sr_1－xM_x)_ySiO₄:Eu²⁺D (4)

式(4)中，M為選自Ba以及Ca中的至少1種金屬。D為選自F、Cl以及Br中的鹵素陰離子。另外，式(4)中，0≤x＜1.0，1.8≤y≤2.2。

堿土類硅酸鹽熒光體的折射率通常為1.8～1.9。

堿土類硅酸鹽熒光體的外觀形狀通常為顆粒狀。堿土類硅酸鹽熒光體的平均粒徑為1μm以上，優(yōu)選為5μm以上，更優(yōu)選為8以上且50μm以下。其中，平均粒徑是指中位徑(D₅₀)。平均粒徑是通過激光衍射式粒度分布測定裝置利用激光衍射/散射法求得。另外，平均粒徑也能夠通過SEM等顯微鏡觀察求出。

在堿土類硅酸鹽熒光體中，如果平均粒徑大，則堿土類硅酸鹽熒光體顆粒中的缺陷密度會變小，因此，發(fā)光時的能量損失減少，發(fā)光效率增高。另外，如果堿土類硅酸鹽熒光體的平均粒徑低于1μm，則亮度容易降低，并且容易凝集、均勻覆蓋處理變得困難。因此，如果堿土類硅酸鹽熒光體的平均粒徑在上述范圍內(nèi)，則發(fā)光時的能量損失減少，發(fā)光效率增高，均勻的覆蓋處理變得容易。

但是，如果堿土類硅酸鹽熒光體的平均粒徑過大，則所得到的表面處理熒光體在透光性介質(zhì)中的分散性變差，會對波長轉(zhuǎn)換部件和發(fā)光裝置的特性造成不良影響。因此，在嚴(yán)格要求表面處理熒光體的分散性的情況下，將堿土類硅酸鹽熒光體的平均粒徑的實(shí)用上的上限如上所述設(shè)為50μm即可。

＜表面處理物質(zhì)＞

本實(shí)施方式所使用的表面處理物質(zhì)是形成覆蓋堿土類硅酸鹽熒光體的表面的表面處理層的原料。

本實(shí)施方式所使用的表面處理物質(zhì)是選自硫酸鹽、磷酸鹽、碳酸鹽、硼酸鹽、硼酸、鈦酸鹽以及氟化物中的至少1種。

作為硫酸鹽，可以使用例如硫酸銨(熔點(diǎn)為357℃)、硫酸氫銨(熔點(diǎn)為147℃)、硫酸氫三銨(熔點(diǎn)為186℃)、硫酸氫鈉(315℃時分解)。另外，作為硫酸鹽，也可以使用硫酸鉀(熔點(diǎn)為1067℃)、硫酸鋁(770℃時分解)。這些之中，硫酸銨、硫酸氫銨由于熔點(diǎn)比較低、容易熔融，故而優(yōu)選。

作為磷酸鹽，可以使用例如磷酸銨(155℃時分解)、磷酸一氫銨(熔點(diǎn)為190℃)、磷酸二氫銨(熔點(diǎn)為190℃)、磷酸氫二銨(100℃時分解)、磷酸二氫鉀(熔點(diǎn)為253℃)。這些之中，磷酸銨、磷酸一氫銨由于熔點(diǎn)、分解溫度比較低、容易熔融，故而優(yōu)選。

作為碳酸鹽，可以使用例如碳酸銨(熔點(diǎn)為58℃、熔點(diǎn)時分解)、碳酸氫銨(熔點(diǎn)為106℃時升華、58℃時分解)。另外，作為碳酸鹽，也可以使用碳酸鈉(一水合物的熔點(diǎn)為100℃、十水合物的熔點(diǎn)為34℃)、碳酸氫鈉(熔點(diǎn)為50℃、熔點(diǎn)時分解)、碳酸氫鉀(熔點(diǎn)為100～200℃、熔點(diǎn)時分解)。

如后所述，在碳酸鹽中，作為與堿土類硅酸鹽熒光體的接觸形態(tài)，可以選擇經(jīng)熔融或熱分解的狀態(tài)。在使碳酸鹽熱分解的情況下，在上述碳酸鹽中，優(yōu)選使用碳酸銨、碳酸氫銨。碳酸銨和碳酸氫銨在熱分解時發(fā)生氣化，因此不會殘留殘留物。因此，不需要表面處理工序后的洗滌工序，故而優(yōu)選。

作為硼酸鹽，可以使用例如偏硼酸鈉(NaBO₂)、四硼酸鈉(Na₂B₄O₇)。另外，在本實(shí)施方式中，作為表面處理物質(zhì)，與硼酸鹽同樣，能夠使用硼酸。作為鈦酸鹽，可以使用例如鈦醇鹽、鈦絡(luò)合物。作為氟化物，可以使用例如氟化銨(NH₄F)(100℃以下時分解)、二氟化銨(NH₄HF₂)(熔點(diǎn)為770℃)、氟化鈉(NaF)(熔點(diǎn)為993℃)、氟化鉀(KF)(熔點(diǎn)為860℃)。

這些表面處理物質(zhì)如果熔融，則生成陰離子。另一方面，在經(jīng)熔融的表面處理物質(zhì)接觸的堿土類硅酸鹽熒光體的表面，通常由于與空氣中的水分等反應(yīng)，存在作為鍶、鋇以及鈣等氫氧化物的Sr(OH)₂、Ba(OH)₂、Ca(OH)₂等。因此，如果由熔融的表面處理物質(zhì)生成的陰離子與堿土類硅酸鹽熒光體的表面的堿土類金屬氫氧化物接觸并發(fā)生反應(yīng)，則會在堿土類硅酸鹽熒光體的表面上生成由堿土類金屬鹽構(gòu)成的表面處理層。該堿土類金屬鹽在水中為難溶性的，因此表面處理層成為具有耐水性的層。

對將表面處理物質(zhì)設(shè)為硫酸銨時的表面處理層的生成的機(jī)理進(jìn)行說明。如果硫酸銨熔融，則生成硫酸根離子。然后，在硫酸銨的熔融鹽中，如果該硫酸根離子與作為堿土類硅酸鹽熒光體的表面的堿土類金屬氫氧化物的Sr(OH)₂、Ba(OH)₂、Ca(OH)₂等接觸，則會發(fā)生下述式(5)～(7)的反應(yīng)。其結(jié)果是，在堿土類硅酸鹽熒光體的表面上形成由作為難溶性的硫酸鹽的SrSO₄、BaSO₄、CaSO₄等構(gòu)成的表面處理層。

Sr(OH)₂+SO₄^2－→SrSO₄+2OH^－ (5)

Ba(OH)₂+SO₄^2－→BaSO₄+2OH^－ (6)

Ca(OH)₂+SO₄^2－→CaSO₄+2OH^－ (7)

此外，關(guān)于由上述熔融的硫酸鹽生成難溶性的硫酸鹽的機(jī)理，推測對于作為除硫酸鹽以外的表面處理物質(zhì)的磷酸鹽、碳酸鹽、硼酸鹽、硼酸、鈦酸鹽以及氟化物也同樣適用。

具體而言，如果磷酸鹽、碳酸鹽、硼酸鹽、硼酸、鈦酸鹽以及氟化物熔融，則分別生成磷酸根離子、碳酸根離子、硼酸根離子、鈦酸根離子以及氟化物離子。然后，這些磷酸根離子、碳酸根離子、硼酸根離子、鈦酸根離子以及氟化物離子如果分別與堿土類硅酸鹽熒光體的表面的堿土類金屬氫氧化物接觸，則會形成由難溶性的鹽構(gòu)成的表面處理層。

以作為表面處理物質(zhì)使用碳酸銨的情況為例進(jìn)行說明。熔融的碳酸銨中生成的碳酸根離子如果與作為堿土類硅酸鹽熒光體的表面的堿土類金屬氫氧化物的Sr(OH)₂、Ba(OH)₂、Ca(OH)₂等接觸，則會發(fā)生下述式(8)～(10)的反應(yīng)。其結(jié)果是，在堿土類硅酸鹽熒光體的表面上形成由作為難溶性的碳酸鹽的SrCO₃、BaCO₃、CaCO₃等構(gòu)成的表面處理層。

Sr(OH)₂+CO₃^2－→SrCO₃+2OH^－ (8)

Ba(OH)₂+CO₃^2－→BaCO₃+2OH^－ (9)

Ca(OH)₂+CO₃^2－→CaCO₃+2OH^－ (10)

此外，在上述表面處理物質(zhì)中，碳酸鹽熔融產(chǎn)生碳酸根離子CO₃^2－，而另一方面在50℃到200℃左右的溫度下會熱分解而產(chǎn)生CO₂氣體。因此，如果使用碳酸鹽，則通過調(diào)節(jié)碳酸鹽的加熱狀態(tài)，能夠選擇熔融狀態(tài)和由熱分解產(chǎn)生CO₂氣體的狀態(tài)。

在碳酸鹽由于熱分解產(chǎn)生CO₂氣體的情況下，形成由碳酸鹽構(gòu)成的表面處理層的機(jī)理推測如下。CO₂氣體如果與堿土類硅酸鹽熒光體接觸，則推測通常與存在于堿土類硅酸鹽熒光體的表面的氫氧化物發(fā)生反應(yīng)，形成難溶性的堿土類碳酸鹽。推測該難溶性的堿土類碳酸鹽成為表面處理層。

在本工序中，堿土類硅酸鹽熒光體與表面處理物質(zhì)的接觸是由于使堿土類硅酸鹽熒光體與經(jīng)熔融或熱分解的表面處理物質(zhì)接觸。上述表面處理物質(zhì)中，磷酸鹽、硼酸鹽、硼酸、鈦酸鹽以及氟化物通常以熔融的狀態(tài)與堿土類硅酸鹽熒光體接觸。

另外，上述表面處理物質(zhì)中，碳酸鹽以熔融了的狀態(tài)或熱分解了的狀態(tài)與堿土類硅酸鹽熒光體接觸。熔融了的狀態(tài)或熱分解了的狀態(tài)的選擇能夠通過適當(dāng)調(diào)節(jié)對碳酸鹽施加的溫度來實(shí)現(xiàn)。

在表面處理工序中，如上所述，通過使堿土類硅酸鹽熒光體與經(jīng)熔融或熱分解的表面處理物質(zhì)接觸，能夠在堿土類硅酸鹽熒光體的表面上形成表面處理層。該表面處理工序通常具有多個小工序。以下，對這些小工序進(jìn)行說明。表面處理工序優(yōu)選具有混合工序和加熱工序。

＜混合工序＞

在混合工序中，將堿土類硅酸鹽熒光體和固體狀態(tài)的表面處理物質(zhì)混合。作為堿土類硅酸鹽熒光體與固體狀態(tài)的表面處理物質(zhì)的混合方法沒有特別限定，能夠使用公知的方法。作為混合所使用的容器，可以列舉例如研缽。

＜加熱工序＞

在加熱工序中，將混合工序中得到的混合物加熱，使表面處理物質(zhì)熔融或熱分解。在本工序中，通過堿土類硅酸鹽熒光體與經(jīng)熔融或熱分解的表面處理物質(zhì)的接觸，在堿土類硅酸鹽熒光體的表面上形成具有耐水性的表面處理層。

在本工序中，作為使堿土類硅酸鹽熒光體與經(jīng)熔融或熱分解的表面處理物質(zhì)接觸的容器，可以使用例如氧化鋁制舟皿。本工序中使表面處理物質(zhì)經(jīng)熔融或熱分解的熱處理的溫度例如低于400℃，優(yōu)選為140℃以上且低于400℃、更優(yōu)選為250℃以上且低于350℃。如果表面處理物質(zhì)的熱處理的溫度低于400℃，則由于難以發(fā)生堿土類硅酸鹽熒光體的由于高溫造成的劣化，所以優(yōu)選。本工序中使表面處理物質(zhì)經(jīng)熔融或熱分解的熱處理的時間例如為0.2小時以上且3小時以下，優(yōu)選為0.5小時以上且2小時以下，更優(yōu)選為0.8小時以上且1.5小時以下。

通過加熱工序，在堿土類硅酸鹽熒光體的表面上形成具有耐水性的表面處理層。

此外，構(gòu)成表面處理熒光體的表面處理層的厚度通常為5nm以上且1000nm以下，優(yōu)選為10nm以上且500nm以下，更優(yōu)選為20nm以上且500nm以下，進(jìn)一步優(yōu)選為40nm以上且200nm以下。

如果表面處理層的厚度為5nm以上，則即使在堿土類硅酸鹽熒光體的顆粒的表面存在凹凸，也由大致均勻厚度的表面處理層覆蓋堿土類硅酸鹽熒光體，故而優(yōu)選。另外，如果表面處理層的厚度為1000nm以下，則由于表面處理層中難以產(chǎn)生龜裂，因此表面處理層的剝離被抑制，故而優(yōu)選。

在加熱工序中，在進(jìn)行了加熱處理的容器中，形成表面處理熒光體。但是，有時也會在表面處理熒光體的表面附著多余的表面處理物質(zhì)。為了使表面處理熒光體的表面處理層的材質(zhì)以及厚度適合，適當(dāng)對表面處理熒光體進(jìn)行洗滌，將表面處理層除去。

作為該洗滌工序中的洗滌方法，可以使用例如將附著了多余的表面處理物質(zhì)的表面處理熒光體加熱到表面處理物質(zhì)的沸點(diǎn)或分解溫度以上而進(jìn)行分解除去的方法(分解除去工序)。另外，作為洗滌方法，也可以使用將附著了多余的表面處理物質(zhì)的表面處理熒光體用水或有機(jī)溶劑洗滌而將表面處理物質(zhì)除去的方法(洗滌工序)。

作為洗滌工序中使用的有機(jī)溶劑，可以列舉例如乙醇。此外，即使在作為洗滌工序的洗滌液使用水的情況下，由于在表面上形成了耐濕性優(yōu)異的表面處理層，所以實(shí)質(zhì)上基本不會發(fā)生表面處理熒光體的堿土類硅酸鹽熒光體與水接觸而發(fā)生劣化。

在加熱工序之后，適當(dāng)使經(jīng)過了分解除去工序或洗滌工序的表面處理熒光體適當(dāng)干燥，可以得到實(shí)施方式的表面處理熒光體。此外，在進(jìn)行洗滌工序的情況下，例如對水或有機(jī)溶劑等洗滌液中的表面處理熒光體進(jìn)行抽濾等，就可以從洗滌液分離、回收表面處理熒光體。

以下，參照附圖說明本實(shí)施方式的表面處理熒光體的制造方法的一個例子。圖1是表示本實(shí)施方式的表面處理熒光體的制造方法的一個例子的圖。圖1中為混合工序A、加熱工序B及C、洗滌工序D。

首先，在混合工序A中，在混合容器20中，混合堿土類硅酸鹽熒光體12和固體狀態(tài)的表面處理物質(zhì)23。接著，將堿土類硅酸鹽熒光體12和固體狀態(tài)的表面處理物質(zhì)23的混合粉末轉(zhuǎn)移到加熱容器21。在加熱工序B中，如果加熱加熱容器21，則固體狀態(tài)的表面處理物質(zhì)23熔融而成為熔融狀態(tài)的表面處理物質(zhì)23a。熔融狀態(tài)的表面處理物質(zhì)23a與堿土類硅酸鹽熒光體12的表面發(fā)生反應(yīng)，形成表面處理層13。由此，在加熱工序C中，在熔融狀態(tài)的表面處理物質(zhì)23a中，制作具有堿土類硅酸鹽熒光體12和覆蓋其表面的表面處理層13的表面處理熒光體11。

取出加熱工序C中的表面處理熒光體11，進(jìn)行洗滌，適當(dāng)使其干燥，則可以得到表面處理熒光體11。所得到的表面處理熒光體11在洗滌工序D中，例如收納于保存用容器22。此外，圖1是示意圖，堿土類硅酸鹽熒光體12、表面處理物質(zhì)23以及表面處理熒光體11的形狀不限于圖1。

本實(shí)施方式的表面處理熒光體的制造方法是具有含有堿土類金屬的硅酸鹽的堿土類硅酸鹽熒光體和覆蓋該堿土類硅酸鹽熒光體的表面的表面處理層的表面處理熒光體的制造方法。該制造方法具有表面處理工序。在該表面處理工序中，通過使堿土類硅酸鹽熒光體與經(jīng)熔融或熱分解的表面處理物質(zhì)接觸，在堿土類硅酸鹽熒光體的表面上形成表面處理層。表面處理物質(zhì)是選自硫酸鹽、磷酸鹽、碳酸鹽、硼酸鹽、硼酸、鈦酸鹽以及氟化物中的至少1種。

根據(jù)本實(shí)施方式的表面處理熒光體的制造方法，能夠制造初期的發(fā)光效率高、且長期可靠性高的表面處理熒光體。

具體而言，根據(jù)本實(shí)施方式的表面處理熒光體的制造方法，在形成表面處理層時堿土類硅酸鹽熒光體與水不接觸，因此可以抑制由于與水的接觸產(chǎn)生的堿土類硅酸鹽熒光體的初期劣化。

另外，根據(jù)本實(shí)施方式的表面處理熒光體的制造方法，在堿土類硅酸鹽熒光體與表面處理層的界面難以殘留水，因此能夠長期抑制由水造成的堿土類硅酸鹽熒光體的劣化。

此外，根據(jù)本實(shí)施方式的表面處理熒光體的制造方法，由于僅將堿土類硅酸鹽熒光體和表面處理物質(zhì)混合進(jìn)行加熱，所以能夠以簡易的過程制作防濕覆膜。

另外，根據(jù)本實(shí)施方式的表面處理熒光體的制造方法，能夠降低以往形成防濕覆膜時大量產(chǎn)生的有機(jī)溶劑和水的廢液的量。因此，根據(jù)該表面處理熒光體的制造方法，可以降低對環(huán)境的負(fù)荷，能夠削減處理成本。

另外，根據(jù)本實(shí)施方式的表面處理熒光體的制造方法，由于不需要用于溶解表面處理物質(zhì)的有機(jī)溶劑和水，所以基本沒有由于表面處理熒光體的表面由于有機(jī)溶劑或水帶來的污染而發(fā)生劣化的可能性。因此，根據(jù)該表面處理熒光體的制造方法，能夠長期抑制堿土類硅酸鹽熒光體的劣化。

此外，根據(jù)本實(shí)施方式的表面處理熒光體的制造方法，能夠使表面處理層的折射率在堿土類硅酸鹽熒光體與透光性介質(zhì)的各折射率之間。因此，關(guān)于本實(shí)施方式的表面處理熒光體，與不形成表面處理層時相比，光提取效率升高，能夠得到高的發(fā)光效率。

[表面處理熒光體]

本實(shí)施方式的表面處理熒光體利用上述的表面處理熒光體的制造方法來制造。本實(shí)施方式的表面處理熒光體具有含有堿土類金屬的硅酸鹽的堿土類硅酸鹽熒光體和覆蓋該堿土類硅酸鹽熒光體的表面的表面處理層。

＜堿土類硅酸鹽熒光體＞

關(guān)于構(gòu)成本實(shí)施方式的表面處理熒光體的堿土類硅酸鹽熒光體，與上述的表面處理熒光體的制造方法中說明的熒光體相同，因此省略說明。

＜表面處理層＞

表面處理層是選自Sr、Ba以及Ca中的至少1種堿土類金屬的硫酸鹽、磷酸鹽、碳酸鹽、硼酸鹽、硼酸、鈦酸鹽或氟化物。這些化合物的耐濕性高，因此表面處理熒光體的耐濕性高。

作為堿土類金屬的硫酸鹽，可以列舉例如硫酸鋇(BaSO₄、折射率：約1.64)或硫酸鍶(SrSO₄、折射率：約1.63)。作為堿土類金屬的磷酸鹽，可以列舉例如磷酸鍶(Sr₃(PO₄)₂、折射率：約1.6)。作為堿土類金屬的碳酸鹽，可以列舉例如碳酸鍶(SrCO₃、折射率：約1.5)、碳酸鋇(BaCO₃、折射率：約1.6)。作為堿土類金屬的硼酸鹽，可以列舉例如偏硼酸鋇(BaB₂O₄、折射率：約1.6)。

作為表面處理層的成分的上述物質(zhì)具有耐水性，因此堿土類硅酸鹽熒光體的耐水性提高。另外，包含上述物質(zhì)的表面處理層的折射率比后述的透光性介質(zhì)的折射率大，且在熒光體與透光性介質(zhì)的各折射率之間。這樣如果表面處理層的折射率在熒光體與透光性介質(zhì)的各折射率的中間，則從LED芯片等激發(fā)源放射的激發(fā)光(1次光)在從透光性介質(zhì)射入表面處理熒光體的表面處理層時，能夠抑制反射，故而優(yōu)選。另外，如果表面處理層的折射率在熒光體與透光性介質(zhì)的各折射率的中間，則發(fā)出的光從熒光體向透光性介質(zhì)射出時，能夠抑制反射，故而優(yōu)選。

另外，構(gòu)成表面處理熒光體的表面處理層的厚度通常為5nm以上且1000nm以下，優(yōu)選為10nm以上且500nm以下，更優(yōu)選為20nm以上且500nm以下，進(jìn)一步優(yōu)選為40nm以上且200nm以下。其理由在上述的表面處理熒光體的制造方法中已經(jīng)說明，因此省略說明。

在本實(shí)施方式的表面處理熒光體中，能夠得到高的初期發(fā)光效率和高的長期可靠性。

如果對本實(shí)施方式的表面處理熒光體從LED芯片等激發(fā)源照射激發(fā)光(1次光)，則構(gòu)成表面處理熒光體的核的堿土類硅酸鹽熒光體將激發(fā)光的一部分轉(zhuǎn)換成更長波長的光(2次光)。該2次光透過表面處理層而被放射到表面處理熒光體的外部。

以下，對本公開的表面處理熒光體的具體的制造方法以及特性用下面所示的熒光體試樣為例進(jìn)行說明。此外，本公開不限定于這些試樣例。

[試樣#1]

首先，將銪活化鋇/鍶/正硅酸鹽熒光體((Ba，Sr)₂SiO₄:Eu²⁺、λ_p＝530nm)的粉末5g和碳酸氫銨10g在研缽中混合5分鐘(混合工序)。將所得到的混合粉末轉(zhuǎn)移到氧化鋁制舟皿，用電爐在大氣中在300℃下進(jìn)行1小時加熱處理。加熱處理后，得到在熒光體的表面上具有由碳酸鋇和碳酸鍶構(gòu)成的表面處理層的表面處理熒光體(試樣#1)(加熱工序)。該表面處理熒光體的表面處理層的厚度約為70nm。

[試樣#2]

將分散有試樣#1的表面處理熒光體的粉末5g的乙醇100ml攪拌20分鐘，洗滌試樣#1的表面處理熒光體。洗滌后，使用濾紙將表面處理熒光體和乙醇固液分離。使所得到的表面處理熒光體在150℃下干燥1小時。干燥處理后，得到在(Ba，Sr)₂SiO₄:Eu²⁺熒光體的表面上具有由碳酸鋇和碳酸鍶構(gòu)成的表面處理層的表面處理熒光體(試樣#2)。該表面處理熒光體粉末的表面處理層的厚度為40nm。

[試樣#3]

與試樣#1相同，將(Ba，Sr)₂SiO₄:Eu²⁺熒光體的粉末5g和碳酸銨10g在研缽中混合5分鐘(混合工序)。將所得到的混合粉末轉(zhuǎn)移到氧化鋁制舟皿，用電爐在大氣中在300℃下進(jìn)行1小時加熱處理。加熱處理后，得到在熒光體的表面上具有由碳酸鋇和碳酸鍶構(gòu)成的表面處理層的表面處理熒光體(試樣#3)(加熱工序)。該表面處理熒光體的表面處理層的厚度約為80nm。

在試樣#3中，與試樣#1的不同點(diǎn)在于將表面處理劑從碳酸氫銨變成了碳酸銨。

圖2表示試樣#3的表面處理熒光體的截面的掃描型顯微鏡照片的一個例子。在表面處理熒光體中，在(Ba，Sr)₂SiO₄:Eu²⁺熒光體顆粒的表面上形成有表面處理層。

[試樣#4]

將分散有試樣#3的表面處理熒光體的粉末5g的乙醇100ml攪拌20分鐘，進(jìn)行試樣#3的表面處理熒光體的洗滌。洗滌后，使用濾紙，將表面處理熒光體和乙醇進(jìn)行固液分離。對所得到的表面處理熒光體，再進(jìn)行2次與上述相同的洗滌處理和固液分離處理。即，合計(jì)進(jìn)行3次洗滌處理和固液分離處理。使所得到的表面處理熒光體在150℃下干燥1小時。干燥處理后，得到在(Ba，Sr)₂SiO₄:Eu²⁺熒光體的表面上具有包含碳酸鋇和碳酸鍶的表面處理層的表面處理熒光體(試樣#4)。表面處理熒光體的表面處理層的厚度約為40nm。

[試樣#5]

與試樣#1和試樣#3相同，將(Ba，Sr)₂SiO₄:Eu²⁺熒光體的粉末5g和硫酸銨10g在研缽中混合5分鐘(混合工序)。將所得到的混合粉末轉(zhuǎn)移到氧化鋁制舟皿，用電爐在氮/氫氣流的非氧化氣氛下，以380℃下進(jìn)行1小時加熱處理。加熱處理后，得到在熒光體的表面上具有由硫酸鋇和硫酸鍶構(gòu)成的表面處理層的表面處理熒光體(加熱工序)。

將分散有所得到的表面處理熒光體的粉末5g的水100ml攪拌20分鐘，洗滌表面處理熒光體。洗滌后，使用濾紙將表面處理熒光體和水進(jìn)行固液分離。對所得到的表面處理熒光體，再進(jìn)行2次與上述相同的洗滌處理和固液分離處理。即，合計(jì)進(jìn)行3次洗滌處理和固液分離處理。使所得到的表面處理熒光體在150℃下干燥1小時。干燥處理后，得到在(Ba，Sr)₂SiO₄:Eu²⁺熒光體的表面上具有由硫酸鋇和硫酸鍶構(gòu)成的表面處理層的表面處理熒光體(試樣#5)。表面處理熒光體的表面處理層的厚度約為20nm。

另外，將(Ba，Sr)₂SiO₄:Eu²⁺熒光體(沒有實(shí)施表面處理)作為試樣#6。另外，將(Ba，Sr)₂SiO₄:Eu²⁺熒光體的粉末5g放在氧化鋁制舟皿中的狀態(tài)下，用電爐在大氣中在300℃下進(jìn)行1小時加熱處理得到的熒光體作為試樣#7。

將以上的試樣#1～試樣#7中的試制條件、表面處理層的厚度、初期發(fā)光效率以及耐濕性表示在表1中。

表1

(初期發(fā)光效率)

一般熒光體的發(fā)光效率(lm/W)能夠利用熒光分光光度計(jì)(例如，制品名QE－1100、半月型積分球、大塚電子株式會社制)測定。測定條件設(shè)為：激發(fā)波長為450nm、測定波長范圍為460以上且800nm以下、累計(jì)次數(shù)為30次。試樣#1～5和#7的初期發(fā)光效率的相對值為將試樣#6的發(fā)光效率(lm/W)作為100時的相對值。

由表1可知，具有表面處理層的試樣#1～#5的初期發(fā)光效率與沒有進(jìn)行表面處理的試樣#6的初期發(fā)光效率相比，高1～4％。

(耐濕性)

在耐濕性的評價中，對試樣#1～試樣#5以及試樣#7進(jìn)行以下的吸濕處理后，測定發(fā)光效率。在吸濕處理中，首先將分別分散有試樣#1～#5和試樣#7的各粉末1g的水1L攪拌20分鐘。接著，過濾分散液，使殘?jiān)?50℃下干燥1小時，得到耐濕試驗(yàn)用的試樣。

耐濕試驗(yàn)用的試樣#1～#5和試樣#7的發(fā)光效率的相對值是將試樣#6(沒有進(jìn)行吸濕處理)的發(fā)光效率(lm/W)作為100時的相對值。

由表1可知，具有表面處理層的試樣#1～#5的相對發(fā)光效率比初期低8～11％。另一方面，沒有實(shí)施表面處理的試樣#7的相對發(fā)光效率比初期降低29％。

由以上的結(jié)果可知，具有表面處理層的試樣#1～#5的初期發(fā)光效率和耐濕性比沒有實(shí)施表面處理的試樣#7優(yōu)異。

以上，按照試制的試樣說明了本公開的內(nèi)容，但本公開并不限定于這些記載，能夠進(jìn)行各種變形和改良，這對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的。

表面處理熒光體的發(fā)光需要LED芯片等激發(fā)源。對包含表面處理熒光體的波長轉(zhuǎn)換部件以及將該波長轉(zhuǎn)換部件和激發(fā)源組合的發(fā)光裝置進(jìn)行說明。

[波長轉(zhuǎn)換部件]

本實(shí)施方式的波長轉(zhuǎn)換部件包含透光性介質(zhì)和分散在該透光性介質(zhì)內(nèi)的表面處理熒光體。在波長轉(zhuǎn)換部件中，表面處理熒光體是上述的實(shí)施方式的表面處理熒光體。透光性介質(zhì)的折射率小于表面處理熒光體的表面處理層的折射率。

以下，參照附圖，說明本實(shí)施方式的波長轉(zhuǎn)換部件的具體的構(gòu)成。圖3是表示本公開的實(shí)施方式的表面處理熒光體11以及波長轉(zhuǎn)換部件15的示意圖。

在波長轉(zhuǎn)換部件15中，在透光性介質(zhì)14內(nèi)分散有表面處理熒光體11。表面處理熒光體11具有堿土類硅酸鹽熒光體12和覆蓋堿土類硅酸鹽熒光體12的表面的表面處理層13。圖3中，符號t表示表面處理層13的厚度。

(表面處理熒光體)

表面處理熒光體11與上述的實(shí)施方式的表面處理熒光體相同，因此省略說明。

(透光性介質(zhì))

透光性介質(zhì)14具有透光性。在透光性介質(zhì)14內(nèi)分散表面處理熒光體11。通常使用具有比表面處理熒光體11的表面處理層13的折射率小的折射率的透光性介質(zhì)。如果透光性介質(zhì)的折射率小于表面處理熒光體11的表面處理層13的折射率，則從LED芯片等激發(fā)源放射的激發(fā)光(1次光)射入表面處理熒光體11的表面處理層13時，反射被抑制，因此優(yōu)選。另外，發(fā)出的光從表面處理熒光體11向透光性介質(zhì)14射出時，反射被抑制，因此優(yōu)選。

作為這樣的透光性介質(zhì)14，可以使用例如具有硅氧烷鍵的硅化合物、玻璃、丙烯酸樹脂、通過有機(jī)成分和無機(jī)成分以納米水平或分子水平混合和結(jié)合所形成的有機(jī)/無機(jī)混合材料等。這些透光性介質(zhì)中，具有硅氧烷鍵的硅化合物和玻璃的耐熱性和耐光性優(yōu)異，特別是對藍(lán)色～紫外線等短波長的光的耐久性優(yōu)異。在這些材料中，即使是從LED芯片等激發(fā)源放射的激發(fā)光(1次光)的波長區(qū)域?yàn)樵谒{(lán)色光到紫外光的光，也難以劣化。

作為硅化合物，可以使用例如有機(jī)硅樹脂、有機(jī)硅氧烷的水解縮合物、有機(jī)硅氧烷的縮合物、由公知的聚合方法交聯(lián)的復(fù)合樹脂。公知的聚合方法是指氫硅烷化等加成聚合或自由基聚合等。

作為使表面處理熒光體11分散在透光性介質(zhì)14中的方法，可以使用例如使表面處理熒光體11均勻分散在流動狀態(tài)的透光性介質(zhì)14中后、使流動狀態(tài)的透光性介質(zhì)固化的方法。

波長轉(zhuǎn)換部件15具有使表面處理熒光體11分散在透光性介質(zhì)14內(nèi)的結(jié)構(gòu)。因此，如果從激發(fā)源在波長轉(zhuǎn)換部件15中入射激發(fā)光(1次光)，則激發(fā)光的一部分被轉(zhuǎn)換成更長波長的光(2次光)，2次光經(jīng)由透光性介質(zhì)14被放射到波長轉(zhuǎn)換部件15之外。

實(shí)施方式的波長轉(zhuǎn)換部件15的初期的發(fā)光效率高，且長期可靠性高。

[發(fā)光裝置]

參照圖4到圖6說明作為本實(shí)施方式的發(fā)光裝置的一個例子的半導(dǎo)體發(fā)光裝置100。圖4是半導(dǎo)體發(fā)光裝置100的立體圖。圖5A是圖4中的5A－5A線截面圖，圖5B是圖4中的5B－5B線截面圖。圖6是用于說明半導(dǎo)體發(fā)光裝置100中的密封部件的形成方法的圖。

如圖4所示，半導(dǎo)體發(fā)光裝置100是具有作為激發(fā)源的多個LED120和將從該激發(fā)源放射的光的一部分轉(zhuǎn)換成更長波長的光進(jìn)行放射的表面處理熒光體的發(fā)光裝置。半導(dǎo)體發(fā)光裝置100還具有基板110、包含表面處理熒光體的多個密封部件130。基板110例如具有由陶瓷或熱傳導(dǎo)樹脂等構(gòu)成的絕緣層和由鋁板等構(gòu)成的金屬層的二層結(jié)構(gòu)?；?10整體上為方形的板狀，基板110的寬度方向(X軸方向)的寬度W1為12～30mm，長度方向(Y軸方向)的寬度W2為12～30mm。

如圖5A和圖5B所示，LED120俯視形狀整體上為長方形。作為LED120，可以使用例如峰波長為440nm～500nm的GaN系的LED。在LED120中，例如寬度方向(X軸方向)的寬度W3為0.3～1.0mm，長度方向(Y軸方向)的寬度W4為0.3～1.0mm，厚度(Z軸方向的寬度)為0.08～0.30mm。

在多個LED120的配置中，基板110的長度方向(Y軸方向)和LED120的元件列的排列方向一致。沿基板110的長度方向以直線狀排列的多個LED120構(gòu)成元件列，進(jìn)而多個元件列在基板110的寬度方向(X軸方向)上排列配置。具體而言，例如在25個LED120中，分別5個LED構(gòu)成的元件列排列成5行配置。通過將LED120以直線狀排列，密封LED120的密封部件130也能夠形成直線狀。

如圖5B所示，各元件列分別由長條狀的密封部件130個別地密封。通過1個元件列和密封該元件列的1個密封部件130構(gòu)成1個發(fā)光部101。半導(dǎo)體發(fā)光裝置100具有5個發(fā)光部101。

密封部件130由含有熒光體的透光性的樹脂材料形成。作為樹脂材料，能夠使用例如有機(jī)硅樹脂、氟樹脂、有機(jī)硅/環(huán)氧的混合樹脂、脲醛樹脂等。熒光體能夠?qū)腖ED120放射的光的一部分轉(zhuǎn)換成更長波長的光進(jìn)行放射。包含熒光體的密封部件130是波長轉(zhuǎn)換部件。其中，作為熒光體，能夠使用本實(shí)施方式的表面處理熒光體。此外，作為熒光體，除了本實(shí)施方式的表面處理熒光體之外，還可以使用例如由Eu²⁺、Ce³⁺、Tb³⁺、Mn²⁺的至少任意一種活化的氧化物或酰鹵化物等氧化物系熒光體。另外，作為熒光體，除了本實(shí)施方式的表面處理熒光體之外，還可以使用由Eu²⁺、Ce³⁺、Tb³⁺、Mn²⁺的至少任意一種活化的氮化物、氧氮化物等氮化物系熒光體或者硫化物、氧硫化物等硫化物系熒光體。

以下表示除了本實(shí)施方式的表面處理熒光體之外使用的熒光體的具體例子。作為藍(lán)色熒光體，可以列舉BaMgAl₁₀O₁₇:Eu²⁺、CaMgSi₂O₆:Eu²⁺、Ba₃MgSi₂O₈:Eu²⁺、Sr10(PO₄)₆Cl₂:Eu²⁺等。作為綠藍(lán)或藍(lán)綠色熒光體，可以列舉Sr₄Si₃O₈Cl₄:Eu²⁺、Sr₄Al₁₄O₂₄:Eu²⁺、BaAl₈O₁₃:Eu²⁺、Ba₂SiO₄:Eu²⁺。此外作為綠藍(lán)或藍(lán)綠色熒光體，可以列舉BaZrSi₃O₉:Eu²⁺、Ca₂YZr₂(AlO₄)₃:Ce³⁺、Ca₂YHf₂(AlO₄)₃:Ce³⁺、Ca₂YZr₂(AlO₄)₃:Ce³⁺，Tb³⁺。作為綠色熒光體，可以列舉(Ba，Sr)₂SiO₄:Eu²⁺、Ca₈Mg(SiO₄)₄Cl₂：Eu²⁺、Ca₈Mg(SiO₄)₄Cl₂:Eu²⁺，Mn²⁺。此外作為綠色熒光體，可以列舉BaMgAl₁₀O₁₇:Eu²⁺，Mn²⁺、CeMgAl₁₁O₁₉:Mn²⁺、Y₃Al₂(AlO₄)₃:Ce³⁺、Lu₃Al₂(AlO₄)₃:Ce³⁺。另外，作為綠色熒光體，可以列舉Y₃Ga₂(AlO₄)₃:Ce³⁺、Ca₃Sc₂Si₃O₁₂:Ce³⁺、CaSc₂O₄:Ce³⁺、β－Si₃N₄:Eu²⁺、SrSi₂O₂N₂:Eu²⁺。作為綠色熒光體，可以列舉Ba₃Si₆O₁₂N₂:Eu²⁺、Sr₃Si₁₃Al₃O₂N₂₁:Eu²⁺、YTbSi₄N₆C:Ce³⁺、SrGa₂S₄:Eu²⁺。作為綠色熒光體，可以列舉Ca₂LaZr₂(AlO₄)₃:Ce³⁺、Ca₂TbZr₂(AlO₄)₃:Ce³⁺、Ca₂TbZr₂(AlO₄)₃:Ce³⁺，Pr³⁺。作為綠色熒光體，可以列舉Zn₂SiO₄:Mn²⁺、MgGa₂O₄:Mn²⁺。作為綠色熒光體，可以列舉LaPO₄:Ce³⁺，Tb³⁺、Y₂SiO₄:Ce³⁺，CeMgAl₁₁O₁₉:Tb³⁺、GdMgB₅O₁₀:Ce³⁺，Tb³⁺。作為黃或橙色熒光體，可以列舉(Sr，Ba)₂SiO₄:Eu²⁺、(Y，Gd)₃Al₅O₁₂:Ce³⁺、α－Ca－SiAlON:Eu²⁺。作為黃或橙色熒光體，可以列舉Y₂Si₄N₆C:Ce³⁺、La₃Si₆N₁₁:Ce³⁺、Y₃MgAl(AlO₄)₂(SiO₄):Ce³⁺。作為紅色熒光體，可以列舉Sr₂Si₅N₈:Eu²⁺、CaAlSiN₃:Eu²⁺、SrAlSi₄N₇:Eu²⁺、CaS:Eu²⁺、La₂O₂S:Eu³⁺、Y₃Mg₂(AlO₄)(SiO₄)₂:Ce³⁺。另外，作為紅色熒光體，可以列舉Y₂O₃:Eu³⁺、Y₂O₂S:Eu³⁺、Y(P，V)O₄:Eu³⁺、YVO₄：Eu³⁺。作為紅色熒光體，可以列舉3.5MgO·0.5MgF₂·GeO₂:Mn⁴⁺、K₂SiF₆:Mn⁴⁺、GdMgB₅O₁₀:Ce³⁺，Mn²⁺。

如圖5B所示，密封部件130優(yōu)選為細(xì)長的形狀。具體而言，密封部件130優(yōu)選寬度方向(X軸方向)的寬度W5為0.8～3.0mm，長度方向(Y軸方向)的寬度W6為3.0～40.0mm。另外，優(yōu)選包括D120在內(nèi)的最大厚度(Z軸方向的寬度)T1為0.4～1.5mm，不包括LED120的最大厚度T2為0.2～1.3mm。為了確保密封可靠性，優(yōu)選密封部件130的寬度W5優(yōu)選相對于LED120的寬度W3為2～7倍。

密封部件130的沿著寬度方向的截面的形狀如圖5A所示為半橢圓形。另外，密封部件130的長度方向的兩端部131、132為R形狀。具體而言，兩端部131、132的形狀如圖4所示，俯視時的形狀為半圓形，如圖5B所示，沿長度方向的截面的形狀為具有約90°的中心角的扇形。如果密封部件130的兩端部131、132這樣成為R形狀，則在這兩端部131、132中難以產(chǎn)生應(yīng)力集中，并且容易將LED120的出射光提取到密封部件130的外部。

各LED120正面向上(Face-up)安裝于基板110。經(jīng)由形成于基板110的布線圖案140點(diǎn)燈電路(未圖示)與LED120電連接。布線圖案140具有：一對供電用的區(qū)域(Land)141、142、和在與各LED120對應(yīng)的位置配置的多個焊接(bonding)用的區(qū)域143。

如圖5B所示，LED120例如經(jīng)由金屬線(例如金線)150與區(qū)域143電連接。金屬線150的一個端部151與LED120接合，另一個端部152與區(qū)域143接合。各金屬線150沿元件列的方向配置。各金屬線150與LED120、區(qū)域143一起被密封部件130密封。因此難以劣化。還通過密封部件130而被絕緣。此外，LED120在基板110的安裝方法不限于上述的正面向上安裝，也可以是倒裝芯片安裝(Flip chip)。

在LED120中，如圖4所示，屬于相同元件列的5個LED120串聯(lián)連接，5個元件列并列連接。此外，LED120的連接方式不限定于此，也可以與元件列無關(guān)地任意連接。區(qū)域141、142上連接一對引線(未圖示)，經(jīng)由引線從點(diǎn)燈電路單元對各LED120供給電力。

密封部件130能夠按照以下步驟形成。在直線狀安裝有LED120的基板110上，使用例如分配器160，沿著元件列以線狀涂布樹脂糊劑135。然后，使涂布后的樹脂糊劑135固化，在每個元件列個別地形成密封部件130。

本實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置能夠作為照明光源或液晶顯示器的背光源用、顯示裝置的光源等廣泛利用。

照明光源具有本實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置、對半導(dǎo)體發(fā)光裝置供給電力的點(diǎn)燈電路和作為與照明器具的連接部件的接頭。另外，通過適當(dāng)組合照明器具，也能夠構(gòu)成照明裝置或照明系統(tǒng)。使用本實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的光源的初期的發(fā)光效率高，且長期可靠性高。

在半導(dǎo)體發(fā)光裝置100中，作為激發(fā)源使用LED，但不限于此，在本公開的發(fā)光裝置中，作為激發(fā)源可以從放電裝置、電子槍、固體發(fā)光元件等中適當(dāng)選擇。

示出了半導(dǎo)體發(fā)光裝置100中激發(fā)源被埋設(shè)到包含表面處理熒光體的波長轉(zhuǎn)換部件(密封部件130)中的例子。本公開的發(fā)光裝置中，也可以將激發(fā)源和波長轉(zhuǎn)換部件分開配置。

符號說明

11 表面處理熒光體

12 堿土類硅酸鹽熒光體(銪活化鋇/鍶/正硅酸鹽熒光體顆粒)

13 表面處理層

14 透光性介質(zhì)

15 波長轉(zhuǎn)換部件