專利名稱：一種雙鈣鈦礦結(jié)構(gòu)紅色熒光粉、制備方法及應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明具體涉及一種雙鈣鈦礦結(jié)構(gòu)紅色熒光粉及其制備方法和應(yīng)用，屬于熒光材料領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
白光LED是繼白熾燈、日光燈和節(jié)能燈之后的第四代照明電光源，被稱為21世紀(jì)綠色光源，具有綠色環(huán)保、壽命超長(zhǎng)、高效節(jié)能、抗惡劣環(huán)境、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、體積小、重量輕、響應(yīng)快、工作電壓低及安全性好的特點(diǎn)。LED固態(tài)光源替代傳統(tǒng)照明光源是大勢(shì)所趨。目前白光LED發(fā)出白光的方式主要是利用熒光粉轉(zhuǎn)換法。已商業(yè)化的白光LED是發(fā)射蘭光G60nm)的hGaN管芯與發(fā)射黃光的YAG:Ce組成的。該方式工藝簡(jiǎn)單，成本較低。 但是該方法存在著顯色性差、色溫偏高的缺點(diǎn)。利用這種方案實(shí)現(xiàn)5000K以下的低色溫、高顯色指數(shù)(Ra > 80)，高亮度的暖白光LED較難。如果加入可被藍(lán)光激發(fā)的紅色熒光粉，則可以提高顯色指數(shù)、降低色溫，LED的光色會(huì)變得更加柔和或鮮艷，以適應(yīng)不同的應(yīng)用需要。 然而，研發(fā)可被藍(lán)光更有效激發(fā)的，光子轉(zhuǎn)換效率更高的紅色熒光粉難度較大。此類LED熒光粉的應(yīng)用還剛剛起步，需要進(jìn)一步進(jìn)行深入的研究和開發(fā)。白光LED用的商用紅色熒光粉(例如Sr2Si5N8: Eu2+，ZnSiCu2+等)局限于氮化物、 氧氮化物和硫化物基材，存在制備復(fù)雜、成本較高、服役穩(wěn)定性差等特點(diǎn)。甚至，YAG:Ce3+黃粉在80°C下會(huì)有20%的發(fā)光強(qiáng)度衰減。開發(fā)具有良好發(fā)光特性、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、成本低的新型高性能紅色LED熒光粉，迫在眉睫。因此熒光粉的優(yōu)秀基質(zhì)材料至關(guān)重要，必須滿足具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性、合適的禁帶寬度和晶體結(jié)構(gòu)、以及低的生產(chǎn)成本。綜上所述，尋找良好的基質(zhì)材料進(jìn)而制備發(fā)光性能優(yōu)異的LED用熒光材料具有重大的科學(xué)和現(xiàn)實(shí)意義，本發(fā)明正是基于該目的，提出一系列新型的性能優(yōu)秀的基質(zhì)材料，該系列熒光粉在蘭光激發(fā)下具有強(qiáng)烈的紅色發(fā)光，同時(shí)具有很好的穩(wěn)定性和較低的成本，可以彌補(bǔ)現(xiàn)有同類LED熒光粉的缺點(diǎn)，具有較大的應(yīng)用價(jià)值。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種雙鈣鈦礦結(jié)構(gòu)紅色熒光粉、制備方法及其應(yīng)用。具體地說本發(fā)明提供一種可用于由綠光芯片、蘭光芯片或近紫外光發(fā)光二極管激發(fā)的用于白光 LED照明的紅色熒光粉，所述的紅色熒光粉的化學(xué)表達(dá)式為L(zhǎng)n2_xAM06:XEu，及其制備方法和應(yīng)用。式中(Ln = La、Gd和Y中任意一種、二種或三種組合；A = Li、Na和K中任意一種、 二種或三種組合；M = Sb、Nb和I1a中任意一種、二種或三種組合)本發(fā)明的技術(shù)方案是一種LED激發(fā)的紅色熒光粉，該材料的化學(xué)式可以表達(dá)為L(zhǎng)n2_xAM06:XEu，式中 Ln為L(zhǎng)a、Gd和Y的任意一種或其組合，A為L(zhǎng)i、Na和K的任意一種或其組合，M為Sb、 Nb和Ta的任意一種或其組合；其中，Ln = La2_x_m_nGdmYn(0彡m+n彡2-x, m與η任意比例組合，χ為Eu的摻雜量)，A = Li1^zNayKz(0彡y+z彡1，y與ζ任意比例組合)和M =Sb1^qNbpTaq (0 ^ p+q ^ 1，ρ與q任意比例組合)；Eu為發(fā)光中心，摻雜位于Ln位， 摻雜值0.01 SxS 1.0，最佳1值為0.2。該LED激發(fā)的新型紅色熒光材料，在綠光芯片(5觀-533歷)、蘭光芯片(460-470nm)或近紫外光芯片(390-399nm)激發(fā)下，發(fā)射出為 570-640nm之間的熒光，紅色熒光在于600_620nm之間。LED 激發(fā)的紅色熒光粉 Ln2_xAM06:xEu(Ln = La、Gd、Y ;A = Li、Na、K ;M = Sb、Nb、 Ta)的制備是采用固相反應(yīng)方法。首先按Ln2_xAM06:XEu化學(xué)組成配比選用適量原料進(jìn)行配料，采取球磨混料，使混料細(xì)化并充分混和；然后將球磨后的混料裝入剛玉坩堝或其它容器中，在爐內(nèi)進(jìn)行預(yù)燒，溫度為500 1000°C，時(shí)間為10 24h ；預(yù)燒所得粉體研磨后在800 1400°C再次進(jìn)行燒制，反應(yīng)時(shí)間為12 48h ；最后過程可重復(fù)進(jìn)行；所制備的熒光粉體球磨、細(xì)化和篩分，即得到紅色熒光材料；或混料后不經(jīng)過預(yù)燒而在800 1400°C，反應(yīng)時(shí)間為12-4 條件下直接燒制(實(shí)施例3)。本發(fā)明采用的Ln位的原料為氧化物、金屬粉體、硝酸鹽或醋酸鹽；Eu為氧化物，A 位的原料為氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽；M位的原料為氧化物或金屬粉體。本發(fā)明的創(chuàng)新之處在于Ln2AMO6材料通過稀土 Eu3+摻雜獲得由蘭色LED激發(fā)的高亮度紅光，在Ln位的摻雜濃度可以高達(dá)20mOl%，而且沒有引起熒光淬滅，摻雜濃度遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過常見熒光粉最佳值(通常低于5-10% )。該熒光材料的基質(zhì)具有3eV以上的帶隙，總體熒光粉體表顏色為白色的，在蘭光激發(fā)下呈現(xiàn)紅色，在濃酸下很穩(wěn)定，可以克服YAG:Ce 黃粉在高溫度(50-80°C)下具有衰減的特性。蘭光激發(fā)下的eilnm處得熒光發(fā)射強(qiáng)度達(dá) 980000 3600000。本發(fā)明的材料可用于白光LED及相關(guān)顯示、照明器件。本發(fā)明的設(shè)計(jì)思路獨(dú)特，原料廉價(jià)易得，制備工藝簡(jiǎn)單，材料的化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，發(fā)光性能優(yōu)異，是理想的白光LED用熒光粉候選材料。


圖1 實(shí)施例1中La1.8NaTa06 0. 2Eu樣品的粉末XRD譜；圖2 實(shí)施例1中LaL8NaTa06:0. 2Eu樣品的激發(fā)光譜；圖3 實(shí)施例1中LaL8NaI1aO6 = O. 2Eu樣品的發(fā)射光譜。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述，以進(jìn)一步闡明本發(fā)明的實(shí)際特點(diǎn)和顯著的進(jìn)步。實(shí)施例1、首先將原料Lei203、Na2C03、Ta2O5, Eu2O3 按照 LauNaTaO6 = O. 2Eu 的化學(xué)計(jì)量比進(jìn)行稱量，采取球磨混料，使混料細(xì)化并充分混和；然后將球磨后的混料裝入剛玉坩堝中，在爐內(nèi)進(jìn)行預(yù)燒，溫度為1000°C，時(shí)間為12h;預(yù)燒所得粉體研磨后在1400°C再次進(jìn)行燒制， 反應(yīng)時(shí)間為12h;所制備的熒光粉體球磨、細(xì)化和篩分，即得到純相的紅色熒光材料(XRD 見圖1)，樣品的激發(fā)光譜見圖2，在465nm蘭光激發(fā)下的在eilnm處的熒光發(fā)射強(qiáng)度達(dá)到 3060000 (見圖3)，在465nm蘭光激發(fā)下的在61 Inm處的熒光發(fā)射強(qiáng)度達(dá)到1360000，在395nm近紫外光激發(fā)下的在617nm處的熒光發(fā)射強(qiáng)度達(dá)到920000。實(shí)施例2、首先將原料La203、N￡i2C03、Ta205、Eu203按照LauNaTaO6:0. 2Eu的化學(xué)計(jì)量比進(jìn)行稱量，采取球磨混料，使混料細(xì)化并充分混和；然后將球磨后的混料裝入剛玉坩堝中，在爐內(nèi)進(jìn)行預(yù)燒，溫度為500°C，時(shí)間為Mh ；預(yù)燒所得粉體研磨后在1000°C再次進(jìn)行燒制，反應(yīng)時(shí)間為12h ；預(yù)燒所得粉體研磨后在1400°C再次進(jìn)行燒制，反應(yīng)時(shí)間為12h。所制備的熒光粉體球磨、細(xì)化和篩分，即得到純相的紅色熒光材料，樣品在465nm蘭光激發(fā)下的在611nm處的熒光發(fā)射強(qiáng)度達(dá)到3500000。實(shí)施例3、首先將原料Lei203、Na2C03、Ta2O5, Eu2O3 按照 LauNaTaO6 = O. 2Eu 的化學(xué)計(jì)量比進(jìn)行稱量，采取球磨混料，使混料細(xì)化并充分混和；然后將球磨后的混料裝入剛玉坩堝中，不經(jīng)過預(yù)燒，在爐內(nèi)直接進(jìn)行燒制，溫度為1400°C，時(shí)間為48h。所制備的熒光粉體球磨、細(xì)化和篩分，即得到純相的紅色熒光材料，樣品在465nm蘭光激發(fā)下的在eilnm處的熒光發(fā)射強(qiáng)度達(dá)到 2000000。實(shí)施例4、首先將原料Lei2O3、Na2CO3、Tei2O5、Eu2O3 按照 La1^9NaTaO6 = O. OlEu 的化學(xué)計(jì)量比進(jìn)行稱量，采取球磨混料，使混料細(xì)化并充分混和；然后將球磨后的混料裝入剛玉坩堝中，在爐內(nèi)進(jìn)行預(yù)燒，溫度為1000°C，時(shí)間為1 !；預(yù)燒所得粉體研磨后在1400°c再次進(jìn)行燒制，反應(yīng)時(shí)間為12h。所制備的熒光粉體球磨、細(xì)化和篩分，即得到純相的紅色熒光材料，樣品在 465nm蘭光激發(fā)下的在611nm處的熒光發(fā)射強(qiáng)度達(dá)到1184000。實(shí)施例5、首先將原料Lei203、Na2C03、Ta2O5, Eu2O3按照LaNaTaO6 = Eu的化學(xué)計(jì)量比進(jìn)行稱量， 采取球磨混料，使混料細(xì)化并充分混和；然后將球磨后的混料裝入剛玉坩堝中，在爐內(nèi)進(jìn)行預(yù)燒，溫度為1000°C，時(shí)間為12h ；預(yù)燒所得粉體研磨后在1400°c再次進(jìn)行燒制，反應(yīng)時(shí)間為12h。所制備的熒光粉體球磨、細(xì)化和篩分，即得到純相的紅色熒光材料，樣品在465nm蘭光激發(fā)下的在eilnm處的熒光發(fā)射強(qiáng)度達(dá)到980000。實(shí)施例6、首先將原料Gd203、Li2C03、Sb2O5, Eu2O3按照GcULiSbO^O. IEu的化學(xué)計(jì)量比進(jìn)行稱量，采取球磨混料，使混料細(xì)化并充分混和；然后將球磨后的混料裝入剛玉坩堝中，在爐內(nèi)進(jìn)行預(yù)燒，溫度為1000°C，時(shí)間為12h ；預(yù)燒所得粉體研磨后在1400°c再次進(jìn)行燒制，反應(yīng)時(shí)間為12h。所制備的熒光粉體球磨、細(xì)化和篩分，即得到純相的紅色熒光材料，樣品在 465nm蘭光激發(fā)下的在611nm處的熒光發(fā)射強(qiáng)度達(dá)到2240000。實(shí)施例7、首先將原料103、KNO3> Nb2O5, Eu2O3按照Yh8KNbO6 = O. 2Eu的化學(xué)計(jì)量比進(jìn)行稱量， 采取球磨混料，使混料細(xì)化并充分混和；然后將球磨后的混料裝入剛玉坩堝中，在爐內(nèi)進(jìn)行預(yù)燒，溫度為1000°C，時(shí)間為12h ；預(yù)燒所得粉體研磨后在1400°c再次進(jìn)行燒制，反應(yīng)時(shí)間為12h。所制備的熒光粉體球磨、細(xì)化和篩分，即得到純相的紅色熒光材料，樣品在465nm蘭光激發(fā)下的在eilnm處的熒光發(fā)射強(qiáng)度達(dá)到2720000。實(shí)施例8、
首先將原料Lei203、Gd203、Na2C03、Ta2O5, Eu2O3 按照 Lei。. 8GdNaTa06:0. 2Eu 的化學(xué)計(jì)量比進(jìn)行稱量，采取球磨混料，使混料細(xì)化并充分混和；然后將球磨后的混料裝入剛玉坩堝中，在爐內(nèi)進(jìn)行預(yù)燒，溫度為1000°C，時(shí)間為12h ；預(yù)燒所得粉體研磨后在1400°c再次進(jìn)行燒制，反應(yīng)時(shí)間為12h。所制備的熒光粉體球磨、細(xì)化和篩分，即得到純相的紅色熒光材料， 樣品在465nm蘭光激發(fā)下的在611nm處的熒光發(fā)射強(qiáng)度達(dá)到2530000。實(shí)施例9、首先將原料Lei203、Gd203、Y2O3> Na2C03、Ta2O5, Eu2O3 按照 Lgici 8Gdci 5Ya5NaTaO6 = O. 2Eu 的化學(xué)計(jì)量比進(jìn)行稱量，采取球磨混料，使混料細(xì)化并充分混和；然后將球磨后的混料裝入剛玉坩堝中，在爐內(nèi)進(jìn)行預(yù)燒，溫度為1000°C，時(shí)間為12h ；預(yù)燒所得粉體研磨后在1400°c 再次進(jìn)行燒制，反應(yīng)時(shí)間為12h。所制備的熒光粉體球磨、細(xì)化和篩分，即得到純相的紅色熒光材料，樣品在465nm蘭光激發(fā)下的在611nm處的熒光發(fā)射強(qiáng)度達(dá)到觀50000。實(shí)施例10、首先將原料La(Ac)3、Na2C03、Sb2O5, Eu2O3 按照 LauNaSbO6 = O. 2Eu 的化學(xué)計(jì)量比進(jìn)行稱量，采取球磨混料，使混料細(xì)化并充分混和；然后將球磨后的混料裝入剛玉坩堝中，在爐內(nèi)進(jìn)行預(yù)燒，溫度為1000°C，時(shí)間為12h ；預(yù)燒所得粉體研磨后在1400°c再次進(jìn)行燒制， 反應(yīng)時(shí)間為12h。所制備的熒光粉體球磨、細(xì)化和篩分，即得到純相的紅色熒光材料，樣品在 465nm蘭光激發(fā)下的在611nm處的熒光發(fā)射強(qiáng)度達(dá)到沈43000。實(shí)施例11、首先將原料Lei203、Na2C03、Li2C03、Ta2O5, Eu2O3 按照 La18Niia5Lici 5TaO6 = O. 2Eu 的化學(xué)計(jì)量比進(jìn)行稱量，采取球磨混料，使混料細(xì)化并充分混和；然后將球磨后的混料裝入剛玉坩堝中，在爐內(nèi)進(jìn)行預(yù)燒，溫度為1000°C，時(shí)間為12h ；預(yù)燒所得粉體研磨后在1400°C再次進(jìn)行燒制，反應(yīng)時(shí)間為12h。所制備的熒光粉體球磨、細(xì)化和篩分，即得到純相的紅色熒光材料，樣品在465nm蘭光激發(fā)下的在611nm處的熒光發(fā)射強(qiáng)度達(dá)到沈20000。實(shí)施例12、首先將原料La203、Na2C03、Li2C03、K2C03、Ta2O5, Eu2O3 按照 LaL8Na0.4Li0.3K0.3Ta06:0. 2Eu的化學(xué)計(jì)量比進(jìn)行稱量，采取球磨混料，使混料細(xì)化并充分混和；然后將球磨后的混料裝入剛玉坩堝中，在爐內(nèi)進(jìn)行預(yù)燒，溫度為1000°C，時(shí)間為12h ；預(yù)燒所得粉體研磨后在1400°C再次進(jìn)行燒制，反應(yīng)時(shí)間為12h。所制備的熒光粉體球磨、細(xì)化和篩分，即得到純相的紅色熒光材料，樣品在465nm蘭光激發(fā)下的在61 Inm處的熒光發(fā)射強(qiáng)度達(dá)到1800000。實(shí)施例13、首先將原料Lei203、Na2CO3^ Ta2O5, Nb2O5, Eu2O3 按照 La1.8NaTa0.5Nb0.506 0. 2Eu 的化學(xué)計(jì)量比進(jìn)行稱量，采取球磨混料，使混料細(xì)化并充分混和；然后將球磨后的混料裝入剛玉坩堝中，在爐內(nèi)進(jìn)行預(yù)燒，溫度為1000°C，時(shí)間為12h ；預(yù)燒所得粉體研磨后在1400°c再次進(jìn)行燒制，反應(yīng)時(shí)間為12h。所制備的熒光粉體球磨、細(xì)化和篩分，即得到純相的紅色熒光材料，樣品在465nm蘭光激發(fā)下的在611nm處的熒光發(fā)射強(qiáng)度達(dá)到2020000。實(shí)施例14、首先將原料La203、Na2C03、Ta2O5, Nb2O5, Sb2O5, Eu2O3 按照 LaL8NaTa0.4Nb0.3Sb0.306:0. 2Eu的化學(xué)計(jì)量比進(jìn)行稱量，采取球磨混料，使混料細(xì)化并充分混和；然后將球磨后的混料裝入剛玉坩堝中，在爐內(nèi)進(jìn)行預(yù)燒，溫度為1000°c，時(shí)間為12h ；預(yù)燒所得粉體研磨后在1400°C再次進(jìn)行燒制，反應(yīng)時(shí)間為12h。所制備的熒光粉體球磨、細(xì)化和篩分，即得到純相的紅色熒光材料，樣品在465nm蘭光激發(fā)下的在61 Inm處的熒光發(fā)射強(qiáng)度達(dá)到1320000。實(shí)施例15、首先將原料La、Na20、Ta、Eu203按照Lah8NaTaO6 = O. 2Eu的化學(xué)計(jì)量比進(jìn)行稱量，采取球磨混料，使混料細(xì)化并充分混和；然后將球磨后的混料裝入剛玉坩堝中，在爐內(nèi)進(jìn)行預(yù)燒，溫度為1000°C，時(shí)間為12h ；預(yù)燒所得粉體研磨后在1400°c再次進(jìn)行燒制，反應(yīng)時(shí)間為 12h。所制備的熒光粉體球磨、細(xì)化和篩分，即得到純相的紅色熒光材料，樣品在465nm蘭光激發(fā)下的在eilnm處的熒光發(fā)射強(qiáng)度達(dá)到2080000。實(shí)施例16、首先將原料La (NO3) 3、NaNO3^ Ta、Eu2O3按照La1^NaTaO6 = O. 2Eu的化學(xué)計(jì)量比進(jìn)行稱量，采取球磨混料，使混料細(xì)化并充分混和；然后將球磨后的混料裝入剛玉坩堝中，在爐內(nèi)進(jìn)行預(yù)燒，溫度為1000°C，時(shí)間為12h ；預(yù)燒所得粉體研磨后在1400°c再次進(jìn)行燒制，反應(yīng)時(shí)間為12h。所制備的熒光粉體球磨、細(xì)化和篩分，即得到純相的紅色熒光材料，樣品在 465nm蘭光激發(fā)下的在611nm處的熒光發(fā)射強(qiáng)度達(dá)到1960000。
權(quán)利要求
1.一種雙鈣鈦礦結(jié)構(gòu)紅色熒光粉，其特征在于所述的紅色熒光粉的化學(xué)式表達(dá)為 Ln2_xAM06 :xEu,式中①Eu為發(fā)光中心，摻雜位于Ln位，摻雜量0.01^ X^ 1.0 ；②Ln= La2wnGdmYn(0 ( m+n ( 2-χ, m與η任意比例組合，χ為Eu的摻雜量)；③A= Li1^zNayKz (0彡y+z彡1，y與ζ任意比例組合)；④M= Sb1^qNbpTaq (0彡p+q彡1，ρ與q任意比例組合)。
2.按權(quán)利要求1所述的紅色熒光粉，其特征在于Eu的摻雜量X = 0. 2。
3.按權(quán)利要求1所述的紅色熒光粉，其特征在于DLn為L(zhǎng)a、Gd和Y中的任意一種、二種或三種組合；2)A為L(zhǎng)i、Na和K中的任意一種、二種或三種組合；3)M為Sb、Nb和I1a中的任意一種、二種或三種組合；
4.制備如權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)，所述的紅色熒光粉的方法，其特征在于采用固相反應(yīng)方法，具體步驟是a)按LrvxAMO6:xEu化學(xué)組成配比選用適量原料進(jìn)行配料，采取球磨混料，使混料細(xì)化并充分混和；b)將球磨后的混料裝入剛玉坩堝或其它容器中，在爐內(nèi)先進(jìn)行預(yù)燒或不經(jīng)預(yù)燒，預(yù)燒溫度為500 1000°C，時(shí)間為10 Mh ；預(yù)燒所得粉體研磨后在800 1400°C再次進(jìn)行燒制，反應(yīng)時(shí)間為12 48h ；或不經(jīng)預(yù)燒的步驟(a)的混合物在800-1400°C，反應(yīng)時(shí)間為 12-48h條件下直接燒制；c)將步驟(b)制備的熒光粉體球磨、細(xì)化和篩分。
5.按權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于①Ln位的原料為氧化物、金屬粉體、硝酸鹽或醋酸鹽；②A位的原料為氧化物、碳酸鹽或硝酸鹽；③M位的原料為氧化物或金屬粉體。
6.權(quán)利要求1所述的熒光粉的應(yīng)用，其特征在于在LED綠光芯片、蘭光芯片或近紫外光芯片中用于白光LED照明的紅色熒光，用于LED及相關(guān)顯示和照明器件。
7.按權(quán)利要求6所述的應(yīng)用，其特征在于發(fā)射的紅色熒光介于600 620nm之間。
8.按權(quán)利要求7所述的應(yīng)用，其特征在于在465nm蘭光激發(fā)下在61Inm處的熒光發(fā)射強(qiáng)度達(dá) 980000 3600000。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種雙鈣鈦礦結(jié)構(gòu)紅色熒光粉、制備方法及應(yīng)用，屬熒光材料領(lǐng)域。該熒光粉的化學(xué)式可以表達(dá)為L(zhǎng)n2-xAMO6:xEu，并符合如下條件Ln為L(zhǎng)a、Gd和Y中的任意一種、二種或三種組合，A為L(zhǎng)i、Na和K中的任意一種、二種或三種組合，M為Sb、Nb和Ta中的任意一種、二種或三種組合；Eu為發(fā)光中心，摻雜位于Ln位，摻雜值x＝0.01-1.0。本發(fā)明在綠光芯片(528-533nm)、蘭光芯片(460-470nm)或近紫外光芯片(390-399nm)激發(fā)下，發(fā)射出為570-640nm之間的熒光，紅色熒光介于600-620nm之間?？捎糜诎坠釲ED及相關(guān)顯示、照明器件且其制備工藝簡(jiǎn)單，材料的化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，發(fā)光性能優(yōu)異，是理想的白光LED用熒光粉。
文檔編號(hào)C09K11/78GK102250616SQ20111011755
公開日2011年11月23日 申請(qǐng)日期2011年5月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月6日
發(fā)明者徐科, 楊重寅, 殷鑫, 黃富強(qiáng) 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所, 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所