專利名稱：用來穩(wěn)定涂層的方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
[0001本發(fā)明總體涉及涂敷過程。更具體地說，本發(fā)明涉及用來
穩(wěn)定在基片涂敷設(shè)備的內(nèi)表面上的附帶涂層的方法和設(shè)備。
背景技術(shù)：
[0002在基片涂敷設(shè)備內(nèi)在基片的連續(xù)或批量涂敷期間，已經(jīng)觀 察到，基片可能由于來自附帶涂層的顆粒排出(ejection)而被損壞或 帶來缺陷，該附帶涂層產(chǎn)生在基片涂敷設(shè)備的內(nèi)表面上，具體地說， 在基片涂敷區(qū)內(nèi)的那些表面上。顆粒的排出作為在附帶涂層本身內(nèi)產(chǎn) 生的應(yīng)力的結(jié)果而發(fā)生。這些應(yīng)力由各種因素生成，這些因素包括相 對(duì)于附帶涂層粘附到其上的表面、在這些表面的溫度變化期間、附帶 涂層的不同熱膨脹和收縮。而且，隨著涂敷過程繼續(xù)，附帶涂層的厚 度增加，由此增大在涂層內(nèi)的應(yīng)力數(shù)值。
[0003如果在附帶涂層內(nèi)的應(yīng)力被穩(wěn)定或阻止，則會(huì)減小基片產(chǎn) 生有缺陷的頻率，并且減小涂敷區(qū)的內(nèi)表面的清理頻率，由此增進(jìn)基 片涂敷設(shè)備的應(yīng)用性。

發(fā)明內(nèi)容
[0004為了克服已知技術(shù)的缺陷和限制，本發(fā)明提供用來穩(wěn)定在 基片涂敷設(shè)備的一個(gè)或多個(gè)內(nèi)表面上的附帶涂層的方法和設(shè)備。特定 內(nèi)表面是在設(shè)備的基片涂敷區(qū)中存在的那些表面，這些表面可以是實(shí) 際壁表面、在涂敷區(qū)中元件或結(jié)構(gòu)的表面、或位于這樣的表面上的柔 順織物的那些表面。
[0005在本發(fā)明的一個(gè)方面，所述方法包括在將基片引入到基片 涂敷區(qū)中之前將內(nèi)表面加熱到局部預(yù)熱溫度。局部預(yù)熱溫度被選擇成，它近似地等于在基片的實(shí)際涂敷期間內(nèi)表面將會(huì)達(dá)到的溫度。
[0006在另一個(gè)方面，本發(fā)明提供柔順織物的使用，以至少部分 地限定涂敷區(qū)的內(nèi)表面。像這樣，織物的柔順性、以及相對(duì)于光滑剛 性表面增大的織物的可涂敷表面面積，阻止來自附帶涂層的顆粒排出。
0007j本發(fā)明的 一個(gè)另外方面涉及既使用柔順織物至少部分地 限定涂敷區(qū)的內(nèi)表面又將內(nèi)表面預(yù)熱到局部預(yù)熱溫度。
[0008本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例阻止在附帶涂層中產(chǎn)生有害高應(yīng)力， 該附帶涂層形成在涂敷區(qū)的內(nèi)表面上。因此，也阻止在涂敷過程期間 來自附帶涂層的顆粒排出。如此，本發(fā)明減小或防止在涂敷基片中缺 陷的發(fā)生。


0009下文將聯(lián)系附圖描述本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例，這些附圖為說 明而不是限制本發(fā)明而提供，其中類似附圖標(biāo)記指示類似元件，在附
[0010圖1是按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的基片涂敷設(shè)備的示意 俯視[0011圖2是在圖1中看到的基片涂敷區(qū)的示意俯視[0012圖3A示出按照本發(fā)明示范實(shí)施例的半剛性支撐的前視
[0013圖3B示出按照本發(fā)明示范實(shí)施例的、連結(jié)到半剛性支撐 上的柔順織物的側(cè)視[0014圖3C示出按照本發(fā)明示范實(shí)施例的、連結(jié)到半剛性支撐 上的柔順織物的前視圖；及
[0015圖4是按照本發(fā)明的原理的、用來穩(wěn)定在基片涂敷設(shè)備的 內(nèi)表面上的附帶涂層的方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式
[0016現(xiàn)在參照附圖，按照本發(fā)明原理的基片涂敷設(shè)備100示意表示在圖1中?；糠笤O(shè)備100包括各個(gè)站或區(qū)，如加載鎖氣室102、 基片加熱區(qū)104、 一個(gè)或多個(gè)基片涂敷區(qū)106、及卸載鎖氣室108,它 們都以串聯(lián)和氣密方式連接。像這樣，各個(gè)站或區(qū)可以由多個(gè)泵(未 表示)抽真空，以保持對(duì)于涂敷過程有益的適當(dāng)真空壓力。
[0017當(dāng)基片IIO連續(xù)地運(yùn)動(dòng)過設(shè)備IOO時(shí)，基片涂敷設(shè)備IOO 優(yōu)選地用來涂敷多個(gè)基片IIO(兩個(gè)基片110a、 110b被表示)。如本 領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到的那樣，本發(fā)明同樣適用于進(jìn)行基片110的 批量涂敷，而不是連續(xù)涂敷的基片涂敷設(shè)備IOO。另外，涂敷設(shè)備IOO 可以采用多種涂敷過程的任一種，這些涂敷過程沒有限制地包括化學(xué) 蒸汽沉積、等離子增強(qiáng)化學(xué)蒸汽沉積及物理蒸汽沉積。
[0018基片本身可以由各種各樣的材料形成。在示范實(shí)施例中， 基片IIO由熱塑性材料制成。這樣的材料包括但不限于聚乙烯醇、聚 乙烯醇縮乙醛、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚酰胺、 聚酰亞胺及聚氯乙烯。用于基片110的其它適當(dāng)材料包括聚碳酸酯樹 脂、聚酯碳酸酯、丙烯酸聚合物、聚酯、聚氨基曱酸乙酯、等等?？?以制成基片110的材料的另外例子包括陶瓷、玻璃、金屬或半導(dǎo)體。 一般地，本發(fā)明具有用于任何基片IIO的應(yīng)用性，該基片110在涂敷 期間受到從涂敷區(qū)106的內(nèi)表面排出的顆粒的影響。
[00191基片IIO依據(jù)它們的構(gòu)造材料可以由各種工藝形成。這樣 的工藝非限制性地包括注射模壓、冷成形、真空成形、擠壓、吹塑成 形、壓鑄、壓縮模塑、及熱成形。另外，基片IIO在本質(zhì)上可以是彎 曲的、平的、剛性的或柔性的。
[0020在利用設(shè)備100時(shí)，將基片110放置在基片載體112上， 該基片載體112可以是導(dǎo)軌、吊架或其它裝置。這樣的裝置在工業(yè)中 是已知的，并因此在這里不進(jìn)一步地描述?；d體112進(jìn)入加載鎖 氣室102，并且在加載鎖氣室102中或到其之前，由輸送機(jī)接合，該 輸送機(jī)將載體112和基片110運(yùn)送通過涂敷設(shè)備100。顯然，可以釆 用適于將載體112和基片110運(yùn)送過涂敷設(shè)備100的任何機(jī)構(gòu)。
[0021
一旦被轉(zhuǎn)移到基片加熱區(qū)104中，基片IIO就凈皮加熱到適于基片110的涂敷的溫度。為此，基片加熱區(qū)104包括加熱單元114， 圖中示出了兩個(gè)加熱單元。加熱單元114布置在基片加熱區(qū)104內(nèi)或 其外側(cè)，在其側(cè)壁處或沿其側(cè)壁，或者在由設(shè)備100的整體設(shè)計(jì)所確 定的位置。各種類型的加熱單元114可以被采用，并且包括但不限于， 紅外加熱器、微波加熱器、電阻加熱器、無反應(yīng)等離子流等。
[0022在行進(jìn)過基片加熱區(qū)104之后，基片載體112進(jìn)入基片涂 敷區(qū)106，在該處將涂層沉積在基片110上。 一旦基片110已經(jīng)被涂 敷，它們?nèi)缓缶娃D(zhuǎn)移到卸載鎖氣室108，在該處它們離開涂敷設(shè)備100。
[0023盡管關(guān)于本發(fā)明可以采用各種涂敷方法和過程，但如示出 的那樣，基片涂敷區(qū)106包括一系列擴(kuò)張熱等離子(ETP)源陣列116， 它們可以彼此相對(duì)地成對(duì)布置。ETP源陣列116被安裝在它們自己的 端口 122上，或者安裝到位于基片涂敷區(qū)106的側(cè)壁上的共用歧管上。
[0024ETP源陣列116的每一個(gè)優(yōu)選地進(jìn)給有隋性氣體，該隋性 氣體被部分電離，并且作為等離子流，示出為組合或共用等離子流 118，從陣列116流出到基片涂敷區(qū)106中。關(guān)于涂敷設(shè)備100可以利 用的惰性氣體的例子包括但不限于氬、氦、氖等。
[0025氧化氣體和涂敷試劑也分別從氣體和試劑注入歧管(未表 示)注入。以蒸汽形式注入的氧化氣體和涂敷試劑擴(kuò)散到等離子流118 中，該等離子流118擴(kuò)張到基片涂敷區(qū)106中，并且指向穿過其運(yùn)送 的基片110。氧化氣體的例子包括但不限于氧和一氧化二氮、或其任 何組合。涂敷試劑的例子包括但不限于有機(jī)硅，如十甲基環(huán)戊硅氧烷 (D5)、乙烯基三曱基硅烷(VTMS)、 二曱基二曱氧基硅烷(DMDMS)、 八曱基環(huán)丁硅氧烷(D4)、四甲基乙硅氧烷(TMDSO)、四甲基四乙 烯基環(huán)丁硅氧烷(V-D4)、六曱基乙硅氧烷(HMDSO)等。
0026基片涂敷區(qū)106還包括加熱單元120，該加熱單元120布 置成和用來在將基片110引入到區(qū)106中之前，預(yù)熱基片涂敷區(qū)106 的內(nèi)表面200。優(yōu)選地，局部預(yù)熱溫度大體等于在基片110的實(shí)際涂 敷期間內(nèi)表面200所達(dá)到的局部溫度。為了確定何時(shí)已經(jīng)達(dá)到局部預(yù) 熱溫度，溫度測(cè)量儀器(未表示)，如熱電偶、光學(xué)高溫計(jì)、等等與涂敷區(qū)106—道提供。
[0027如以前提到的那樣，內(nèi)表面200可以包括基片涂敷區(qū)106 的一個(gè)或多個(gè)內(nèi)壁。內(nèi)表面也可以部分地包括各種元件和結(jié)構(gòu)的表面， 這些元件和結(jié)構(gòu)在實(shí)際涂敷期間布置在基片涂敷區(qū)106內(nèi)。這些元件 和結(jié)構(gòu)(未表示)可以包括例如氣體注入歧管、試劑注入歧管、用于 它們的支撐及其它結(jié)構(gòu)。另外，內(nèi)表面200可以至少部分地由柔順織 物204限定。
[0028如在圖2中詳細(xì)示出的那樣，基片涂敷區(qū)106包括一對(duì)相 對(duì)ETP源陣列116和加熱單元120 (四個(gè)這樣的單元被表示)。涂敷 區(qū)106具有內(nèi)表面200，該內(nèi)表面200可以至少部分地由連結(jié)到半剛 性支撐202上的柔順織物204限定。在一個(gè)實(shí)施例中，柔順織物204 由適當(dāng)裝置連結(jié)到半剛性支撐202上，如通過金屬絲縫合、夾片等。 可選擇地，柔順織物204可以直接連結(jié)到涂敷區(qū)106的內(nèi)壁上。像這 樣，柔順織物204，借助于或不借助于半剛性支撐202，可以從基片涂 敷區(qū)106定期地除去以進(jìn)行維護(hù)操作。
[0029柔順織物204對(duì)于半剛性支撐202的連結(jié)在基片110上的 涂層沉積期間可靠地保持柔順織物204，并且也便于維護(hù)的進(jìn)行，如 除去沉積在涂敷區(qū)106的內(nèi)表面上的附帶涂層。像這樣，附帶涂層可 以從柔順織物204除去，或者可以更換柔順織物204。
[0030可以注意到，柔順織物204是足夠柔性的，以允許任何涂 層應(yīng)力被基本釋放，這些應(yīng)力產(chǎn)生在柔順織物204上沉積的附帶涂層 內(nèi)。而且，因?yàn)槿犴樋椢?04由一系列纖維或股組成，所以柔順織物 204的實(shí)際表面具有織構(gòu)特性，該織構(gòu)特性提供的可涂敷表面面積大 于由相等橫向范圍的常規(guī)平面壁提供的可涂敷表面面積。作為結(jié)果， 在柔順織物204上沉積的涂層的厚度以比較慢速度增大。由于涂層應(yīng) 力往往隨涂層厚度而增大，所以能進(jìn)一步阻止或遲滯任何涂層應(yīng)力的 產(chǎn)生。由以上看到，柔順織物204的柔軟性和增大的可涂敷表面面積 起作用，以使來自附帶涂層的顆粒排出最少，因?yàn)樗軐?shí)質(zhì)性地阻止 任何涂層應(yīng)力的產(chǎn)生。[00311圖3A示出按照本發(fā)明示范實(shí)施例的半剛性支撐202的前 視圖。半剛性支撐202的例子包括但不限于擴(kuò)展金屬薄片、金屬板、 金屬框架、金屬絲網(wǎng)結(jié)構(gòu)、等等。
[0032圖3B和3C分別示出連結(jié)到半剛性支撐202上的柔順織 物204的側(cè)視圖和前視圖。柔順織物204耐受在基片IIO的涂敷期間 在基片涂敷區(qū)106內(nèi)出現(xiàn)的溫度和條件。因此，柔順織物204在這樣 的溫度下不會(huì)點(diǎn)燃、燃燒、炭化或分解。而且，柔順織物204真空相 容的，優(yōu)選地是光學(xué)不透明的，并且擁用'可呼吸，特征。真空相容性 保證，在真空下來自柔順織物204的氣體或蒸汽的任何釋放將不會(huì)顯 著地延遲或妨礙對(duì)于涂敷過程有益的真空條件的實(shí)現(xiàn)。而且，也保證， 氣體或蒸汽不會(huì)不利地影響在基片上沉積的涂層。光學(xué)不透明性阻止
涂敷初級(jí)粒子透過柔順織物204，由此保護(hù)柔順織物204覆蓋的任何 表面?？椢锏目珊粑卣魇侵?，在柔順織物204的空隙內(nèi)的氣體或蒸 汽自由地足以流出柔順織物204從而不顯著延遲或妨礙實(shí)現(xiàn)真空條件 的能力。
[00331說明性地，柔順織物204可以是玻璃纖維織物。在基片涂 敷區(qū)106中的使用之前，將玻璃纖維織物熱處理。選擇性地，玻璃纖 維織物也可以被預(yù)涂敷。例如，玻璃纖維織物可以預(yù)涂敷有蛭石或聚 四氟乙烯(PTFE)?？蛇x擇地，玻璃纖維織物也可以用金屬絲加強(qiáng)。 用于柔順織物204的其它示范材料包括碳纖維織物、陶資織物、石英 織物、Kevlar Aramid織物、金屬線織物、編織金屬絲布、等等。陶 瓷織物的例子包括但不限于氧化鋁、氧化鋯等等。
[0034圖4是流程圖，體現(xiàn)了實(shí)施本發(fā)明原理的、用來穩(wěn)定在基 片涂敷區(qū)106的內(nèi)表面上的涂層的一種方法。在步驟402處，如以上 描述的那些柔順織物被選擇性地提供，從而限定涂敷區(qū)106的至少一 個(gè)內(nèi)表面。柔順織物204可以連結(jié)到半剛性支撐上，如以上討論的半 剛性支撐202。在步驟404中，柔順織物204被安裝，以至少部分地 覆蓋基片涂敷區(qū)106的內(nèi)側(cè)，并且限定該區(qū)的一個(gè)或多個(gè)內(nèi)表面。選 擇性地，柔順織物204也可以安裝成，覆蓋在基片涂敷區(qū)106內(nèi)的各
10種元件和結(jié)構(gòu)。
0035在將基片110引入到基片涂敷區(qū)106中之前，在步驟406 處，涂敷區(qū)106的內(nèi)表面被選擇性地預(yù)熱到局部預(yù)熱溫度。內(nèi)表面可 以由以上討論的各種裝置加熱。在這樣的預(yù)熱之后，在步驟408處將 基片110引入到基片涂敷區(qū)106中，并且在步驟410處進(jìn)行在基片110 上的涂層的沉積。
[0036在涂敷之后，將基片從基片涂敷區(qū)取出。過程然后可以重 復(fù)成，由在步驟404與406之間延伸的虛線指示的批量涂敷過程、和 由在步驟406與408之間延伸的虛線指示的連續(xù)涂敷過程。 一旦在基 片涂敷區(qū)106的內(nèi)表面上的附帶涂層變得過大(呈現(xiàn)冒有從內(nèi)表面排 出附帶涂層的顆粒的危險(xiǎn)的應(yīng)力)，就在步驟412中，從基片涂敷區(qū)取 出柔順織物，從而使附帶涂層除去或從而被更換。此后，可以重復(fù)整 個(gè)過程。
[0037如以上提到的那樣，在有或沒有柔順織物被用來至少部分 地限定內(nèi)表面的情況下，在基片涂敷區(qū)106的內(nèi)表面上的附帶涂層通 過這些表面的預(yù)熱可以被穩(wěn)定。
[0038本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例提供在基片涂敷設(shè)備中涂敷基片的 過程期間阻止在附帶涂層內(nèi)產(chǎn)生有害高應(yīng)力的便利方法和設(shè)備。這些 方法和設(shè)備能夠穩(wěn)定在基片涂敷設(shè)備的內(nèi)表面上的附帶涂層。因此，
層的顆粒排出。作為結(jié)果，各個(gè)實(shí)施例阻止或防止在基片上表面缺陷 的發(fā)生。此外，本發(fā)明提供柔順織物的使用，以覆蓋基片涂敷設(shè)備的 內(nèi)壁，并且形成設(shè)備的內(nèi)表面。柔順織物可以連結(jié)到半剛性支撐上， 由此能夠?qū)崿F(xiàn)在基片涂敷設(shè)備中附帶涂層的容易除去和新內(nèi)表面的安 裝(通過新的柔順織物)。
權(quán)利要求
1.一種用來在基片涂敷設(shè)備中穩(wěn)定在涂敷區(qū)的內(nèi)表面上的涂層的方法，所述內(nèi)表面在所述基片的涂敷期間達(dá)到局部涂敷溫度，所述方法包括下列步驟將所述涂敷區(qū)的內(nèi)表面預(yù)熱到局部預(yù)熱溫度，所述局部預(yù)熱溫度基本等于所述局部涂敷溫度；在所述預(yù)熱步驟之后，將基片引入到所述涂敷區(qū)中；在所述涂敷區(qū)中涂敷所述基片；在所述涂敷區(qū)的所述內(nèi)表面上形成附帶涂層；及從所述涂敷區(qū)取出所述基片。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，涂敷所述基片的所述步驟 是批量涂敷過程。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中，涂敷所述基片的所述步驟 是連續(xù)涂敷過程。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中，所述附帶涂層的形成發(fā)生 在所述涂敷區(qū)的柔性內(nèi)表面上。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中，所述附帶涂層的形成發(fā)生 在所述涂敷區(qū)的可透過內(nèi)表面上。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括利用柔順織物限定所述涂 敷區(qū)的所述內(nèi)表面的至少一部分的步驟。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括下列步驟在半剛性支撐 上提供柔順織物以形成柔順織物和半剛性支撐組件，利用所述柔順織 物至少部分地限定所述涂敷區(qū)的所述內(nèi)表面。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，還包括在所述涂敷區(qū)上形成所述 附帶涂層之后取出和更換所述涂敷區(qū)的所述柔順織物和半剛性支撐組 件的步驟。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在所述涂敷區(qū)上形成所述 附帶涂層之后取出和更換所述涂敷區(qū)的所述內(nèi)表面的步驟。
10. —種用來涂敷基片的基片涂敷設(shè)備，所述基片涂敷設(shè)備包括 涂敷區(qū)，具有限定至少一個(gè)內(nèi)表面的部分，所述涂敷區(qū)包括適于涂敷所述基片的涂敷源，所述內(nèi)表面在所述基片在所述涂敷區(qū)中的涂敷期間達(dá)到局部涂敷溫度；和至少一個(gè)預(yù)加熱器，構(gòu)造成在將所述基片引入到所述涂敷區(qū)中之前將所述涂敷區(qū)的所述內(nèi)表面加熱到局部預(yù)熱溫度，所述局部預(yù)熱溫
11.根據(jù)權(quán)利^求io'所述的設(shè)備，'其中，所述內(nèi)表:k所述涂敷區(qū)的內(nèi)壁。
12. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的設(shè)備，其中，所述內(nèi)表面由柔順織物 限定，該柔順織物對(duì)于所述局部涂敷溫度是耐溫的，所述柔順織物阻 止在其上形成的所述附帶涂層中涂層應(yīng)力的產(chǎn)生。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中，所述柔順織物連結(jié)到半 剛性支撐上。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中，所述柔順織物能夠從所 述涂敷區(qū)取出。
15. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中，所述基片涂敷設(shè)備是連 續(xù)涂敷設(shè)備和批量涂敷設(shè)備中的 一種。
16. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中，所述內(nèi)表面能夠從所述 涂敷區(qū)除去。
17. —種用來在基片涂敷設(shè)備中穩(wěn)定在涂敷區(qū)的內(nèi)表面上的涂層 的方法，所述內(nèi)表面在所述基片的涂敷期間達(dá)到局部涂敷溫度，所述 方法包括下列步驟用柔順織物至少部分地限定所述涂敷區(qū)的所述內(nèi)表面； 將基片引入到所述涂敷區(qū)中； 在所述涂敷區(qū)中涂敷所述基片； 在所述涂敷區(qū)的所述內(nèi)表面上形成附帶涂層；及 從所述涂敷區(qū)取出所述基片。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，還包括將所述內(nèi)表面預(yù)熱到局部預(yù)熱溫度的步驟，該局部預(yù)熱溫度基本等于所述局部涂敷溫度。
19. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，還包括下列步驟從所述涂敷 區(qū)取出所述柔順織物，該柔順織物在其上具有所述附帶涂層。
20. —種用來涂敷基片的基片涂敷設(shè)備，所述基片涂敷設(shè)備包括 涂敷區(qū)，具有限定至少一個(gè)內(nèi)表面的部分，所述涂敷區(qū)包括適于涂敷所述基片的涂敷源，所述內(nèi)表面在所述基片在所述涂敷區(qū)中的涂 敷期間達(dá)到局部涂敷溫度；和柔順織物，至少部分地限定所述涂敷區(qū)的所述內(nèi)表面。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的設(shè)備，還包括至少一個(gè)預(yù)加熱器，構(gòu) 造成在將所述基片引入到所述涂敷區(qū)中之前將所述內(nèi)表面加熱到局部 預(yù)熱溫度，所述局部預(yù)熱溫度基本等于在所述基片的涂敷期間所述內(nèi) 表面的所述局部涂敷溫度。
全文摘要
提供一種用來穩(wěn)定在基片(100a、b)涂敷設(shè)備中的附帶涂層的方法和設(shè)備(100)。方法包括限定在基片涂敷設(shè)備中的涂敷區(qū)的內(nèi)表面(200)。方法可以包括將內(nèi)表面(104)預(yù)熱到局部預(yù)熱溫度，該局部預(yù)熱溫度近似等于在基片涂敷期間由表面達(dá)到的局部涂敷溫度；用柔順織物至少部分地限定內(nèi)表面；或者用柔順織物至少部分地限定內(nèi)表面和預(yù)熱內(nèi)表面。
文檔編號(hào)B05B15/12GK101595245SQ200780050806
公開日2009年12月2日 申請(qǐng)日期2007年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月28日
發(fā)明者M·R·哈格, S·M·蓋斯沃斯, S·科內(nèi)爾列 申請(qǐng)人:?？税⑻┛擞邢挢?zé)任公司