亚洲成年人黄色一级片,日本香港三级亚洲三级,黄色成人小视频,国产青草视频,国产一区二区久久精品,91在线免费公开视频,成年轻人网站色直接看

電路零件的制作方法

文檔序號:3757505閱讀:142來源:國知局
專利名稱:電路零件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及電路零件及其制造方法。
背景技術(shù)
將液晶顯示用玻璃面板等的基板與液晶驅(qū)動用I C等I C芯片加以連接制造電路零件時,有時候使用含有導(dǎo)電粒子的導(dǎo)電性粘接劑。使用導(dǎo)電性粘接劑制造電路零件的情況下,可將設(shè)置于IC芯片上的多個凸出電極一次連接于基板。例如,特開2010 - 251789號公報中,借助于含有導(dǎo)電粒子以及光固化性樹脂的各向異性導(dǎo)電膜將LCD面板與IC芯片加以接合。然后,隔著各向異性導(dǎo)電薄膜將LCD面板與IC芯片壓接之前,對其施加超聲波,在施加超聲波后,一邊隔著各向異性導(dǎo)電膜將LCD面板與IC芯片加以壓接,一邊對各向異性導(dǎo)電膜照射光線,以此抑制IXD面板的翹曲。

實用新型內(nèi)容但是,近年來,基板以及IC芯片朝大型化和薄膜化方向發(fā)展。大而薄的基板以及IC芯片容易變形。利用導(dǎo)電性粘接劑連接這樣的IC芯片和基板時,填充于沒有凸出電極的部分的導(dǎo)電性粘接劑的熱收縮或固化收縮,導(dǎo)致基板和IC芯片相互牽拉,基板和IC芯片在沒有凸出電極的部分發(fā)生變形,間隔變窄,有整體上發(fā)生翹曲的情況?;搴虸C芯片一旦翅曲,在基板與IC芯片之間的間隔擴大的部分,凸出電極與基板之間的間隔擴大,凸出電極與基板不能夠充分接觸,有時候不能夠?qū)崿F(xiàn)基板與IC芯片的良好連接。本實用新型是為了解決這樣的課題而作出的,其目的在于提供能夠使基板與IC芯片實現(xiàn)良好接觸的電路零件及其制造方法。本實用新型的一個側(cè)面的電路零件,是利用含有導(dǎo)電粒子的導(dǎo)電性粘結(jié)劑將呈矩形板狀的IC芯片連接于 呈矩形板狀的基板而形成的電路零件,在IC芯片的安裝面上設(shè)置有凸出電極和除了形成有凸出電極的部分之外的非電極面,在基板的表面與非電極面之間,存在與基板的表面及非電極面雙方接觸的第I狀態(tài)的導(dǎo)電粒子,在基板表面與凸出電極之間,存在以比第I狀態(tài)扁平的第2狀態(tài)陷入凸出電極而配置的導(dǎo)電粒子。通過采用本實用新型的一個側(cè)面的電路零件,在制造電路零件時,由于基板表面與非電極面之間填充的導(dǎo)電性粘接劑的熱收縮或固化收縮,基板和IC芯片相互牽拉要發(fā)生變形時,與基板的表面和非電極面兩者接觸著配置的第I狀態(tài)的導(dǎo)電粒子阻止基板及IC芯片的變形,抑制基板及IC芯片的翹曲。從而,抑制了基板的表面與凸出電極之間的間隔的擴大,利用以陷入凸出電極的方式配置的第2狀態(tài)的導(dǎo)電粒子,使凸出電極與基板形成良好連接。因此,能夠很好地將基板與IC芯片加以連接。又,本實用新型的另一側(cè)面的電路零件,是利用含有導(dǎo)電粒子的導(dǎo)電性粘接劑,將呈矩形板狀的IC芯片連接于呈矩形板狀的基板形成的電路零件,在IC芯片的安裝面上設(shè)置有凸出電極與除了形成有凸出電極的部分之外的非電極面,在基板表面與非電極面之間存在導(dǎo)電粒子,該導(dǎo)電粒子在凸出電極的高度方向的尺寸與基板表面和非電極面之間的間隔大致一致。通過采用本實用新型的另一側(cè)面的電路零件,在基板的表面與非電極面之間存在導(dǎo)電粒子,該導(dǎo)電粒子在凸出電極的高度方向的尺寸與基板表面和非電極面之間的間隔大致一致,且該導(dǎo)電粒子被基板的表面與非電極面夾著。從而,基板的表面與非電極面之間填充的導(dǎo)電性粘接劑熱收縮或固化收縮,導(dǎo)致基板和IC芯片相互牽拉而要發(fā)生變形時,基板的表面與非電極面夾著的導(dǎo)電粒子能夠阻止基板和IC芯片的變形,抑制基板和IC芯片的翹曲。從而能夠抑制基板的表面與凸出電極之間的間隔的擴大,使凸出電極與基板保持良好連接。借助于此,能夠使基板與IC芯片連接良好。還有,基板也可以是玻璃基板。在這種情況下,能夠使玻璃基板與IC芯片很好地連接。又,凸出電極也可以具有2 5μπι的高度。又,基板也可以是0.1 0.3mm厚度的基板。又,基板的尺寸也可以是20 300mmX 20 400mm。又,IC芯片的厚度也可以是0.1 0.3mm。又,IC芯片的尺寸也可以是0.6 3.0mmX 10 40mm。又,相對于100體積份的粘接劑成分,導(dǎo)電性粘接劑中的導(dǎo)電粒子的配比可以為0.1 30體積份。又,凸出電極也可以比導(dǎo)電粒子柔軟。另外,IC芯片可以為長方形板狀,凸出電極可以在IC芯片的短邊方向分隔地設(shè)置有多個,在IC芯片的短邊方向上,相鄰的凸出電極的內(nèi)側(cè)的端部之間的間隔中最大的間隔,與配置在兩端部的凸出電極的外側(cè)的端部之間的間隔的比率可以為0.3 0.9。本實用新型的一個側(cè)面的電路零件的制造方法是利用含有導(dǎo)電粒子的導(dǎo)電性粘接劑將IC芯片連接于基板的電路零件制造方法,在基板的表面與IC芯片之間填充含有比IC芯片的凸出電極的高度大的平均粒徑的導(dǎo)電粒子的導(dǎo)電性粘接劑之后,將基板與IC芯片壓接在一起。通過采用本實用新型的一個側(cè)面的電路零件的制造方法,基板和IC芯片利用含有比IC芯片的凸出電極的高度大的平均粒徑的導(dǎo)電粒子的導(dǎo)電性粘接劑連接。從而,介于在IC芯片的安裝面上的除了形成有凸出電極的部分之外的非電極面與基板的表面之間的導(dǎo)電粒子被壓縮到凸出電極的高度為止,由非電極面與基板的表面夾著。從而,由于填充于基板的表面與非電極面之間的導(dǎo) 電性粘接劑的熱收縮或固化收縮,基板和IC芯片相互牽拉要發(fā)生變形的情況下,非電極面與基板的表面夾著的導(dǎo)電粒子阻礙基板和IC芯片的變形,抑制基板和IC芯片的翹曲。借助于此,可以抑制凸出電極與基板之間的間隔的擴大,使凸出電極與基板形成良好連接。因此,能夠很好地將基板與IC芯片加以連接。在這里,也可以使導(dǎo)電性粘接劑介于其間,使壓接前的導(dǎo)電性粘接劑的厚度為導(dǎo)電粒子的平均粒徑的80%以上200%以下。這樣一來,借助于壓接,凸出電極推開的粘接劑的量相當(dāng)于與導(dǎo)電粒子的平均粒徑大致相同的高度的相應(yīng)的量,從凸出電極與基板之間流向凸出電極旁邊的導(dǎo)電性粘接劑的量減少。因此能夠使導(dǎo)電粒子很好地處在凸出電極與基板之間。從而能夠?qū)⒒迮cIC芯片很好地加以連接。又可以使在IC芯片的安裝面上除了形成凸出電極的部分以外的非電極面與基板的表面之間的壓接后的間隔成為如下值的方式壓接基板與IC芯片,S卩,壓接后的間隔為從導(dǎo)電粒子中去掉粒徑大的上位I %的導(dǎo)電粒子后剩下的導(dǎo)電粒子的最大粒徑的70%以上100%以下。這樣一來,能夠在非電極面與基板的表面之間很好地夾著導(dǎo)電粒子。從而,即使是導(dǎo)電性粘接劑熱收縮或固化收縮造成基板和IC芯片相互牽拉,被夾著的導(dǎo)電粒子能夠進一步阻止基板和IC芯片的變形,基板和IC芯片的翹曲得以抑制。從而,能夠更好地將基板與IC芯片加以連接。又可以這樣壓接基板和IC芯片,即借助于壓接,使得介于凸出電極與基板的表面之間的導(dǎo)電粒子在凸出電極的高度方向上的壓接后的尺寸為導(dǎo)電粒子的平均粒徑的15 %以上80%以下。這樣一來,借助于壓接能夠使導(dǎo)電粒子很好地陷入凸出電極,基板與IC電極能夠?qū)崿F(xiàn)良好的連接。通過采用本實用新型,能夠提供可以很好地將基板與IC芯片加以連接的電路零件及其制造方法。

圖1是示出使用本實施方式的電路零件的電子設(shè)備的俯視圖。圖2是示出圖1的電路零件的俯視圖。圖3是示出圖2中的II1-1II線箭頭向視剖面的示意剖面圖。圖4是示出圖3中的A部的剖面圖。圖5是示出圖3中的B部的剖面圖。圖6是示出本實施方式的電路零件的制造方法的示意剖面圖。圖7是示出接著圖6的制造方法的示意剖面圖。
圖8是示出已有的電路零件的示意剖面圖。圖9是示出已有的電路零件的示意剖面圖。圖10是示出已有的電路零件的示意剖面圖。
具體實施方式
下面參照附圖對本實施方式的電路零件及其制造方法進行詳細說明。[基板和IC芯片]圖1是示出使用本實施方式的電路零件的電子設(shè)備的俯視圖。圖2是示出圖1的電路零件的俯視圖,圖3是示出圖2中的II1-1II線箭頭向視剖面的示意剖面圖。還有,在圖3中,下述導(dǎo)電性粘接劑5中含有的導(dǎo)電粒子的圖示省略。如圖1所示,電路零件I被使用于例如觸摸屏等電子設(shè)備2。電子設(shè)備2具備液晶面板3和IC芯片4。液晶面板3具有玻璃基板31和液晶顯示部32。玻璃基板31呈矩形板狀(長方形板狀),在其表面33與液晶顯示部32以及IC芯片4的凸出電極42 (下面敘述)對應(yīng)地形成未圖示的電路電極。電路電極可以由例如合金(含有鋁以及釹的合金或者含有鋁、釹以及鑰的合金等)、或多層的金屬層(在二層的鈦膜之間具有鋁膜的三層金屬層等)等的金屬形成。在電路電極上被覆蓋有ITO (銦-錫氧化物)或者IZO (銦-鋅氧化物)等。該玻璃基板31,其大小為例如20 300mmX20 400mm左右,其厚度為例如0.1 0.3mm左右,形成比較大而且薄的構(gòu)件。電路電極的厚度為例如100 200nm左右。形成玻璃基板31的材料可以采用例如無堿玻璃等。液晶顯示部32被安裝于玻璃基板31表面33,連接于上述電路電極。IC芯片4是呈現(xiàn)比玻璃基板31小的矩形板狀(長方形板狀)的電子零件,被安裝于玻璃基板31的表面33。該IC芯片4與液晶顯示部32保持間距配置,連接于上述玻璃基板31的電路電極。然后如圖3所示,電路零件I使含有導(dǎo)電粒子的導(dǎo)電性粘接劑5介入IC芯片4與玻璃基板31之間,將IC芯片與玻璃基板31通過壓接方法連接形成(詳細情況將在下面敘述)。IC芯片4其尺寸為例如0.6 3.0_X 10 40mm左右,其厚度為例如0.1 0.3mm左右,與玻璃基板31 —樣形成比較大而且薄的構(gòu)件。IC芯片4中,與玻璃基板31相對的面構(gòu)成安裝面41。該安裝面41上形成多個從安裝面41突出的凸出電極42。又,在安裝面41,除了形成凸出電極42的部分以外的部分構(gòu)成非電極面43。安裝面41相反側(cè)的面構(gòu)成非安裝面44。形成IC芯片4的主體部分的材料可以使用例如硅等。又,形成凸出電極42的材料可以使用例如Au等,凸出電極42比導(dǎo)電性粘接劑5中含有的導(dǎo)電粒子柔軟。如圖2所示,沿著安裝面41的一個長邊44a,多個凸出電極42大致等間隔地配置為一列。又,沿著安裝面41的另一長邊44b,多個凸出電極42大致等間隔地在3列上配置,呈交錯排列狀。在長邊44a側(cè)的凸出電極42的列與長邊44b側(cè)的凸出電極42的列之間形成間隔dx。還有,在長邊44a側(cè)配置的一列凸出電極42構(gòu)成輸入側(cè)的電極,在長邊44b側(cè)配置的3列凸出電極42構(gòu)成輸出側(cè)的電極。凸出電極42其高度(從非電極面43起的高度)為例如2 5 μ m左右。從其它的觀點來看,IC芯片4為長方形板狀,凸出電極42在IC芯片4的寬度方向(短邊方向,圖2中的左右方向)上,被分隔地設(shè)有多個。在IC芯片4的寬度方向上,相鄰的凸出電極42、42的內(nèi)側(cè)的端部之間的間隔中最大間隔dx,與設(shè)在兩端部的凸出電極42、42的外側(cè)的端部之間的間隔d0的比率為0.3 0.9。[導(dǎo)電性粘接劑]下面對將玻璃基板31與IC芯片4加以連接的導(dǎo)電性粘接劑5進行詳細說明。作為導(dǎo)電性粘接劑5的粘接劑成分,可以廣泛使用通過熱或光顯示其固化性的材料,例如可以使用環(huán)氧樹脂系粘接劑或丙烯酸系粘接劑。又,由于連接后的耐熱性和耐濕性優(yōu)異,使用交聯(lián)性材料是理想的。其中包含作為熱固化性樹脂的環(huán)氧樹脂為主成分的環(huán)氧樹脂系粘接劑由于能夠在短時間內(nèi)固化,連接工作容易進行,在分子結(jié)構(gòu)上顯示出優(yōu)異的粘接性,由于有上述等特征,是理想的材料。作為環(huán)氧樹脂系粘接劑的具體例子,可舉例如高分子量環(huán)氧樹脂、固態(tài)環(huán)氧樹脂、或液態(tài)環(huán)氧樹脂、或以這些聚氨酯、聚酯、丙烯酸橡膠、丁腈橡膠(NBR)、合成線狀聚酰胺等變性的環(huán)氧樹脂為主成分的粘接劑。環(huán)氧樹脂系粘接劑通常是在構(gòu)成主成分的上述環(huán)氧樹脂中添加固化劑、催化劑、稱合(coup I ing )劑、填充劑等形成的。丙烯酸系粘接劑的具體例子,可以舉出有丙烯酸、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、以及丙烯腈中的至少一種作為單體成分的聚合體或共聚合體。還有,從抑制IC芯片4的線膨脹系數(shù)與玻璃基板31的線膨脹系數(shù)之差產(chǎn)生的玻璃基板31的翹曲的考慮出發(fā),優(yōu)選是將能夠發(fā)揮緩和內(nèi)部應(yīng)力的作用的成分配到粘接劑成分中。具體地說,優(yōu)選是在粘接劑成分中配入丙烯酸橡膠或彈性體成分。又,國際公開第98/44067號記載的游離基(’ ^力 >)固化粘接劑也可以使用。導(dǎo)電性粘接劑5中包含的導(dǎo)電粒子有例如Au、Ag、Pt、N1、Cu、W、Sb、Sn、釬焊料等金
屬或碳的粒子?;蛘咭部梢允褂靡苑菍?dǎo)電性的玻璃、陶瓷、塑料等作為內(nèi)核,用上述金屬或碳包覆該內(nèi)核的包覆粒子。壓接 前的導(dǎo)電粒子的形狀可以是例如大致為球形的形狀或徑向上有多個突起的形狀(星形)等。壓接前的導(dǎo)電粒子的平均粒徑da從分散性、導(dǎo)電性出發(fā),優(yōu)選是I 18 μ m左右,在這里為2 4μπι左右。在這個范圍內(nèi),優(yōu)選選擇平均粒徑da比凸出電極42的高度大的導(dǎo)電粒子。還有,導(dǎo)電粒子的平均粒徑da比凸出電極42的高度稍小(小20%左右)的情況也可以允許。這是因為導(dǎo)電粒子的平均粒徑da比凸出電極42的高度小的情況下,雖然導(dǎo)電性粘接劑的熱收縮或固化收縮有時候會引起IC芯片4稍微向玻璃基板31側(cè)翹曲,但是由于該翹曲,玻璃基板31的表面33與IC芯片4的非電極面43之間的間隔變得狹窄,結(jié)果與導(dǎo)電粒子接觸,能夠抑制其進一步翹曲。在這里,所謂平均粒徑定義為用例如庫爾特計算器求出的平均直徑。還可以使用以絕緣層覆蓋導(dǎo)電粒子形成的絕緣層包覆粒子,從提高相鄰的電極之間的絕緣性的考慮出發(fā),也可以同時使用導(dǎo)電粒子和絕緣性粒子。導(dǎo)電性粘接劑5中導(dǎo)電粒子的配比,從電極之間的連接電阻和短路考慮,相對于粘接劑層中包含的100體積份的粘接劑成分,采用例如0.1 30體積份,在這里,采用5 20體積份。借助于此,凸出電極42捕捉到的導(dǎo)電粒子的數(shù)目即使是最低,也能夠調(diào)節(jié)到3個以上。[導(dǎo)電粒子]下面對電路零件I中介于基板31與IC芯片4之間的導(dǎo)電粒子進行詳細說明。圖4是示出圖3中的A部的剖面圖,圖5是示出圖3中的B部的剖面圖。如圖4所示,在玻璃基板31的表面33與非電極面43之間配置導(dǎo)電粒子51a。該導(dǎo)電粒子51a在凸出電極42的高度方向上被表面33和非電極面43略微壓縮,形成與這些表面33和非電極面43兩者接觸的第I狀態(tài)。也就是說,在導(dǎo)電粒子51a上,其凸出電極42的高度方向上的尺寸hi和玻璃基板31的表面33與非電極面43之間的間隔大致一致。在玻璃基板31的表面33與非電極面43之間,也可以存在不是第I狀態(tài)的導(dǎo)電粒子(與表面33與非電極面43的至少一方?jīng)]有接觸的導(dǎo)電粒子)。如圖5 (a)所示,在相互接觸的玻璃基板31的表面33與凸出電極42之間配置導(dǎo)電粒子51b。如上所述,凸出電極42由于比導(dǎo)電粒子柔軟,壓接時將導(dǎo)電粒子51b壓縮,同時凸出電極42相應(yīng)于導(dǎo)電粒子51b變形。因此,導(dǎo)電粒子51b以陷入凸出電極42的狀態(tài)介于玻璃基板31的表面33與凸出電極42之間。而且導(dǎo)電粒子51b在凸出電極42的高度方向上被表面33和凸出電極42壓縮,構(gòu)成比上述第I狀態(tài)的導(dǎo)電粒子51a還要扁平的第2狀態(tài)。這樣,比第I狀態(tài)扁平的第2狀態(tài)的導(dǎo)電粒子51b充分陷入凸出電極42的情況下,玻璃基板31與IC芯片4形成良好的連接。還有,如圖5b所示,也可以在玻璃基板31的表面33與凸出電極42之間形成間隙,在這種情況下,也能夠借助于導(dǎo)電粒子51b良好地確保玻璃基板31與IC芯片4之間的連接。在玻璃基板31的表面33與凸出電極42之間,也可以存在不是第2狀態(tài)的導(dǎo)電粒子(不比第I狀態(tài)扁平的導(dǎo)電粒子)。[電路零件的制造方法]下面對電路零件的制造方法進行說明。圖6是示出本實施方式的電路零件的制造方法的示意剖面圖,圖7是示出接著圖6的制造方法的示意剖面圖。還有,在圖6、7中,與圖3 —樣省略導(dǎo)電性粘接劑5中包含的導(dǎo)電粒子的圖示。首先,如圖6 (a)所示,準備玻璃基板31。
接著,如圖6 (b)所示,在玻璃基板31的表面33上配置導(dǎo)電性粘接劑5。這時導(dǎo)電性粘接劑5的厚度dt優(yōu)選為壓接前的導(dǎo)電粒子的平均粒徑da的80%以上200%以下,進一步優(yōu)選為95%以上160%以下,更優(yōu)選為100%以上130%以下。這樣一來,壓接時凸出電極42推開的導(dǎo)電性粘接劑5的量相當(dāng)于與導(dǎo)電粒子的平均粒徑da大致相同(約平均粒徑da的80%以上200%以下)的高度的相應(yīng)的量,能夠減少從凸出電極42與玻璃基板31之間流向凸出電極42旁邊的導(dǎo)電性粘接劑5的量。接著如圖7 Ca)所示,準備IC芯片4,使IC芯片4的安裝面41與玻璃基板31的表面33隔著導(dǎo)電性粘接劑5相對。接著如圖7 (b)所示,壓接玻璃基板31與IC芯片4將其連接。這時玻璃基板31的表面33與IC芯片4的非電極面43之間的間隔dy,優(yōu)選為從導(dǎo)電性粘接劑5中包含的導(dǎo)電粒子中去掉粒徑大的上位1%的導(dǎo)電粒子后剩下的導(dǎo)電粒子的最大粒徑d99的70%以上100%以下,進一步優(yōu)選為80%以上98%以下,更優(yōu)選為90%以上95%以下。換句話說,介于玻璃基板31的表面33與非電極面43之間的導(dǎo)電粒子51a中,凸出電極42的高度方向上的尺寸hi (參照圖4),優(yōu)選為上述最大粒徑d99的70%以上100%以下,進一步優(yōu)選為80%以上98%以下,更優(yōu)選為90%以上95%以下。這樣一來,可以利用玻璃基板31的表面33和非電極面43適當(dāng)壓縮導(dǎo)電粒子51a,能夠在表面33與非電極面43之間很好地夾住導(dǎo)電粒子51a。還有,最大粒徑d99可以用例如以下所述方法決定。也就是說,首先利用庫爾特計算器(Coulter counter)測定導(dǎo)電性粘接劑5中包含的導(dǎo)電粒子的粒徑分布。然后在測定粒子中去掉粒徑大的上位1%的粒子,將剩下的99%的粒子中的最大粒徑?jīng)Q定為最大粒徑d99。又,壓接時介于凸出電極42與玻璃基板31的表面33之間的導(dǎo)電粒子51b中,凸出電極42的高度方向的尺寸h2 (參照圖5)優(yōu)選為壓接前的導(dǎo)電粒子的平均粒徑da的15%以上80%以下,進一步優(yōu)選為30%以上80%以下。這樣一來,通過壓接導(dǎo)電粒子51b被壓扁的程度與被陷入到凸出電極42的程度之間的平衡變得良好。還有,壓接時, 導(dǎo)電粒子51b陷入凸出電極42,凸出電極42與玻璃基板31實現(xiàn)良好連接時,在與凸出電極42對應(yīng)的位置上,從與玻璃基板31的表面33相反側(cè)的表面(非安裝面)觀察到由陷入凸出電極42的導(dǎo)電粒子51b產(chǎn)生的壓痕。從而,為了判斷凸出電極42與玻璃基板31是否實現(xiàn)良好的連接,只要從玻璃基板31的非安裝面上,確認是否在與凸出電極42對應(yīng)的位置上形成壓痕即可。在上面所述的電路零件I的情況下,制造電路零件I時,長邊44a側(cè)的凸出電極42的列與長邊44b側(cè)的凸出電極42的列之間的間隔dx (參照圖2)上,由于在玻璃基板31的表面33與非電極面43之間填充的導(dǎo)電性粘接劑5的熱收縮或固化收縮,玻璃基板31和IC芯片4相互牽拉要發(fā)生翹曲時,與玻璃基板31的表面33和非電極面43雙方接觸著配置的第I狀態(tài)的導(dǎo)電粒子51a阻礙玻璃基板31和IC芯片4的翹曲。因此能夠抑制玻璃基板31和IC芯片4的翹曲。換句話說,在電路零件I的情況下,介于玻璃基板31的表面33與非電極面43之間的導(dǎo)電粒子51a,由于凸出電極42的高度方向的尺寸hi和玻璃基板31的表面33與非電極面43之間的間隔大致一致,因此,被表面33與非電極面43夾著。從而,填充于玻璃基板31的表面33與非電極面43之間的導(dǎo)電性粘接劑5的熱收縮或固化收縮導(dǎo)致玻璃基板31和IC芯片4相互牽拉要發(fā)生變形時,被玻璃基板31的表面33與非電極面43夾著的導(dǎo)電粒子51a阻止玻璃基板31和IC芯片4的變形。因此,玻璃基板31和IC芯片4的翹曲得以抑制。在這里,圖8、圖9以及圖10是示出已有的電路零件的示意剖面圖。還有,在圖8、圖9以及圖10中,與圖3—樣,導(dǎo)電性粘接劑90中包含的導(dǎo)電粒子的圖示省略。如圖8、圖9以及圖10所示,在已有的電路零件60的情況下,IC芯片80的凸出電極82的高度比本實施方式的電路零件I的凸出電極42 (參照圖3)大,而且也比導(dǎo)電性粘接劑90中含有的導(dǎo)電粒子的平均粒徑大,因此在玻璃基板71的表面73與IC芯片80的非電極面83之間,沒有介入與這些表面73和非電極面83雙方接觸的導(dǎo)電粒子。從而在凸出電極82的列間的間隔dx中,玻璃基板71的表面73與非電極面83之間填充的導(dǎo)電性粘接劑90 —旦熱收縮或固化收縮,即有可能由于玻璃基板71和IC芯片80相互牽拉,總體上發(fā)生翹曲。另外,在圖8中,示出了 IC芯片80發(fā)生翹曲的情況,在圖9中,示出了玻璃基板71發(fā)生翹曲的情況,在圖10中,示出了玻璃基板71和IC芯片80發(fā)生翹曲的情況。例如,IC芯片80和玻璃基板71為相同厚度時,如圖9所示,有時玻璃基板71發(fā)生翹曲。一旦玻璃基板71和IC芯片80發(fā)生翹曲,外側(cè)的凸出電極82與玻璃基板71的表面73之間的間隔擴大,有時候凸出電極81與玻璃基板71不能夠很好連接。而且在這樣的狀態(tài)下,有時候從玻璃基板71的非安裝面不能觀察到與外側(cè)的凸出電極82對應(yīng)的位置上的壓痕。與此相反,在本實施方式的電路零件I的情況下,如上所述,由于玻璃基板31和IC芯片4的翹曲受到抑制,玻璃基板31的表面33與凸出電極42之間的間隔的擴大受到抑制,導(dǎo)電粒子51b很好地陷入凸出電極42,玻璃基板31與凸出電極42形成良好連接。借助于此,能夠很好地將玻璃基板31與IC芯片4加以連接。而且由于導(dǎo)電粒子51b很好地陷入凸出電極42而形成壓痕,可以從玻璃基板31的非安裝面確認玻璃基板31與IC芯片4形成良好連接。
又,通常由于玻璃基板比較硬,電路零件不是薄型的情況下,如上所述的玻璃基板和IC芯片的翹曲引起的連接不良的情況很少發(fā)生。而像本實施方式的電路零件I那樣,玻璃基板31為薄型的情況下,玻璃基板31容易發(fā)生翹曲,因此能夠更好發(fā)揮本實用新型抑制基板和IC芯片的翹曲的效果。另外,像本實施方式的電路零件I這樣,IC芯片4較大時(IC芯片4的寬度方向的長度(圖1中的上下方向的長度)長的情況下),變得更加容易發(fā)生翹曲,因此,能夠進一步發(fā)揮抑制翹曲這一本實用新型的效果。另外,像本實施方式的電路零件I這樣,IC芯片4的寬度方向上,相鄰的凸出電極42、42的內(nèi)側(cè)的端部之間的間隔中的最大間隔dx,與配置在兩端部的凸出電極42、42的外側(cè)的端部之間的間隔d0的比率為0.3 0.9,存在比較大的間隔dx時,變得更加容易發(fā)生翹曲,因此,能夠進一步發(fā)揮抑制翹曲這一本實用新型的效果。又,本實施方式的電路零件I的制造方法中,玻璃基板31和IC芯片4利用導(dǎo)電性粘接劑5連接,該導(dǎo)電性粘接劑含有具有比IC芯片4的凸出電極42的高度大的平均粒徑的導(dǎo)電粒子。從而,如上所述,介于玻璃基板31的表面33和非電極面43之間的導(dǎo)電粒子51a被壓縮到凸出電極42的高度,被非電極面43和玻璃基板31的表面33夾著。因此,玻璃基板31的表面33與非電極面43之間填充的導(dǎo)電性粘接劑5的熱收縮或固化收縮造成玻璃基板31和IC芯片4相互牽拉要發(fā)生變形時,被非電極面43和玻璃基板31的表面33夾著的導(dǎo)電粒子51a阻止玻璃基板31和IC芯片4的變形,抑制玻璃基板31和IC芯片4的翹曲。借助于此,凸出電極42與玻璃基板31之間的間隔的擴大得到抑制,凸出電極42與玻璃基板31之間形成良好連接。因此能夠?qū)⒉AЩ?1與IC芯片4很好地加以連接。又,在本實施方式的電路零件I的制造方法中,由于有導(dǎo)電性粘接劑5介入,而且壓接前的導(dǎo)電性粘接劑5的厚度dt為壓接前的導(dǎo)電粒子的平均粒徑da的80%以上200%以下,因此由于壓接,凸出電極42推開的導(dǎo)電性粘接劑5的量相當(dāng)于與導(dǎo)電粒子的平均粒徑da大致相同(平均粒徑da的約80%以上200%以下)的高度的相應(yīng)的量,從凸出電極42與玻璃基板31之間流向凸出電極42旁邊的導(dǎo)電性粘接劑5的量減少。因此,能夠使導(dǎo)電粒子51b很好地介入凸出電極42與玻璃基板31之間。從而,能夠很好地實現(xiàn)玻璃基板31與IC芯片4的連接。又,本實施方式的電路零件I的制造方法中,對玻璃基板31與IC芯片4進行壓接,使非電極面43與玻璃基板31的表面33之間的壓接后的間隔dy為導(dǎo)電粒子中去掉粒徑大的上位1%的導(dǎo)電粒子后剩下的導(dǎo)電粒子的最大粒徑d 99的70%以上100%以下,因此能夠利用玻璃基板31的表面33和非電極面43將導(dǎo)電粒子51a適度壓縮,能夠很好地將導(dǎo)電粒子51a夾在玻璃基板31表面33與非電極面43之間。從而,由于導(dǎo)電性粘接劑5的熱收縮或固化收縮,導(dǎo)致的玻璃基板31與IC芯片4相互牽拉而要產(chǎn)生變形時,很好地被夾著的導(dǎo)電粒子51a能夠進一步阻止玻璃基板31和IC芯片4的變形,進一步抑制玻璃基板31及IC芯片4的翹曲。從而,能夠使玻璃基板31與IC芯片4實現(xiàn)更好的連接。又,本實施方式的電路零件I的制造方法中,對玻璃基板31與IC芯片4進行壓接,使介于凸出電極42與玻璃基板31的表面33之間的導(dǎo)電粒子51b的在凸出電極42的高度方向上的壓接后的尺寸h 2,成為壓接前導(dǎo)電粒子的平均粒徑da的15%以上80%以下,因此,借助于壓接,能夠很好地使導(dǎo)電粒子51b陷入凸出電極42,能夠?qū)崿F(xiàn)玻璃基板31與IC芯片4的良好連接。以上對本實施方式的電路零件及電路零件的制造方法進行了說明,但是本實用新型不限定于上述 本實施方式。例如,在上述本實施方式中,基板采用玻璃基板31,但是也可以采用例如具有金屬配線的軟帶(Flexible tape)、可撓性印刷線路板等有機基板、玻璃纖維增強的環(huán)氧樹脂基板等玻璃纖維增強的有機基板、或紙酚醛樹脂基板、陶瓷基板、疊層板等基板。另外,關(guān)于基板和IC芯片,矩形板狀(長方形板狀)包含實質(zhì)上是矩形板狀的情況。具體來說,矩形板狀包括實施了倒角加工的形狀,和角部為圓角的形狀等。
權(quán)利要求1.一種電路零件,其是利用含有導(dǎo)電粒子的導(dǎo)電性粘接劑將呈矩形板狀的IC芯片連接于呈矩形板狀的基板而形成的電路零件,其特征在于, 在所述IC芯片的安裝面設(shè)置有凸出電極和除了形成有所述凸出電極的部分之外的非電極面, 在所述基板的表面與所述非電極面之間,存在與所述基板的表面及所述非電極面雙方接觸的第I狀態(tài)的導(dǎo)電粒子, 在所述基板的表面與所述凸出電極之間,存在以比所述第I狀態(tài)扁平的第2狀態(tài)陷入所述凸出電極而配置的導(dǎo)電粒子。
2.一種電路零件,其是利用含有導(dǎo)電粒子的導(dǎo)電性粘接劑將呈矩形板狀的IC芯片連接于呈矩形板狀的基板而形成的電路零件,其特征在于, 在所述IC芯片的安裝面上設(shè)置有凸出電極以及除了形成有所述凸出電極的部分之外的非電極面, 在所述基板的表面與所述非電極面之間存在導(dǎo)電粒子,該導(dǎo)電粒子在所述凸出電極的高度方向的尺寸與所述基板表面和所述非電極面之間的間隔大致一致。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述電路零件,其特征在于,所述凸出電極的高度為2 5μm0
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電路零件,其特征在于,所述基板是玻璃基板。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電路零件,其特征在于,所述基板的厚度為0.1 0.3mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電路零件,其特征在于,所述基板的尺寸為20 300mmX20 400mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電路零件,其特征在于,所述IC芯片的厚度為0.1 0.3mmο
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電路零件,其特征在于,所述IC芯片的尺寸為0.6 3.0mmX 10 40mm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電路零件,其特征在于,所述凸出電極比所述導(dǎo)電粒子柔軟。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電路零件,其特征在于, 所述IC芯片為長方形板狀, 所述凸出電極在所述IC芯片的短邊方向被分隔地配置有多個, 在所述IC芯片的短邊方向上,相鄰的所述凸出電極的內(nèi)側(cè)的端部之間的間隔中最大的間隔,與配置在兩端部的所述凸出電極的外側(cè)的端部之間的間隔的比率為0.3 0.9。
專利摘要本實用新型的目的在于,提供能夠使基板與IC芯片實現(xiàn)良好連接的電路零件及其制造方法。本實用新型的電路零件是利用含有導(dǎo)電粒子的導(dǎo)電性粘接劑將IC芯片連接于基板形成的電路零件,在IC芯111片的安裝面上,設(shè)置凸出電極與除了設(shè)置凸出電極的部分外的非電極面。在基板表面與非電極面之間,各導(dǎo)電粒子以接觸基板的表面及非電極面雙方接觸的第1狀態(tài)配置。在基板表面與凸出電極之間以比第1狀態(tài)扁平的第2狀態(tài)陷入凸出電極地配置各導(dǎo)電粒子。
文檔編號C09J9/02GK203134778SQ201220557398
公開日2013年8月14日 申請日期2012年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月26日
發(fā)明者佐藤和也 申請人:日立化成株式會社
網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
  • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
1