專利名稱：高導熱稀土/AlN/微晶玻璃復合材料及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種高導熱基板材料領(lǐng)域，特別是一種新型高導熱稀土 /AlN/微晶玻璃復合材料；本發(fā)明還涉及這種新型復合材料的制備方法。
背景技術(shù)：
與傳統(tǒng)的玻璃相比較微晶玻璃具有機械強度大、硬度大、耐磨性好；具有良好的化學穩(wěn)定性及熱穩(wěn)定性，能適應惡劣的使用環(huán)境；電絕緣性能優(yōu)良，介電損耗小，介電常數(shù)穩(wěn)定等優(yōu)點，特別是其熱膨脹系數(shù)可以在很大范圍內(nèi)進行調(diào)整，因此在電子元件中得到了廣泛的應用。如作為厚膜電容介質(zhì)、基板材料、包封材料、密封材料及焊接材料等。 MgO-Al2O3-SiO2 (MAS)系微晶玻璃由于不含堿金屬氧化物，且MgO在玻璃中的性質(zhì)介于網(wǎng)絡(luò)外體氧化物和中間體氧化物之間，既具有斷網(wǎng)作用，能夠降低玻璃軟化點溫度，實現(xiàn)低溫燒結(jié)，又具有一定的聚集作用，所以MAS系微晶玻璃有著較低的熱膨脹系數(shù)、優(yōu)良的機械性能、較小的介電常數(shù)和較低的介質(zhì)損耗。由于這些優(yōu)異的性能，MAS系微晶玻璃一直是人們的研究熱點。當微晶玻璃作為基板材料時，要求具有高的熱導率。而微晶玻璃基板的熱導率并不好，當電熱元件在大功率、高溫運行時，熱導率低就有可能造成效率下降，造成設(shè)計成本的增加?，F(xiàn)階段開發(fā)的高熱導率陶瓷基板有AlN、SiC和BeO，其中BeO具有毒性，不利于環(huán)保；SiC介電常數(shù)偏高，不適宜作基板，所以AlN受到廣泛關(guān)注?，F(xiàn)有的AlN基板熱導率很高，熱導率是Al2O3的2 10倍。但AlN材料韌性差、機械強度低，燒結(jié)溫度至少要達到1600°C 以上，適用范圍受到了很大限制。以AlN和MAS系堇青石基玻璃制備低溫燒結(jié)材料，可以提高材料的導熱性能，獲得具有良好綜合性能的低溫燒結(jié)基板材料。通過低溫熱壓燒結(jié)制備的AIN/玻璃復合材料，達到了較為理想的導熱性能，熱導率可達到6W /(m-K)左右。AlN/ MAS系統(tǒng)微晶玻璃復合材料具有較好的介電性能等優(yōu)點，但存在燒結(jié)困難、熱導率不夠理想等問題。通過摻入稀土來制備AlN/微晶玻璃復合材料，可促進燒結(jié)致密，改善微晶玻璃晶相，提高AlN/微晶玻璃復合材料的綜合性能。中國專利200610022007. 9文獻介紹了 “一種新型低燒玻璃陶瓷復合材料及其制
備方法”。該復合材料采用氮化鋁和堇青石基玻璃在熱壓燒結(jié)條件下制備，用于先進電子封裝。中國專利200710118465. 7文獻介紹了“氮化鋁/硼硅酸鹽玻璃低溫共燒陶瓷基板材料及其制備方法”。該陶瓷基板材料采用SiO2-B2O3-ZnO-Al2O3-Li2O系玻璃與氮化鋁粉末在85(T105(TC下熱壓低溫燒結(jié)，可以在大功率器件、高密度封裝中使用。中國專利200710(^9335. 6文獻介紹了“基于微晶玻璃基板的厚膜電路電熱元件及其制備工藝”。該電熱元件包括CaO-Al2O3-SiO2-B2O3-La2O3系統(tǒng)和 Li2O-Al2O3-SiO2-P2O3-Lii2O3系統(tǒng)微晶玻璃基片和以厚膜電路形式制備在基片上的電子漿料。中國專利200810(^9435. 3文獻介紹了“基于氮化鋁微晶陶瓷基板的稀土厚膜電路電熱元件及其制備工藝”。該電熱元件包括采用氮氣氣氛燒結(jié)制備的 AlN-YF3-Y2O3-CaF2-La2O3-ZrO2稀土微晶陶瓷基片和以厚膜電路形式制備在基片上的電子漿料。未檢索到與稀土 /AlN/微晶玻璃復合材料相同的專利。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種高導熱稀土 /AlN/微晶玻璃復合材料， 涉及一種稀土 /AlN/微晶玻璃復合材料的組分配方及其制備方法，以便制備適于各種器件傳熱、散熱等用途的高導熱基板材料。本發(fā)明解決其技術(shù)問題采用以下的技術(shù)方案
本發(fā)明提供的高導熱稀土/AlN/微晶玻璃復合材料，其組分包括稀土氧化物、氮化鋁、MgO-Al2O3-SiO2系統(tǒng)微晶玻璃，它們的質(zhì)量百分比為(Γ10) % (10 60) % :(30^80) %。所述MgO-Al2O3-SiO2系統(tǒng)基礎(chǔ)玻璃，其組分及其質(zhì)量百分比為(45飛0)%， MgO (10 20) %，Al2O3 (5 25%)，B2O3 (1 10%)，ZnO ( Γ Ο) %，P2O5 ( Γ6) %。所述稀土氧化物為Lii2O3或^O3，占復合材料質(zhì)量百分比為廣10% ；或La2O3與^O3 共摻，占復合材料質(zhì)量百分比為廣10%。所述高導熱稀土/AlN/微晶玻璃復合材料，在室溫飛00°C的條件下，具有 2. OX ΙΟ—6/°C 3. 5X ΙΟ—6/°C的熱膨脹系數(shù)，10 W /(m.K) 15 W /(m.K)的熱導率。其主晶相為α -堇青石和Α1Ν。本發(fā)明提供的上述高導熱稀土/AlN/微晶玻璃復合材料的制備方法，其步驟包括
(1)配料:
按微晶玻璃質(zhì)量百分比為5^245 60%、]\%010 20%、412035 25%、4031 10%、&101 10%和 P2O5廣6%，配制MgO-Al2O3-SW2系統(tǒng)基礎(chǔ)玻璃配合料。(2)制備MgO-Al2O3-SiA系統(tǒng)基礎(chǔ)玻璃粉末
將配合料放入硅鉬爐中以2 8°C /min的升溫速率升溫到1500°C 1600°C后保溫2 5 小時；將熔制好的玻璃液迅速取出，快速倒入冷水中水淬成玻璃顆粒，再將玻璃顆粒用高能球磨機球磨2、h后過2(ΚΓ300目篩，得到所述玻璃粉末。(3)稀土氧化物的摻雜
將稀土氧化物與氮化鋁粉末、玻璃粉末三者混合均勻，得到配合料，待用；或者，將稀土氧化物與玻璃粉末配合料研磨、混合均勻、熔制成玻璃液，然后將玻璃液水淬、烘干、球磨制成含稀土氧化物的玻璃粉，再將該玻璃粉末與氮化鋁粉末混合均勻，得到配合料，待用；所述稀土氧化物為La2O3粉末或IO3粉末。(4)制備高導熱稀土 /AlN/微晶玻璃復合材料
將待用的配合料置于熱壓燒結(jié)爐石墨模具中，在真空或氮氣氣氛中，將熱壓爐內(nèi)模具壓強增加到l(T60MPa，燒結(jié)溫度為80(Γ1200 ，在熱壓爐內(nèi)燒結(jié)0. 5 3小時；隨爐冷卻后， 得到高導熱稀土 /AlN/微晶玻璃復合材料。在所述摻雜過程中，可以將未摻雜稀土的MgO-Al2O3-SW2系統(tǒng)基礎(chǔ)玻璃粉末、氮化鋁粉末進行單摻La2O3粉末或Y2O3粉末，或者共摻La2O3粉末和^O3粉末；并且以質(zhì)量百分比為(30 80) % (10 60) % ( Γ10) %混合均勻。在所述摻雜過程中，還可以將已摻雜稀土的MgO-Al2O3-SW2系統(tǒng)基礎(chǔ)玻璃粉末、氮化鋁粉末以質(zhì)量百分比為(40 90) % (I(Teo) %混合均勻。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下主要的優(yōu)點
由于設(shè)計了合適的微晶玻璃組分和熱處理制度以及合適的稀土 /AlN/微晶玻璃復合材料配比及其制備方法，得到了與玻璃、陶瓷相比，具有高的熱導率、較低的熱膨脹系數(shù)，良好的力學性能以及低的介電損耗和介電常數(shù)。從而獲得適于各種器件傳熱、散熱等用途的高導熱基板材料。


圖1是MgO-Al2O3-SW2系統(tǒng)基礎(chǔ)玻璃差熱分析圖； 圖2是實例2所得復合材料的X射線衍射(XRD)圖譜； 圖3是實例3所得復合材料的X射線衍射(XRD)圖譜； 圖4是實例5所得復合材料的X射線衍射(XRD)圖譜； 圖5是實例6所得復合材料的X射線衍射(XRD)圖譜。
具體實施例方式下面結(jié)合實施例及附圖對本發(fā)明作進一步說明，但并不局限于下面所述內(nèi)容。實例1 高導熱稀土 /AlN/微晶玻璃復合材料
高導熱稀土/AlN/微晶玻璃復合材料，其組分包括稀土氧化物、氮化鋁、MgO-Al2O3-S^2 系統(tǒng)微晶玻璃，三者之間的質(zhì)量百分比為(Γ10) % (10 60) % :(30^80) %。所述MgO-Al2O3-SiO2系統(tǒng)基礎(chǔ)玻璃，其組分及其質(zhì)量百分比為(45 60)%， MgO (10 20) %，Al2O3 (5 25%)，B2O3 (1 10%)，ZnO ( Γ Ο) %，P2O5 ( Γ6) %。所述復合材料的主晶相為α -堇青石和Α1Ν。所述稀土氧化物為Lii2O3或AO3，占復合材料質(zhì)量百分比為廣10% ；或La2O3與^O3 共摻，占復合材料質(zhì)量百分比為廣10%。所述高導熱稀土/AlN/微晶玻璃復合材料，在室溫飛00°C的條件下，具有 2. OX ΙΟ—6/°C 3. 5X ΙΟ—6/°C的熱膨脹系數(shù)，10 W /(m.K) 15 W /(m.K)的熱導率。其主晶相為α-堇青石和A1N，如圖2-圖5所示。本發(fā)明提供的高導熱稀土 /AlN/微晶玻璃復合材料，其制備方法包括配料、制備 MgO-Al2O3-SiO2系統(tǒng)基礎(chǔ)玻璃粉末、稀土氧化物的摻雜和制備高導熱稀土 /AlN/微晶玻璃復合材料步驟。具體實例如下
實例2 高導熱稀土 /AlN/微晶玻璃復合材料的制備
(1)按微晶玻璃質(zhì)量百分比(wt%) Si0245%,Mg015%,Al20320%,B2038%,Zn08%,P2054%,配制MgO-Al2O3-SW2系統(tǒng)基礎(chǔ)玻璃配合料。(2)將該基礎(chǔ)玻璃配合料放入硅鉬爐中以2V /min的升溫速率升溫到1500°C后保溫5小時。將熔制好的玻璃液迅速取出，快速倒入冷水中水淬成玻璃顆粒，再將玻璃顆粒用高能球磨機球磨證后過300目篩得到玻璃粉末。(3)將未摻雜MgO-Al2O3-SW2系統(tǒng)基礎(chǔ)玻璃粉、氮化鋁粉末和單摻La2O3或^O3粉末以質(zhì)量百分比(wt%)為30 60 10混合均勻。 (4)將篩下物置于熱壓燒結(jié)爐石墨模具中，在真空氣氛中，將熱壓爐內(nèi)模具壓強增加到10 MPa，燒結(jié)溫度為1200°C，在熱壓爐內(nèi)燒結(jié)0. 5小時。隨爐冷卻后，得到稀土 /AlN/ 微晶玻璃復合材料。將實例2所得復合材料進行性能測試，其實測數(shù)據(jù)是熱導率/W-HT1-Ir1為14. 56， 熱膨脹系數(shù)/KT6-IT1為3. 5，介電常數(shù)為5. 7，介電損耗/10_4為5. 5。實例3 高導熱稀土 /AlN/微晶玻璃復合材料的制備
(1)按微晶玻璃質(zhì)量百分比(wt%) :SiA55%、Mg010%、Al20315%、B2037%、ai07%、P2056%，配制MgO-Al2O3-SW2系統(tǒng)基礎(chǔ)玻璃配合料。(2)將該基礎(chǔ)玻璃配合料放入硅鉬爐中以3°C /min的升溫速率升溫到1550°C后保溫4小時。將熔制好的玻璃液迅速取出，快速倒入冷水中水淬成玻璃顆粒，再將玻璃顆粒用高能球磨機球磨4h后過250目篩得到玻璃粉末。(3)將未摻雜MgO-Al2O3-SiO2系統(tǒng)基礎(chǔ)玻璃粉、氮化鋁粉末和共摻La2035%和粉末以質(zhì)量百分比50 40 10混合均勻。(4)將篩下物置于熱壓燒結(jié)爐石墨模具中或?qū)⒑Y下物用壓片機壓制成型后置于燒結(jié)爐內(nèi)，在氮氣氣氛中，將熱壓爐內(nèi)模具壓強增加到20 MPa，燒結(jié)溫度為1150°C，在熱壓爐內(nèi)燒結(jié)2. 5小時。隨爐冷卻后，得到稀土 /AlN/微晶玻璃復合材料。將實例3所得復合材料進行性能測試，其實測數(shù)據(jù)是熱導率/W-HT1-Ir1為13. 58， 熱膨脹系數(shù)/KT6-IT1為3. 0，介電常數(shù)為4. 9，介電損耗/10_4為4. 2。實例4 高導熱稀土 /AlN/微晶玻璃復合材料的制備
(1)按微晶玻璃質(zhì)量百分比(wt%) :Si0260%,Mg020%,Al2035%,B20310%>Zn04%,P205l%,配制MgO-Al2O3-SW2系統(tǒng)基礎(chǔ)玻璃配合料。(2)將該基礎(chǔ)玻璃配合料放入硅鉬爐中以4°C /min的升溫速率升溫到1600°C后保溫3小時。將熔制好的玻璃液迅速取出，快速倒入冷水中水淬成玻璃顆粒，再將玻璃顆粒用高能球磨機球磨池后過200目篩得到玻璃粉末。(3)將未摻雜MgO-Al2O3-SW2系統(tǒng)基礎(chǔ)玻璃粉、氮化鋁粉末和單摻La2O3或^O3粉末以質(zhì)量百分比(wt%)為80 :10 :10混合均勻。 (4)將篩下物置于熱壓燒結(jié)爐石墨模具中，在真空氣氛中，將熱壓爐內(nèi)模具壓強增加到30 MPa，燒結(jié)溫度為1000°C，在熱壓爐內(nèi)燒結(jié)2小時。隨爐冷卻后，得到稀土/AlN/微晶玻璃復合材料。將實例4所得復合材料進行性能測試，其實測數(shù)據(jù)是熱導率/W-HT1-Ir1為12. 64， 熱膨脹系數(shù)/KT6-IT1為2. 0，介電常數(shù)為5. 1，介電損耗/10_4為3. 8。實例5 高導熱稀土 /AlN/微晶玻璃復合材料的制備
(1)按微晶玻璃質(zhì)量百分比(wt%) :SiA50%、Mg020%、Al2035%、&03l%、Zn010%、P2054%，單摻&0310%，配制MgO-Al2O3-SW2系統(tǒng)基礎(chǔ)玻璃配合料。(2)將該基礎(chǔ)玻璃配合料放入硅鉬爐中以5°C /min的升溫速率升溫到1550°C后保溫2小時。將熔制好的玻璃液迅速取出，快速倒入冷水中水淬成玻璃顆粒，再將玻璃顆粒用高能球磨機球磨ai后過300目篩得到玻璃粉末。(3)將已摻雜稀土的MgO-Al2O3-SW2系統(tǒng)基礎(chǔ)玻璃粉、氮化鋁粉末以質(zhì)量百分比(wt%) 40 :60混合均勻。(4)將篩下物置于熱壓燒結(jié)爐石墨模具中或?qū)⒑Y下物用壓片機壓制成型后置于燒結(jié)爐內(nèi)，在氮氣氣氛中，將熱壓爐內(nèi)模具壓強增加到40 MPa,燒結(jié)溫度為950 V，在熱壓爐內(nèi)燒結(jié)2小時。隨爐冷卻后，得到稀土 /AlN/微晶玻璃復合材料。將實例5所得復合材料進行性能測試，其實測數(shù)據(jù)是熱導率/W-HT1-Ir1為14. 83， 熱膨脹系數(shù)/10-6.K-1為3. 4，介電常數(shù)為6. 2，介電損耗/IO-4為5. 9。實例6 高導熱稀土 /AlN/微晶玻璃復合材料的制備
(1)按微晶玻璃質(zhì)量百分比(wt%) :SiA50%、Mg010%、Al20325%、&03l%、Zn05%、P2054%，單摻Lei2035%，配制MgO-Al2O3-SW2系統(tǒng)基礎(chǔ)玻璃配合料。(2)將該基礎(chǔ)玻璃配合料放入硅鉬爐中以6°C /min的升溫速率升溫到1550°C后保溫2小時。將熔制好的玻璃液迅速取出，快速倒入冷水中水淬成玻璃顆粒，再將玻璃顆粒用高能球磨機球磨ai后過300目篩得到玻璃粉末。(3)將已摻雜稀土的MgO-Al2O3-SW2系統(tǒng)基礎(chǔ)玻璃粉、氮化鋁粉末以質(zhì)量百分比 (wt%) 65 35混合均勻。(4)將篩下物置于熱壓燒結(jié)爐石墨模具中或?qū)⒑Y下物用壓片機壓制成型后置于燒結(jié)爐內(nèi)，在真空氣氛中，將熱壓爐內(nèi)模具壓強增加到40 MPa,燒結(jié)溫度為900°C，在熱壓爐內(nèi)燒結(jié)2小時。隨爐冷卻后，得到稀土 /AlN/微晶玻璃復合材料。將實例6所得復合材料進行性能測試，其實測數(shù)據(jù)是熱導率/W-HT1-Ir1為12. 96， 熱膨脹系數(shù)/10-6.K-1為2. 5，介電常數(shù)為5. 3，介電損耗/IO-4為4. 8。實例7 高導熱稀土 /AlN/微晶玻璃復合材料的制備
(1)按微晶玻璃質(zhì)量百分比(wt%) :Si0260%, Mg010%、Al20310%、B2038%、Zn01%、P2O5I,共摻Lei2036%和1034%，配制MgO-Al2O3-SW2系統(tǒng)基礎(chǔ)玻璃配合料。(2)將該基礎(chǔ)玻璃配合料放入硅鉬爐中以8°C /min的升溫速率升溫到1500°C后保溫5小時。將熔制好的玻璃液迅速取出，快速倒入冷水中水淬成玻璃顆粒，再將玻璃顆粒用高能球磨機球磨證后過300目篩得到玻璃粉末。(3)將已摻雜稀土的MgO-Al2O3-SW2系統(tǒng)基礎(chǔ)玻璃粉、氮化鋁粉末以質(zhì)量百分比 90 10混合均勻。(4)將篩下物置于熱壓燒結(jié)爐石墨模具中或?qū)⒑Y下物用壓片機壓制成型后置于燒結(jié)爐內(nèi)，在氮氣氣氛中，將熱壓爐內(nèi)模具壓強增加到50 MPa,燒結(jié)溫度為800°C，在熱壓爐內(nèi)燒結(jié)3小時。隨爐冷卻后，得到稀土 /AlN/微晶玻璃復合材料。將實例7所得復合材料進行性能測試，其實測數(shù)據(jù)是熱導率/W-HT1-Ir1為10. 23， 熱膨脹系數(shù)/KT6-IT1為2. 0，介電常數(shù)為4. 6，介電損耗/10_4為3. 5。
權(quán)利要求
1.一種高導熱稀土/AlN/微晶玻璃復合材料，其特征在于該復合材料的組分包括稀土氧化物、氮化鋁、MgO-Al2O3-SiO2系統(tǒng)微晶玻璃，三者之間的質(zhì)量百分比為(廣10)%: (10 60)%:(30 80)%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高導熱稀土/AlN/微晶玻璃復合材料，其特征在于所述 MgO-Al2O3-SiO2系統(tǒng)基礎(chǔ)玻璃，其組分及其質(zhì)量百分比為(45 60)%，MgO (10 20)%， Al2O3 (5 25%)，B2O3 (1 10%)，ZnO (1 10)%，P2O5 (1 6)%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高導熱稀土/AlN/微晶玻璃復合材料，其特征在于所述復合材料的主晶相為α-堇青石和A1N。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高導熱稀土/AlN/微晶玻璃復合材料，其特征在于所述稀土氧化物為Lii2O3或AO3，占復合材料質(zhì)量百分比為廣10% ；或La2O3與^O3共摻，占復合材料質(zhì)量百分比為廣10%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高導熱稀土/AlN/微晶玻璃復合材料，其特征在于該復合材料在室溫 600°C的條件下，具有2. OX 10_6/°C 3. 5 X 10_6/°C的熱膨脹系數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高導熱稀土/AlN/微晶玻璃復合材料，其特征在于該復合材料具有10 W /(m · ΚΓ15 W /(m · K)的熱導率。
7.一種高導熱稀土/AlN/微晶玻璃復合材料的制備方法，其特征在于采用包括以下步驟的方法(1)配料:按微晶玻璃質(zhì)量百分比為Si0245 60%、]\%010 20%、412035 25%、化031 10%、&101 10%和 P2O5廣6%，配制MgO-Al2O3-SW2系統(tǒng)基礎(chǔ)玻璃配合料；(2)制備MgO-Al2O3-SW2系統(tǒng)基礎(chǔ)玻璃粉末將配合料放入硅鉬爐中以2 8°C /min的升溫速率升溫到1500°C 1600°C后保溫2 5 小時；將熔制好的玻璃液迅速取出，快速倒入冷水中水淬成玻璃顆粒，再將玻璃顆粒用高能球磨機球磨2、h后過2(ΚΓ300目篩，得到所述玻璃粉末；(3)稀土氧化物的摻雜將稀土氧化物與氮化鋁粉末、玻璃粉末三者混合均勻，得到配合料，待用；或者，將稀土氧化物與玻璃粉末配合料研磨、混合均勻、熔制成玻璃液，然后將玻璃液水淬、烘干、球磨制成含稀土氧化物的玻璃粉，再將該玻璃粉末與氮化鋁粉末混合均勻，得到配合料，待用；所述稀土氧化物為La2O3粉末或IO3粉末；(4)制備高導熱稀土/AlN/微晶玻璃復合材料將待用的配合料置于熱壓燒結(jié)爐石墨模具中，在真空或氮氣氣氛中，將熱壓爐內(nèi)模具壓強增加到l(T60MPa，燒結(jié)溫度為80(Γ1200 ，在熱壓爐內(nèi)燒結(jié)0. 5 3小時；隨爐冷卻后， 得到高導熱稀土 /AlN/微晶玻璃復合材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于在摻雜過程中，將未摻雜稀土的 MgO-Al2O3-SiO2系統(tǒng)基礎(chǔ)玻璃粉末、氮化鋁粉末進行單摻La2O3粉末或^O3粉末，或者共摻 La2O3粉末和Y2O3粉末；并且以質(zhì)量百分比為(30 80) % (10 60) % (廣10) %混合均勻。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于在摻雜過程中，將已摻雜稀土的 MgO-Al2O3-SiO2系統(tǒng)基礎(chǔ)玻璃粉末、氮化鋁粉末以質(zhì)量百分比為(4(Γ90) % (10^60) %混合均勻。
全文摘要
本發(fā)明提供的是一種高導熱稀土/AlN/微晶玻璃復合材料及其制備方法，該復合材料的組分包括稀土氧化物、氮化鋁、MgO-Al2O3-SiO2系統(tǒng)微晶玻璃，它們的質(zhì)量百分比為(1~10)%∶(10~60)%∶(30~80)%。該復合材料的制備方法包括配料、制備MgO-Al2O3-SiO2系統(tǒng)基礎(chǔ)玻璃粉末、稀土氧化物的摻雜和制備高導熱稀土/AlN/微晶玻璃復合材料等步驟。本發(fā)明提供的復合材料具有高的熱導率、較低的熱膨脹系數(shù)，良好的力學性能以及低的介電損耗和介電常數(shù)，適于各種器件傳熱、散熱等用途的高導熱基板材料。
文檔編號C09K5/14GK102336523SQ20111014538
公開日2012年2月1日 申請日期2011年6月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月1日
發(fā)明者戚杰, 李宏, 湯李纓, 程金樹 申請人:武漢理工大學