1.根據(jù)式I的雙核磷光發(fā)射體:
其特征在于,所述發(fā)射體包括金屬原子M1和M2,熒光發(fā)射體配體LF、LF’,末端配體LT、LT’,和橋連配體LV、LV’,其中
M1和M2各自獨立地選自包括In、Tl、Sn、Pb、Sb和Bi的主族重金屬的組;
LF、LF’各自獨立地選自包括取代或未取代的C6-C70芳族或雜芳族的組;
LV、LV’各自獨立地選自包括氟化或未氟化的、二齒的C2-C30雜烷基或雜芳族的組;
LT、LT’各自獨立地選自包括氟化或未氟化的、單、二或三齒的C2-C30O-、S-、N-雜烷基或雜芳族的組;
n、m各自獨立地為1或2。
2.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)射體,其中,M1和M2各自獨立地選自包括Sb、As和Bi的組,并且n、m=2。
3.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)射體,其中,M1和M2各自獨立地選自包括Pb和Sn的組,并且n、m=1或2。
4.根據(jù)權利要求1或2所述的發(fā)射體,其中,所述發(fā)射體是同核發(fā)射體,M1=M2=Bi。
5.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的發(fā)射體,其中,至少一個金屬原子和配位在所述至少一個金屬原子上的配體LV、LV’、LT、LT’之間的距離大于或等于且小于或等于
6.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的發(fā)射體,其中,LF、LF’中的至少一個選自包括取代或未取代的單、二或三齒的C6-C70N-雜芳族的組。
7.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的發(fā)射體,其中,LF、LF’中的至少一個選自包括取代或未取代的C6-C70 2,2’-聯(lián)吡啶的組。
8.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的發(fā)射體,其中,LF、LF’中的至少一個選自包括取代或未取代的單、二或三齒的、含有至少一個咔唑單元的C6-C70N-雜芳族的組。
9.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的發(fā)射體,其中,LF、LF’中的至少一個選自包括4,7-二(9H-咔唑-9-基)-1,10-菲咯啉、2,6-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶和3,5-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶的組。
10.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的發(fā)射體,其中,LV、LV’中的至少一個選自包括氟化或未氟化的C2-C30O-、S-、N-、雜烷基、雜環(huán)烷基或雜芳族的組。
11.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的發(fā)射體,其中,發(fā)射體對應于下式II:
其中,
R1、R2各自獨立地選自包括氟化或未氟化的C1-C30烷基、環(huán)烷基、芳基、雜烷基、雜環(huán)烷基、雜芳基的組;
E1、E2、E3、E4各自獨立地選自包括O、S、NR的組,其中R=H、D。
12.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的發(fā)射體,其中,配體LV、LV’中的至少一個選自包括氟化或未氟化的脂族或芳族C2-C30羧酸根的組。
13.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的發(fā)射體,其中,配體LV、LV’中的至少一個選自包括C2-C30乙酸根、氟乙酸根、氟苯甲酸根、氟甲基苯甲酸根、氟甲基氟苯甲酸根、二氟甲基-苯甲酸根、二氟甲基-氟苯甲酸根的組。
14.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的發(fā)射體,其中,配體LT、LT’中的至少一個選自包括氟化或未氟化的脂族或芳族C2-C30醇化物、羧酸根、苯甲酸根或乙酰丙酮化物的組。
15.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的發(fā)射體,其中,配體LT、LT’中的至少一個選自包括C2-C30乙酸根、氟乙酸根、氟苯甲酸根、氟甲基苯甲酸根、氟甲基氟苯甲酸根、二氟甲基-苯甲酸根、二氟甲基-氟苯甲酸根的組。
16.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的發(fā)射體,其中,所述配體LV、LV’、LT、LT’中的每一個均選自包括C2-C30乙酸根、氟乙酸根、氟苯甲酸根、氟甲基苯甲酸根、氟甲基氟苯甲酸根、二氟甲基-苯甲酸根、二氟甲基-氟苯甲酸根的組。
17.制備具有在室溫下發(fā)磷光的有機發(fā)射體的有機電層的方法,其特征在于,將根據(jù)權利要求1-16中任一項所述的有機磷光發(fā)射體設置在襯底上的層內(nèi)。
18.有機電層,其根據(jù)權利要求17所述的方法制備。
19.根據(jù)權利要求18中所述的層作為活性層在有機電氣元件中用于將電流轉換為光或將光轉換為電流或將光轉換為另一波長的光的用途。
20.有機半導體元件,其選自包括光電二極管、太陽能電池、有機發(fā)光二極管、發(fā)光電化學池的組,所述有機半導體元件含有根據(jù)權利要求1-16中任一項所述的磷光發(fā)射體。