密封樹脂片、電子部件封裝體的制造方法及電子部件封裝體的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供利用樹脂密封后的磨削而得到清潔且平滑、平坦的磨削面的密封樹脂片及使用其的電子部件封裝體的制造方法、以及利用該制造方法得到的電子部件封裝體。本發(fā)明的密封樹脂片，其在180℃熱固化處理1小時后在磨削刀具的圓周速度1000m/min、進給螺距100μm、切削深度10μm的條件下磨削時磨削面的平均表面粗糙度Ra為1μm以下，經(jīng)過上述熱固化處理后的該密封樹脂片在100℃的肖氏硬度D為70以上。
【專利說明】密封樹脂片、電子部件封裝體的制造方法及電子部件封裝體【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及密封樹脂片、電子部件封裝體的制造方法及電子部件封裝體。
【背景技術】
[0002]近年來，電子設備的小型化、輕量化、高功能化的要求不斷提高，相應地，構成電子設備的封裝體也要求小型化、薄型化、高密度安裝。
[0003]在電子部件封裝體的制作中采用具代表性的以下步驟:將固定于基板、臨時固定材等的電子部件用密封樹脂進行密封，并根據(jù)需要將密封物切割成電子部件單位的封裝體。在這樣的過程中，為了滿足上述要求，提出了在樹脂密封后對密封物進行磨削(背磨)來實現(xiàn)薄型化的技術(例如專利文獻1、2等)。在倒裝片BGA(Ball Grid Array)、倒裝片SiP、扇入(fan-1n)型晶片級封裝體、扇出(fan-out)型晶片級封裝體等薄型半導體封裝體的制造工序中，利用上述磨削的薄型化也成為重要的要素。
[0004]現(xiàn)有技術文獻
[0005]專利文獻
[0006]專利文獻1:日本專利第3420748號
[0007]專利文獻2:日本專利第3666576號

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]但是，在密封物的磨削時，有時利用磨石等磨削部件打磨密封樹脂而生成絲狀的磨削屑、或者因磨削屑在半導體芯片、凸塊面上的附著等而導致磨削面的品質劣化、產(chǎn)生對磨削部件的損壞等。此外，不僅要求進行磨削，還要求磨削面的平滑化、平坦化。這是由于，磨削面的凹凸過大時，難以進行電子部件的精密安裝，或者在后續(xù)工序的熱處理時因該凹凸而產(chǎn)生密封體的裂紋等。在專利文獻I及2中并未認識到由上述的磨削所致的不良情況、平滑化、平坦化，因此期望具體的解決方案。
[0009]本發(fā)明的目的在于，提供利用樹脂密封后的磨削而得到清潔且平滑、平坦的磨削面的密封樹脂片及使用其的電子部件封裝體的制造方法、以及利用該制造方法得到的電子部件封裝體。
[0010]本發(fā)明人等進行了深入研究，結果發(fā)現(xiàn)通過采用特定的密封樹脂片能夠解決上述問題，由此完成本發(fā)明。
[0011]即，本發(fā)明的密封樹脂片，其在180°C熱固化處理I小時后在磨削刀具的圓周速度1000m/min、進給螺距100 μ m、切削深度10 μ m的條件下磨削時磨削面的平均表面粗糙度Ra為I μ m以下，
[0012]經(jīng)上述熱固化處理后的該密封樹脂片在100°C的肖氏硬度D為70以上。
[0013]該密封樹脂片在上述熱固化處理后在規(guī)定條件下磨削時的平均表面粗糙度Ra為I μ m以下，因此在使用該密封樹脂片密封電子部件后對所得的密封體進行磨削時可以得到平滑且平坦的磨削面。由此，能夠進行小型化得以進展的電子部件的精密安裝，同時能夠防止磨削物的熱處理時等的裂紋的產(chǎn)生。在上述平均表面粗糙度Ra超過I μ m時，磨削面的凹凸變得過大，在形成于電子部件表面的電極、在后工序形成的電極等中產(chǎn)生高低差，基板與電極等的密合性降低，無法達成精密安裝，此外，在磨削物的熱處理時等容易產(chǎn)生裂紋，使得電子部件封裝體的可靠性降低。
[0014]此外，由于經(jīng)上述熱固化處理后的該密封樹脂片在100°C的肖氏硬度D為70以上，因此，即使當在對密封樹脂片的固化物進行磨削的期間利用摩擦等對磨削面進行加熱的情況下，磨削屑也不過是具有某種程度的硬度的極微細的小片狀或粉狀，可以容易地從磨削面去除，由此可以得到清潔的磨削面。在熱固化處理后的肖氏硬度D小于70時，構成樹脂呈軟性，通過被磨削部件進行打磨而產(chǎn)生絲狀的磨削屑，該磨削屑附著于電子部件的磨削面、磨削部件，引起未預期到的污染。
[0015]另外，熱固化處理條件、磨削條件及平均表面粗糙度Ra的測定條件各自的詳細情況將記載于實施例中。
[0016]經(jīng)上述熱固化處理后的該密封樹脂片在25°C的肖氏硬度D優(yōu)選為70以上。由此，即使在磨削的開始初期也能保持磨削屑的硬度，在從磨削工序的開始到結束均容易去除磨削屑，可以得到清潔的磨削面。
[0017]經(jīng)上述熱固化處理后的該密封樹脂片在25°C的拉伸儲藏彈性模量優(yōu)選為IGPa以上。由此，在磨削的開始初期，因密封體的彈性使從磨削部件施加于密封體的應力被分散，可以抑制其成為偏頗的磨削 狀態(tài)，可以有效地實現(xiàn)磨削面的平坦化。
[0018]經(jīng)上述熱固化處理后的該密封樹脂片在100°C的拉伸儲藏彈性模量優(yōu)選為0.5GPa以上。由此，即使在利用磨削使磨削面處于加熱狀態(tài)的情況下，因密封體的彈性使從磨削部件施加于密封體的應力被分散，可以抑制其成為偏頗的磨削狀態(tài)，從磨削開始到結束均可有效地實現(xiàn)磨削面的平坦化。
[0019]經(jīng)上述熱固化處理后的該密封樹脂片的玻璃化轉變溫度優(yōu)選為100°C以上。通過使該密封樹脂片具有上述構成，從而可以抑制磨削工序中密封樹脂片的軟化，可以得到高品質的磨削面。
[0020]本發(fā)明還包括一種電子部件封裝體的制造方法，其包括:
[0021]密封工序，將電子部件用該密封樹脂片進行密封；
[0022]密封體形成工序，使上述密封樹脂片熱固化而形成密封體；以及
[0023]磨削工序，對上述密封體的表面進行磨削以使上述密封體的磨削后的密封樹脂片的磨削面的平均表面粗糙度Ra為I μ m以下，形成磨削體。
[0024]根據(jù)本發(fā)明的制造方法，由于對使用該密封樹脂片而得的密封體的表面進行磨削以使磨削后的平均表面粗糙度Ra為I μ m以下，因此可以有效地制造具有平滑且平坦、清潔的磨削面的電子部件封裝體。
[0025]該制造方法還可以包括對上述磨削體進行切割而形成電子組件的切割工序。
[0026]該制造方法中，上述電子部件可以是半導體芯片，也可以是半導體晶片。在任一情況下均可有效地制造具有平滑且平坦、清潔的磨削面的電子部件封裝體。
[0027]本發(fā)明還包括利用該電子部件封裝體的制造方法而獲得的將一種或多種電子部件進行樹脂密封而成的密封體、經(jīng)過電子部件的樹脂密封、磨削及切割而成的電子部件組件等的電子部件封裝體。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0028]圖1是示意性表示本發(fā)明的一個實施方式的密封樹脂片的剖面圖。
[0029]圖2A是示意性表示本發(fā)明的一個實施方式的電子部件封裝體的制造方法的一個工序的剖面圖。
[0030]圖2B是示意性表示本發(fā)明的一個實施方式的電子部件封裝體的制造方法的一個工序的剖面圖。 [0031]圖2C是示意性表示本發(fā)明的一個實施方式的電子部件封裝體的制造方法的一個工序的剖面圖。
[0032]圖2D是示意性表示本發(fā)明的一個實施方式的電子部件封裝體的制造方法的一個工序的剖面圖。
[0033]圖2E是示意性表示本發(fā)明的一個實施方式的電子部件封裝體的制造方法的一個工序的剖面圖。
[0034]圖3A是示意性表示本發(fā)明的另一實施方式的電子部件封裝體的制造方法的一個工序的剖面圖。
[0035]圖3B是示意性表示本發(fā)明的另一實施方式的電子部件封裝體的制造方法的一個工序的剖面圖。
[0036]圖3C是示意性表示本發(fā)明的另一實施方式的電子部件封裝體的制造方法的一個工序的剖面圖。
[0037]圖3D是示意性表示本發(fā)明的另一實施方式的電子部件封裝體的制造方法的一個工序的剖面圖。
[0038]圖3E是示意性表示本發(fā)明的另一實施方式的電子部件封裝體的制造方法的一個工序的剖面圖。
[0039]圖4A是示意性表示本發(fā)明的又一實施方式的電子部件封裝體的制造方法的一個工序的剖面圖。
[0040]圖4B是示意性表示本發(fā)明的又一實施方式的電子部件封裝體的制造方法的一個工序的剖面圖。
[0041]圖4C是示意性表示本發(fā)明的又一實施方式的電子部件封裝體的制造方法的一個工序的剖面圖。
[0042]圖4D是示意性表示本發(fā)明的又一實施方式的電子部件封裝體的制造方法的一個工序的剖面圖。
[0043]圖4E是示意性表示本發(fā)明的又一實施方式的電子部件封裝體的制造方法的一個工序的剖面圖。
[0044]圖4F是示意性表示本發(fā)明的又一實施方式的電子部件封裝體的制造方法的一個工序的剖面圖。
[0045]圖4G是示意性表示本發(fā)明的又一實施方式的電子部件封裝體的制造方法的一個工序的剖面圖。【具體實施方式】
[0046]<第I實施方式>
[0047][密封樹脂片]
[0048]參照圖1對本實施方式的密封樹脂片進行說明。圖1是示意性表示本發(fā)明的一個實施方式的密封樹脂片的剖面圖。密封樹脂片11以具代表性的層疊于聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜等支撐體Ila上的狀態(tài) 來提供。另外，為了容易進行密封樹脂片11的剝離，可以對支撐體Ila實施脫模處理。
[0049]上述密封樹脂片11在180°C熱固化處理I小時后在磨削刀具的圓周速度1000m/min、進給螺距ΙΟΟμπκ切削深度10 μ m的條件下磨削時的磨削面的平均表面粗糙度Ra為I μ m以下，且經(jīng)上述熱固化處理后的該密封樹脂片11在100°C的肖氏硬度D為70以上。上述磨削表面的平均表面粗糙度Ra優(yōu)選為0.5 μ m以下，更優(yōu)選為0.3 μ m以下。上述磨削表面的平均表面粗糙度Ra的下限沒有特別的限定，但是從確保與布線層的密合性的觀點出發(fā)，優(yōu)選為0.005 μ m以上，更優(yōu)選為0.01 μ m以上。此外，經(jīng)上述熱固化處理后的該密封樹脂片11在100°C的肖氏硬度D優(yōu)選為75以上，更優(yōu)選為80以上。經(jīng)上述熱固化處理后的該密封樹脂片11在100°C的肖氏硬度D的上限沒有特別的限定，但是從降低密封樹脂片的翹曲的觀點出發(fā)，優(yōu)選為120以下，更優(yōu)選為90以下。
[0050]該密封樹脂片在熱固化處理后在規(guī)定條件下磨削時平均表面粗糙度Ra為I μ m以下，因此在使用該密封樹脂片密封電子部件后對所得的密封體進行磨削時可以得到平滑且平坦的磨削面。由此，能夠進行小型化得以進展的電子部件的精密安裝，同時能夠防止磨削物的熱處理時等的裂紋的產(chǎn)生。在上述平均表面粗糙度Ra超過I μ m時，磨削面的凹凸變得過大，在形成于電子部件的表面的電極、在后工序形成的電極等中產(chǎn)生高低差，基板與電極等的密合性降低，無法達成精密安裝，此外，在磨削物的熱處理時等容易產(chǎn)生裂紋，使得電子部件封裝體的可靠性降低。
[0051]此外，由于經(jīng)上述熱固化處理后的該密封樹脂片在100°C的肖氏硬度D為70以上，因此，即使在對密封樹脂片的固化物進行磨削的期間利用摩擦等對磨削面進行加熱，磨削屑也不過是具有某種程度的硬度的極微細的小片狀或粉狀，可以容易地從磨削面去除，由此可以得到清潔的磨削面。
[0052]在熱固化處理后的肖氏硬度D小于70時，構成樹脂呈軟性，通過被磨削部件進行打磨而產(chǎn)生絲狀的磨削屑，該磨削屑附著于磨削面、磨削部件，引起未預期到的污染。
[0053]經(jīng)上述熱固化處理后的該密封樹脂片在25°C的肖氏硬度D優(yōu)選為70以上，更優(yōu)選為80以上，進一步優(yōu)選為90以上。通過采用此種熱固化處理后的肖氏硬度D，從而即使在磨削的開始初期也可以保持磨削屑的硬度，從磨削工序的開始到結束均容易去除磨削屑，可以得到清潔的磨削面。與此相對，經(jīng)上述熱固化處理后的該密封樹脂片在25°C的肖氏硬度D的上限沒有特別的限定，但是從降低常溫下的翹曲的觀點出發(fā)，優(yōu)選為130以下，更優(yōu)選為100以下。
[0054]經(jīng)上述熱固化處理后的該密封樹脂片在25°C的拉伸儲藏彈性模量優(yōu)選為IGPa以上，更優(yōu)選為2GPa以上，進一步優(yōu)選為4GPa以上。由此，在磨削的開始初期，因密封體的彈性使從磨削部件施加于密封體的應力被分散，可以抑制其成為偏頗的磨削狀態(tài)，可以有效地實現(xiàn)磨削面的平坦化。經(jīng)上述熱固化處理后的該密封樹脂片在25°C的拉伸儲藏彈性模量的上限沒有特別的限定，但是，從降低常溫下的翹曲的觀點出發(fā)，優(yōu)選為30GPa以下，更優(yōu)選為15GPa以下。
[0055]經(jīng)上述熱固化處理后的該密封樹脂片在100°C的拉伸儲藏彈性模量優(yōu)選為0.5GPa以上，更優(yōu)選為IGPa以上，進一步優(yōu)選為2GPa以上。由此，即使在利用磨削使磨削面處于加熱狀態(tài)的情況下，因密封體的彈性使從磨削部件施加于密封體的應力被分散，可以抑制其成為偏頗的磨削狀態(tài)，從磨削開始到結束均可有效地實現(xiàn)磨削面的平坦化。此外，從降低翹曲的方面出發(fā)，經(jīng)上述熱固化處理后的該密封樹脂片在100°c的拉伸儲藏彈性模量的上限優(yōu)選為25GPa以下，更優(yōu)選為IOGPa以下。
[0056]經(jīng)上述熱固化處理后的該密封樹脂片的玻璃化轉變溫度優(yōu)選為100°C以上，更優(yōu)選為110°C以上，進一步優(yōu)選為120°C以上。通過使該密封樹脂片具有上述構成，從而可以抑制磨削工序中密封樹脂片的軟化，可以得到高品質的研磨面。
[0057]相對于此，經(jīng)上述熱固化處理后的該密封樹脂片的玻璃化轉變溫度的上限沒有特別的限定，但是從降低熱固化時的固化收縮的觀點出發(fā)，優(yōu)選為200°C以下，更優(yōu)選為170°C以下。
[0058]形成密封樹脂片的樹脂組合物，只要是具有如上所述的特性且能夠利用于半導體芯片等電子部件的樹脂密封中的樹脂組合物，則沒有特別的限定，但可舉出例如含有以下的A成分~E成分的環(huán)氧樹脂組合物作為優(yōu)選例。另外，C成分可以根據(jù)需要而添加，也可以不添加C成分。
[0059]A成分:環(huán)氧樹脂
[0060]B成分:酚醛樹脂
[0061]C成分:彈性體
[0062]D成分:無機填充劑
[0063]E成分:固化促進劑(A成分)
[0064]作為環(huán)氧樹脂(A成分)，沒有特別的限定?？梢允褂美缛交淄樾铜h(huán)氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂、改性雙酚A型環(huán)氧樹脂、雙酚A型環(huán)氧樹脂、雙酚F型環(huán)氧樹脂、改性雙酚F型環(huán)氧樹脂、二環(huán)戊二烯型環(huán)氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環(huán)氧樹月旨、苯氧基樹脂等各種環(huán)氧樹脂。這些環(huán)氧樹脂可以單獨使用，也可以并用2種以上。
[0065]從確保環(huán)氧樹脂的固化后的韌性及環(huán)氧樹脂的反應性的觀點出發(fā)，優(yōu)選環(huán)氧當量為150~250、軟化點或熔點為50~130°C的常溫下為固態(tài)的環(huán)氧樹脂，其中，從可靠性的觀點出發(fā)，優(yōu)選三苯基甲烷型環(huán)氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂。
[0066]此外，從低應力性的觀點出發(fā)，優(yōu)選具有縮醛基、聚氧化烯基等柔軟性骨架的改性雙酚A型環(huán)氧樹脂，具有縮醛基的改性雙酚A型環(huán)氧樹脂呈液體狀且處理性良好，因此可以特別適宜使用。
[0067]環(huán)氧樹脂(A成分)的含量優(yōu)選設定成相對于全部環(huán)氧樹脂組合物為I~10重量％的范圍。
[0068](B 成分)
[0069]酚醛樹脂(B成分)只要是與環(huán)氧樹脂(A成分)之間引發(fā)固化反應的酚醛樹脂，則沒有特別的限定?？梢允褂美绫椒臃尤┣迤針渲⒈椒臃纪榛鶚渲?、聯(lián)苯芳烷基樹脂、二環(huán)戊二烯型酚醛樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、甲階酚醛樹脂等。這些酚醛樹脂可以單獨使用，也可以并用2種以上。
[0070]作為酚醛樹脂，從與環(huán)氧樹脂(A成分)的反應性的觀點出發(fā)，優(yōu)選羥基當量為70~250、軟化點為50~110°C的酚醛樹脂，其中，從固化反應性高的觀點出發(fā)，可以適宜使用苯酚酚醛清漆樹脂。此外，從可靠性的觀點出發(fā)，可以適宜使用如苯酚芳烷基樹脂、聯(lián)苯芳烷基樹脂那樣的低吸濕性的酚醛樹脂。
[0071]從固化反應性的觀點出發(fā)，環(huán)氧樹脂(A成分)與酚醛樹脂(B成分)的配合比例優(yōu)選按照相對于環(huán)氧樹脂(A成分)中的環(huán)氧基I當量使酚醛樹脂(B成分)中的羥基的總量達到0.7~1.5當量的方式進行配合，更優(yōu)選為0.9~1.2當量。
[0072](C 成分)
[0073]與環(huán)氧樹脂(A成分)及酚醛樹脂(B成分)一起使用的彈性體(C成分)，為對環(huán)氧樹脂組合物賦予利用密封樹脂片密封電子部件所需的可撓性的物質，只要是發(fā)揮此類作用的物質，則對其結構并無特別的限定?？梢允褂美缇郾┧狨サ雀鞣N丙烯酸系共聚物、苯乙烯丙烯酸酯系共聚物、丁二烯橡膠、苯乙烯-丁二烯橡膠(SBR)、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)、異戊二烯橡膠、丙烯腈橡膠等橡膠質聚合物。其中，為了容易向環(huán)氧樹脂(A成分)中分散并且提高與環(huán)氧樹脂(A成分)的反應性，從提高所得密封樹脂片的耐熱性、強度的觀點出發(fā)，優(yōu)選使用丙烯酸系共聚物。這些彈性體可以單獨使用，也可并用2種以上。
[0074]另外，丙烯酸系共聚物可以通過例如利用通用的方法使規(guī)定混合比的丙烯酸單體混合物發(fā)生自由基聚合來合成。作為自由基聚合的方法，使用以有機溶劑為溶劑進行的溶液聚合法、邊使原料單體分散于水中邊進行聚合的懸浮聚合法。作為此時使用的聚合引發(fā)齊Li，使用例如2,2’-偶氮二異丁臆、2, 2，-偶氮雙-(2,4- 二甲基戍臆)、2，2’-偶氮雙-4-甲氧基-2，4-二甲基戊腈、其它偶氮系或二偶氮系聚合引發(fā)劑、過氧化苯甲酰及過氧化甲乙酮等過氧化物系聚合引發(fā)劑等。另外，在懸浮聚合的情況下，理想的是添加例如像聚丙烯酰胺、聚乙烯醇之類的分散劑。
[0075]彈性體(C成分)的含量為全部環(huán)氧樹脂組合物的15~30重量％。在彈性體(C成分)的含量低于15重量％時，難以得到密封樹脂片11的柔軟性及可撓性，進而還難以進行抑制密封樹脂片翹曲的樹脂密封。相反地，在上述含量超過30重量％時，密封樹脂片11的熔融粘度變高，電子部件的填埋性降低，同時可見密封樹脂片11的固化體的強度及耐熱性降低的傾向。
[0076]此外，彈性體(C成分)相對于環(huán)氧樹脂(A成分)的重量比率(C成分的重量/A成分的重量)優(yōu)選設定成3~4.7的范圍。這是由于，在上述重量比率低于3的情況下，難以控制密封樹脂片11的流動性，在上述重量比率超過4.7時，可見密封樹脂片11與電子部件的粘接性變差的傾向。
[0077](D 成分)
[0078]無機質填充劑(D成分)沒有特別的限定，可以使用現(xiàn)有公知的各種填充劑，可舉出例如石英玻璃、滑石、二氧化硅(熔融二氧化硅、結晶性二氧化硅等)、氧化鋁、氮化鋁、氮化硅、氮化硼的粉末。這些無機質填充劑可以單獨使用，也可以并用2種以上。
[0079]其中，從通過降低環(huán)氧樹脂組合物的固化體的熱線膨脹系數(shù)來降低內(nèi)部應力，其結果可以抑制在電子部件密封后密封樹脂片11的翹曲的方面出發(fā)，優(yōu)選使用二氧化硅粉末，在二氧化硅粉末中，更優(yōu)選使用熔融二氧化硅粉末。作為熔融二氧化硅粉末，可舉出球狀熔融二氧化硅粉末、破碎熔融二氧化硅粉末，但從流動性的觀點出發(fā)，特別優(yōu)選使用球狀熔融二氧化硅粉末。其中，優(yōu)選使用平均粒徑為0.1~30 μ m的范圍的球狀熔融二氧化硅粉末，特別優(yōu)選使用平均粒徑為0.3~15 μ m的范圍的球狀熔融二氧化硅粉末。
[0080]另外，使用從母集團任意提取的試樣，使用激光衍射散射式粒度分布測定裝置進行測定，從而可以導出平均粒徑。
[0081]無機質填充劑(D成分)的含量優(yōu)選為全部環(huán)氧樹脂組合物的70~95重量％，更優(yōu)選為75~92重量％，進一步優(yōu)選為80~90重量％。在無機質填充劑(D成分)的含量低于50重量％時，由于環(huán)氧樹脂組合物的固化體的線膨脹系數(shù)變大，因此可見密封樹脂片11的翹曲變大的傾向。另一方面，在上述含量超過90重量％時，由于密封樹脂片11的柔軟性、流動性變差，因此可見與電子部件的粘接性降低的傾向。
[0082](E 成分)
[0083]固化促進劑(E成分)只要是促進環(huán)氧樹脂與酚醛樹脂的固化的物質，則沒有特別的限定，但從固化性和保存性的觀點出發(fā)，適宜使用三苯基膦、四苯基鱗四苯硼酸鹽等有機磷系化合物、咪唑系化合物。這些固化促進劑可以單獨使用，也可以并用其它的固化促進劑。
[0084]固化促進劑(E成分)的含量優(yōu)選相對于環(huán)氧樹脂(A成分)及酚醛樹脂(B成分)的總量100重量份為0.1~5重量份。
[0085](其它成分)
[0086]此外，在環(huán)氧樹脂組合物中，除了添加A成分~E成分外，還可以添加阻燃劑成分。作為阻燃劑組成成分，可以使用例如氫氧化鋁、氫氧化鎂、氫氧化鐵、氫氧化鈣、氫氧化錫、復合化金屬氫氧化物等各種金屬氫氧化物。
[0087]作為金屬氫氧化物的平均粒徑，從在加熱環(huán)氧樹脂組合物時確保適當?shù)牧鲃有缘挠^點出發(fā)，優(yōu)選使平均粒徑為I~10 μ m，進一步優(yōu)選為2~5μπι。在金屬氫氧化物的平均粒徑小于I μ m時，難以使其均勻地分散于環(huán)氧樹脂組合物中，同時存在無法充分得到加熱環(huán)氧樹脂組合物時的流動性的傾向。此外，在平均粒徑超過10 μ m時，由于與金屬氫氧化物(E成分)的添加量對應的表面積變小，因此可見阻燃效果降低的傾向。
[0088]此外，作為阻燃劑成分，除了上述金屬氫氧化物以外，還可以使用膦腈化合物。作為膦腈化合物，例如可以以市售品的形式獲得SPR-100、SA-100, SP-100 (以上，大塚化學株式會社)、FP-100、FP-110 (以上，株式會社伏見制藥所)等。
[0089]從以少量發(fā)揮阻燃效果的觀點出發(fā)，優(yōu)選式(I)或式(2)所示的膦腈化合物，這些膦腈化合物中含有的磷元素的含有率優(yōu)選為12重量％以上。
[0090]
【權利要求】
1.一種密封樹脂片，其在180°c熱固化處理I小時后在磨削刀具的圓周速度1000m/min、進給螺距100 μ m、切削深度10 μ m的條件下磨削時磨削面的平均表面粗糙度Ra為Iym以下， 經(jīng)所述熱固化處理后的該密封樹脂片在100°C的肖氏硬度D為70以上。
2.根據(jù)權利要求1所述的密封樹脂片，經(jīng)所述熱固化處理后的該密封樹脂片在25°C的肖氏硬度D為70以上。
3.根據(jù)權利要求1所述的密封樹脂片，經(jīng)所述熱固化處理后的該密封樹脂片在25°C的拉伸儲藏彈性模量為IGPa以上。
4.根據(jù)權利要求1所述的密封樹脂片，經(jīng)所述熱固化處理后的該密封樹脂片在100°C的拉伸儲藏彈性模量為0.5GPa以上。
5.根據(jù)權利要求1所述的密封樹脂片，經(jīng)所述熱固化處理后的該密封樹脂片的玻璃化轉變溫度為100°C以上。
6.一種電子部件封裝體的制造方法，其包括: 密封工序，將電子部件用權利要求1~5中任一項所述的密封樹脂片進行密封； 密封體形成工 序，使所述密封樹脂片熱固化而形成密封體；以及磨削工序，對所述密封體的表面進行磨削以使所述密封體的磨削后的密封樹脂片的磨削面的平均表面粗糙度Ra為I μ m以下，形成磨削體。
7.根據(jù)權利要求6所述的電子部件封裝體的制造方法，其還包括對所述磨削體進行切割而形成電子組件的切割工序。
8.根據(jù)權利要求6所述的電子部件封裝體的制造方法，其中，所述電子部件為半導體-H-* I I心/T O
9.根據(jù)權利要求6所述的電子部件封裝體的制造方法，其中，所述電子部件為半導體曰曰曰/T ο
10.—種電子部件封裝體，其利用權利要求6所述的電子部件封裝體的制造方法而獲得。
【文檔編號】C09J161/06GK103525322SQ201310265539
【公開日】2014年1月22日 申請日期:2013年6月28日 優(yōu)先權日:2012年7月5日
【發(fā)明者】豐田英志, 清水祐作 申請人:日東電工株式會社