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經(jīng)涂覆熒光體的制備方法和經(jīng)涂覆熒光體的制作方法

文檔序號(hào):3781556閱讀:232來源:國(guó)知局
經(jīng)涂覆熒光體的制備方法和經(jīng)涂覆熒光體的制作方法
【專利摘要】一種制備其中熒光體用涂料涂覆的經(jīng)涂覆熒光體的方法,所述方法包括使熒光體與涂料在溶劑中混合以形成混合溶液的混合步驟和使混合溶液分離成固相和液相的分離步驟,其中熒光體包含由組成式(1)表示的原子比的鋇(Ba)、鍶(Sr)、銪(Eu)、硅(Si)和氧(O),并且熒光體與涂料的質(zhì)量比為40:260至200:260。[(Ba1-ySry)1-xEux]aSibOc(1)其中a、b、c、x和y滿足關(guān)系:2.7<a<3.3,0.9<b<1.1,4.5<c<5.5,0<x<0.09和0.25<y<0.75]。
【專利說明】經(jīng)涂覆熒光體的制備方法和經(jīng)涂覆熒光體
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及制備其中熒光體用涂料涂覆的經(jīng)涂覆熒光體的方法和經(jīng)涂覆熒光體。本申請(qǐng)要求2011年I月18日提交的日本專利申請(qǐng)第2011-8306號(hào)和2012年I月16日提交的日本專利申請(qǐng)第2012-6124號(hào)的優(yōu)先權(quán),所有這些申請(qǐng)通過引用結(jié)合到本文中。
【背景技術(shù)】
[0002]作為紅色突光體,已知例如基于娃酸鹽的氧化物突光體和硫化物突光體,其為硫化物鹽例如CaS和SrS。由于這些氧化物熒光體和硫化物熒光體很容易由水分劣化,因此,它們的發(fā)光效率難以長(zhǎng)時(shí)間保持。因此,專利文獻(xiàn)(PLT) I提出一種用防止水分導(dǎo)致的劣化的涂料涂覆包含基于ZnS的硫化物鹽的硫化物熒光體的技術(shù)。
[0003]例如,由[(Ba1Jry) hEuxLSibO。表示并且具有在600_610nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)的發(fā)光峰的基于硅酸鹽的氧化物熒光體,顯示作為熒光物質(zhì)的優(yōu)良發(fā)光效率。與包括在第2族元素和O (氧)之間的鍵的基于硅酸鹽的氧化物熒光體相反,包含基于ZnS的硫化物鹽的硫化物熒光體包括在第2族元素和S(硫)之間的鍵。因此,具有比基于硅酸鹽的氧化物熒光體更強(qiáng)的共價(jià)鍵的包含基于ZnS的硫化物鹽的硫化物熒光體幾乎不劣化,即使它們不用涂料涂覆。
[0004]圖1為顯不未用涂料涂覆的包含基于ZnS的硫化物鹽的硫化物突光體和未用涂料涂覆的基于硅酸鹽的氧化物熒光體的發(fā)射強(qiáng)度變化率的曲線圖。圖1中的白方塊表示硫化物熒光體的發(fā)射強(qiáng)度變化率。另一方面,圖1中的黑方塊表示氧化物熒光體的發(fā)射強(qiáng)度變
化率。.
[0005]因此,其中包含基于ZnS的硫化物鹽的硫化物熒光體用涂料涂覆的PLT I的方法在應(yīng)用到基于硅酸鹽的氧化物熒光體時(shí)是否能夠防止水分導(dǎo)致的劣化并且長(zhǎng)時(shí)間保持發(fā)光效率并不明顯。
[0006]引用清單 專利文獻(xiàn)
PTL 1:日本未審查專利公布第2007-23221號(hào)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]技術(shù)問題
關(guān)于上述,本發(fā)明的一個(gè)目的是提供能夠長(zhǎng)時(shí)間保持發(fā)光效率的經(jīng)涂覆熒光體的制備方法和經(jīng)涂覆熒光體。
[0008]解決問題的方法
一種制備其中熒光體用涂料涂覆的本發(fā)明的經(jīng)涂覆熒光體的方法,所述方法包括:使熒光體與涂料在溶劑中混合以形成混合溶液的混合步驟;和使混合溶液分離成固相和液相的分離步驟,其中熒光體包含由組成式(I)表示的原子比的鋇(Ba)、鍶(Sr)、銪(Eu)、硅
(Si)和氧(O),并且熒光體與涂料的質(zhì)量比為40:260至200:260。[0009][(Ba1^ySry) ^xEuJaSibOc 組成式(I)
其中 a、b、c、X 和 y 滿足關(guān)系:2.7<a<3.3,0.9〈b〈l.1,4.5<c<5.5,0〈χ〈0.09 和0.25<y<0.75。
[0010]本發(fā)明的經(jīng)涂覆熒光體包含熒光體和涂覆熒光體的涂料,其中經(jīng)涂覆熒光體通過使熒光體與涂料在溶劑中混合以形成混合溶液并使混合溶液分離成固相和液相來獲得,熒光體包含由組成式⑴表示的原子比的鋇(Ba)、鍶(Sr)、銪(Eu)、硅(Si)和氧(O),并且熒光體與涂料的質(zhì)量比為40:260至200:260。
[0011][ (Ba1^ySry) ^xEux] aSib0c 組成式(I)
其中 a、b、c、X 和 y 滿足關(guān)系:2.7<a<3.3,0.9〈b〈l.1,4.5<c<5.5,0〈χ〈0.09 和0.25<y<0.75。
[0012]本發(fā)明的經(jīng)涂覆熒光體包含熒光體和涂覆熒光體的涂料,其中經(jīng)涂覆熒光體通過使熒光體與涂料在溶劑中混合以形成混合溶液并使混合溶液分離成固相和液相來獲得,熒光體包含由組成式(I)表示的原子比的鋇(Ba)、銀(Sr)、銪(Eu)、硅(Si)和氧(O),并且經(jīng)涂覆熒光體具有在浸入溶劑時(shí)400ms/m或更小的電導(dǎo)。
[0013][ (BahySry) hEux]aSib0c 組成式(I)
其中 a、b、c、X 和 y 滿足關(guān)系:2.7<a<3.3,0.9〈b〈l.1,4.5<c<5.5,0〈χ〈0.09 和0.25<y<0.75。
[0014]發(fā)明有益效果
根據(jù)本發(fā)明,由于經(jīng)涂覆熒光體中的熒光體用涂料充分涂覆,可得到能夠防止由水分導(dǎo)致的劣化并且長(zhǎng)時(shí)間保持發(fā)光效率的經(jīng)涂覆熒光體。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1為顯不未用涂料涂覆的包含基于ZnS的硫化物鹽的硫化物突光體和未用涂料涂覆的基于硅酸鹽的氧化物熒光體的發(fā)射強(qiáng)度變化率的曲線圖。
[0016]圖2為顯示Eu濃度和發(fā)光效率之間的關(guān)系的曲線圖。
[0017]圖3為顯示熒光體與涂料的質(zhì)量比和經(jīng)涂覆熒光體的發(fā)光強(qiáng)度保持率之間的關(guān)系的曲線圖。
[0018]圖4為顯示混合步驟中攪拌轉(zhuǎn)速和發(fā)光強(qiáng)度保持率之間的關(guān)系的曲線圖。
[0019]圖5為顯示混合步驟中加水量和發(fā)光強(qiáng)度保持率之間的關(guān)系的曲線圖。
[0020]圖6為顯示混合步驟中熒光體和涂料的反應(yīng)溫度和發(fā)光強(qiáng)度保持率之間的關(guān)系的曲線圖。
[0021]圖7為顯示混合步驟中熒光體和涂料的反應(yīng)時(shí)間和發(fā)光強(qiáng)度保持率之間的關(guān)系的曲線圖。
[0022]圖8為顯示涂覆過程前熒光體的比表面積和發(fā)光強(qiáng)度保持率之間的關(guān)系的曲線圖。
[0023]圖9為顯示涂覆過程后熒光體的比表面積和發(fā)光強(qiáng)度保持率之間的關(guān)系的曲線圖。`
[0024]圖10為顯示發(fā)光強(qiáng)度保持率隨時(shí)間的變化的曲線圖。
[0025]圖11為顯示發(fā)光效率的曲線圖。[0026]圖12為顯示發(fā)光效率的增長(zhǎng)率的曲線圖。
[0027]圖13為顯示電導(dǎo)隨時(shí)間的變化的曲線圖。
[0028]圖14為顯示ICP-MS的結(jié)果的曲線圖。
[0029]圖15為顯示ICP-MS的結(jié)果的曲線圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]現(xiàn)在參考附圖更具體地描述本發(fā)明的實(shí)施方案。
[0031]〈制備經(jīng)涂覆熒光體的方法〉
制備本發(fā)明的經(jīng)涂覆熒光體的方法包括使熒光體與涂料在溶劑內(nèi)混合以得到混合溶液的混合步驟和使混合溶液分離成固相和液相的分離步驟。
[0032]熒光體為具有在600_610nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)的發(fā)光峰的基于硅酸鹽的氧化物熒光體,并且包含由以下組成式(I)表示的原子比的鋇(Ba)、銀(Sr)、銪(Eu)、硅(Si)和氧(O)。
[0033][(Ba1^ySry) ^xEuJaSibOc 組成式⑴
其中 a、b、c、X 和 y 滿足關(guān)系:2.7<a<3.3,0.9〈b〈l.1,4.5<c<5.5,0〈χ〈0.09 和
0.25<y<0.75。
[0034]圖2為顯示Eu濃度和發(fā)光效率之間的關(guān)系的曲線圖。如圖2中所示,優(yōu)選熒光體滿足關(guān)系:0.02 <銪濃度(X) ( .0.03。該銪濃度范圍使樣品吸收率連同內(nèi)量子效率一起增力口,從而提聞突光體的發(fā)光效率。
[0035]然而,與硫化物熒光體比較,組成式(I)中顯示的熒光體內(nèi)在地對(duì)水分敏感,使得它們的發(fā)光效率由于水分導(dǎo)致的劣化而顯著減小。因此,其中基于硅酸鹽的氧化物熒光體用涂料涂覆的方法在應(yīng)用到組成式(I)所示的熒光體時(shí)是否能夠防止由水分導(dǎo)致的劣化并且長(zhǎng)時(shí)間保持發(fā)光效率并不明顯。相反,制備本發(fā)明的經(jīng)涂覆熒光體的方法可提供一種經(jīng)涂覆熒光體,其中熒光體充分用涂料涂覆,以防止由水分導(dǎo)致的熒光體劣化,如下所述。
[0036]熒光體優(yōu)選具有等于或大于2m2/g的比表面積,更優(yōu)選等于或大于4m2/g。通過使用具有等于或大于2m2/g的比表面積的熒光體,涂料更穩(wěn)定固定在熒光體上,以便可靠覆蓋熒光體的涂料有效防止由水分導(dǎo)致的熒光體劣化。因此,熒光體的發(fā)光效率在較長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)保持。另外,通過使用具有等于或大于4m2/g的比表面積的熒光體,更可靠覆蓋熒光體的涂料更有效地防止由水分導(dǎo)致的熒光體劣化。因此,熒光體的發(fā)光效率在較長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)保持。
[0037](混合步驟)
在混合步驟中,熒光體和涂料在溶劑內(nèi)混合以形成混合溶液,使得涂料在混合溶液中水解,以引起溶膠-凝膠反應(yīng),從而得到其中熒光體用涂料涂覆的經(jīng)涂覆熒光體。換句話講,通過溶膠-凝膠法制備其中熒光體用涂料涂覆的分散態(tài)的混合溶液。
[0038]可用對(duì)要使用的波長(zhǎng)范圍的光具有一定透明性的材料作為涂料。這類材料包括:氧化物,例如二氧化硅、二氧化鈦、二氧化鈰和三氧化二釔;復(fù)氧化物(double oxide),例如鈦酸鋇和鈦酸鍶;和氟化物,例如氟化鈣和氟化鎂。二氧化硅的涂料可通過溶膠-凝膠法用燒基娃燒化合物例如四乙氧基娃燒和四甲氧基娃燒制備。
[0039]只要能夠得到均勻分散體,可使用任何溶劑,包括水和有機(jī)溶劑。可使用的有機(jī)溶劑可包括但不限于醇、醚、酮和多元醇。醇可包括但不限于甲醇、乙醇、丙醇和戊醇。多元醇可包括但不限于乙二醇、丙二醇和二乙二醇。在這些中,從反應(yīng)速率控制的觀點(diǎn),使用醇是優(yōu)選的,使用乙醇更優(yōu)選。應(yīng)注意到,有機(jī)溶劑可單獨(dú)或組合使用。
[0040]熒光體與涂料的質(zhì)量比為40:260至200:260。熒光體與涂料的質(zhì)量比為40:260至200:260防止涂料的部分聚集在一起,導(dǎo)致它們難以粘著到熒光體,因而涂料不能充分
涂覆熒光體。
[0041]更優(yōu)選熒光體與涂料的質(zhì)量比為50:260至100:260。熒光體與涂料的質(zhì)量比為50:260至100:260有效防止由水分導(dǎo)致的熒光體劣化。
[0042]在混合步驟中,在溶劑中混合熒光體和涂料時(shí),它們優(yōu)選在600rpm或更高的攪拌轉(zhuǎn)速混合。如上所述,由于熒光體與涂料的質(zhì)量比為40:260至200:260,較大量涂料需要其更有效分散。通過在600rpm或更大攪拌轉(zhuǎn)速混合,涂料有效分散,以便熒光體充分用涂料涂覆,從而有效防止由水分導(dǎo)致的熒光體劣化。
[0043]在混合步驟中,為了使涂料在混合溶液內(nèi)水解,將溶劑例如水和氨加入到混合溶液中。在水作為溶劑加到混合溶液的情況下,相對(duì)于Imol四乙氧基硅烷(TEOS)的水的優(yōu)選加入量為4mol或更多。相對(duì)于lmol TEOS的4mol或更多的水加入量充分使涂料水解,使得能夠得到用涂料充分涂覆的經(jīng)涂覆熒光體。
[0044]在混合步驟中,在溶劑內(nèi)混合熒光體和涂料的反應(yīng)溫度優(yōu)選為40至70°C。通過在溶劑內(nèi)在40至70°C溫度混合熒光體和涂料,熒光體可充分用涂料涂覆,從而有效地防止由水分導(dǎo)致的熒光體劣化。
[0045]在混合步驟中,混合熒光體和涂料的時(shí)間優(yōu)選為25分鐘或更多。通過混合熒光體和涂料25分鐘或更多,熒光體可充分用涂料涂覆,從而有效地防止由水分導(dǎo)致的熒光體劣化。
[0046](分離步驟)
在分離步驟中,通過使在混合步驟中得到的混合溶液分離成固相和液相,可從混合溶液得到固態(tài)經(jīng)涂覆熒光體。
[0047]使混合溶液分離成固相和液相的一種示例性方法是使用吸濾器的方法。
[0048]如上說明,由于熒光體與涂料的質(zhì)量比為40:260至200:260,本發(fā)明的實(shí)施方案的經(jīng)涂覆熒光體的制備方法可提供一種不含殘余未反應(yīng)試劑的優(yōu)良經(jīng)涂覆熒光體。因此,不必為了去除所得經(jīng)涂覆熒光體中的殘余未反應(yīng)試劑而重復(fù)清洗,因此可減少?gòu)臒晒怏w和涂料反應(yīng)到經(jīng)涂覆熒光體完成的時(shí)間。
[0049]另外,由本發(fā)明的實(shí)施方案的經(jīng)涂覆熒光體的制備方法提供的經(jīng)涂覆熒光體通過使其中熒光體和涂料在溶劑內(nèi)混合的混合溶液分離成固相和液相來獲得,并且包含由組成式⑴表示的原子比的鋇(Ba)、鍶(Sr)、銪(Eu)、硅(Si)和氧(O)。熒光體與涂料的質(zhì)量比為40:260至200:260。因此,在其中熒光體和涂料在溶劑內(nèi)混合的混合溶液中,熒光體用涂料充分涂覆,從而有效地防止由水分導(dǎo)致的熒光體劣化。因此,熒光體的發(fā)光效率可在長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)保持。
[0050]另外,用于經(jīng)涂覆熒光體的這種制備方法提供一種經(jīng)涂覆熒光體,其中通過將熒光體與涂料的質(zhì)量比設(shè)定為40:260至200:260,用涂料充分涂覆熒光體。這防止組成經(jīng)涂覆熒光體的鍶(Sr)和鋇(Ba)作 為Sr2+和Ba2+從經(jīng)涂覆熒光體滲漏到外側(cè)。另外,在浸入溶劑時(shí),通過本發(fā)明的實(shí)施方案的經(jīng)涂覆熒光體的制備方法提供的經(jīng)涂覆熒光體優(yōu)選具有400ms/m或更小的電導(dǎo)。在浸入溶劑時(shí)經(jīng)涂覆熒光體的400ms/m或更小的電導(dǎo)防止組成經(jīng)涂覆熒光體的鍶(Sr)和鋇(Ba)從經(jīng)涂覆熒光體滲漏到外側(cè)。換句話講,通過將在浸入溶劑時(shí)經(jīng)涂覆熒光體的電導(dǎo)設(shè)定到400ms/m或更小,獲得其中熒光體用涂料充分涂覆的經(jīng)涂覆熒光體。如上說明,通過本發(fā)明的實(shí)施方案的經(jīng)涂覆熒光體的制備方法提供的經(jīng)涂覆熒光體充分用涂料涂覆熒光體,從而防止由水分導(dǎo)致的熒光體劣化,并長(zhǎng)時(shí)間保持熒光體的發(fā)光效率。
實(shí)施例
[0051]以下描述本發(fā)明的實(shí)施例。在這些實(shí)施例中,評(píng)價(jià)熒光體的量子效率、發(fā)光量的積分值、峰強(qiáng)度(發(fā)光強(qiáng)度)和峰波長(zhǎng)。應(yīng)注意到,本發(fā)明不限于這些實(shí)施例。
[0052][經(jīng)涂覆熒光體的制備方法]
(樣品I)
在樣品I中,使用25g包含由以上組成式⑴表示的原子比的鋇(Ba)、鍶(Sr)、銪(Eu)、娃(Si)和氧(O)的突光體(比表面積 5.047 (m2/g),由 Sony Chemical and InformationDevice Corporation 生產(chǎn))。另外,用 260g TEOS (由 Kanto Chemical c0., inc.生產(chǎn))作為涂料。
[0053]在稱出熒光體、涂料和乙醇(183ml)后,將所稱的熒光體、涂料和乙醇在由聚乙烯(PE)制成的容器中在600rpm攪拌轉(zhuǎn)速下攪拌,以得到突光體、涂料和乙醇的混合溶液。在使混合溶液在容器中固定(settle)在55°C恒溫后,相對(duì)于lmol TEOS將4mol純水加到正在恒速被攪拌的混合溶液,以引起溶膠-凝膠反應(yīng)。在將純水加入容器后60分鐘,用吸濾器將混合溶液分離成熒光體粉末(固相)和溶液(液相)。隨后,在將熒光體粉末在85°C烘箱中擱置2小時(shí)用以干燥后,將它們?cè)诤嫦渲性?00°C燒制2小時(shí)。由此,通過溶膠-凝膠法得到其中熒光體用涂料涂覆的經(jīng)涂覆熒光體粉末。
[0054](樣品2)` 在樣品2中,通過類似于樣品I的方法得到經(jīng)涂覆熒光體粉末,不同之處在于熒光體的加入量為50g。
[0055](樣品3)
在樣品3中,通過類似于樣品I的方法得到經(jīng)涂覆熒光體粉末,不同之處在于熒光體的加入量為60g。
[0056](樣品4)
在樣品4中,通過類似于樣品I的方法得到經(jīng)涂覆熒光體粉末,不同之處在于熒光體的加入量為100g。
[0057](樣品5)
在樣品5中,通過類似于樣品I的方法得到經(jīng)涂覆熒光體粉末,不同之處在于熒光體的加入量為225g。
[0058](樣品6)
在樣品6中,通過類似于樣品I的方法得到經(jīng)涂覆熒光體粉末,不同之處在于熒光體、涂料和乙醇在IOOrpm的攪拌轉(zhuǎn)速下混合。
[0059](樣品7)
在樣品7中,通過類似于樣品I的方法得到經(jīng)涂覆熒光體粉末,不同之處在于熒光體、涂料和乙醇在800rpm的攪拌轉(zhuǎn)速下混合。
[0060](樣品8)
在樣品8中,通過類似于樣品I的方法得到經(jīng)涂覆熒光體粉末,不同之處在于相對(duì)于lmol TEOS將2mol純水加到正被攪拌的混合溶液。
[0061](樣品9)
在樣品9中,通過類似于樣品I的方法得到經(jīng)涂覆熒光體粉末,不同之處在于相對(duì)于lmol TEOS將6mol純水加到正被攪拌的混合溶液。
[0062](樣品10)
在樣品10中,通過類似于樣品I的方法得到經(jīng)涂覆熒光體粉末,不同之處在于在使混合溶液在容器中固定在45°c恒溫后,將純水加到正被攪拌的混合溶液。
[0063](樣品11)
在樣品11中,通過類似于樣品I的方法得到經(jīng)涂覆熒光體粉末,不同之處在于在使混合溶液在容器中固定在65°c恒溫后,將純水加到正被攪拌的混合溶液。
[0064](樣品12)
在樣品12中,通過類似于樣品I的方法得到經(jīng)涂覆熒光體粉末,不同之處在于在將純水加入容器后30分鐘,用吸濾器將混合溶液分離成熒光體粉末和溶液。
.[0065](樣品13)
在樣品13中,通過類似于樣品I的方法得到經(jīng)涂覆熒光體粉末,不同之處在于在將純水加入容器后120分鐘,用吸濾器將混合溶液分離成熒光體粉末和溶液。
[0066](樣品14)
在樣品14中,通過類似于樣品I的方法得到經(jīng)涂覆熒光體粉末,不同之處在于使用具有1.108 (m2/g)的比表面積的熒光體。
[0067](樣品15)
在樣品15中,使用具有1.816(m2/g)的比表面積并且未用涂料涂覆的熒光體。
[0068](樣品16)
在樣品16中,使用具有5.047(m2/g)的比表面積并且未用涂料涂覆的熒光體。
[0069]樣品I至16的條件總結(jié)于以下表I中。
[0070][表 I]
【權(quán)利要求】
1.一種制備其中熒光體用涂料涂覆的經(jīng)涂覆熒光體的方法,所述方法包括: 使熒光體與涂料在溶劑中混合以形成混合溶液的混合步驟;和 使混合溶液分離成固相和液相的分離步驟,其中 熒光體包含由組成式⑴表示的原子比的鋇(Ba)、鍶(Sr)、銪(Eu)、硅(Si)和氧(0),并且 熒光體與涂料的質(zhì)量比為40:260至200:260,
[(Ba1^ySry) ^xEuJ aSib0c 組成式(I) 其中 a、b、c、X 和 y 滿足關(guān)系:2.7<a<3.3,0.9〈b〈l.1,4.5<c<5.5,0〈χ〈0.09 和0.25<y<0.75。
2.權(quán)利要求1的制備經(jīng)涂覆熒光體的方法,其中所述熒光體具有等于或大于2m2/g的比表面積。
3.權(quán)利要求2的制備經(jīng)涂覆熒光體的方法,其中所述熒光體具有等于或大于4m2/g的比表面積。
4.權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)的制備經(jīng)涂覆熒光體的方法,其中熒光體與涂料的質(zhì)量比為 50:260 至 100:260。
5.權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)的制備經(jīng)涂覆熒光體的方法,其中熒光體和涂料在混合步驟中在600rpm或更大的攪拌 轉(zhuǎn)速下混合。
6.權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng) 的制備經(jīng)涂覆熒光體的方法,其中熒光體和涂料在混合步驟中在40至70°C反應(yīng)溫度下混合。
7.權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)的制備經(jīng)涂覆熒光體的方法,其中涂料為烷基硅烷化合物。
8.一種包含熒光體和涂覆熒光體的涂料的經(jīng)涂覆熒光體,其中 經(jīng)涂覆熒光體通過使熒光體與涂料在溶劑中混合以形成混合溶液并使混合溶液分離成固相和液相來獲得, 熒光體包含由組成式⑴表示的原子比的鋇(Ba)、鍶(Sr)、銪(Eu)、硅(Si)和氧(0),并且 熒光體與涂料的質(zhì)量比為40:260至200:260,
[(Ba1^ySry) ^xEuJ aSib0c 組成式(I) 其中 a、b、c、X 和 y 滿足關(guān)系:2.7<a<3.3,0.9〈b〈l.1,4.5<c<5.5,0〈χ〈0.09 0.25<y<0.75。
9.一種包含熒光體和涂覆熒光體的涂料的經(jīng)涂覆熒光體,其中 經(jīng)涂覆熒光體通過使熒光體與涂料在溶劑中混合以形成混合溶液并使混合溶液分離成固相和液相來獲得, 熒光體包含由組成式⑴表示的原子比的鋇(Ba)、鍶(Sr)、銪(Eu)、硅(Si)和氧(0),并且 經(jīng)涂覆熒光體具有在浸入溶劑時(shí)400ms/m或更小的電導(dǎo),
[(Ba1^ySry) ^xEuJ aSib0c 組成式(I) 其中 a、b、c、X 和 y 滿足關(guān)系:2.7<a<3.3,0.9〈b〈l.1,4.5<c<5.5,0〈χ〈0.09 和0.25<y<0.75。
【文檔編號(hào)】C09K11/59GK103429700SQ201280014046
【公開日】2013年12月4日 申請(qǐng)日期:2012年1月18日 優(yōu)先權(quán)日:2011年1月18日
【發(fā)明者】菅野正輝, 伊澤孝昌, 楠木常夫 申請(qǐng)人:迪睿合電子材料有限公司
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