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用于半導(dǎo)體裝置的粘合劑膜的制作方法

文檔序號:3712810閱讀:133來源:國知局
用于半導(dǎo)體裝置的粘合劑膜的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種用于半導(dǎo)體裝置的粘合劑膜,所述粘合劑膜包括在0℃至5℃下具有50μm/m·℃至150μm/m·℃的線性膨脹系數(shù)的基膜。所述粘合劑膜在低溫儲存較長時間后具有優(yōu)異的卷繞形狀穩(wěn)定性,從而在以后的半導(dǎo)體封裝工藝中不會導(dǎo)致傾斜現(xiàn)象并降低缺陷。
【專利說明】用于半導(dǎo)體裝置的粘合劑膜
[0001] 本申請是申請日為2011年10月9日,申請?zhí)枮?01110303308.X,發(fā)明名稱為"用 于半導(dǎo)體裝置的粘合劑膜"的發(fā)明專利申請的分案申請。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002] 本發(fā)明涉及一種用于半導(dǎo)體裝置的粘合劑膜。更具體地,本發(fā)明涉及一種用于半 導(dǎo)體裝置的粘合劑膜,所述粘合劑膜在低溫下儲存較長時間后穩(wěn)定地保持卷繞形狀。

【背景技術(shù)】
[0003] 通常,已將銀漿用于使半導(dǎo)體裝置粘結(jié)在一起,或者用于將半導(dǎo)體裝置粘結(jié)到支 撐元件上。為了跟上半導(dǎo)體裝置向更小且更高容量的趨勢,用于半導(dǎo)體裝置的支撐元件也 正在變得更小且更精密。
[0004] 已得到廣泛應(yīng)用的銀漿會泄漏或?qū)е掳雽?dǎo)體裝置傾斜。因此,在引線焊接過程中 Ag漿會導(dǎo)致故障、氣泡產(chǎn)生和厚度控制困難。近來,粘結(jié)膜已廣泛用作這種銀漿的替代品。
[0005] 用于半導(dǎo)體組裝的粘合劑膜通常與切片膜組合使用。切片膜在半導(dǎo)體芯片制造的 切片工藝中用于固定半導(dǎo)體晶圓。切片工藝是將半導(dǎo)體晶圓切成單個芯片的工藝,且緊隨 有后續(xù)工藝如延展、拾取和貼裝。
[0006] 切片膜通過將UV固化粘合劑或可固化的粘合劑涂布至具有聚烯烴結(jié)構(gòu)的下層 膜,并對其貼附PET覆蓋膜形成。
[0007] 用于半導(dǎo)體組裝的常用粘合劑膜按如下使用。將粘結(jié)膜貼附至半導(dǎo)體晶圓上,然 后在其上沉積具有以上構(gòu)造的切片膜,略去覆蓋膜,隨后將晶圓切成單個芯片。近來,作為 用于切片芯片焊接的半導(dǎo)體組裝粘合劑,略去PET覆蓋膜的切片膜和將粘結(jié)膜堆疊成單個 膜,且半導(dǎo)體晶圓沉積于其上,隨后將晶圓切成單個芯片。
[0008] 圖1是表示基膜因熱收縮產(chǎn)生的傾斜的透視圖。
[0009] 參照圖1,用于半導(dǎo)體組裝的基膜14或粘結(jié)帶(膜)通常在5°C或更低的溫度下 圍繞卷軸12卷繞,并在使用前于低溫下長期儲存。然而,基膜由于在低溫下因熱損壞而熱 收縮,從而當(dāng)基膜在低溫下儲存較長時間時,在基膜中產(chǎn)生空隙。
[0010] 因此,用于半導(dǎo)體組裝的粘結(jié)帶趨向于在其移動和運行期間按一個方向傾斜。也 就是說,如圖1所示,繞卷軸12卷繞的用于半導(dǎo)體組裝的基膜或粘結(jié)帶14可能從一側(cè)移動 至另一側(cè)(按箭頭方向),使得圓形的晶圓在預(yù)切割型貼裝過程中不能貼附到適當(dāng)位置。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0011] 本發(fā)明的一個方面提供了一種用于半導(dǎo)體裝置的粘合劑膜,所述粘合劑膜在低溫 下長時間儲存期間保持卷繞形式的穩(wěn)定性。
[0012] 所述用于半導(dǎo)體裝置的粘合劑膜包括在0°C至5°C下具有50iim/m*°c至150iim/ m* °C的線性膨脹系數(shù)的基膜。
[0013] 所述基膜在5°C放置120小時后可具有大于0且小于等于0. 1%的熱收縮率。
[0014] 所述基膜可包括以下至少一種:聚烯烴膜,如聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、乙烯/丙 烯共聚物、聚1- 丁烯、乙烯/乙酸乙烯酯共聚物、聚乙烯/苯乙烯丁二烯橡膠混合物;聚 氯乙烯;聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚酰亞胺 (PI)、聚萘二酸乙二醇酯(PEN)、聚酯砜、聚苯乙烯(PS)、聚丙烯酸酯(PAR);和熱塑性彈性 體,如聚氨酯、聚酰胺-多元醇共聚物等。
[0015] 所述用于半導(dǎo)體裝置的粘合劑膜可進一步包括在所述基膜一面上的壓敏粘合劑 層。
[0016] 所述壓敏粘合劑層可包括壓敏粘合粘結(jié)劑、熱固化劑和光引發(fā)劑。
[0017] 具體地,所述壓敏粘合粘結(jié)劑可具有100, 000至1,〇〇〇, 000的重均分子量。
[0018] 所述用于半導(dǎo)體裝置的粘合劑膜可進一步包括依次堆疊在所述壓敏粘合劑層一 面上的粘結(jié)層和保護膜。
[0019] 所述粘合劑膜在5°C放置120小時后可具有大于0且小于等于0.2%的熱收縮率。
[0020] 所述粘結(jié)層可包括丙烯酸樹脂和環(huán)氧樹脂。
[0021] 具體地,所述丙烯酸樹脂可具有-30°c至1(TC的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度,且所述環(huán)氧樹 脂可為雙酚-A環(huán)氧樹脂、線型酚醛環(huán)氧樹脂或甲酚醛環(huán)氧樹脂。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022] 由以下結(jié)合附圖的詳細說明,本發(fā)明的以上和其它方面、特征和優(yōu)點將變得明顯, 其中:
[0023] 圖1是表示基膜因熱收縮產(chǎn)生的傾斜的透視圖;
[0024] 圖2是表示熱收縮率的概念的截面圖;
[0025] 圖3是表示根據(jù)一個示例性實施方式的用于半導(dǎo)體裝置的粘合劑膜的截面圖;
[0026] 圖4是粘合劑膜的區(qū)域圖,表示卷繞形狀穩(wěn)定性的評價方法;
[0027] 圖5是從圖4的箭頭A方向的粘合劑膜的側(cè)視圖;且
[0028] 圖6是從圖4的箭頭B方向看到的粘合劑膜的側(cè)視圖。

【具體實施方式】
[0029] 現(xiàn)將參照附圖詳細說明本發(fā)明的實施方式。
[0030] 本發(fā)明的各方面提供一種用于半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝的基膜和包括該基膜的用于半導(dǎo) 體裝置的粘合劑膜,上述基膜在低溫儲存方面優(yōu)異。該基膜在約〇°C至5°C可具有50ym/m至150iim/m 的線性膨脹系數(shù),優(yōu)選50iim/m 至120iim/m?"€,且更優(yōu)選60iim/ m* °C至100ym/m. °C。此外,上述基膜在5°C放置120小時后可具有大于0且小于等于 〇. 1 %的熱收縮率,優(yōu)選大于〇且小于等于〇. 06%。
[0031] 熱收縮率和線性膨脹系數(shù)在以上范圍內(nèi)時,即使基膜以低張力卷繞,基膜也可具 有優(yōu)異的低溫儲存和用于半導(dǎo)體封裝工藝如擴展工藝的適宜性能。
[0032] 基膜可具有單層結(jié)構(gòu)或至少兩層的多層結(jié)構(gòu)。此外,基膜可由對可見光或UV光等 透明的材料形成?;蛘?,基膜可由不透明的材料形成。
[0033] 上述基膜可根據(jù)其應(yīng)用和條件選擇。例如,基膜可包括以下至少一種:聚烯烴膜, 如聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、乙烯/丙烯共聚物、聚1-丁烯、乙烯/乙酸乙烯酯共聚物、聚 乙烯/苯乙烯丁二烯橡膠混合物、聚氯乙烯膜等、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、 聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚酰亞胺(PI)、聚萘二酸乙二醇酯(PEN)、聚酯砜、聚苯乙烯(PS)、 聚丙烯酸酯(PAR);和熱塑性彈性體,如聚氨酯、聚酰胺-多元醇共聚物等,但不限于此。
[0034] 圖2是表示熱收縮率的概念的截面圖。
[0035]參照圖2,基膜的熱收縮率可定義為基膜卷繞成卷的軸的垂直方向上的收縮率。也 就是說,將沿卷軸102卷繞的基膜104在低溫下放置較長時間后,測定與軸垂直的方向上長 度(d)的變化,從而定義熱收縮率。此外,基膜的線性膨脹系數(shù)可定義為將溫度以5°C/分 鐘從-20°C升至300°C時測定的熱膨脹系數(shù)。
[0036] 圖3是根據(jù)一個示例性實施方式的用于半導(dǎo)體裝置的粘合劑膜的截面圖。在此, "粘合劑膜"是指具有壓敏粘合功能或粘結(jié)功能中至少一種功能的膠帶或膜。
[0037]參照圖3,根據(jù)該實施方式的用于半導(dǎo)體裝置的粘合劑膜110包括基膜112、壓敏 粘合劑層114、粘結(jié)層116和保護膜118。盡管圖3中粘合劑膜110表示為包括粘結(jié)層116 和保護膜118,需要時粘合劑膜110可略去粘結(jié)層116和保護膜118或者只略去粘結(jié)層116。 例如,當(dāng)用作切片膠帶時,粘合劑膜可包括基膜112和壓敏粘合劑層114。
[0038] 具有包括基膜112、壓敏粘合劑層114、粘結(jié)層116和保護層118的四層結(jié)構(gòu)的用 于半導(dǎo)體裝置的粘合劑膜在5°C放置120小時后可具有0至0. 2%之間的熱收縮率,優(yōu)選0 和0. 1 %之間,且更優(yōu)選0和0. 08 %之間。在此范圍內(nèi),即使粘合劑膜以低張力卷繞,粘合劑 膜可呈現(xiàn)出優(yōu)異的低溫儲存和膨脹性能,且不會存在因低溫儲存而產(chǎn)生傾斜現(xiàn)象的缺陷。
[0039] 現(xiàn)將更詳細地說明根據(jù)本實施方式的粘合劑膜的組分和性能。
[0040] (1)基膜
[0041] 構(gòu)成用于半導(dǎo)體裝置的粘合劑膜110的基膜112在約0°C至5°C可具有50ilm/ m? °C至150ym/m? °C的線性膨脹系數(shù),優(yōu)選50ym/m? °C至120ym/m?"€,且更優(yōu)選60ym/ m? °C至100ym/m? °C。此外,該基膜在5°C放置120小時后可具有大于0且小于等于0. 1 % 的熱收縮率,優(yōu)選大于〇且小于等于〇. 06 %。具體地,該基膜適用于背面打磨工藝和切片工 藝。
[0042] 可將多種塑料膜用作背面打磨工藝的基膜。具體地,可延展的熱塑性塑料膜可用 作上述基膜。具有電路圖案的晶圓由于在背面打磨期間受到物理沖擊所產(chǎn)生的裂紋而易受 損或破裂。因此,將可延展的熱塑性塑料膜用作基膜,以通過吸收和釋放沖擊來保護晶圓在 背面打磨工藝中不受沖擊。
[0043] 基膜112不僅是可延展的,而且對UV光還是透明的。具體地,當(dāng)壓敏粘合劑層114 包含UV固化粘合劑組合物時,希望基膜對粘合劑組合物固化所處頻率的UV光呈現(xiàn)出優(yōu)異 的透明性。因此,在此情況下,基膜112不含UV光吸收劑。
[0044] 希望基膜112是化學(xué)穩(wěn)定的。盡管考慮在背面打磨工藝期間的重沖擊而制備基膜 112,基膜112需要具有化學(xué)穩(wěn)定性,因為最終打磨階段使用化學(xué)機械打磨(CMP)漿料進行。 通常,聚合物化合物如聚烯烴是化學(xué)穩(wěn)定的,并可適用于基膜112。然而,也可使用其他材 料。
[0045] 基膜112的實例可包括以下至少一種聚烯烴膜:如聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、乙烯 /丙烯共聚物、聚1- 丁烯、乙烯/乙酸乙烯酯共聚物、聚乙烯/苯乙烯丁二烯橡膠混合物; 聚氯乙烯膜等;聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚酰亞胺 (PI)、聚萘二酸乙二醇酯(PEN)、聚酯砜、聚苯乙烯(PS)、聚丙烯酸酯(PAR);和熱塑性彈性 體,如聚氨酯、聚酰胺-多元醇共聚物等,但不限于此。
[0046] 基膜可通過共混并熔融這些材料的片之后的擠出工藝形成?;蛘?,基膜可通過吹 塑形成。由共混的片的種類決定基膜的耐熱性和機械性能。
[0047] 可對基膜進行表面改性以改善對壓敏粘合劑層114的附著力??赏ㄟ^物理或化學(xué) 方法實現(xiàn)該表面改性。物理方法可包括電暈或等離子體處理,且化學(xué)方法可包括在線涂布 或底漆處理(primertreatment)。
[0048] 考慮到可加工性、UV透過性等,基膜112可具有30iim至300iim的厚度。在此范 圍內(nèi),基膜能在背面打磨工藝中充分釋放物理沖擊。此外,單卷最終膜產(chǎn)品具有適宜的長度 厚度比,以防止頻繁更換卷,從而耗費更少的時間并提供成本方面的優(yōu)勢。為了確?;づc 上面形成有凸起的晶圓不規(guī)則表面充分接觸,基膜112可具有50ym至200ym的厚度。
[0049] (2)壓敏粘合劑層
[0050] 用于半導(dǎo)體裝置的粘合劑膜110可包括基膜112 -面上的壓敏粘合劑層114。壓 敏粘合劑層114可為UV固化壓敏粘合劑層,但不限于此。
[0051]UV輻射前,壓敏粘合劑層通過強粘性堅固地支撐其上的絕緣粘結(jié)層116和晶圓, 從而防止背面打磨工藝期間的偏移或移動產(chǎn)生晶圓損壞,并防止CMP期間化學(xué)材料滲入各 個層之間的界面。
[0052]UV輻射后,壓敏粘合劑層由于交聯(lián)反應(yīng)而具有增大的粘附性和收縮,從而在與絕 緣粘結(jié)層116的界面處附著力顯著降低,由此容易使壓敏粘合劑層114和基膜112與貼裝 到粘結(jié)層116上的晶圓分離。
[0053] 壓敏粘合劑層114可包括UV固化或非UV固化組合物。在普通的背面打磨膠帶中, 非UV固化組合物在UV輻射前具有較低的粘合強度,使得非UV固化組合物的壓敏粘合劑層 即使未經(jīng)UV輻射,也能容易用卷型粘合劑膜從壓敏粘合劑層和晶圓之間的界面處剝離。
[0054] 然而,對于晶圓級堆疊組裝(wafer-levelstackpackage,WSP)膜,在光固化壓敏 粘合劑層114和粘結(jié)層116之間的有機界面處必須實現(xiàn)剝離。在此情況下,用卷型粘合劑 膜基本不能使非UV固化組合物的壓敏粘合劑層剝離。因此,希望壓敏粘合劑層可由UV固 化組合物形成。
[0055] 因此,為了用于WSP膜,光固化壓敏粘合劑層114可由粘結(jié)劑的側(cè)鏈上導(dǎo)入UV可 固化的碳-碳雙鍵的組合物代替混合組合物形成。這種通過向粘合劑樹脂側(cè)鏈導(dǎo)入碳-碳 雙鍵的低分子量材料表現(xiàn)為單分子的組合物被稱作包覆型粘合劑組合物。
[0056] 包覆型粘合粘結(jié)劑可具有100, 000至1,000, 000的分子量,并可通過聚氨酯反應(yīng) 向共聚的粘結(jié)劑側(cè)鏈添加具有C-C雙鍵的低分子量化合物制備,其中具有異氰酸酯端基的 低分子量化合物用作該具有C-C雙鍵的低分子量化合物。
[0057]UV固化粘合劑組合物可通過將粘合粘結(jié)劑與熱固化劑、光引發(fā)劑等混合來制備。 對于該粘合劑組合物,可使用任何熱固化劑,只要它能通過導(dǎo)入粘合粘結(jié)劑側(cè)鏈的官能團 反應(yīng)而固化。
[0058] 如果提供至側(cè)鏈的官能團為羧基,可使用環(huán)氧固化劑。如果提供至側(cè)鏈的官能團 為羥基,可使用異氰酸酯固化劑。此外,可使用三聚氰胺固化劑,或可使用環(huán)氧固化劑、異氰 酸酯固化劑和三聚氰胺固化劑中至少兩種的混合物。
[0059] 對于上述粘合劑組合物,可使用任何光引發(fā)劑,如酮和苯乙酮光引發(fā)劑,只要它在 UV輻射下能在分子鍵斷裂時產(chǎn)生自由基。當(dāng)對粘合劑組合物加入光引發(fā)劑時,粘合粘結(jié)劑 的側(cè)鏈C-C雙鍵與自由基進行交聯(lián)反應(yīng),且壓敏粘合劑層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度升高,從而降 低壓敏粘合劑層的粘性。當(dāng)壓敏粘合劑層失去粘性時,壓敏粘合劑層可用較低力與絕緣粘 結(jié)層116分尚。
[0060] 壓敏粘合劑層114可通過直接涂覆或轉(zhuǎn)移涂覆形成在基膜112上。在轉(zhuǎn)移涂覆中, 將壓敏粘合劑層114在剝離膜上沉積并干燥,然后轉(zhuǎn)移至基膜112。壓敏粘合劑層114可通 過形成層的任何涂覆方法形成,如棒涂、凹版印刷、逗號印刷、反向-輥涂、涂料器涂覆、噴 涂等。
[0061] ⑶粘結(jié)層
[0062] 用于半導(dǎo)體裝置的粘合劑膜110可進一步包括粘結(jié)層116。也就是說,粘結(jié)層116 可省去,或堆疊在沉積于基膜112上的壓敏粘合劑層114上。
[0063] 粘結(jié)層116是與晶圓表面直接接觸的層。在WSP膜中,晶圓表面因上面形成有凸 起等非常不規(guī)則,但希望粘結(jié)層堆疊在晶圓表面上而沒有空隙,然后通過芯片貼裝使芯片 的上下兩面緊密粘結(jié)。
[0064] 也就是說,因為粘結(jié)層116用作最終粘結(jié)芯片上下兩面的粘合劑,希望粘結(jié)層具 有滿足半導(dǎo)體封裝級別的可靠性和用于封裝的可加工性。即,理想的是晶圓的不規(guī)則表面 被粘結(jié)層填充,而不會在貼裝工藝期間出現(xiàn)空隙,從而防止切片工藝期間碎片或破裂出現(xiàn) 以及因芯片貼裝工藝后膨脹而產(chǎn)生可靠性變差。在60°C下將粘結(jié)層116貼附至上面具有凸 起的晶圓表面,在該表面上形成了電路圖案。
[0065] 對粘結(jié)層116組成沒有特別限制,但可由例如具有成膜性的高分子量丙烯酸樹脂 和作為固化劑的環(huán)氧樹脂的混合物形成。由于粘結(jié)層116為膜型粘合劑,可將具有優(yōu)異成 膜性的丙烯酸樹脂用作除呈現(xiàn)出粘附性的固化部分以外的熱塑性樹脂。
[0066] 此外,環(huán)氧樹脂沒有特別限制,只要它在固化時呈現(xiàn)出粘附性,但為了進行固化反 應(yīng)可具有至少兩個官能團。因此,可使用雙酚-A環(huán)氧樹脂、酚醛環(huán)氧樹脂和甲酚醛環(huán)氧樹 脂中的至少一種。
[0067] 可將固化促進劑用作固化環(huán)氧樹脂的固化劑,其實例可包括咪唑、胺或酚類固化 促進劑,但不限于此。
[0068] 如上所述,粘結(jié)層116可由作為粘結(jié)劑的丙烯酸樹脂、作為固化部分的環(huán)氧樹脂 和能與它們反應(yīng)的固化促進劑形成,其中基于100重量份的除該丙烯酸粘結(jié)劑以外的粘結(jié) 層116的剩余組分,該丙烯酸樹脂含量可為60至150重量份,并具有-30°c至10°C的玻璃 化轉(zhuǎn)變溫度。
[0069] 當(dāng)丙烯酸樹脂的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為-30°C至10°C時,丙烯酸樹脂可具有足以在 60°C的貼裝溫度下用該丙烯酸樹脂填充具有凸起的不規(guī)則表面的流動性。此外,當(dāng)該粘結(jié) 劑不僅具有_30°C至10°C的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度,而且基于100重量份的除該丙烯酸粘結(jié)劑以 外的粘結(jié)層116的剩余組分,該粘結(jié)劑含量為60重量份或更高時,由于粘結(jié)劑的絕對量充 足,因而能得到優(yōu)異的成膜性,并能有利于卷繞成卷狀。此外,當(dāng)丙烯酸粘結(jié)劑含量少于150 重量份時,在l〇〇°C或更高溫度下可獲得充足的流動性,從而能實現(xiàn)芯片粘結(jié)而不產(chǎn)生氣 泡。
[0070] 此外,可添加無機顆粒,如二氧化硅來改善粘結(jié)層116的尺寸穩(wěn)定性和耐熱性。具 體地,與晶圓表面接觸的粘結(jié)層116可包括各種硅烷偶聯(lián)劑中的至少一種以增強對晶圓的 附著力。
[0071] 可使用任何涂覆方法形成粘結(jié)層116,只要它能形成均勻的粘結(jié)層。粘結(jié)層116可 具有2ym至30ym的涂層厚度。當(dāng)其厚度為2ym或更大時,粘結(jié)層在芯片上下面之間提 供適宜的附著力。當(dāng)其厚度為30 或更小時,粘結(jié)層在趨光、薄而小的半導(dǎo)體組裝方面有 優(yōu)勢。
[0072] (4)保護膜
[0073] 用于半導(dǎo)體裝置的粘合劑膜110可包括基膜112、壓敏粘合劑層114、粘結(jié)層116 和貼附到粘結(jié)層116上的保護膜118。
[0074] 任何膜均可用作保護膜118,只要它能保護絕緣粘結(jié)層116不受外來材料或外部 沖擊的影響。例如,用作涂覆絕緣粘結(jié)層116的運行膜(runningfilm)的膜可用作保護膜。 因為半導(dǎo)體封裝工藝在去除最外部的保護膜后進行,因此可使用可剝離的膜。
[0075] 保護膜118可為例如聚對苯二甲酸乙二醇酯膜。為了提供脫模性能,保護膜118 可用聚二甲基硅氧烷脫模劑、含氟脫模劑等進行表面改性。
[0076] 以下,將說明制備壓敏粘合劑層和粘結(jié)層的組合物的方法。
[0077] 壓敏粘合劑層的組合物的制備
[0078] 向一側(cè)裝有回流冷凝器、另一側(cè)裝有溫度計且第三側(cè)裝有滴液漏斗的20L四口燒 瓶加入作為有機溶劑的2. 4kg乙酸乙酯和1. 2kg甲苯。
[0079] 將該溶液加熱至60°C,用510g甲基丙烯酸甲酯、540g丙烯酸丁酯單體、2. 85kg丙 烯酸-2-乙基己酯、1. 8kg甲基丙烯酸-2-羥乙酯、300g丙烯酸和39g過氧化苯甲酰制備混 合溶液,在60至70°C下3小時內(nèi)用滴液漏斗滴加至該燒瓶中。此時,在以250rpm攪拌的同 時,滴加該溶液。
[0080] 完成滴加后,在相同溫度下使反應(yīng)物老化3小時,然后向該反應(yīng)物加入600g乙酸 甲氧基丙酯和2g偶氮二異丁腈,并放置4小時,隨后測定粘度和固含量并終止反應(yīng)。聚合 后的產(chǎn)物具有10, 〇〇〇至15,OOOcps的粘度和40%的固含量。
[0081] 然后,向制得的丙烯酸粘合粘結(jié)劑加入450g甲基丙烯酸縮水甘油醚酯,并在50°C 下反應(yīng)1小時以制得包覆型粘合粘結(jié)劑。將l〇〇g制得的粘合粘結(jié)劑與2g芳族聚異氰酸酯 熱固化劑(AK-75,AekyungChemical有限公司)和lg1-輕基環(huán)己基-苯基酮光引發(fā)劑 IC-184 (Ciba-Geigy有限公司),從而制備固化粘合劑組合。
[0082] 粘結(jié)層組合物的制備
[0083] 混合30g具有350, 000的重均分子量和12°C的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的丙烯酸樹脂 (SG-80H,NagaseChemTechCo.,Ltd.)、4. 5g具有10, 000或更小分子量的甲酚醛環(huán)氧樹 脂(YDCN-500-90P,KukdoChemicalCo.,Ltd.)、4. 5kg二甲酚固化劑(MEH7800C,Meiwa PlasticIndustriesCo.,Ltd.)、10g咪唑固化促進劑(2P4MZ,SikokuChemical Co.,Ltd.)、lOOg氨基硅烷偶聯(lián)劑(KBM-573,ShinEstuChemicalCo.,Ltd.)和 1. 5g圓形 二氧化娃填料(PLV-6XS,Tatsumori),并以700rpm進行初次分散2小時,隨后碾磨,從而制 備粘結(jié)組合物。
[0084] 實施例和對比例
[0085] 實施例1
[0086] 用試驗涂覆系統(tǒng)(pilotcoatingsystem)將制備例的光固化粘合劑組合物沉積 在 38iimPET剝離膜(SRD-T38,SaehanMediaCo.,Ltd.)的一面上。然后,在 80°C下將產(chǎn) 物堆疊在100um聚烯烴膜上,該聚烯烴膜在5°C下具有0. 06 %熱收縮率且在0°C至5°C下 具有101ym/m* °C的線性膨脹系數(shù)(C.T.E),并在40°C的干燥室內(nèi)老化3天,從而制備光 固化壓敏粘合劑層。
[0087]相似的,用試驗涂覆系統(tǒng)將制備例的粘結(jié)組合物沉積在38iimPET剝離膜 (SRD-T38,SaehanMediaCo.,Ltd.)的一面上至20iim的厚度,然后在80°C下干燥2分鐘。 然后,在80°C下將產(chǎn)物堆疊在38iimPET(SRD-T38,SaehanMediaCo.,Ltd.)上,并在25°C 的室溫下老化3天,從而制備絕緣粘結(jié)層。從粘合劑膜的一面上去除剝離膜后,通過預(yù)切 割將粘合劑膜以晶圓形狀堆疊在具有光固化壓敏粘合劑層的粘合劑膜上。
[0088] 實施例2
[0089] 以與實施例1相同的方式制備粘合劑膜,不同之處在于使用在5°C下具有0. 02% 熱收縮率且在〇°C至5°C下具有eoym/m* °C的線性膨脹系數(shù)(C.T.E)的lOOym聚烯烴膜 作為基膜。
[0090] 對比例1
[0091]以與實施例1相同的方式制備粘合劑膜,不同之處在于使用在5°C下具有0.3%熱 收縮率且在〇°C至5°C下具有168i!m/m? °C的線性膨脹系數(shù)(C.T.E)的100i!m聚烯烴膜作 為基膜。
[0092] 對比例2
[0093] 以與實施例1相同的方式制備粘合劑膜,不同之處在于使用在5°C下具有0. 15% 熱收縮率且在0至5°C下具有98i!m/m? °C的線性膨脹系數(shù)(C.T.E)的100i!m聚烯烴膜作 為基膜。
[0094] 表1示出了實施例和對比例中制備的用于半導(dǎo)體裝置的粘合劑膜的卷繞形狀穩(wěn) 定性。如表1所示,使用了在5°C下放置120小時后具有大于0且小于等于0. 1 %熱收縮率 且在0至5°C下具有50iim/m? °C至150iim/m? °C的線性膨脹系數(shù)的基膜的粘合劑膜具有 優(yōu)異的卷繞形狀穩(wěn)定性。詳細地,當(dāng)使用在5°C下放置120小時后具有大于0且小于等于 〇. 06%熱收縮率且在0至5°C下具有60至100ym/m? °C的線性膨脹系數(shù)的基膜時,粘合劑 膜具有優(yōu)異的卷繞形狀穩(wěn)定性。
[0095] 具有優(yōu)異的卷繞穩(wěn)定性時,粘合劑膜在移動和運行期間不會朝一個方向傾斜,從 而當(dāng)固定預(yù)切型時,晶圓以合適的位置貼附,并且可以降低半導(dǎo)體組裝工藝中的缺陷率。[0096] 此外,在具有四層結(jié)構(gòu)的基膜的用于半導(dǎo)體裝置的粘合劑膜中,實施例1和2中的 在5°C下放置120小時后具有大于0且小于等于0. 2%熱收縮率的粘合劑膜具有優(yōu)異的卷 繞形狀穩(wěn)定性。
[0097]表1
[0098]

【權(quán)利要求】
1. 一種用于半導(dǎo)體裝置的粘合劑膜,包括: 基膜,所述基膜在〇°C至5°C下具有50μπι/πι· °C至150μπι/πι· °C的線性膨脹系數(shù),并 且在5°C下放置120小時后具有大于0且小于等于0. 1 %的熱收縮率, 在所述基膜一面上的壓敏粘合劑層;以及 依次堆疊在所述壓敏粘合劑層一面上的粘結(jié)層和保護膜。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的粘合劑膜,其中所述基膜包括以下至少一種:聚烯烴膜,包括 聚乙烯、聚丙烯、乙烯/丙烯共聚物、聚1- 丁烯、乙烯/乙酸乙烯酯共聚物、聚乙烯/苯乙烯 丁二烯橡膠混合物;聚氯乙烯;聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚 酰亞胺、聚萘二酸乙二醇酯、聚酯砜、聚苯乙烯、聚丙烯酸酯;和熱塑性彈性體,包括聚氨酯 和聚酰胺-多元醇共聚物。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的粘合劑膜,其中所述壓敏粘合劑層包括壓敏粘合粘結(jié)劑、熱 固化劑和光引發(fā)劑。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的粘合劑膜,其中所述壓敏粘合粘結(jié)劑具有100, 000至 1,000, 000的重均分子量。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的粘合劑膜,其中所述粘合劑膜在5°C下放置120小時后具有 大于0且小于等于0. 2%的熱收縮率。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的粘合劑膜,其中所述粘結(jié)層包括丙烯酸樹脂和環(huán)氧樹脂。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的粘合劑膜,其中所述丙烯酸樹脂具有-30°C至10°C的玻璃化 轉(zhuǎn)變溫度,且所述環(huán)氧樹脂為雙酚-A環(huán)氧樹脂、線型酚醛環(huán)氧樹脂或甲酚醛環(huán)氧樹脂。
【文檔編號】C09J7/02GK104263266SQ201410415678
【公開日】2015年1月7日 申請日期:2011年10月9日 優(yōu)先權(quán)日:2010年12月6日
【發(fā)明者】魚東善, 宋珪錫, 黃珉珪, 宋基態(tài), 徐大虎 申請人:第一毛織株式會社
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