有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的基底、陰極、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、陽極及增透膜，所述增透膜的材料為折射材料和聚合物材料以質(zhì)量比1:1~5:1混合形成的混合物，所述折射材料選自N,N’-二苯基-N,N’-雙（3-甲基苯基）-（1,1’-聯(lián)苯基）-4,4’-二胺、8-羥基喹啉鋁及2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-鄰菲羅啉中的至少一種，所述聚合物材料選自聚3-己基噻吩、聚3-甲基噻吩及聚3-十二烷基噻吩中的至少一種。上述有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效率較高。本發(fā)明還提供一種有機電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】[0001] 本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機電致發(fā)光器件的發(fā)光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道(LUMO)，而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。
[0003]在傳統(tǒng)的有機電致發(fā)光器件中，有機電致發(fā)光器件內(nèi)部的發(fā)光層產(chǎn)生的光只有18%左右是可以發(fā)射到外部去的，而其他的部分會以其他形式消耗在器件外部，界面之間存在折射率的差(如玻璃與ITO之間的折射率之差，玻璃折射率為1.5，ITO為1.8，光從ITO到達玻璃，就會發(fā)生全反射)，引起了全反射的損失，從而導(dǎo)致整體出光性能較低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]基于此，有必要提供一種發(fā)光效率較高的有機電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0005]—種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的基底、陰極、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、陽極及增透膜，所述增透膜的材料為折射材料和聚合物材料以質(zhì)量比1:1飛:1混合形成的混合物，所述折射材料選自N, N’ - 二苯基-N, N’ -雙(3-甲基苯基)-(I, -聯(lián)苯基)-4，4’ - 二胺、8-羥基喹啉鋁及2，9- 二甲基-4，7- 二苯基-1，10-鄰菲羅啉中的至少一種，所述聚合物材料選自聚3-己基噻吩、聚3-甲基噻吩及聚3-十二烷基噻吩中的至少一種。
[0006]在其中一個實施例中，所述陰極的材料為金、銀、鋁或鉬。
[0007]在其中一個實施例中，所述電子傳輸層的材料選自4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、1，2，4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一種。
[0008]在其中一個實施例中，所述發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在所述主體材料中的客體材料，所述主體材料選自聚咔唑及聚乙烯撐中的至少一種，所述客體材料選自4_(二腈甲基)-2_ 丁基-6- (I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亞萘基蒽、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1, I’ -聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種，所述客體材料的質(zhì)量百分含量為5%~30%。
[0009]在其中一個實施例中，所述空穴傳輸層的材料選自I，1-二 [4-[N，K -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺及Ν，Ν’_ (1-萘基)_Ν，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺中的至少一種。
[0010]在其中一個實施例中，所述陽極的材料為聚3，4- 二氧乙烯噻吩與聚苯乙烯磺酸鹽以質(zhì)量比2: f 6:1混合形成的混合物。
[0011]在其中一個實施例中，所述增透膜的厚度為30nnT200nm。
[0012]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:[0013]在基底表面形成陰極；
[0014]在所述陰極表面形成電子傳輸層；
[0015]在所述電子傳輸層表面形成發(fā)光層；
[0016]在所述發(fā)光層表面形成空穴傳輸層；
[0017]在所述空穴傳輸層表面形成陽極；及
[0018]在所述陽極表面形成增透膜，所述增透膜的材料為折射材料和聚合物材料以質(zhì)量比1:1飛:I混合形成的混合物，所述折射材料選自N，N’ - 二苯基-N，N’ -雙(3-甲基苯基)-(I, I’-聯(lián)苯基)_4，4’-二胺、8-羥基喹啉鋁及2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉中的至少一種，所述聚合物材料選自聚3-己基噻吩、聚3-甲基噻吩及聚3-十二烷基噻吩中的至少一種。
[0019]在其中一個實施例中，所述增透膜由含有所述增透膜的材料的溶液旋涂在所述陽極的表面后干燥形成，所述溶液的溶劑為選自氯苯、三氯甲烷及二氯甲烷的至少一種。
[0020]在其中一個實施例中，所述增透膜的厚度為30nnT200nm。
[0021]上述有機電致發(fā)光器件及其制備方法，金屬陰極對光進行反射，與發(fā)光層發(fā)射出來的光形成干涉增強，而聚合物材料為結(jié)晶性聚合物材料，聚合物材料結(jié)晶后分子排列有序整齊，可加強對光的散射或者反射，從而提高有機電致發(fā)光器件100的出光效率；有機層之間的相容性得到加強，有效避免電子陷阱的存在。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1為一實施方式的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖2為一實施方式的有機電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖；
[0024]圖3為實施例1及對比例制備的有機電致發(fā)光器件的亮度與電壓關(guān)系圖。
【具體實施方式】
[0025]下面結(jié)合附圖和具體實施例對有機電致發(fā)光器件及其制備方法進一步闡明。
[0026]請參閱圖1，一實施方式的有機電致發(fā)光器件100包括依次層疊的基底10、陰極20、電子傳輸層30、發(fā)光層40、空穴傳輸層50、陽極60及增透膜70。
[0027]基底10為玻璃基底。
[0028]陰極20形成于基底10的表面。陰極20的材料為金(Au)、銀(Ag)、鋁(Al)或鉬(Pt),優(yōu)選為Ag。陰極20的厚度為80nnT300nm,優(yōu)選為150nm。
[0029]電子傳輸層30形成于陰極20的表面。電子傳輸層30的材料選自4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一種，優(yōu)選為TPBI。電子傳輸層30的厚度為40nnTl00nm,優(yōu)選為60nm。
[0030]發(fā)光層40形成于電子傳輸層30的表面。發(fā)光層40的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料選自聚咔唑(PVK)及聚乙烯撐(PPV)中的至少一種，優(yōu)選為PVK?？腕w材料選自4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二-β-亞萘基蒽(ADN)、4，4’-雙(9-乙基_3_咔唑乙烯基)_1，I’-聯(lián)苯(BCzVBi)及8-羥基喹啉鋁(Alq3)中的至少一種，優(yōu)選為Alq3。客體材料的質(zhì)量百分含量為5%?30%，優(yōu)選為20%。發(fā)光層40的厚度為5nnT40nm，優(yōu)選為15nm。[0031]空穴傳輸層50形成于發(fā)光層40的表面。空穴傳輸層50的材料選自1,1-二[4_[1N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4〃 -三(咔唑_9_基)三苯胺(TCTA)及N，N’ - (1_萘基)州4，- 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)中的至少一種，優(yōu)選為TAPC0空穴傳輸層50的厚度為20nnT60nm，優(yōu)選為40nm。
[0032]陽極60形成于空穴傳輸層50的表面。陽極60的材料為聚3，4_ 二氧乙烯噻吩(PEDOT)與聚苯乙烯磺酸鹽(PSS)以質(zhì)量比2:1~6:1混合形成的混合物。優(yōu)選的，PEDOT與PSS的質(zhì)量比為5:1。陽極60的厚度為80nnT300nm，優(yōu)選為150nm。
[0033]增透膜70形成于陽極60的表面。增透膜70的材料為折射材料和聚合物材料以質(zhì)量比1:廣5:1混合形成的混合物。折射材料選自N，N’ - 二苯基-N，N’ -雙(3-甲基苯基)-(1，I，-聯(lián)苯基)_4，4，- 二胺(TPD)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)及2，9_ 二甲基_4，7_ 二苯基-1，I O-鄰菲羅啉(BCP )中的至少一種。聚合物材料選自聚3-己基噻吩(P3HT )、聚3-甲基噻吩(P3AT)及聚3-十二烷基噻吩(P3DDT)中的至少一種。增透膜70的厚度為30nnT200nm。
[0034]上述有機電致發(fā)光器件100，金屬陰極對光進行反射，與發(fā)光層發(fā)射出來的光形成干涉增強，而聚合物材料為結(jié)晶性聚合物材料，聚合物材料結(jié)晶后分子排列有序整齊，可加強對光的散射或者反射，從而提高有機電致發(fā)光器件100的出光效率；有機層都是通過旋涂形成，各層之間的相容性得到加強，有效避免電子陷阱的存在。
[0035]可以理解，該有機電致發(fā)光器件100中也可以根據(jù)需要設(shè)置其他功能層。
[0036]請同時參閱圖2，一實施例的有機電致發(fā)光器件100的制備方法，其包括以下步驟:
[0037]步驟S110、在基底10表面形成陰極20。
[0038]基底10為玻璃基底。
[0039]本實施方式中，在基底10的表面形成陰極20之前首先對基底10依次采用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇、異丙酮各超聲波清洗15min，以去除基底10表面的污染物。
[0040]陰極20的材料為金(Au)、銀(Ag)、鋁(Al)或鉬(Pt)，優(yōu)選為Ag。陰極20的厚度為80nnT300nm，優(yōu)選為150nm。陰極20由蒸鍍形成，真空度為5 X KT3Pa~2 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為10人/5~100人/8。
[0041]步驟S120、在陰極20表面形成電子傳輸層30。
[0042]電子傳輸層30通過在陰極20表面旋涂含有電子傳輸材料的溶液形成。電子傳輸材料選自4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一種，優(yōu)選為TPBI。溶液的溶劑選自氯苯、三氯甲烷及對二甲苯中的至少一種。溶液中，電子傳輸材料的質(zhì)量百分含量為109^50%,優(yōu)選為30%。電子傳輸層30的厚度為40nm~lOOnm，優(yōu)選為60nm。旋涂的轉(zhuǎn)速為200(T6000rpm，時間為l(T30s。
[0043]步驟S130、在電子傳輸層30的表面形成發(fā)光層40。
[0044]發(fā)光層40通過在電子傳輸層30表面旋涂含有發(fā)光材料的溶液后干燥形成。發(fā)光材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。溶液的溶劑為氯苯，主體材料的質(zhì)量分數(shù)為8mg/L。主體材料選自聚咔唑(PVK)及聚乙烯撐(PPV)中的至少一種，優(yōu)選為PVK。客體材料選自4- (二腈甲基)-2- 丁基-6- (I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)_4H_吡喃(DCJTB),9, 10- 二 - β -亞萘基蒽(ADN)、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1, I，-聯(lián)苯(BCzVBi)及8-羥基喹啉鋁(Alq3)中的至少一種，優(yōu)選為Alq3。發(fā)光材料中客體材料的質(zhì)量百分含量為5%~30%，優(yōu)選為20%。旋涂后，在20°C~100°C退火10mirT30min。發(fā)光層40的厚度為5nm~40nm,優(yōu)選為15nm。旋涂的轉(zhuǎn)速為3000rpm~5000rpm,時間為IOs~60s。
[0045]步驟S140、在發(fā)光層40的表面形成空穴傳輸層50。
[0046]空穴傳輸層50由在發(fā)光層40的表面旋涂含有空穴傳輸材料的溶液后干燥形成。空穴傳輸層50的材料選自1，1_二 [^[Ν,Ν' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)及 N，N’- (1-萘基)-N，N’- 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(NPB )中的至少一種，優(yōu)選為TAPC。溶液的溶劑選自氯苯、三氯甲烷及對二甲苯中的至少一種，優(yōu)選為氯苯。溶液中，空穴傳輸材料的質(zhì)量百分含量為10%~50%，優(yōu)選為30%?？昭▊鬏攲?0的厚度為20nnT60nm，優(yōu)選為40nm。旋涂的轉(zhuǎn)速為2000rpnT6000rpm，時間為IOs~80s。
[0047]步驟S150、在空穴傳輸層50的表面形成陽極60。
[0048]陽極60通過在空穴傳輸層50的表面旋涂含有PEDOT及PSS的水溶液后干燥形成。PEDOT與PSS質(zhì)量比為2:1~6:1，優(yōu)選為5:1。水溶液中，PEDOT的質(zhì)量百分含量為1%~5%，優(yōu)選為4%。陽極60的厚度為80nnT300nm，優(yōu)選為150nm。旋涂的轉(zhuǎn)速為200(T6000rpm，時間為10~30s。
[0049]步驟S160、在陽極60表面形成增透膜70。
[0050]增透膜70通過在陽極60的表面旋涂含有增透膜的材料的溶液后干燥形成。溶液中的溶劑選自氯苯、三氯甲烷及對二甲苯中的至少一種。增透膜的材料為折射材料和聚合物材料以質(zhì)量比1: f 5:1混合形成的混合物。折射材料選自N，N’-二苯基-N，N’-雙(3-甲基苯基)-(I, 1’-聯(lián)苯基)-4，4’- 二胺(TPD)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)及2，9_ 二甲基_4，7_ 二苯基-1，10-鄰菲羅啉(BCP)中的至少一種。聚合物材料選自聚3-己基噻吩(P3HT)、聚3-甲基噻吩(P3AT)及聚3-十二烷基噻吩(P3DDT)中的至少一種。折射材料在溶液中的質(zhì)量百分含量為10%~30%。增透膜70的厚度為30nnT200nm。旋涂的轉(zhuǎn)速為200(T6000rpm，時間為10~30s。
[0051]上述有機電致發(fā)光器件的制備方法，工藝簡單，通過旋涂的方法制備電子傳輸層30、發(fā)光層40、空穴傳輸層50、陽極60及增透膜70，從而可以避免破壞陰極20 ;制備的有機電致發(fā)光器件，金屬陰極對光進行反射，與發(fā)光層發(fā)射出來的光形成干涉增強，而聚合物材料為結(jié)晶性聚合物材料，聚合物材料結(jié)晶后分子排列有序整齊，可加強對光的散射或者反射，從而提高有機電致發(fā)光器件100的出光效率；有機層之間的相容性得到加強，有效避免電子陷阱的存在。
[0052]以下結(jié)合具體實施例對本發(fā)明提供的有機電致發(fā)光器件的制備方法進行詳細說明。
[0053]本發(fā)明實施例及對比例所用到的制備與測試儀器為:高真空鍍膜設(shè)備(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司，壓強〈IX 10_3Pa)、電流-電壓測試儀(美國Keithly公司，型號:2602)、電致發(fā)光光譜測試儀(美國photo research公司，型號:PR650)以及屏幕亮度計(北京師范大學(xué)，型號:ST-86LA)。
[0054]實施例1
[0055]本實施例制備的結(jié)構(gòu)為基底/Ag/TPBI/Alq3:PVK/TAPC/PED0T:PSS/Alq3:P3HT 的有機電致發(fā)光器件。[0056]先將玻璃基底進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物。然后蒸鍍金屬陰極，材料為Ag，厚度為150nm ;旋涂電子傳輸層，材料為TPBI，溶劑為氯苯，質(zhì)量分數(shù)為30%，旋涂制備，烘干，厚度為60nm ;旋涂發(fā)光層，材料為Alq3,主體材料為PVK、質(zhì)量分數(shù)為20%,旋涂后在100度下退火15min，厚度為15nm ;旋涂空穴傳輸層，材料為TAPC，溶劑為氯苯，質(zhì)量分數(shù)為50%，烘干，厚度為40nm ;旋涂陽極，PEDOT與PSS質(zhì)量比為5: 1，質(zhì)量分數(shù)為4%，烘干后厚度為150nm，最后旋涂摻雜的增透層，材料為Alq3:P3HT，質(zhì)量比為2:1，質(zhì)量分數(shù)為35%，旋涂制備，烘干，厚度為30nm。最后得到所需要的有機電致發(fā)光器件。
[0057]請參閱圖3，所示為實施例1中制備的結(jié)構(gòu)為基底/Ag/TPBI/Alq3:PVK/TAPC/PEDOT:PSS/Alq3: P3HT的有機電致發(fā)光器件(曲線I)與對比例制備的結(jié)構(gòu)為ITO/PEDOT:PSS/Alq3:PVK/TPBi/LiF/Ag的有機電致發(fā)光器件(曲線2)的亮度與電壓的關(guān)系。對比例中各層的厚度與實施例1相同。
[0058]從圖3可以看到，在不同電壓下，實施例1的亮度都比對比例的要大，在IOV時，實施例I的亮度為24219cd/m2，而對比例的僅為14616cd/m2，由此可以看出，金屬陰極對光進行反射，與發(fā)光層發(fā)射出來的光形成干涉增強，而聚合物材料選用的是結(jié)晶性聚合物，通過處理，使鏈段進行結(jié)晶，進一步加強光的散射或者反射，最終使器件的發(fā)光效率得到提高，
[0059]以下各個實施例制備的有機電致發(fā)光器件的電流效率都與實施例1相類似，各有機電致發(fā)光器件也具有類似的亮度，在下面不再贅述。
[0060]實施例2
[0061]本實施例制備的結(jié)構(gòu)為基底/Au/Bphen/BCzVBi:PPV/NPB/PED0T:PSS/TPD:P3AT的有機電致發(fā)光器件。
[0062]先將玻璃進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min,去除玻璃表面的有機污染物。然后蒸鍍金屬陰極,材料為Au,厚度為SOnm ;旋涂電子傳輸層，材料為Bphen，溶劑為三氯甲烷，質(zhì)量分數(shù)為10%，旋涂后烘干，厚度為IOOnm ;旋涂發(fā)光層，材料為BCzVBi，主體材料為PPV、質(zhì)量分數(shù)為30%，旋涂后在100度下退火15min，厚度為40nm ;旋涂空穴傳輸層，材料為NPB，溶劑為三氯甲烷，質(zhì)量分數(shù)為50%，烘干，厚度為80nm ;旋涂陽極，PEDOT與PSS質(zhì)量比為2:1，質(zhì)量分數(shù)為1%，烘干后厚度為300nm ;最后旋涂摻雜的增透層，材料為ΤΗ):Ρ3ΑΤ，質(zhì)量比為1: 1，質(zhì)量分數(shù)為50%，旋涂后烘干，厚度為30nm。最后得到所需要的有機電致發(fā)光器件。
[0063]實施例3
[0064]本實施例制備的結(jié)構(gòu)為基底/Pt/TAZ/DCJTB:PVK/TAPC/PED0T:PSS/BCP:P3DDT 的有機電致發(fā)光器件。
[0065]先將玻璃基底進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇,異丙醇各超聲15min,去除玻璃表面的有機污染物。然后蒸鍍Pt,厚度為300nm ;旋涂電子傳輸層，材料為TAZ，溶劑為對二甲苯，質(zhì)量分數(shù)為50%，旋涂后烘干，厚度為40nm ；旋涂發(fā)光層，材料為DCJTB，主體材料為PVK、質(zhì)量分數(shù)為5%，旋涂后在20度下退火30min，厚度為5nm ;旋涂空穴傳輸層，材料為TAPC，溶劑為對二甲苯，質(zhì)量分數(shù)為10 %，旋涂后烘干，厚度為80nm ;旋涂陽極，PEDOT與PSS質(zhì)量比為6:1，質(zhì)量分數(shù)為5%，旋涂后烘干，厚度為80nm，最后旋涂摻雜的增透層，材料為BCP:P3DDT，質(zhì)量比為5:1，質(zhì)量分數(shù)為10%，旋涂后烘干，厚度為200nm。最后得到所需要的有機電致發(fā)光器件。
[0066]實施例4
[0067]本實施例制備的結(jié)構(gòu)為基底/Al/Bphen/ADN:PPV/TCTA/PED0T:PSS/BCP:P3HT 的有機電致發(fā)光器件。
[0068]先將玻璃進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物。然后蒸鍍Al，厚度為250nm ;旋涂電子傳輸層，材料為Bphen，溶劑為氯苯，質(zhì)量分數(shù)為20%，旋涂后烘干，厚度為50nm ;旋涂發(fā)光層，材料為ADN，主體材料為PPV、質(zhì)量分數(shù)為15%，旋涂后在50度下退火lOmin，厚度為5nm ;旋涂空穴傳輸層，材料為TCTA，溶劑為三氯甲烷，質(zhì)量分數(shù)為40%，旋涂后烘干，厚度為50nm ;旋涂陽極，PEDOT與PSS質(zhì)量比為3:1，質(zhì)量分數(shù)為4%，旋涂后烘干，厚度為120nm，最后旋涂摻雜的增透層，材料為BCP:P3HT，質(zhì)量比為3:1，質(zhì)量分數(shù)為15%，旋涂后烘干，厚度為180nm。最后得到所需要的有機電致發(fā)光器件。
[0069]以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準。
【權(quán)利要求】
1.一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的基底、陰極、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層及陽極，其特征在于，所述有機電致發(fā)光器件還包括形成于所述陽極表面的增透膜，所述增透膜的材料為折射材料和聚合物材料以質(zhì)量比1:1飛:I混合形成的混合物，所述折射材料選自N，N’ - 二苯基-N，N’ -雙(3-甲基苯基)-(I, I’ -聯(lián)苯基)_4，4’ - 二胺、8-羥基喹啉鋁及2，9- 二甲基-4，7- 二苯基-1，10-鄰菲羅啉中的至少一種，所述聚合物材料選自聚3-己基噻吩、聚3-甲基噻吩及聚3-十二烷基噻吩中的至少一種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陰極的材料為金、銀、招或鉬。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸層的材料選自4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、1，2，4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在所述主體材料中的客體材料，所述主體材料選自聚咔唑及聚乙烯撐中的至少一種，所述客體材料選自4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10-二-β-亞萘基蒽、4，4’-雙(9-乙基_3_咔唑乙烯基)-1，I，-聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種，所述客體材料的質(zhì)量百分含量為5%~30%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層的材料選自1，1_ 二 [4-[Ν，Ν' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’ - (1-萘基)4，^ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺中的至少一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陽極的材料為聚3，4- 二氧乙烯噻吩與聚苯乙烯磺酸鹽以質(zhì)量比2:1飛:I混合形成的混合物。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述增透膜的厚度為30nm~200nm。
8.一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 在基底表面形成陰極； 在所述陰極表面形成電子傳輸層； 在所述電子傳輸層表面形成發(fā)光層； 在所述發(fā)光層表面形成空穴傳輸層； 在所述空穴傳輸層表面形成陽極；及 在所述陽極表面形成增透膜，所述增透膜的材料為折射材料和聚合物材料以質(zhì)量比1:1飛:I混合形成的混合物，所述折射材料選自N，N’ - 二苯基-N，N’ -雙(3-甲基苯基)-(I, I’-聯(lián)苯基)_4，4’-二胺、8-羥基喹啉鋁及2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉中的至少一種，所述聚合物材料選自聚3-己基噻吩、聚3-甲基噻吩及聚3-十二烷基噻吩中的至少一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述增透膜由含有所述增透膜的材料的溶液旋涂在所述陽極的表面后干燥形成，所述溶液的溶劑為選自氯苯、三氯甲烷及二氯甲烷的至少一種。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述增透膜的厚度為30nm~200nm。
【文檔編號】C09K11/06GK103682132SQ201210319857
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2012年8月31日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月31日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 黃輝, 張振華 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司