專利名稱：Ito蝕刻液制備裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種蝕刻液的制備裝置，具體涉及一種ITO蝕刻液制備裝置，主要用于銦錫氧化物半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜的蝕刻。
背景技術(shù)：
蝕刻是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。蝕刻技術(shù)分為濕蝕刻和干蝕刻，其中，濕蝕刻是采用化學(xué)試劑，經(jīng)由化學(xué)反應(yīng)達(dá)到蝕刻的目的。薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管液晶顯示器OFTlXD)、發(fā)光二極管(LED)、有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)等行業(yè)用作面板過(guò)程中銦錫氧化物半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜(ITO)的蝕刻通常采用鹽酸和硝酸的混合水溶液。現(xiàn)有的蝕刻液在制備過(guò)程中，由于鹽酸和硝酸的腐蝕性較強(qiáng)，常規(guī)的攪拌裝置已被腐蝕，影響蝕刻液的質(zhì)量，后改用聚四氟乙烯攪拌漿進(jìn)行攪拌，但其成本高，且混合的效果不好，使得蝕刻液顆粒度大，在試劑蝕刻過(guò)程中，造成蝕刻液分散不均勻，從而使得不同金屬層的蝕刻量難 以控制，影響產(chǎn)品的良率。近年來(lái)，人們對(duì)液晶顯示器的需求量不斷增加的同時(shí),對(duì)產(chǎn)品的質(zhì)量和畫面精度也提出了更高的要求，ITO蝕刻液的組成和顆粒度直接影響了蝕刻效果，決定了導(dǎo)致電路板制造工藝的好壞，從而影響高密度細(xì)導(dǎo)線圖像的精度和質(zhì)量。若要滿足人們對(duì)圖像精度和質(zhì)量提出的更高要求，本領(lǐng)域技術(shù)人員就有必要對(duì)現(xiàn)有的ITO蝕刻液的相關(guān)技術(shù)做出進(jìn)一步改進(jìn)。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于克服上述不足，提供一種混合效果好、蝕刻液粒度小的ITO蝕刻液制備裝置。本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種ITO蝕刻液制備裝置，所述制備裝置包括純水儲(chǔ)te、加熱器、硝Ife儲(chǔ)te、鹽Ife儲(chǔ)te、氣氣儲(chǔ)te、混合te、隔I吳栗、超濾裝直和成品te ；所述純水儲(chǔ)罐出口與加熱器進(jìn)口相連，所述加熱器出口與所述混合罐進(jìn)口相連，所述混合罐進(jìn)口還與硝酸儲(chǔ)罐和鹽酸儲(chǔ)罐的出口相連；所述氮?dú)鈨?chǔ)罐的出氣管從所述混合罐頂端伸入至混合罐內(nèi)部；所述混合罐的出口與隔膜泵的進(jìn)口相連，所述隔膜泵的出口與超濾裝置的進(jìn)口相連，所述超濾裝置的出口與成品罐進(jìn)口相連。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是本實(shí)用新型，將純水加熱后再進(jìn)行混合，使得各組分混合更均勻，采用氮?dú)膺M(jìn)行攪拌，無(wú)腐蝕無(wú)污染，易控制，成本低，超濾裝置除雜更徹底，制得的蝕刻液顆粒度小，顆粒雜質(zhì)含量少、純度高，蝕刻銦錫氧化物半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜速率適中，反應(yīng)穩(wěn)定，無(wú)殘留。

圖I為本實(shí)用新型ITO蝕刻液制備裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。[0013]其中純水儲(chǔ)罐I、加熱器2、硝酸儲(chǔ)罐3、鹽酸儲(chǔ)罐4、氮?dú)鈨?chǔ)罐5、混合罐6、隔膜泵7、超濾裝直8、成品Sig 9。
具體實(shí)施方式
參見(jiàn)圖1，本實(shí)用新型涉及的一種ITO蝕刻液制備裝置，所述制備裝置包括純水儲(chǔ)罐I、加熱器2、硝酸儲(chǔ)罐3、鹽酸儲(chǔ)罐4、氮?dú)鈨?chǔ)罐5、混合罐6、隔膜泵7、超濾裝置8和成品
9 ；所述純水儲(chǔ)罐I出口與加熱器2進(jìn)口相連，所述加熱器2出口與所述混合罐6進(jìn)口相連，所述混合罐6進(jìn)口還與硝酸儲(chǔ)罐3和鹽酸儲(chǔ)罐4的出口相連；所述氮?dú)鈨?chǔ)罐5的出氣管從所述混合罐6頂端伸入至混合罐6內(nèi)部；所述混合罐6的出口與隔膜泵7的進(jìn)口相連，所述隔膜泵7的出口與超濾裝置8的進(jìn)口相連，所述超濾裝置8的出口與成品罐9進(jìn)口相連。本實(shí)用新型ITO蝕刻液制備裝置使用方法，包括如下加工步驟先將純水加熱，然后輸送至混合罐中，開(kāi)啟氮?dú)鈨?chǔ)罐的閥門，使氮?dú)膺M(jìn)入混合罐，在將硝酸和鹽酸加入到混合罐中，通過(guò)調(diào)節(jié)氮?dú)獾牧髁縼?lái)控制攪拌速度，充分?jǐn)嚢?，混合均勻后通過(guò)隔膜泵提升至超濾裝置，超濾后得到純凈度高、液粒細(xì)小的ITO蝕刻液成品。所得ITO蝕刻液中每IOOkg顆粒度大于0. 3 ii m的顆粒不超過(guò)100個(gè)，雜質(zhì)陰離子不超過(guò)30ppb，雜質(zhì)陽(yáng)離子不超過(guò)0. 05ppb，蝕刻銦錫氧化物半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜速率適中，反應(yīng)穩(wěn)定，無(wú)殘留。
權(quán)利要求1.一種ITO蝕刻液制備裝置，其特征在于所述制備裝置包括純水儲(chǔ)罐(I)、加熱器(2)、硝酸儲(chǔ)罐(3)、鹽酸儲(chǔ)罐(4)、氮?dú)鈨?chǔ)罐(5)、混合罐(6)、隔膜泵(7)、超濾裝置(8)和成品 Sip (9 )； 所述純水儲(chǔ)罐(I)出口與加熱器(2)進(jìn)口相連，所述加熱器(2)出口與所述混合罐(6)進(jìn)口相連， 所述混合罐(6)進(jìn)口還與硝酸儲(chǔ)罐(3)和鹽酸儲(chǔ)罐(4)的出口相連； 所述氮?dú)鈨?chǔ)罐(5)的出氣管從所述混合罐(6)頂端伸入至混合罐(6)內(nèi)部； 所述混合罐(6)的出口與隔膜泵(7)的進(jìn)口相連，所述隔膜泵(7)的出口與超濾裝置(8)的進(jìn)口相連，所述超濾裝置(8)的出口與成品罐(9)進(jìn)口相連。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種ITO蝕刻液制備裝置，包括純水儲(chǔ)罐(1)、氮?dú)鈨?chǔ)罐(5)、混合罐(6)、隔膜泵(7)、超濾裝置(8)和成品罐(9)；所述純水儲(chǔ)罐(1)出口與加熱器(2)進(jìn)口相連，所述加熱器(2)出口與所述混合罐(6)進(jìn)口相連，所述氮?dú)鈨?chǔ)罐(5)的出氣管從所述混合罐(6)頂端伸入至混合罐(6)內(nèi)部；所述混合罐(6)的出口與隔膜泵(7)的進(jìn)口相連，所述隔膜泵(7)的出口與超濾裝置(8)的進(jìn)口相連，所述超濾裝置(8)的出口與成品罐(9)進(jìn)口相連。本實(shí)用新型，制得的蝕刻液顆粒度小，顆粒雜質(zhì)含量少、純度高。
文檔編號(hào)C09K13/04GK202519195SQ20122004928
公開(kāi)日2012年11月7日 申請(qǐng)日期2012年2月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月16日
發(fā)明者戈士勇, 沈翠芬, 盛建偉 申請(qǐng)人:江陰潤(rùn)瑪電子材料股份有限公司