專利名稱：磷光膜、成像組件及檢查方法
技術領域：
一般來說，本發(fā)明涉及成像組件及檢查方法。更具體來說，本發(fā)明涉及結合了可移動及可替換層的數字射線照相成像組件。
背景技術：
X射線磷光體是高密度發(fā)光材料，它們在被X射線或其它高能量電磁光子激勵時發(fā)出可見光或近可見光輻射，因此廣泛用于各種工業(yè)和醫(yī)療射線照相設備。將X射線磷光體率禹合到光電二極管、電荷稱合器件(CCD)、互補金屬氧化物半導體(CMOS器件)以及光電倍增管(PMT)是把X射線轉換為電信號的有效方式。這種發(fā)展不僅要求具有諸如高X射線轉換效率、更快的發(fā)光衰落時間、輻射場中的更低余輝和更高穩(wěn)定性之類的增強屬性的高級X射線磷光體，而且還要求X射線轉換器屏幕與電子檢測器之間的更好耦合。X射線磷光 體必須是X射線輻射到由光電傳感器、如光電倍增器或光電二極管最有效地檢測的電磁波譜(可見和近可見)的那些范圍中的光輻射的有效轉換器。還希望X射線磷光體具有高的光學透明度，即，有效地傳送光輻射而避免光學捕獲，因為在X射線磷光體主體深處發(fā)出的光輻射避開外部設置的光電檢測器的檢測。這在醫(yī)療診斷應用中特別重要，在其中，希望X射線劑量盡可能小，以便使患者曝光量最小，同時保持足夠的量子檢測效率和高信噪比。余輝是X射線磷光體在X射線激勵結束之后的一段時期繼續(xù)發(fā)出光輻射、從而引起信息攜帶信號的隨時間模糊的傾向。在要求快速順序掃描的應用中、例如在對移動的肉體組織進行成像中，短余輝是極符合要求的。滯后現象是X射線磷光體材料屬性，由此，光輸出對于相同的X射線激勵根據X射線磷光體的輻射歷史變化。由于來自每個X射線磷光體單元的光輸出的重復精確測量以及其中光輸出對于照射到X射線磷光體上的相同X射線輻射曝光量實質上必須相同的計算機斷層造影的要求，滯后現象是不希望的。典型的檢測精度對于以較高速率進行的多個連續(xù)測量大約為千分之一。在實時放射檢驗中，滯后現象可能導致圖像重影，其中，先前成像歷史重疊在當前射線照相影像上。這可能導致錯誤診斷或解釋。高X射線阻止能力對于有效的X射線檢測是符合需要的。所使用的磷光體屏幕應當阻止X射線，同時不應當阻礙供光電檢測裝置捕捉的后續(xù)光發(fā)射。本領域已知的射線照相成像系統(tǒng)遭遇這些缺點的一個或多個。因此，希望設計一種具有增強的靈敏度及更好的性能的射線照相成像系統(tǒng)。

發(fā)明內容
本發(fā)明滿足這些及其它需求。簡言之，根據本發(fā)明的一個實施例，提供一種適應性強的成像組件。適應性強的成像組件包括配置成接收入射輻射以及發(fā)出相應光信號的自立式磷光膜。提供耦合到自立式磷光膜的電子裝置。電子裝置配置成接收來自自立式磷光膜的光信號，并且產生成像信號。根據另一個實施例，提供用于檢驗構件的方法。該方法包括使構件和自立式磷光膜受到輻射，采用自立式磷光膜產生相應光信號，采用耦合到自立式磷光膜的電子裝置接收光信號，以及采用電子裝置產生成像信號。在另一個實施例中，提供包括在聚硅氧烷粘合劑中散布的X射線磷光體顆粒的自立式磷光膜。在又一個實施例中，提供一種形成自立式磷光膜的方法。該方法包括以下步驟制備磷光粉，其中磷光體包括X射線磷光體；制備粘合劑溶液，其中包括聚硅氧烷粘合劑以及固化劑；通過混合粘合劑溶液與磷光粉來制備漿體；通過在襯底上涂敷漿體，在襯底上形成磷光層；固化磷光層以得到磷光膜；以及從襯底上移去磷光膜，從而得到自立式磷光膜。


通過參照附圖閱讀以下詳細說明，會更好地理解本發(fā)明的這些及其它特征、方面 和優(yōu)點，附圖中，相似符號在整個附圖中表示相似組件，附圖包括圖I示意說明本發(fā)明的一個適應性強的成像組件的實施例；圖2是本發(fā)明的一個檢驗方法的實施例的流程圖；圖3進一步說明圖2的檢驗方法；圖4說明具有多個自立式磷光膜的適應性強的成像組件的一個具體實施例；圖5是根據本發(fā)明的一個實施例、用于制備自立式磷光膜的流程圖；圖6是Lu2O3: Eu3+的示范撓性自立式磷光膜；圖7是設置在金屬板與Si晶片之間的Lu2O3 = Eu3+的示范撓性自立式磷光膜；以及圖8示意說明采用光纖板的本發(fā)明的一個適應性強的成像組件的實施例。
具體實施例方式參照圖I來描述適應性強的成像組件20。例如圖I中所示，適應性強的成像組件20包括配置成接收入射輻射以及發(fā)出相應光信號的自立式磷光膜10。下面更詳細地描述自立式磷光膜10以及制作膜10的方法。輻射源根據應用來改變，實例包括X射線、Y射線、熱中子以及高能量元素粒子輻射源。對于熱中子，支撐襯底、如聚酯薄膜支撐將極大地衰減輸入熱中子成像射束圖案，以及降低信噪比。熱中子在包含諸如聚酯薄膜之類的材料的氫中高度吸收。這些只是示例，不應當被解釋為限制可使用的輻射類型。本文所用的短語“光信號”應當理解為表示光。磷光膜10發(fā)出的光的波長由所使用的磷光體的類型來確定。適應性強的成像組件20還包括耦合到自立式磷光膜10的電子裝置12。電子裝置12配置成接收來自自立式磷光膜10的光信號，并且產生成像信號。電子裝置12可按照若干方式耦合到自立式磷光膜10，其中包括光耦合(例如采用光纖板)、直接耦合以及透鏡耦合。示范電子裝置12包括(XD、CM0S、光電二極管陣列、光電雪崩陣列以及α -Si (非晶硅)陣列。電子裝置12通常包括排列成陣列的多個光敏像素。陣列可能是線陣或者面陣。在其它實施例中，可采用單像素器件，例如光電倍增管(PMT)。根據一個具體實施例，光耦合流體(未示出)或者光膠(未示出)用于自立式磷光膜10與電子裝置12之間，提供各元件的各自折射率的改進匹配。這個實施例因而將改進光耦合效率和光收集。示例光膠非限制性地包括UV固化膠和光環(huán)氧樹脂。根據示范實施例，自立式磷光膜10包括在聚硅氧烷粘合劑中散布的X射線磷光體顆粒，圖6說明這種薄膜的一個實例。適合這些應用的X射線磷光體的非限制性實例包括但不限于 Gd2O2S: Tb、Gd2O2S:Eu、CaW04、Y2O2S: Tb、(YSr) TaO4, (YSr) TaO4:Gd, (YSr) TaO4:Nb、BaFCl:Eu> Lu2O3:Eu> CsI :T1以及這些磷光體的組合或者所述催化劑、如鋪和銪的組合。具體材料或者材料組合的選擇取決于特定應用。下面參照圖5、圖6和圖7更詳細地論述自立式膜10。對于混合磷光體的實施例，自立式磷光膜10包括至少兩種磷光粉。對于包括非晶硅面板在內的某些應用，這種混合磷光體是符合要求的。由于非晶硅面板對綠光更敏感，因此Lu2O3: Eu和GOS: Tb的混合可能有效。在這種配置中，Lu2O3: Eu提供x射線阻止能力以及良好的X射線-光轉換效率，但在光譜的紅色區(qū)域發(fā)出。G0S: Tb提供中等的阻止能力，具有良好的轉換效率，但提供與非晶硅光電檢測器的更好匹配。對于圖I的示范實施例，適應性強的成像組件20還包括電子強化層14，它耦合到自立式磷光膜10以及配置成在入射到自立式磷光膜10之前接收入射輻射。示范電子強化層14包括由具有高原子序數的金屬、如鉛組成的金屬層。有利的是，電子強化層14減少X射線散射。根據一個具體實施例，電子強化層14直接耦合到自立式磷光膜10。依靠以下事實來幫助這種直接耦合自立式膜10沒有襯底、如Mylar 襯背。(My丨at· 是 DuPont-Teijin Films的注冊商標。)這允許在薄膜10的兩邊的直接稱合。自立式磷光膜10的另一個優(yōu)點在于以下事實以低X射線能量(< 400kV)從金屬屏發(fā)出的低能量電子未被阻止，如對于具有Mylar 襯背的傳統(tǒng)熒光屏通常發(fā)生的那樣。根據一個具體實施例，電子強化層14是可移動及可替換的。有利的是，通過將電子強化層配置為可移動的，它對于高能量(> IMeV)應用可被包含，而對于較低能量(< 150kV)應用則可去掉。類似地，通過將電子強化層14配置為可替換的，不同的電子強化層14(就成分、厚度或者兩者而言)可用于不同的成像應用。對于另一個示范實施例，自立式磷光膜10的厚度是可調節(jié)的。例如,單個100微米的磷光層可用于某些成像應用，以及100微米厚的磷光體的一個或多個附加層可被添加，從而建立用于其它成像應用的自立式磷光膜10的厚度。對于這個實施例，附加磷光層可包括相對于初始磷光層來說相同或不同的磷光體。根據一個具體實施例，自立式磷光膜10是可替換的。有利的是，通過采用可替換磷光膜10，不同的磷光體和/或不同的膜厚度可用于不同的成像應用。例如，對于鑄件中的小裂縫或小孔的高空間分辨率、低能量成像，可采用由G0S: Tb構成的50-100微米的自立式磷光體，它直接附加到非晶硅光電檢測器上，并且可用來執(zhí)行非破壞性測試。對于較厚鑄件或者較大的鋼構件的較高能量曝光，可使用更厚重的磷光體，同樣采用適當厚度以便于最佳X射線捕捉。更具體來說，后者也可配置例如500微米的鉛或鎢的金屬屏，從而進一步改進X射線圖像質量。另外，為了修復目的可執(zhí)行更換操作。根據一個具體實施例，自立式磷光膜10附加到電子裝置12。這可通過許多方式來實現，其中包括將自立式磷光膜10壓力裝配到電子裝置12。例如，可利用前蓋板將磷光體壓到裝置上。對于其它實施例，也可采用框架。更具體來說，薄膜可被壓力裝配到框架上。圖8說明適應性強的成像組件20的另一組示范實施例。如圖8所示，適應性強的成像組件20還包括設置在自立式磷光膜10與電子裝置12之間的光纖板(F0P)52。FOP可能是不發(fā)光或者發(fā)光的。有利的是，FOP的數值孔徑可調節(jié)到接受更淺的入射光角度，以便改進適應性強的成像組件20的分辨率。這允許對空間分辨率和對比度的改進調諧。根據一個具體實施例，電子裝置12為非晶硅面板。FOP可有利地與光耦合流體或光膠結合。例如，光耦合流體或光膠(未示出)可設置在自立式磷光膜10與FOP 52之間。另外，光耦合流體或光膠也可設置在FOP 52與電子裝置12之間。
適應性強的成像組件20可用來檢驗構件30，其實例非限制性地包括渦輪葉片、鑄件、焊接件以及飛機機身框架。圖2和圖3說明本發(fā)明的另一個實施例，它針對檢驗構件30 的方法。如圖2所示，該方法包括在步驟22，使構件30和自立式磷光膜10受到輻射；在步驟24，采用自立式磷光膜10產生相應光信號；以及在步驟26，采用耦合到自立式磷光膜 10的電子裝置12來接收光信號。檢驗方法還包括在步驟28，采用電子裝置12產生成像信號。對于圖3的示范實施例，成像信號在處理器18中經過多個處理步驟(未示出)，以及構件30的圖像根據一個或多個成像信號來產生。在許多實施例中，圖像在顯示器16上顯示， 如圖3所示。
根據具體實施例，該方法還包括執(zhí)行下列操作中的至少一個調節(jié)自立式磷光膜 10的厚度；將至少一層另一個自立式磷光膜10’(可能具有與原始膜10相同或不同的磷光體)添加到原始自立式磷光膜10，例如圖4所示；以及采用另一個自立式磷光膜(例如成分和/或厚度不同的)替換自立式磷光膜10。后一種替換操作可用來修改或者修復自立式磷光膜10。
根據一個具體實施例，該方法還包括通過將高原子序數電子強化層14耦合到自立式磷光膜10來減小輻射散射。這里所使用的短語“高原子序數”表示至少26的原子序數。這樣，金屬屏不僅可提供散射抑制，而且還可提供對于從金屬屏發(fā)出的光電子的進一步捕捉，因此提供來自所述金屬層的改進強化。金屬層通常用于工業(yè)薄膜成像，在其中，諸如鉛之類的金屬設置成與工業(yè)X射線薄膜密切接觸。這產生高于大約IOOkV的中等能量X射線的主要捕捉媒介。自立式磷光膜提供正面與光電檢測器陣列的直接接觸以及背面與金屬 “強化”屏的直接接觸。對于它的更具體實施例，該方法還包括執(zhí)行下列操作中的至少一個 調節(jié)電子強化層14的厚度；替換電子強化層14 ;以及移去電子強化層14。
本發(fā)明的另一個方面是提供包括在聚硅氧烷粘合劑中散布的X射線磷光體顆粒的自立式磷光膜10。適合這些應用的X射線磷光體的非限制性實例包括但不限于 Gd2O2S: Tb、Gd2O2S:Eu、CaWO4、Y2O2S: Tb、(YSr) TaO4, (YSr) TaO4:Gd, (YSr) TaO4:Nb、BaFCl:Eu、 Lu2O3:Eu、CsI:Tl以及這些磷光體的組合。具體材料或者材料組合的選擇取決于特定應用。 在某個示范實施例中，X射線磷光體為Lu203:Eu。Lu2O3 = Eu具有高密度、因而具有更好的X 射線阻止、以及匹配CXD的光譜響應的610nm的窄帶發(fā)射的明顯優(yōu)點。
對于一個具體實施例，自立式磷光膜包括混合磷光體，其中包含至少兩種不同的磷光體。在一個具體實施例中，混合磷光體包括GOS: Tb3+和Lu2O3: Eu3。混合磷光體可包括適合特定應用的磷光體的組合。例如，對于對綠色更敏感的非晶Si面板，Lu2O3IEu和GOS = Tb 的混合可能有效。這些不同的磷光體可組合以形成混合物，或者可用于不同層中。
可移動和可替換的層允許簡易處理。它們可重復再使用。磷光膜可根據關聯電子器件改變。例如，PMT對藍色輻射敏感，因此BaFCl = Eu2+磷光體是有效的。另一方面，C⑶對紅色更敏感，因此Lu2O3 = Eu在那些情況中可能有效。
自立式磷光膜的厚度可根據具體要求改變。成像組件的靈敏度由磷光膜的化學成分、其晶體結構、顆粒形狀、膜中的磷含量的重量以及磷光膜的厚度來確定。在一些實施例中，自立式磷光膜的厚度小于I毫米。在其它實施例中，磷光膜的厚度處于從大約100微米到大約500微米的范圍。這里所使用的術語“大約”應當理解為表示所述厚度的百分之十以內。因此，“大約100微米”應當理解為表示100+/-10微米，等等。
圖5說明根據本發(fā)明的一個實施例、用于制備自立式磷光膜的方法(由參考標號 32總體表示)的流程圖。該方法包括在步驟34制備磷光粉的步驟，在其中，磷光體包括X 射線磷光體。該方法包括在步驟36制備其中包含聚硅氧烷粘合劑和固化劑的粘合劑溶液。 在步驟38，通過混合粘合劑溶液與磷光粉來制備漿體。步驟40包括通過在襯底上涂敷漿體，在襯底上形成磷光層。在步驟42，磷光層經過固化，從而得到磷光膜。步驟44包括從襯底上移去磷光膜，從而得到自立式磷光膜10。
在步驟34，制備包含X射線磷光粉的磷光粉。磷光粉可通過本領域已知的任何合成方法來制備。有用的合成方法包括固態(tài)合成、共沉淀、溶膠-凝膠合成、膠體法、火焰噴射熱解、逆微乳技術、燃燒法、草酸鹽沉淀分離法以及微波合成。在一個示范實施例中，采用以尿素作為沉淀劑的共沉淀法。對于具有精確顆粒大小和形態(tài)的Lu2O3 = Eu磷光粉的制備，這種技術特別有用。在另一個實施例中，碳酸銨用作沉淀劑。對于具有可控顆粒大小、窄大小分布以及精確形態(tài)的Lu2O3 = Eu磷光粉的制備，這種技術也是有用的。合成方法及加工條件可根據所需磷光體顆粒的大小和形狀來選擇。根據一個具體實施例，磷光體顆粒的平均顆粒大小從大約I微米至大約25微米改變。在一些具體實施例中，平均顆粒大小的范圍是從大約4微米至大約5微米。
在產生具有極窄大小分布及均勻球形形態(tài)的磷光體顆粒中，共沉淀法證明是有用的。顆粒大小和形狀對漿體的流變性質具有重要影響。顆粒大小和形態(tài)影響薄膜的填充密度。此外還知道，更清晰的圖像采用更小平均顆粒大小的磷光體顆粒來獲得。但是，發(fā)光效率隨著減小的顆粒大小而衰·減。因此，給定應用的最佳平均顆粒大小是成像速度與預期圖像銳度之間的折衷。
在步驟36，制備包含粘合劑和固化劑的粘合劑溶液。粘合劑可以是與磷光體系統(tǒng)兼容的任何粘合劑。在一些示范實施例中，采用聚硅氧烷粘合劑。聚硅氧烷粘合劑提供與磷光體顆粒的良好折射率匹配特性，并且允許光從深層發(fā)出，因而允許厚磷光板的使用。在步驟38，通過混合粘合劑溶液與磷光粉來制備漿體。漿體中磷光粉的量一般被調節(jié)為具有最佳流變特性。其它添加劑可混合到漿體中，例如用于改進分散性并且防止迅速沉淀的分散劑、用于改進粘合劑與磷光體顆粒之間的粘合力并且降低破裂風險的增塑劑。根據具體實施例，該方法包括漿體的解凝聚和除氣以便得到更好結果的附加可選步驟。步驟40包括通過在襯底上涂敷漿體，在襯底上形成磷光層。本領域已知的用于制備層的任何技術可用于形成磷光層。有用的成形技術的非限制性實例包括但不限于噴射、絲網印刷、噴墨印刷、 澆鑄、繞線棒涂敷、擠壓貼膠、照相凹板涂敷、輥涂以及它們的組合。在一些示范實施例中， 采用如膠帶澆鑄之類的澆鑄技術。對于制作具有可控厚度和微結構的大面積薄陶瓷片，膠帶澆鑄證明是有效的。各種襯底可用于制作薄膜，包括但不限于塑料、玻璃、云母、金屬襯底以及陶瓷襯底。步驟42包括固化磷光層以得到磷光膜。示范固化技術可包括以指定溫度加熱指定持續(xù)時間、或者微波照射、或者電子束照射、或者UV光曝光、或者它們的組合。在步驟44，磷光膜從襯底上移去，從而得到自立式磷光膜10。例如，磷光膜可用手剝落。
實例CN 102915785 A書明說6/6頁
下面將描述本發(fā)明的一個實例。但是本發(fā)明不受以下實例限制。
自立式磷光膜的制備
以下實例描述Lu2O3 = Eu的自立式磷光膜的制備方法。具有5微米的平均顆粒大小以及具有球形形態(tài)的Lu2O3 = Eu磷光體顆粒通過尿素輔助共沉淀法來制備。稱出2. 5ml磷光粉并通過100網孔篩選。7. 02g的Dow corning Sylgard 184基在50ml燒杯中與7gm的固化劑混合，從而形成粘合劑溶液。磷光粉被添加到燒杯中的粘合劑溶液中，并用力混合5 分鐘以便消除凝塊。燒杯放置在真空干燥器中，并從真空到I個大氣壓循環(huán)數次，以便對懸浮液除氣。預期大小的玻璃襯底被清潔，以及懸浮液通過標準刮涂技術形成預期厚度的磷光層。以80°C對膠帶加熱15個小時。磷光膜從玻璃襯底上剝落，從而得到自立式Lu2O3 = Eu 薄膜。
圖6說明通過方法32制備的Lu2O3 = Eu3+的撓性自立式磷光膜(46)。這些撓性自立式膜可用于成像組件中，如上所述。這些自立式膜是撓性的，允許與面板的密切接觸。例如，圖7說明設置成在金屬板(50)與Si晶片(48)之間密切接觸的Lu2O3 = Eu3+的自立式膜(46)。
本文所述的成像組件可具有各種用途。例如，它在其中涉及高能量輻射到電信號的轉換的任何系統(tǒng)中可能是有用的。具體來說，它在各種工業(yè)和醫(yī)療成像應用中可能是有用的，其中包括X射線射線照相、乳房X射線照相、口腔內射線照相(牙科)、熒光透視、X射線計算機斷層造影、諸如正電子放射斷層造影之類的放射性核素成像、工業(yè)的非破壞性測試、包裹和集裝箱的被動及主動篩查。
雖然本文僅說明及描述了本發(fā)明的某些特征，但是本領域的技術人員會想到多種修改和變更。因此要理解，所附權利要求意在包含落入本發(fā)明的真實精神之內的所有這類修改和變更。8
權利要求
1.一種適應性強的成像組件(20)，包括 自立式磷光膜(10)，配置成接收入射輻射以及發(fā)出多個相應的光信號，其中所述自立式磷光膜(10)包括在聚硅氧烷粘合劑中散布的多個X射線磷光體顆粒；以及 電子裝置(12)，耦合到所述自立式磷光膜，其中所述電子裝置配置成接收來自所述自立式磷光膜(10)的光信號，并且產生成像信號， 其中，所述自立式磷光膜包括混合磷光體，其中包含至少兩種不同的磷光體。
2.如權利要求I所述的適應性強的成像組件(20)，其特征在于，還包括電子強化層(14)，它耦合到所述自立式磷光膜(10)以及配置成在入射輻射入射到所述自立式磷光膜上之前接收所述入射輻射，其中所述電子強化層(14)是可移動及可替換的。
3.如權利要求I所述的適應性強的成像組件(20)，其特征在于，所述自立式磷光膜(10)是可替換的。
4.如權利要求I所述的適應性強的成像組件(20)，其特征在于，還包括設置在所述自立式磷光膜(10)與所述電子裝置(12)之間的光纖板(52)。
5.一種用于檢驗構件(30)的方法,包括 使構件和自立式磷光膜(10)受到輻射(22)，其中所述自立式磷光膜(10)包括在聚硅氧烷粘合劑中散布的多個X射線磷光體顆粒； 米用自立式磷光膜(10)產生多個相應的光信號(24)； 采用耦合到自立式磷光膜(10)的電子裝置(12)來接收光信號(26);以及 采用電子裝置(12)產生成像信號(28)， 其中，所述自立式磷光膜包括混合磷光體，其中包含至少兩種不同的磷光體。
6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，還包括執(zhí)行下列操作中的至少一個 調節(jié)自立式磷光膜(10)的厚度； 添加至少一層另一個自立式磷光膜；以及 替換自立式磷光膜。
7.一種形成用于適應性強的成像組件(20)的自立式磷光膜(10)的方法(32)，所述方法包括以下步驟 (a)制備磷光體粉(34)，其中所述磷光體包括X射線磷光體； (b)制備包含聚硅氧烷粘合劑和固化劑的粘合劑溶液(36)； (c)通過混合所述粘合劑溶液和所述磷光體粉來制備漿體(38)； (d)通過在襯底上涂敷所述漿體在所述襯底上形成磷光層(40)； (e)干燥所述磷光層(42)以得到磷光膜；以及 (f)從所述襯底移去所述磷光膜(44)而得到自立式磷光膜(10)， 其中，所述自立式磷光膜包括混合磷光體，其中包含至少兩種不同的磷光體。
全文摘要
提供一種適應性強的成像組件(20)。適應性強的成像組件(20)包括配置成接收入射輻射以及發(fā)出相應光信號的自立式磷光膜(10)。電子裝置(12)耦合到自立式磷光膜(10)。電子裝置(12)配置成接收來自自立式磷光膜(10)的光信號并且產生成像信號。還提供一種自立式磷光膜(10)，它包括在聚硅氧烷粘合劑中散布的x射線磷光體顆粒。還提供一種用于檢驗構件的方法，包括使構件和自立式磷光膜受到輻射(22)，采用自立式磷光膜(10)產生相應光信號(24)，采用耦合到自立式磷光膜(10)的電子裝置(12)接收光信號(26)，以及采用電子裝置(12)產生成像信號(28)。
文檔編號C09K11/78GK102915785SQ201210425509
公開日2013年2月6日 申請日期2006年3月23日 優(yōu)先權日2005年3月23日
發(fā)明者V.馬尼范南, C.布伊諾, S.J.杜克洛斯, S.J.斯拓洛薩, D.阿爾巴利, P.A.麥康尼利 申請人:通用電氣公司