專利名稱：用于形成發(fā)光層的基材、發(fā)光體以及發(fā)光物質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于形成發(fā)光層的基材、發(fā)光體以M光物質(zhì)，更具體地， 涉及其包括氮化物半導(dǎo)體的發(fā)光層是通過氣相生長(zhǎng)方法形成的用于形成發(fā) 光層的基材、發(fā)光體以及發(fā)光物質(zhì)。
背景技術(shù)：
作為用于熒光體的材料，長(zhǎng)期以來，已經(jīng)對(duì)例如ZnS的II-VI族半導(dǎo) 體進(jìn)行了研究。然而，這樣的問題伴隨著II-VI族半導(dǎo)體當(dāng)為了實(shí)現(xiàn)高 亮度而利用電子束使II-VI族半導(dǎo)體轉(zhuǎn)變?yōu)楦呤芗顟B(tài)時(shí)，壽命減小。因 此，渴望高耐性材料的開發(fā)。關(guān)于高阻熒光體材料，可以列舉氮化物半導(dǎo)體。由于氮化物半導(dǎo)體的 物理和化學(xué)性能非常穩(wěn)定，即使當(dāng)通過電子束等轉(zhuǎn)變?yōu)閺?qiáng)受激狀態(tài)時(shí)，也 不發(fā)生壽命減小這樣的現(xiàn)象，因此氮化物半導(dǎo)體是一種可以預(yù)期為高阻熒光體材料。然而，氮化物半導(dǎo)體是這樣的，；f艮難從熔融液體形成體單晶。因此，為了使用氮化物半導(dǎo)體形成熒光體，傳統(tǒng)上，使用下述方法利用 多晶粉末的生長(zhǎng)的方法(見例如專利公開1:日本未審專利公開(KOKAI) Gazette No.9-235，548);以及利用氣相生長(zhǎng)方法的方法(見例如專利公開 2:日本未審專利公開(KOKAI) Gazette No.11-339,681 )。在該專利文獻(xiàn)l中，公開了一種用于在氨氣氛中通過加熱原料粉末制 造粒狀熒光體的工藝，該原*末包括作為不含氧的鎵化合物的硫化鎵、 作為不含氧的銦化合物的硫化銦以及作為不含氧的摻雜物質(zhì)的Zn或Mg 的減/ft物。另一方面，在專利文獻(xiàn)2中，公開了一種用于在熒光結(jié)晶膜中確定晶軸方向的技術(shù)，其中在絕緣基敗上形成導(dǎo)電膜；并且通過金屬有機(jī)氣相生 長(zhǎng)方法(或MOCVD方法)以及其后通過退火處理，在導(dǎo)電膜上生長(zhǎng)包含 InxGayAlLx.yN: Zn、 Si的多晶態(tài)熒光結(jié)晶膜。在利用前述專利文獻(xiàn)l闡述的粉末的方法中，可以以低成本獲得大量 氮化物。然而，在氨氣氛中對(duì)氮化鎵或氧化鎵等加熱的方法中，存在這樣 的問題由于氮不足，結(jié)晶質(zhì)量差，并且因此被黑化(blacken)(或晶體 本身呈現(xiàn)黑色)，因此亮度的提高變得困難。此外，由于原料供應(yīng)的可控 性低，并且由于對(duì)原料種類有限制，因此對(duì)改進(jìn)發(fā)光效率有限制。另一方面，才艮據(jù)在前述專利文獻(xiàn)2中〃>開的利用氣相生長(zhǎng)方法的方法， 不存在由于黑化而使得結(jié)晶質(zhì)量惡化的這樣的問題。此外，由于易于控制 原料供應(yīng)，對(duì)于制造混合晶體的控制以及對(duì)于雜質(zhì)的濃度控制變得可行， 從而對(duì)于顏色表現(xiàn)特性或發(fā)光效率的改進(jìn)變得可行。然而，由于膜狀熒光 結(jié)晶膜是通過氣相生長(zhǎng)方法形成的，使其微晶化是困難的，因此存在這樣 的問題不能極端地改iOL光效率。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是考慮到上述情況做出的，并且其要解決的技術(shù)課題是提供一 種用于形成發(fā)光層的基材、發(fā)光體以及發(fā)光物質(zhì)，使得同樣通過在利用對(duì) 改進(jìn)結(jié)晶質(zhì)量等有利的氣相生長(zhǎng)方法的同時(shí)孩炎晶化發(fā)光層，而意圖改iOL 光效率成為可能。在解決上述課題的權(quán)利要求1中闡述的用于形成發(fā)光層的基材包括 單晶基材；以及形成在所述單晶基材上的定向微晶層；并且所述基材是這 樣的基材，其中包括氮化物半導(dǎo)體的發(fā)光層通過氣相生長(zhǎng)方法形成在所述 定向微晶層上，其特征在于構(gòu)成所述定向微晶層的各晶體的晶軸中的一個(gè) 在相對(duì)于所述單晶基材的特定方向取向；并且，構(gòu)成所述定向微晶層的各 晶體的平均晶體粒徑(grain diameter)為l-l,000nm。在解決上述課題的權(quán)利要求2中闡述的發(fā)光體是這樣的發(fā)光體，其具 有在權(quán)利要求l中闡述的用于形成發(fā)光層的基材和發(fā)光層，所述發(fā)光層通過氣相生長(zhǎng)方法在所述用于形成發(fā)光層的基材的所述定向的微晶層上形成且包括氮化物半導(dǎo)體，其特征在于所述發(fā)光層由平均粒徑為l-l,000nm的 微晶顆粒構(gòu)成。在優(yōu)選方面，在權(quán)利要求2中闡述的發(fā)光體是這樣的，其還具有中間 層，所述中間層通過氣相生長(zhǎng)方法形成在所述定向的^t晶層上，且所述中 間層包括氮化物半導(dǎo)體，其中所述氮化物半導(dǎo)體包括核物質(zhì)，且當(dāng)所M 光層生長(zhǎng)時(shí)，所述核物質(zhì)成為起始點(diǎn)；并且，所述發(fā)光層形成在所述中間 層上。在權(quán)利要求3中闡述的發(fā)光體的優(yōu)選方面，所述中間層是這樣的，其 帶隙能量大于所述發(fā)光層的帶隙能量。在權(quán)利要求3或4中闡述的發(fā)光體的優(yōu)選方面，所述單晶基材包括珪 基材；所述中間層包括AlxGayN (x+y=l, 0<x￡l以及0￡y<l);以及所述 發(fā)光層包括InzAlxGayN (x+y+z=l， 0￡x￡l， 0^y51以及O^z^l)。在優(yōu)選方面，在權(quán)利要求2、 3、 4或5中闡述的發(fā)光體是這樣的，其 還具有包覆層，所述包覆層通過氣相生長(zhǎng)方法在所述發(fā)光層上形成且包括 帶隙能量大于所&良光層的帶隙能量的氮化物半導(dǎo)體。在解決上述課題的權(quán)利要求7中闡述的發(fā)光物質(zhì)，其特征在于，其是 通過從用于形成發(fā)光層的基材上剝離而形成的，且所述基材是權(quán)利要求6 中闡述的發(fā)光體的所述基材；并且，所述發(fā)光物質(zhì)包括所述中間層、所述 發(fā)光層和所述包覆層。在解決上述課題的權(quán)利要求8中闡述的用于形成發(fā)光層的基材包括Si 單晶基材；并且所述基材是這樣的基材，其中包括氮化物半導(dǎo)體的發(fā)光層 通過氣相生長(zhǎng)方法形成在所述單晶基材上，并且所*材的特征在于其具 有多個(gè)(nil) Si平面部分(其中，n是0-6的整數(shù))，以及(nil) Si平 面部分是通過對(duì)所述單晶基材的表面微加工而形成的，其中最大長(zhǎng)度部分 的平均長(zhǎng)度為l-l,000nm。在解決上述課題的權(quán)利要求9中闡述的發(fā)光體是這樣的，其具有在權(quán) 利要求8中闡述的用于形成發(fā)光層的基材和發(fā)光層，所述發(fā)光層通過氣相生長(zhǎng)方法形成在所述用于形成發(fā)光層的基材的所述(nil) Si平面部分上， 且包括氮化物半導(dǎo)體，并且所述發(fā)光體的特征在于所述發(fā)光層是由平均粒 徑為l-l，000nm的孩i晶顆粒構(gòu)成。在優(yōu)選方面，在權(quán)利要求9中闡述的發(fā)光體是這樣的，它還具有中間 層，所述中間層通過氣相生長(zhǎng)方法形成在所述(nil) Si平面部分上且包 括氮化物半導(dǎo)體，其中所述氮化物半導(dǎo)體包括核物質(zhì)，且當(dāng)所述發(fā)光層生 長(zhǎng)時(shí)，所述核物質(zhì)成為起始點(diǎn)；并且，所述發(fā)光層形成在所述中間層上。在權(quán)利要求IO中闡述的發(fā)光體的優(yōu)選方面，所述中間層是這樣的，其 帶隙能量大于所逸義光層的帶隙能量。在權(quán)利要求10或11中闡述的發(fā)光體的優(yōu)選方面，所述中間層包括 AJxGayN (x+y=l, 0<x^l以及0￡y<l);以及所述發(fā)光層包括InzAlxGayN (x+y+z=l， 0^x51， 0SySl以及0￡z5l )。在優(yōu)選方面，在權(quán)利要求9、 10、 11或12中闡述的發(fā)光體是這樣的， 其還具有包覆層，所述包覆層通過氣相生長(zhǎng)方法形成在所述發(fā)光層上且包 括帶隙能量大于所逸義光層的帶隙能量的氮化物半導(dǎo)體。在解決上述課題的權(quán)利要求14中闡迷的發(fā)光物質(zhì)是這樣的，其特征在 于，其是通過從用于形成發(fā)光層的基材上剝離而形成的，且所述基材是權(quán) 利要求13中闡述的發(fā)光體的所述基材；并且，所述發(fā)光物質(zhì)包括所述中間 層、所述發(fā)光層和所述包覆層。


圖1旨在本發(fā)明的實(shí)例1,并且是用于示意性圖示用于形成發(fā)光層的 基材、發(fā)光體和發(fā)光物質(zhì)的制造步驟的截面圖。圖2旨在本發(fā)明的實(shí)例2，并且是用于示意性圖示用于形成發(fā)光層的 基材、發(fā)光體和發(fā)光物質(zhì)的制造步驟的截面圖。圖3旨在參考實(shí)例，并且是用于圖示當(dāng)使得Si濃度恒定在4.6xlO"cm3 并且不同地(variously)改變Zn濃度時(shí)InGaN發(fā)光層的CL光鐠的圖。圖4旨在參考實(shí)例，并且是用于圖示當(dāng)使得Si濃度恒定在4.6xlO"cm3并且不同地改變Zn濃度時(shí)InGaN發(fā)光層的發(fā)光強(qiáng)度的圖。圖5旨在參考實(shí)例，并且是用于圖示當(dāng)使得Zn濃度恒定在 4.0xl0"/cii^并且不同地改變Si濃度時(shí)InGaN發(fā)光層的發(fā)光強(qiáng)度的圖。
具體實(shí)施方式
(1)一種基材，其旨在權(quán)利要求1中闡述的發(fā)明，是包括單晶基材和 定向微晶層的基材，該定向微晶層形成在單晶基材上；并且在該基材中， 包括氮化物半導(dǎo)體的發(fā)光層通過氣相生長(zhǎng)方法形成在定向微晶層上。關(guān)于所述單晶基材的材料質(zhì)量，只要在形成定向微晶層、中間層和發(fā) 光層時(shí)是穩(wěn)定的，就不作具體限制。盡管可以使用例如Si、 MgO、 A1203、 SiC、 GaAs或Ge,優(yōu)選為Si。當(dāng)其是包含Si的單晶基材時(shí)，可以比較廉 價(jià)地并且容易地獲得大面積基&，此外，因?yàn)橐子诨瘜W(xué)處理，所以可以容 易地剝離形成在基材上的發(fā)光層等。此外，關(guān)于單晶基材的結(jié)構(gòu)，可采用 包括單材料質(zhì)量的單層結(jié)構(gòu)，或者可釆用包括多個(gè)材料質(zhì)量種類的多層結(jié) 構(gòu)。不特別限制所述單晶基材的形狀和尺寸，因此適當(dāng)?shù)卦O(shè)定它們是可行的。關(guān)于所述定向微晶層的類型，只要其尺寸易于控制并且在生長(zhǎng)條件下 其表現(xiàn)穩(wěn)定，就不做特別限制，可以適當(dāng)?shù)夭捎肸nO、 Si、 Si02、 SiNx或 InAlGaN等。此外，優(yōu)選采用5-l，000nm的所述定向微晶層的厚度。當(dāng)定向微晶層 的厚度小于5nm時(shí)，則變得不能充分地發(fā)揮由形成定向微晶層引起的效 果。另一方面，當(dāng)定向微晶層的厚度超過l，000nm時(shí)，在單晶基材上的取 向變得困難。從這些觀點(diǎn)來看，更優(yōu)選采用50-200nm的定向微晶層厚度。此外，構(gòu)成所述定向微晶層的各晶體是這樣的，優(yōu)選晶體粒徑盡可能 地均勻，就是說，晶體粒徑的分布盡可能的小。當(dāng)定向微晶層中的晶體粒 徑均勻時(shí)，對(duì)于本身形成在其上的中間層和發(fā)光層的均勻微晶化變得有利。關(guān)于該定向孩t晶層的形成方法，不作特別限定，因此可以采用各種適合定向微晶層類型的方法。例如，當(dāng)采用ZnO或Si作為定向微晶層時(shí)， 可以通過進(jìn)行多晶層形成步驟而形成具有預(yù)定厚度的定向微晶層，在多晶 層形成步驟中，通過例如濺射或CVD方法這樣的工藝以及其后通過進(jìn)行 表面改性(surface-modification)處理步驟，具有預(yù)定厚度的多晶層形成 在所述單晶基材上，在表面改性處理步驟中，對(duì)多晶層進(jìn)行表面改性處理， 以使其轉(zhuǎn)變?yōu)樗龆ㄏ蛭⒕印Ｔ谠摫砻娓男蕴幚聿襟E中，可以在諸如真 空、空氣或惰性氣體等的氣氛M、諸如約300-1200'C的溫度條件以及諸 如約5-120分鐘的時(shí)間條件下進(jìn)行退火處理。此外，當(dāng)使用SK)2作為定向 微晶層時(shí)，可以通過在諸如像空氣等的含氧氣氛的氣氛條件下、諸如約i，ooo'c的溫度務(wù)泮以及諸如約1012-1015秒的時(shí)間條件下，對(duì)si單晶a實(shí)施熱氧化處理，從而在Si基板上形成具有預(yù)定厚度的定向微晶層。當(dāng)使 用SiNx作為定向微晶層時(shí)，可以通過在諸如1\2或NH3的氣氛條件、諸如 約1000'C的溫度條件以及諸如約1012-1015秒的時(shí)間條件下，相對(duì)于Si單 晶基板實(shí)施熱氮化處理,從而在Si基板上形成具有預(yù)定厚度的定向微晶層。 當(dāng)使用InAlGaN作為定向微晶層時(shí)，可以通過公知的合成方法，例如CVD 設(shè)備、MBE設(shè)備等，在單晶基材上形成具有預(yù)定厚度的定向微晶層。并且，在該定向微晶層中，構(gòu)成定向微晶層的各晶體的晶軸中的一個(gè) 在相對(duì)于所述單晶基材的特定方向取向，并且構(gòu)成定向微晶層的各晶體的 平均晶體粒徑為l-l，000nm。這里，"在相對(duì)于所述單晶基材的特定方向取向"意味著構(gòu)成定向微晶 層的各晶體的晶軸中的一個(gè)在相對(duì)于構(gòu)成單晶基材的單晶中晶軸中的一個(gè) 取向。然而，不意味著要求構(gòu)成定向微晶層的所有晶體晶軸中的一個(gè)在相 對(duì)于單晶基材的特定方向取向。在所述定向微晶層中，優(yōu)選在構(gòu)成定向微晶層的晶體中，晶體的約50 %至卯％ (優(yōu)選約80 %至卯％ )的晶軸中的一個(gè)可在相對(duì)于單晶基材的 特定方向取向。在定向微晶層中，當(dāng)在相對(duì)于單晶基材的特定方向取向的 晶體比率變低時(shí)，由于定向微晶層的生長(zhǎng)密度降低而使得成為晶體生長(zhǎng)起 始點(diǎn)的核減少的事實(shí)，發(fā)生在一個(gè)核上的原料集中，以致晶體的生長(zhǎng)速率迅速提高；結(jié)果，意圖使形成在定向微晶層上的中間層和發(fā)光層微晶化變 得困難。另一方面，在定向微晶層中，當(dāng)在相對(duì)于單晶基材的特定方向取 向的晶體比率超過晶體的約卯％時(shí)，由于其成為了單晶膜，它們不可能生 長(zhǎng)成微晶體。那些構(gòu)成所述定向微晶層的各晶體的其平均晶體粒徑小于lnm的晶 體是這樣的晶體，在現(xiàn)階段其形成本身是困難的。此外，當(dāng)定向微晶層的 晶體粒徑小時(shí)，在該定向微晶層上形成的中間層和發(fā)光層的晶體粒徑隨之 變小；當(dāng)構(gòu)成發(fā)光層的微晶的晶體粒徑太小時(shí)，有可能由于發(fā)光層的體積 不足而變得不能獲得所需的發(fā)光量。另一方面，當(dāng)構(gòu)成定向微晶層的各晶 體的平均晶體粒徑超過1,000nm時(shí)，想要在該定向微晶層上形成的中間層 和發(fā)光層中微晶化變得困難。從這些觀點(diǎn)來看，優(yōu)選定向微晶層中的平均 晶體粒徑為5-500nm，更優(yōu)選為5-200nm。這里，當(dāng)構(gòu)成定向微晶層的各晶體的平均晶體粒徑為l-l，000nm時(shí)， 構(gòu)成發(fā)光層的各晶體的平均晶體粒徑為約l-l，000nm，其中所述發(fā)光層通 過所述中間層在該定向微晶層上形成或者直接在該定向微晶層上形成；當(dāng) 構(gòu)成定向微晶層的各晶體的平均晶體粒徑為5-500nm時(shí)，其為約5-500nm; 以及當(dāng)構(gòu)成定向微晶層的各晶體的平均晶體粒徑為5-200nm時(shí)，其為約 5-200nm。這樣，根據(jù)旨在在權(quán)利要求l中闡述的用于形成發(fā)光層的本發(fā)明的具 有特定定向微晶層的基材，可以有效地微晶化通過氣相生長(zhǎng)方法在定向微 晶層上形成的發(fā)光層。因?yàn)榘凑兆鳛榛A(chǔ)層的定向微晶層的晶體尺寸微晶 化發(fā)光層，相信發(fā)光層也像這樣,皮」敞晶化。旨在權(quán)利要求2中闡述的本發(fā)明的發(fā)光體具有下列在權(quán)利要求l中 闡述的用于形成發(fā)光層的基材；如果需要，中間層，其通過氣相生長(zhǎng)方法 形成在用于形成發(fā)光層的基材的所述定向微晶層上，并且包括氮化物半導(dǎo) 體；發(fā)光層，當(dāng)形成中間層時(shí)通過氣相生長(zhǎng)方法形成在中間層上，或當(dāng)不 形成中間層時(shí)通過氣相生長(zhǎng)方法形成在所迷定向微晶層上，并且其包括氮 化物半導(dǎo)體；以及如果需要，包覆層，其通過氣相生長(zhǎng)方法形成在發(fā)光層上，并且包括氮化物半導(dǎo)體。旨在權(quán)利要求2中闡述的本發(fā)明的該發(fā)光體可通過進(jìn)行下列步驟形 成如果需要，通過氣相生長(zhǎng)方法形成中間層的中間層形成步驟，該中間 層包括在權(quán)利要求1中闡述的用于形成發(fā)光層的基材的所述定向微晶層上 的氮化物半導(dǎo)體；通過氣相生長(zhǎng)方法形成發(fā)光層的發(fā)光層形成步驟，該發(fā) 光層包括，當(dāng)形成中間層時(shí)在中間層上或者當(dāng)沒有形成中間層時(shí)在所述定 向微晶層上的氮化物半導(dǎo)體；以及如果需要，通過氣相生長(zhǎng)方法形成包覆 層的包覆層形成步驟，該包覆層包括在發(fā)光層上的氮化物半導(dǎo)體。所述中間層包括氮化物半導(dǎo)體，該氮化物半導(dǎo)體包括核物質(zhì)，當(dāng)發(fā)光 層生長(zhǎng)時(shí)該核物質(zhì)變?yōu)槠鹗键c(diǎn)。因此，當(dāng)很難在定向微晶層上生長(zhǎng)發(fā)光層 時(shí)，優(yōu)選首先可在定向微晶層上形成中間層，然后可在該中間層上形成發(fā) 光層。另一方面，當(dāng)可以在定向微晶層上容易地形成發(fā)光層時(shí)，允許在不 形成任何中間層的情況下，直接在定向微晶層上形成發(fā)光層。然而，即使 當(dāng)可以在定向微晶層上容易地形成發(fā)光層時(shí)，同樣允許首先在定向微晶層 上形成中間層，然后在該中間層上形成發(fā)光層，這^jf艮自然的。所述中間層是這樣的，優(yōu)選其帶隙能量大于所述發(fā)光層的帶隙能量。 通"其帶隙能量大于發(fā)光層帶隙能量的中間層上形成發(fā)光層從而使其進(jìn) 入層疊狀態(tài)的事實(shí)，可以避免電子^UL光層移動(dòng)至中間層。這樣，其變成 呈現(xiàn)量子約束效應(yīng)(quantum containment effect)的發(fā)光體，從而可以有 效地改進(jìn)發(fā)光效率。此外，其帶隙能量大于發(fā)光層帶隙能量的中間層通常 是這樣的，折射率變?yōu)樾∮诎l(fā)光層的折射率。因此，通過在其折射率小于 發(fā)光層的折射率的中間層上形成發(fā)光層從而使其i^層疊狀態(tài)的事實(shí)，可 以避免光M光層移動(dòng)至中間層。這樣，可以使得在發(fā)光層發(fā)射的光在發(fā) 光層內(nèi)之中駐留更長(zhǎng)的時(shí)間周期，從而可以意圖使得發(fā)光壽命更長(zhǎng)。優(yōu)選所述中間層的厚度為5-500nm。當(dāng)考慮所述約束效應(yīng)時(shí)，如果中 間層太薄，不能充分獲得所述約束效應(yīng)。另一方面，當(dāng)中間層的厚度;^f 時(shí)，發(fā)光層的微晶化變得困難。從這些觀點(diǎn)來看，更優(yōu)選中間層的厚度為 10國100nm。所述發(fā)光層由其平均粒徑為l-l,000nm的微晶粒構(gòu)成。以各發(fā)光層呈 點(diǎn)狀獨(dú)立分布的形式，在用于形成發(fā)光層的基材上形成由這樣的微晶粒構(gòu) 成的發(fā)光層。注意，同樣允許以部分發(fā)光層相互鄰接的形式，在用于形成 發(fā)光層的基材上形成發(fā)光層。構(gòu)成發(fā)光層的微晶粒中平均粒徑小于lnm的那些本身在目前很難形 成。此外，當(dāng)構(gòu)成發(fā)光層的微晶粒的平均晶體粒徑太小時(shí)，有可能由于發(fā) 光層的體積不足而變得不能獲得所需的發(fā)光量。另一方面，當(dāng)構(gòu)成發(fā)光層 的微晶粒平均晶體粒徑超過1,000nm時(shí)，有效改近良光層的發(fā)光效率變得 不可能。從這些觀點(diǎn)來看，優(yōu)選構(gòu)成發(fā)光層的微晶粒的平均晶體粒徑為 5-500nm，更優(yōu)選為5-200nm。這樣，在旨在權(quán)利要求2中闡述的本發(fā)明的發(fā)光體中，由于發(fā)光層由 微晶粒構(gòu)成，可以通過對(duì)發(fā)光層微晶化來有效地改進(jìn)發(fā)光效率。此外，由 于該發(fā)光層是通過氣相生長(zhǎng)方法形成的，就不存在由氮不足引起的被黑化 以致惡化晶體質(zhì)量的這樣的問題。此外，根據(jù)氣相生長(zhǎng)方法，由于易于控 制原料供應(yīng)，對(duì)制造混合晶體的控制以及對(duì)雜質(zhì)的濃度控制變得可行，從 而對(duì)顏色呈現(xiàn)特性或發(fā)光效率的改進(jìn)變得可行。在旨在權(quán)利要求2中闡述的本發(fā)明的發(fā)光體中，盡管只要基材、中間 層和發(fā)光層的每個(gè)都能夠?qū)崿F(xiàn)它們的預(yù)定功能，則對(duì)于所述單晶基材的類 型以及所述中間層和發(fā)光層的成分不作特別限制；并且，盡管可以使用各 種組合；作為優(yōu)選方面的實(shí)例，可以列舉以下中的一者，其中所述單晶 基材包括珪基材；所述中間層包括AlxGayN (x+y=l， 0<x￡l以及0^y<l); 以及所述發(fā)光層包括InzAlxGayN (x+y+z=l， 0^x51， 0￡y^l以及O^z^l)。 根據(jù)所需發(fā)光波長(zhǎng)，可以不同地(variously)設(shè)置該發(fā)光層中的成分比例。 此外，盡管可以不同地設(shè)置中間層中的成分比例以便包括當(dāng)在中間層上形 成的發(fā)光層生長(zhǎng)時(shí)成為起始點(diǎn)的核物質(zhì)，優(yōu)選將它們?cè)O(shè)置為使得帶隙能量 大于發(fā)光層的帶隙能量。此外，在旨在權(quán)利要求2中闡述的本發(fā)明的發(fā)光體中，優(yōu)選所述發(fā)光 層可包括適當(dāng)?shù)?例如，對(duì)于改進(jìn)發(fā)光亮度適當(dāng)?shù)?雜質(zhì)。例如，因?yàn)榭梢垣@得施主-受主對(duì)的光發(fā)射，所以，優(yōu)選包括例如Si、 o或c的施主雜 質(zhì)以及例如Zn、 Mg或C的受主雜質(zhì)的發(fā)光層。根據(jù)包括這樣的施主雜質(zhì) 和受主雜質(zhì)二者的發(fā)光層，顯著地增大發(fā)光強(qiáng)度變得可行，另外，獲得寬 的發(fā)光波長(zhǎng)變得可行。注意，當(dāng)發(fā)光層中的雜質(zhì)濃度過低時(shí)，施主-受主對(duì) 處的M射幾率降低。另一方面，當(dāng)發(fā)光層中的雜質(zhì)濃度過高時(shí)，在發(fā)光 層的晶體中發(fā)生缺陷，以致產(chǎn)生非M射中心(non-light-emitting center ); 結(jié)果，發(fā)光亮度降低。因此，優(yōu)選施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì)二者分別以預(yù)定濃度包括在構(gòu)成所述發(fā)光層的各;微晶粒中。注意，發(fā)光層中雜質(zhì)的最佳濃度范圍根據(jù)作為母體材料的發(fā)光層的成分比例波動(dòng)。此外，旨在權(quán)利要求2中闡述的本發(fā)明的發(fā)光體優(yōu)選還具有包覆層， 該包覆層通過氣相生長(zhǎng)方法形成在所U光層上，并且該包覆層包括其帶 隙能量大于發(fā)光層帶隙能量的氮化物半導(dǎo)體。通過在發(fā)光層上形成其帶隙 能量大于發(fā)光層帶隙能量的包覆層從而使包覆層i^層疊狀態(tài)的事實(shí)，可 以避免電子從發(fā)光層移動(dòng)至包覆層。這樣，其變成呈現(xiàn)量子約束效應(yīng)的發(fā) 先體，從而有效地改進(jìn)發(fā)光效率變得可行。此外，其帶隙能量大于發(fā)光層 帶隙能量的包覆層通常是這樣的，其折射率變?yōu)樾∮诎l(fā)光層的折射率。因 比，通過在發(fā)光層上形成其折射率小于發(fā)光層折射率的包覆層從而使包覆 罷ii^層疊狀態(tài)的事實(shí)，可以避免光M光層移動(dòng)至包覆層。這樣，可以 使得在發(fā)光層發(fā)射的光在發(fā)光層內(nèi)駐留更長(zhǎng)的時(shí)間周期，從而意圖使得發(fā) 先壽命更長(zhǎng)成為可行的。另外，當(dāng)所述中間層形成在用于形成發(fā)光層的基 材的定向微晶層上時(shí)，由于使中間層^這樣的層疊狀態(tài)，以致在中間層 和包覆層之間保持發(fā)光層，其中中間層的帶隙能量大于發(fā)光層的帶隙能量 并且中間層的折射率小于發(fā)光層的折射率，包覆層的帶隙能量大于發(fā)光層 的帶隙能量并且包覆層的折射率小于發(fā)光層的折射率，因此可以更有效地 使得電子和光在發(fā)光層之內(nèi)駐留，從而更有效地實(shí)現(xiàn)對(duì)發(fā)光效率的改進(jìn)以 及獲得長(zhǎng)發(fā)光壽命變得可行。優(yōu)選所述包覆層的厚度為5-500nm。當(dāng)考慮所述約束效應(yīng)時(shí)，如果包 覆層過薄，不能充分獲得所述約束效應(yīng)。另一方面，當(dāng)包覆層過厚時(shí)，包覆層中的電子束的透射率降低。從這些觀點(diǎn)來看，更優(yōu)選包覆層為10-100nm。此外，優(yōu)選如此形成該包覆層，以l更完全覆蓋所述發(fā)光層。通過這樣 做，可以通過包覆層安全地保護(hù)發(fā)光層。如上所述，所述中間層、所述發(fā)光層以及所述包覆層是這樣的，它們 全部都是通過氣相生長(zhǎng)方法形成的。盡管不特別限制該氣相生長(zhǎng)方法的條 件等，可以適當(dāng)?shù)厥褂脤㈩A(yù)定有機(jī)金屬用作原材料的金屬有機(jī)氣相生長(zhǎng)方 法(或MOCVD方法)。旨在權(quán)利要求7中闡述的本發(fā)明的發(fā)光物質(zhì)的特征在于，其是通it^ 用于形成發(fā)光層的基材剝離而形成的，且該基材是權(quán)利要求6中闡述的發(fā) 光體的所述基材；并且，其包括所述中間層、所述發(fā)光層和所述包覆層。 使該發(fā)光物質(zhì)^這樣的層疊狀態(tài)，以便發(fā)光層保持在中間層和包覆層之 間，其中中間層的帶隙能量大于發(fā)光層的帶隙能量并且中間層的折射率小 于發(fā)光層的折射率，包覆層的帶隙能量大于發(fā)光層的帶隙能量并且包覆層 的折射率小于發(fā)光層的折射率。因此，根據(jù)該發(fā)光物質(zhì)，可以使得電子和光更有效地駐留在發(fā)光層之內(nèi)，從而更有效實(shí)現(xiàn)改進(jìn)的發(fā)光效率以及使得 發(fā)光壽命更長(zhǎng)成為可行的。關(guān)于從用于形成發(fā)光層的基材剝離包括所述中間層、所述發(fā)光層和所 述包覆層的發(fā)光物質(zhì)的方法，雖然不特別限定，可以利用例如濕法刻蝕或 干法刻蝕。這樣，發(fā)光體或發(fā)光物質(zhì)可作為通過電子束或紫外激發(fā)而發(fā)光的熒光 材料，用于等離子顯示或熒光燈等，其中該發(fā)光體旨在權(quán)利要求2中闡述 的具有包括微晶粒的發(fā)光層的發(fā)明，該發(fā)光物質(zhì)旨在權(quán)利要求7中闡述的 其中包括孩"曰曰粒的發(fā)光層保持在中間層和包覆層之間的發(fā)明。此外，由于 旨在權(quán)利要求7中闡述的發(fā)明的發(fā)光物質(zhì)沒有形成在吸收可見光而使發(fā)光 效率降低的Sig等上，作為通過可見光而發(fā)光的熒光材料的應(yīng)用是可行 的。(2)—種旨在權(quán)利要求8中闡述的發(fā)明的用于形成發(fā)光層的基材，是14包括Si單晶基材的基材，并且其中包括氮化物半導(dǎo)體的發(fā)光層通過氣相生長(zhǎng)方法形成在單晶基材上。所述單晶基材是包括Si的基材。不具體限定該單晶基材的形狀和尺寸，因此適當(dāng)?shù)卦O(shè)置它們是可行的。并且，該用于形成發(fā)光層的基材具有多個(gè)(nil) Si平面部分(其中， n是0-6的整數(shù))，通過對(duì)單晶基材表面微加工而形成該(nil) Si平面部 分，并且其中最大長(zhǎng)度部分的平均長(zhǎng)度是l-l，OOOnm。所述(nil) Si平面部分是其中n為0、 1、 2、 3、 4、 5或6的Si平面 部分，就是說，它們是(011) Si平面部分、(111) Si平面部分、(211) Si平面部分、(311)Si平面部分、Ull)Si平面部分、(511)Si平面 部分和(611) Si平面部分。所述(nil) Si平面部分的尺寸是這樣的，最大長(zhǎng)度部分的平均長(zhǎng)度 是l-l,000nm。當(dāng)(nil) Si平面部分的最大長(zhǎng)度部分的平均長(zhǎng)度變?yōu)樾∮?lnm時(shí)，在(nil) Si平面部分上形成中間層或發(fā)光層本身變得困難。另 一方面，當(dāng)(nil )Si平面部分的最大長(zhǎng)度部分的平均長(zhǎng)度變?yōu)槌^l，OOOnm 時(shí)，意圖在中間層和發(fā)光層中微晶化變得困難，其中中間層和發(fā)光層形成 在這些(nil) Si平面部分上。從這些觀點(diǎn)來看，優(yōu)選(nil) Si平面部分 的最大長(zhǎng)度部分的平均長(zhǎng);tjl5-500nm，更優(yōu)選5-200nm。這里，當(dāng)(nil) Si平面部分的最大長(zhǎng)度部分的平均長(zhǎng)度是l-l，OOOnm 時(shí)，各晶體的平均晶體粒徑為約l-l，000nm，其中各晶體構(gòu)成通過所述中 間層或直接形成在這些(nil) Si平面上的發(fā)光層；當(dāng)(nil) Si平面部分 的最大長(zhǎng)度部分的平均長(zhǎng)度是5-500nm時(shí)，各晶體的平均晶體粒徑為約 5-500nm;并且，當(dāng)(nil )Si平面部分的最大長(zhǎng)度部分的平均長(zhǎng)度是5-200nm 時(shí)，各晶體的平均晶體粒徑為約5-200nm。這樣，根據(jù)旨在權(quán)利要求9中闡述的發(fā)明的具有特定(nil) Si平面 部分的用于形成發(fā)光層的基材，可以對(duì)發(fā)光層有效地孩i晶化，其中該發(fā)光 層通過氣相生長(zhǎng)方法形成在(nil) Si平面部分上。可以認(rèn)為發(fā)光層像這 樣被微晶化的事實(shí)是由于僅僅在(nil) Si平面部分上生長(zhǎng)晶體，而這些晶體的尺寸由(nil) Si平面部分的尺寸確定。此外，優(yōu)選(nil) Si平面部分的尺寸盡可能均勻。當(dāng)各(nil) Si平 面部分的尺寸均勻時(shí)，在形成在這些各(nil) Si平面部分上的中間層和 發(fā)光層中對(duì)它們均勻地微晶化變得有利。關(guān)于這些(nil) Si平面部分的形成方法，不作具體限定。然而，為 了通過微加工Si基材表面而形成所述(nil) Si平面部分，需要微加工除 了 (111) Si平面以外的Si平面。例如，可以通過使用各向異性刻蝕溶液 例如KOH (氫氧化鉀)或TMAH (四甲基氫氧化銨，(CH3)4NOH )等， 對(duì)(001) Si平面和(Oil) Si平面執(zhí)行各向異性刻蝕，或者通it^f它們進(jìn) 行機(jī)械制造，形成所述(nil) Si平面。注意，當(dāng)通過各向異性刻蝕形成 (nil) Si平面部分時(shí)，可以通過調(diào)節(jié)在各向異性刻蝕溶液中的浸泡時(shí)間 或者各向異性刻蝕溶液的溫度或濃度等，來控制(nil) Si平面部分的尺 寸。旨在權(quán)利要求9中闡述的發(fā)明的發(fā)光體具有下列在權(quán)利要求8中闡 迷的用于形成發(fā)光層的基材；如果需要，中間層，其通過氣相生長(zhǎng)方法形 成在用于形成發(fā)光層的基材的所述(nil) Si平面部分上，并且包括氮化 物半導(dǎo)體；發(fā)光層，當(dāng)形成中間層時(shí)通過氣相生長(zhǎng)方法形成在中間層上， 或者當(dāng)不形成中間層時(shí)通過氣相生長(zhǎng)方法形成在所述(nil) Si平面部分 上，并且其包括氮化物半導(dǎo)體；以及如果需要，包覆層，其通過氣相生長(zhǎng) 方法形成在發(fā)光層上，并且包括氮化物半導(dǎo)體。旨在權(quán)利要求9中闡述的發(fā)明的該發(fā)光體，可通過進(jìn)行下列步驟形成 如果需要，中間層形成步驟，通過氣相生長(zhǎng)方法，在權(quán)利要求8中闡述的 用于形成發(fā)光層的基材的所述(nil) Si平面部分上，形成包括氮化物半 導(dǎo)體的中間層；發(fā)光層形成步驟，通過氣相生長(zhǎng)方法，當(dāng)形成中間層時(shí)在 中間層上或者當(dāng)沒有形成中間層時(shí)在所述(nil) Si平面部分上，形成包 括氮化物半導(dǎo)體的發(fā)光層；以及如果需要，包覆層形成步驟，通過氣相生 長(zhǎng)方法，在發(fā)光層上形成包括氮化物半導(dǎo)體的包覆層。所述中間層包括氮化物半導(dǎo)體，該氮化物半導(dǎo)體包括核物質(zhì)，當(dāng)發(fā)光層生長(zhǎng)時(shí)該核物質(zhì)變?yōu)槠鹗键c(diǎn)。因此，當(dāng)4艮難在(nil) Si平面部分上生 長(zhǎng)發(fā)光層時(shí)，優(yōu)選首先在(nil) Si平面部分上形成中間層，然后在該中 間層上形成發(fā)光層。另一方面，當(dāng)可以在(nil) Si平面部分上容易地形 成發(fā)光層時(shí)，允許在不形成任何中間層的情況下，直接在這些(nil) Si 平面部分上形成發(fā)光層。然而，即使當(dāng)可以在(nil) Si平面部分上容易 地形成發(fā)光層時(shí)，同樣允許首先在(nil) Si平面部分上形成中間層，然 后在該中間層上形成發(fā)光層，這是很自然的。注意，當(dāng)直接在(nll)Si 平面部分上形成包括Ga的發(fā)光層時(shí)，才艮據(jù)Si和Ga在高溫下反應(yīng)的事實(shí)， Si被侵蝕，從而形成了微米量級(jí)的孔。因此，當(dāng)形成包括Ga的發(fā)光層時(shí)， 阮選首先在(nil) Si平面部分上形成中間層，然后在該中間層上形成發(fā) 先層。所述中間層是這樣的，優(yōu)選其帶隙能量大于所逸發(fā)光層的帶隙能量。 逸過發(fā)光層形成在帶隙能量大于發(fā)光層的帶隙能量的中間層上以致i^層 疊狀態(tài)的事實(shí)，可以避免電子M光層移動(dòng)至中間層。這樣，其變成呈現(xiàn) 曼子約束效應(yīng)的發(fā)光體，從而有效地改進(jìn)發(fā)光效率變得可行。此外，其帶 隙能量大于發(fā)光層的帶隙能量的中間層通常是這樣的，以致折射率變得小 亍發(fā)光層的折射率。因此，通過發(fā)光層形成在其折射率小于發(fā)光層的折射 舉的中間層上以致ii^層疊狀態(tài)的事實(shí)，可以避免光從良光層移動(dòng)至中間 *。這樣，可以使得在發(fā)光層處發(fā)射的光在發(fā)光層內(nèi)駐留更長(zhǎng)的時(shí)間周期， ^而意圖使得發(fā)光壽命更長(zhǎng)成為可行的。優(yōu)選所述中間層的厚度為5-500nm。當(dāng)考慮所述約束效應(yīng)時(shí)，如果中 間層太薄，則不能充分得到所述約束效應(yīng)。另一方面，當(dāng)中間層的厚度太 厚時(shí)，發(fā)光層的微晶化變得困難。從這些觀點(diǎn)來看，更優(yōu)選中間層的厚度 為10-100nm。所^L光層是由平均粒徑為l-l，000nm的微晶粒構(gòu)成的。由這樣的微 晶粒構(gòu)成的發(fā)光層以各發(fā)光層呈點(diǎn)狀獨(dú)立分布的形式形成在用于形成發(fā)光 層的基材上。注意，同樣允許發(fā)光層以部分發(fā)光層相互鄰接的形式形成在 用于形成發(fā)光層的基材上。構(gòu)成該發(fā)光層的微晶粒的平均晶體粒徑小于lnm的那些發(fā)光層本身 目前很難形成。此外，當(dāng)構(gòu)成發(fā)光層的微晶粒的平均晶體粒徑太小時(shí)，有 可能由于發(fā)光層的體積不足而變得不能獲得所需的發(fā)光量。另一方面，當(dāng) 構(gòu)成發(fā)光層的微晶粒的平均晶體粒徑超過1，000nm時(shí)，有效改進(jìn)發(fā)光層的 發(fā)光效率變得不可能。從這些觀點(diǎn)來看，優(yōu)選構(gòu)成發(fā)光層的孩i晶粒的平均 晶體豐立徑為5-500nm，更優(yōu)選5-200nm。這樣，在旨在權(quán)利要求9中闡述的發(fā)明的發(fā)光體中，由于發(fā)光層由微 晶粒構(gòu)成，通過對(duì)發(fā)光層微晶化，有效地改進(jìn)發(fā)光效率變得可行。此外， 由于該發(fā)光層是通過氣相生長(zhǎng)方法形成的，就不存在由于氮不足而被黑化 以致晶體質(zhì)量惡化的問題。此外，根據(jù)氣相生長(zhǎng)方法，由于易于控制原料 供應(yīng)，對(duì)于制造混合晶體的控制以及對(duì)于雜質(zhì)的濃度控制變得可行，從而 對(duì)于顏色呈現(xiàn)特性或發(fā)光效率的改進(jìn)變得可行。在旨在權(quán)利要求9中闡述的發(fā)明的發(fā)光體中，盡管只要基材、中間層 和發(fā)光層的每個(gè)都能夠?qū)崿F(xiàn)它們的預(yù)定功能，則對(duì)于所述單晶基材的類型 以及所述中間層和發(fā)光層的成分不作具體限制；以及盡管使用各種組合是 可行的；作為優(yōu)選方面的實(shí)例，可以列舉以下中的一者，其中所述單晶 基材包括型材；所述中間層包括<formula>formula see original document page 18</formula>以及所述發(fā)光層包括<formula>formula see original document page 18</formula>)。 根據(jù)所需的發(fā)光波長(zhǎng)，可以不同地(variously)設(shè)置該發(fā)光層中的成分比 率。此外，盡管可以不同地設(shè)置中間層中的成分比率以便包括核物質(zhì)，優(yōu) 選將它們?cè)O(shè)置為使得帶隙能量大于發(fā)光層的帶隙能量，其中當(dāng)生長(zhǎng)在中間 層上形成的發(fā)光層時(shí)，該核物質(zhì)成為起始點(diǎn)。此外，在旨在權(quán)利要求9中闡述的發(fā)明的發(fā)光體中，優(yōu)選所述發(fā)光層 包括適合的(例如，對(duì)于改iOL光強(qiáng)度適合的)雜質(zhì)。例如，因?yàn)榭梢垣@ 得施主-受主對(duì)的M射，所以，包括例如Si、 O或C的施主雜質(zhì)以及例 如Zn、 Mg或C的受主雜質(zhì)的發(fā)光層是優(yōu)選的。根據(jù)包括這樣的施主雜質(zhì) 和受主雜質(zhì)二者的發(fā)光層，顯著地提高發(fā)光強(qiáng)度變得可行，并且另外，獲 得寬的發(fā)光波長(zhǎng)變得可行。注意，當(dāng)發(fā)光層中的雜質(zhì)濃度過低時(shí)，施主-受主對(duì)的發(fā)光幾率降低。另一方面，當(dāng)發(fā)光層中的雜質(zhì)濃度過高時(shí)，在發(fā)光層的晶體中發(fā)生缺陷，以致產(chǎn)生非M射中心；結(jié)果，發(fā)光強(qiáng)度降低。 因此，優(yōu)選施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì)分別以預(yù)定濃度都包括在構(gòu)成所述發(fā)光層 的各微晶粒中。注意，發(fā)光層中雜質(zhì)的最佳濃度范圍隨著作為母體材料的 發(fā)光層的成分比率波動(dòng)。此外，旨在權(quán)利要求9中闡述的發(fā)明的發(fā)光體優(yōu)選還具有包覆層，該 包覆層通過氣相生長(zhǎng)方法形成在所逸發(fā)光層上，并且該包覆層包括其帶隙 能量大于發(fā)光層的帶隙能量的氮化物半導(dǎo)體。通過其帶隙能量大于發(fā)光層 的帶隙能量的包覆層形成在發(fā)光層上以使其進(jìn)入層疊狀態(tài)的事實(shí)，可以避 色電子從發(fā)光層移動(dòng)至包覆層。這樣，其變成呈現(xiàn)量子約束效應(yīng)的發(fā)光體， 認(rèn)而有效地提高發(fā)光效率變得可行。此外，其帶隙能量大于發(fā)光層的帶隙 能量的包覆層通常是這樣的，其折射率變?yōu)樾∮诎l(fā)光層的折射率。因此， 遏過其折射率小于發(fā)光層的折射率的包覆層形成在發(fā)光層上以使其進(jìn)入層 疊狀態(tài)的事實(shí)，可以避免光從發(fā)光層移動(dòng)至包覆層。這樣，可以使得在發(fā) Jt層處發(fā)射的光在發(fā)光層內(nèi)駐留更長(zhǎng)的時(shí)間周期，從而意圖使得發(fā)光壽命 更長(zhǎng)成為可行的。另外，當(dāng)所述中間層形成在用于形成發(fā)光層的基材的 (nil) Si平面部分上時(shí)，由于其i^這樣的層疊狀態(tài)，使得發(fā)光層保持 在中間層和包覆層之間，其中中間層的帶隙能量大于發(fā)光層的帶隙能量并 且中間層的折射率小于發(fā)光層的折射率，包覆層的帶隙能量大于發(fā)光層的 帶隙能量并且包覆層的折射率小于發(fā)光層的折射率，可以更有效地使得電 于和光在發(fā)光層之內(nèi)駐留，從而更有效地實(shí)現(xiàn)對(duì)發(fā)光效率的改進(jìn)以及獲得 更長(zhǎng)的發(fā)光壽命變得可行。優(yōu)選所述包覆層的厚度為5-500nm。當(dāng)考慮所述約束效應(yīng)時(shí)，如果包 覆層過薄，不能充分得到所述約束效應(yīng)。另一方面，當(dāng)包覆層過厚，包覆 層中的電子束的透射率惡化。從這些觀點(diǎn)來看，更優(yōu)選包覆層為10-100nm。此外，優(yōu)選該包覆層形成為完全覆蓋所述發(fā)光層。通過這樣4故，可以 通過包覆層安全地保護(hù)發(fā)光層。如上所述，所述中間層、所述發(fā)光層以及所述包覆層是這樣的，它們?nèi)慷际峭ㄟ^氣相生長(zhǎng)方法形成的。盡管不具體限制該氣相生長(zhǎng)方法的條件等，但可以適宜地使用金屬有機(jī)氣相生長(zhǎng)方法(或MOCVD方法或 MOVPE方法)，該方法使用預(yù)定的有機(jī)金屬作為原材料。旨在權(quán)利要求14中闡述的發(fā)明的發(fā)光物質(zhì)的特征在于，其是通過從用 于形成發(fā)光層的基材剝離而形成的，且該基材是權(quán)利要求13中闡述的發(fā)光 體的所述基材；并且，其包括所述中間層、所述發(fā)光層和所述包覆層。使 得該發(fā)光物質(zhì)i^這樣的層疊狀態(tài)，以便發(fā)光層保持在中間層和包覆層之 間，其中中間層的帶隙能量大于發(fā)光層的帶隙能量，并且中間層的折射率 小于發(fā)光層的折射率，包覆層的帶隙能量大于發(fā)光層的帶隙能量并且包覆 層的折射率小于發(fā)光層的折射率。因此，根據(jù)該發(fā)光層，可以使得電子和 光更有效地駐留在發(fā)光層內(nèi)，從而更有效獲得改進(jìn)的發(fā)光效率以及使得發(fā) 光壽命更長(zhǎng)成為可行的。關(guān)于從用于形成發(fā)光層的基材剝離發(fā)光物質(zhì)的方法，盡管不具體限定， 例如可以利用濕法刻蝕或干法刻蝕，其中該發(fā)光物質(zhì)包括所述中間層、所 述發(fā)光層和所述包覆層。這樣，發(fā)光體或發(fā)光物質(zhì)可作為通過電子束或紫外激發(fā)發(fā)光的熒光材 料而用于等離子顯示或熒光燈等，其中所述發(fā)光體旨在權(quán)利要求9中闡述 的發(fā)明，具有包括微晶粒的發(fā)光層，所述發(fā)光物質(zhì)旨在權(quán)利要求14中闡述 的發(fā)明，其中包括微晶粒的發(fā)光層保持在中間層和包覆層之間。此外，由 于旨在權(quán)利要求14中闡述的發(fā)明的發(fā)光物質(zhì)沒有形成在吸收可見光而使 發(fā)光效率惡化的SiM等上，因此作為通過可見光而發(fā)射光的熒光材料的 應(yīng)用是可行的。在下文中，關(guān)于本發(fā)明的實(shí)例，具體地"^兌明它們。 (實(shí)例1)實(shí)例1體現(xiàn)權(quán)利要求1至7中闡述的發(fā)明。旨在圖1 (c)的截面圖中圖示的本實(shí)例、用于形成發(fā)光層的基材4由 下列構(gòu)成包括Si單晶基板的單晶基材1;以及定向微晶層3，形成在該 單晶基材1上，并且其厚度為約100nm。該定向微晶層3是這樣的，構(gòu)成定向微晶層3的各晶體的晶軸中的一 者是在相對(duì)于單晶基材l的特定方向取向。具體地，構(gòu)成定向微晶層3的 各晶體的c軸在相對(duì)于單晶基材1的垂直方向取向。在定向微晶層3中， 注意，在構(gòu)成定向微晶層3的晶體中，約50。/?；蚋嗟木w的c軸在相對(duì) 于單晶基材1的垂直方向取向。此外，該定向微晶層3是這樣的，構(gòu)成定向微晶層3的各晶體的平均 晶體豐立徑為約50nm。另外，旨在圖1 (f)的示意性截面圖中圖示的本實(shí)例的發(fā)光體8由下 列構(gòu)成用于形成發(fā)光層的所述基材4;多個(gè)中間層5，其通過氣相生長(zhǎng)方 法形成在用于形成發(fā)光層的該基材4的所述定向微晶層3上，并且其包括 氮化物半導(dǎo)體；多個(gè)發(fā)光層6，其通過氣相生長(zhǎng)方法分別形成在各中間層5 上，并且其包括氮化物半導(dǎo)體；以及多個(gè)包覆層7，其通過氣相生長(zhǎng)方法 分別形成在各發(fā)光層6上，并且其包括氮化物半導(dǎo)體。中間層5具有組成式A1N，并且包括作為核物質(zhì)的Al，當(dāng)發(fā)光層6生 長(zhǎng)時(shí)，該核物質(zhì)成為起始點(diǎn)。此外，中間層5是這樣的，其帶隙能量大于 發(fā)光層6的帶隙能量并且其折射率小于發(fā)光層6的折射率。并且，這些中 間層5的厚度為約10nm。發(fā)光層6具有組成式GaN。分別由其平均粒徑為150mn的單一微晶 粒構(gòu)成各發(fā)光層6。此外，多數(shù)發(fā)光層6是以其間的間隙而獨(dú)立于鄰近的 發(fā)光層6的。并且，^!^發(fā)光層6包括作為施主雜質(zhì)的濃度為8.0xl018/cm3 的Si，且包括作為受主雜質(zhì)的濃度為4.0xl019/cm3的Zn。包覆層7具有組成式A1N。此外，包覆層是這樣的，其帶隙能量大于 發(fā)光層6的帶隙能量并且其折射率小于發(fā)光層6的折射率。并且，這些包 覆層7以10nm的厚度形成，以便覆蓋整個(gè)發(fā)光層6。此外，旨在圖1 (g)的示意性截面圖中圖示的本發(fā)明的發(fā)光物質(zhì)9是 通it^所i^光體8的發(fā)光層形成基材4剝離而形成的，并且由所述中間 層5、所述發(fā)光層6和所述包覆層7構(gòu)成。4吏該發(fā)光物質(zhì)9 i^這樣的層疊狀態(tài)，以便發(fā)光層6保持在中間層5和包覆層7之間，其中中間層5的帶隙能量大于發(fā)光層6的帶隙能量并且中間層5的折射率小于發(fā)光層6的折射率，包覆層7的帶隙能量大于發(fā)光層6的帶隙能量并且包覆層7的折射率小于發(fā)光層6的折射率。并且，該發(fā)光物質(zhì)9的平均粒徑為100-200nm。如下制造旨在具有這樣的結(jié)構(gòu)的本實(shí)例的用于形成發(fā)光層的基材4、發(fā)光體8以及發(fā)光物質(zhì)9。 <定向^:晶層形成步驟>制備包括Si單晶J4l的單晶基材l (見圖1 (a))。注意，該單晶基 材1的(111)Si平面是機(jī)械拋光了的，以-使由均方高(mean square height) 表示的表面相J^度為O.lnm或更小。通過在約6毫乇的Ar氣氛中相對(duì)于所述單晶基材1的(111) Si平面 濺射ZnO，在所述單晶基材1上形成厚度為約lOOnm的多晶層2 (多晶層 形成步驟，見圖1 (b))。并且，將形成有多晶層2的單晶基材1 iiA石英管，通過在諸如N2 氣氛中以及在800。C下并且經(jīng)歷30分鐘這樣的條件下進(jìn)行退火處理，把多 晶層3制成所述定向微晶層3 (表面改性處理步驟，見圖1 (c))。這樣，制造了用于形成發(fā)光層的基材4，旨在本實(shí)例的基材4包括單 晶基材1和形成在該單晶基材1上的定向微晶層3。然后，對(duì)于所得的用于形成發(fā)光層的基材4,連續(xù)地進(jìn)行利用下面說 明的MOVPE方法的中間層形成步驟、發(fā)光層形成步驟和包覆層形成步驟。 在這些MOVPE方法中，注意，使用下列物質(zhì)作為In供應(yīng)源的三甲基 銦(或TMIn， In(CH3)3);作為Al供應(yīng)源的三甲基鋁(或TMAl， A1(CH3)3); 作為Ga供應(yīng)源的三曱基鎵(或TMGa， Ga(CH3)3);作為N供應(yīng)源的氨 (NH3);作為Zn供應(yīng)源的二乙差J鋒(或DEZn);以及作為Si供應(yīng)源 的一甲^i^ (或MMSi、 SiCH3)。<中間層形成步驟>通過在下列條件下執(zhí)行的MOVPE方法，在所述用于形成發(fā)光層的基 材4的所述定向微晶層3上，形成所述中間層5(見圖1 (d))?；臏囟?,200 'C TMA1供應(yīng)量2nmol/min NH3供應(yīng)量2升/min 生長(zhǎng)時(shí)間lmin <發(fā)光層形成步驟>繼所述中間層形成步驟之后，通過在下列條件下執(zhí)行MOVPE方法， 在所述中間層5上形成所逸夂光層6 (見圖1 (e))，其中該發(fā)光層6包 括分別具有預(yù)定濃度的Si和Zn?；臏囟?,050 。CTMGa供應(yīng)量17.6 jumol/minNH3供應(yīng)量2.5升/minDEZn供應(yīng)量10.3 pmol/minMMSi供應(yīng)量7.4薩ol/min生長(zhǎng)時(shí)間6min<包覆層形成步驟>繼所述發(fā)光層形成步驟之后，通過在下列條件下執(zhí)行的MOVPE方法， 在所述發(fā)光層6上形成所述包覆層7 (見圖1 (f))。 基材溫度1，050 。C TMA1供應(yīng)量2jimol/min NH3供應(yīng)量2.5升/min 生長(zhǎng)時(shí)間lmin這樣，制造了發(fā)光體8，旨在本實(shí)例的發(fā)光體8包括所述基材4，用 于形成發(fā)光層；中間層5，在用于形成發(fā)光層的該基材4的所述定向微晶 層3上形成；發(fā)光層6，在這些中間層5上形成；以及包覆層7,在這些發(fā) 光層6上形成。<剝離步驟>最后，通過使用氫氟酸和硝酸的混合溶液的濕法刻蝕處理，從得到的 發(fā)光體8的所述發(fā)光層形成基材4剝離所述中間層5、發(fā)光層6和包覆層7的整體部件，從而得到旨在本實(shí)例的包括這些中間層5、發(fā)光層6和包覆 層7的發(fā)光物質(zhì)9 (見圖1 (g))。 (實(shí)例2)實(shí)例2體現(xiàn)在權(quán)利要求8至14中闡述的發(fā)明。旨在圖2 (b)的截面圖中圖示的本實(shí)例、用于形成發(fā)光層的基材13 由包括Si單晶基板的單晶基材11構(gòu)成；并且具有通過對(duì)該單晶基材11的 表面微加工(或各向異性刻蝕)而形成的多個(gè)(111) Si平面部分12。 各(111) Si平面部分12是這樣的，最大部分的平均長(zhǎng)^A 150rnn。 此外，旨在圖2 (e)的示意性截面圖中圖示的本實(shí)例的發(fā)光體17由 下列構(gòu)成所U材13，用于形成發(fā)光層；多個(gè)中間層14，其通過氣相生 長(zhǎng)方法形成在用于形成發(fā)光層的該基材13的所述(111) Si平面部分12 上，并且其包括氮化物半導(dǎo)體；多個(gè)發(fā)光層15,其通過氣相生長(zhǎng)方法分別 形成在各中間層14上，并且其包括氮化物半導(dǎo)體；以及多個(gè)包覆層16， 其通過氣相生長(zhǎng)方法分別形成在^^發(fā)光層15上，并且其包括氮化物半導(dǎo) 體。中間層14具有組成式A1N,并且包括作為核物質(zhì)的Al，當(dāng)發(fā)光層15 生長(zhǎng)時(shí)，核物質(zhì)成為起始點(diǎn)。此外，中間層14是這樣的，其帶隙能量大于 發(fā)光層15的帶隙能量并且其折射率小于發(fā)光層15的折射率。并且，這些 中間層14的厚度為約10nm。發(fā)光層15具有組成式GaN。分別由其平均粒徑為150nm的單一微晶 粒構(gòu)成^^發(fā)光層15。此外，多數(shù)發(fā)光層15以其間的間隙而獨(dú)立于鄰近的 發(fā)光層15。并且，各發(fā)光層15包括作為施主雜質(zhì)的濃度為8.0xl018/cm3 的Si，并且包括作為受主雜質(zhì)的濃度為4.0xl019/cm3的Zn。包覆層16具有組成式A1N。此外，包覆層是這樣的，其帶隙能量大于 發(fā)光層15的帶隙能量并且其折射率小于發(fā)光層15的折射率。并且，這些 包覆層16以10nm的厚度形成，以便覆蓋整個(gè)發(fā)光層15。此外，旨在圖2 (f)的示意性截面圖中圖示的本發(fā)明的發(fā)光物質(zhì)18 是通過從所i^L光體17的發(fā)光層形成基材13剝離而形成的，并且由所述中間層14、所述發(fā)光層15和所述包覆層16構(gòu)成。使該發(fā)光物質(zhì)18 i^這樣的層疊狀態(tài)，以便發(fā)光層15保持在中間層 14和包覆層16之間，其中中間層和包覆層的帶隙能量大于發(fā)光層的帶隙 能量，并且中間層和包覆層的折射率小于發(fā)光層的折射率。并且，該發(fā)光 物質(zhì)18的平均粒徑為100-200nm。如下制造旨在具有這樣結(jié)構(gòu)的本實(shí)例的用于形成發(fā)光層的基材13、發(fā) 光體17以及發(fā)光物質(zhì)18。<微加工步驟>制備包括Si單晶基&的單晶基材11 (見圖2 (a))。注意，不對(duì)該 單晶基材1的要被處理的表面進(jìn)行任何拋光處理等，并且具有(001) Si 平面lla，該(001) Si平面lla的由均方高表示的表面粗糙度為25nm。并且，通過在下述條件下相對(duì)于該單晶基材11進(jìn)行各向異性刻蝕處 理，對(duì)所述(011) Si平面lla微加工，從而形成所述(111) Si平面部分 12 (見圖2 (b))。各向異性刻蝕溶液類型KOH水溶液各向異性刻蝕溶液濃度25重量％各向異性刻蝕溶液溫度恒定在40 。C (約±2'C )浸泡時(shí)間7,5 min這樣，制造了用于形成發(fā)光層的基材13，旨在本實(shí)例的基材13包括 Si單晶基材ll，并且具有多個(gè)(111) Si平面部分12。然后，對(duì)于所得的用于形成發(fā)光層的基材13，利用下面說明的MOVPE 方法，連續(xù)地進(jìn)行中間層形成步驟、發(fā)光層形成步驟和包覆層形成步驟。 在這些MOVPE方法中，注意，以與所述實(shí)例l相同的方式，使用下列物 質(zhì)作為In供應(yīng)源的TMIn;作為Al供應(yīng)源的TMA1;作為Ga供應(yīng)源的 TMGa;作為N供應(yīng)源的NH3;作為Zn供應(yīng)源的DEZn;以及作為Si供 應(yīng)源的MMSi。<中間層形成步驟>通過在下列條件下執(zhí)行MOVPE方法，在用于形成發(fā)光層的所述基材13的所述(111) Si平面部分12上形成所述中間層14 (見圖2 (c))。 基材溫度1,200 'C TMA1供應(yīng)量2jtmol/mii1 NH3供應(yīng)量2升/min 生長(zhǎng)時(shí)間lmin <發(fā)光層形成步驟>繼所述中間層形成步驟之后，通過在下列條件下執(zhí)行MOVPE方法， 在所述中間層14上形成所述發(fā)光層15 (見圖2 ( d))，其中該發(fā)光層15 包括分別具有預(yù)定濃度的Si和Zn?；臏囟?,050 °CTMGa供應(yīng)量17.6 nmol/minNHs供應(yīng)量2.5升/minDEZn供應(yīng)量10.3 ,ol/minMMSi供應(yīng)量7.4nmol/min生長(zhǎng)時(shí)間6min<包覆層形成步驟>繼所述發(fā)光層形成步驟之后，通過在下列條件下執(zhí)行MOVPE方法， 在所iOL光層15上形成所述包覆層16 (見圖2 ( e))。 基材溫度1，050 。C TMA1供應(yīng)量2拜ol/min NBb供應(yīng)量2.5升/min 生長(zhǎng)時(shí)間lmin這樣，制造了發(fā)光體17，旨在本實(shí)例的發(fā)光體17包括所述基材13， 用于形成發(fā)光層；中間層14，在用于形成發(fā)光層的該基材13的所述(111) Si平面部分12上形成；發(fā)光層15,在這些中間層14上形成；以及包覆層 16,在這些發(fā)光層15上形成。<剝離步驟>最后，通過4吏用氫氟酸和硝酸的混合溶液的濕法刻蝕處理，從得到的發(fā)光體17的所述發(fā)光層形成基材13剝離所述中間層14、發(fā)光層15和包 覆層16的整體部件，從而得到旨在本實(shí)例的包括這些中間層14、發(fā)光層 15和包覆層16的發(fā)光物質(zhì)18 (見圖2 (f))。 (參考實(shí)例)制備作為單晶基材的(111) Si基板。并且，利用MOVPE方法，在 (111) Si基板上依次形成GaN模板層、A1N緩沖層以及InGaN發(fā)光層。 在該情況中，當(dāng)形成InGaN發(fā)光層時(shí)，通過不同地變更Zn和Si的供應(yīng)量， 如下不同地變更包括在InGaN發(fā)光層中的Zn濃度和Si濃度Zn: 0.34xl019/cm3-9.2xl019/cm3;以及Si: 2.3xl018/cm3-9.2xl018/cm3。通過SIMS (或二次電離質(zhì)鐠儀，或二次離子質(zhì)譜儀)測(cè)量這些Zn濃度和Si濃度。在前述的MOVPE方法中，注意，以與所述實(shí)例l相同的方式，使用 下列物質(zhì)作為In供應(yīng)源的TMIn;作為Al供應(yīng)源的TMA1;作為Ga供 應(yīng)源的TMGa;作為N供應(yīng)源的NH3;作為Zn供應(yīng)源的DEZn;以及作 為Si供應(yīng)源的MMSi。此外，GaN模板層的厚度是200nm，以及A1N緩沖層的厚度是50nm。 另外，InGaN發(fā)光層的厚度為200nm,并且具有組成式InojGa^N,并且，檢查發(fā)光特性(也就是，發(fā)光強(qiáng)度或發(fā)光效率等)如何根據(jù)包 括在InGaN發(fā)光層中的Zn濃度和Si濃度而改變。圖3是當(dāng)使Si濃度恒定在4.6xl018/cm3并且Zn濃度不同地變更時(shí) InGaN發(fā)光層的CL (或陰^L射線致發(fā)光(cathodoliminescence))光譜 (室溫下)。從圖3來看，單獨(dú)用Si摻雜的InGaN發(fā)光層的CL光i普是 這樣的，其峰值波長(zhǎng)是400nm。此外，通過一起摻雜Zn和Si， InGaN發(fā) 光層的CL光鐠是這樣的，其峰值波長(zhǎng)是482nm。另外，與單獨(dú)用Si摻雜 的情況相比，在用Si: 4.6xl018/cm3和Zn: 4.(^1019/ 113摻雜的InGaN發(fā) 光層的情況下，發(fā)光強(qiáng)度變?yōu)?倍。此外，通過一起摻雜Zn和Si，光鐠 的寬度變寬，從而得到了寬的發(fā)光波長(zhǎng)。圖4是當(dāng)使Si濃度恒定在4.6xl018/cm3并且Zn濃度不同地變更時(shí) InGaN發(fā)光層的發(fā)光強(qiáng)度。圖5是當(dāng)使Zn濃度恒定在4.0xl019/cm3并且Si濃度不同地變更時(shí)InGaN發(fā)光層的發(fā)光強(qiáng)度。從圖4和圖5來看，通過 用Zn和Si摻雜，發(fā)光強(qiáng)度增大了。換句話說，在其組成式為In(uGa0.9N 的InGaN發(fā)光層中，通過包括作為施主雜質(zhì)的濃度為 4.6xl018/cm3-9.2xl018/cm3的Si和通過包括作為受主雜質(zhì)的濃度為 2xlO"/cmt8xlO"/cmS的Zn，可以有效地增大發(fā)光強(qiáng)度。具體地，包括濃 度為8xl018/cm3的Si和濃度為4xl019/cm3的Zn的In^GaojN發(fā)光層是這 樣的，其發(fā)光強(qiáng)度變成最高，從而變?yōu)閮H僅包括濃度為4.6xl0,ci^的Si 的In(uGac,9N發(fā)光層的發(fā)光強(qiáng)度的二十三倍。
權(quán)利要求
1.一種用于形成發(fā)光層的基材，所述基材包括單晶基材；以及形成在所述單晶基材上的定向微晶層；并且所述基材是這樣的基材，其中包括氮化物半導(dǎo)體的發(fā)光層通過氣相生長(zhǎng)方法形成在所述定向微晶層上，所述基材的特征在于，構(gòu)成所述定向微晶層的各晶體的晶軸中的一個(gè)在相對(duì)于所述單晶基材的特定方向取向；并且，構(gòu)成所述定向微晶層的所述各晶體的平均晶體粒徑為1-1,000nm。
2. —種發(fā)光體，具有權(quán)利要求l中所述的用于形成發(fā)光層的基材以及 發(fā)光層，所述發(fā)光層通過氣相生長(zhǎng)方法形成在所述用于形成發(fā)光層的基材 的所述定向^:晶層上，并且所述發(fā)光層包括氮化物半導(dǎo)體，所述發(fā)光體的特征在于，所iOL光層由平均粒徑為l-l，000nm的微晶 粒構(gòu)成。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2的發(fā)光體，其特征在于，還具有中間層，所述中間 層通過氣相生長(zhǎng)方法形成在所述定向微晶層上，且所述中間層包括氮化物 半導(dǎo)體，其中所述氮化物半導(dǎo)體包括核物質(zhì)，且當(dāng)所述發(fā)光層生長(zhǎng)時(shí)，所述核物質(zhì)成為起始點(diǎn)；并且，所述發(fā)光層形成在所述中間層上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3的發(fā)光體，其特征在于，所述中間層是這樣的，其 帶隙能量大于所itiL光層的帶隙能量。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3或4的發(fā)光體，其特征在于，所述單晶基材包括硅 基材；所述中間層包括AlxGayN (x+y=l， 0<x^l以及05y<l);以及所述 發(fā)光層包括InzAlxGayN (x+y+z=l， 0^x￡l， (^y^l以及0S^1)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2、 3、 4或5的發(fā)光體，其特征在于，還具有包覆層， 所述包覆層通過氣相生長(zhǎng)方法形成在所述發(fā)光層上，并且所述包覆層包括 其帶隙能量大于所述發(fā)光層的帶隙能量的氮化物半導(dǎo)體。
7. —種發(fā)光物質(zhì)，其特征在于，其是通過從用于形成發(fā)光層的基材剝 離而形成的，且所述基材是權(quán)利要求6中所述的發(fā)光體的所述基材；并且， 其包括所迷中間層、所述發(fā)光層和所述包覆層。
8. —種用于形成發(fā)光層的基材，所述基材包括Si單晶基材；并且所 述基材是這樣的基材，其中發(fā)光層通過氣相生長(zhǎng)方法形成在所述單晶基材 上，且所逸義光層包括氮化物半導(dǎo)體，所述基材的特征在于，其具有多個(gè)(nil) Si平面部分(其中，n是 0-6的整數(shù))，以及(nil) Si平面部分是通過對(duì)所述單晶基材的表面微加 工而形成的，并且其中最大長(zhǎng)度部分的平均長(zhǎng)度為l-l，000nm。
9. 一種發(fā)光體，具有權(quán)利要求8中所述的用于形成發(fā)光層的基材以及 發(fā)光層，所i^光層通過氣相生長(zhǎng)方法形成在所述用于形成發(fā)光層的基材 的所述(nil) Si平面部分上，并且所述發(fā)光層包括氮化物半導(dǎo)體，所iiiL光體的特征在于，所iOL光層由平均粒徑為l-l，000nm的微晶 粒構(gòu)成。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9的發(fā)光體，其特征在于，其還具有中間層，所述 中間層通過氣相生長(zhǎng)方法形成在所述(nil) Si平面部分上，且所述中間 層包括氮化物半導(dǎo)體，其中所述氮化物半導(dǎo)體包括核物質(zhì)，且當(dāng)所述發(fā)光 層生長(zhǎng)時(shí)，所述核物質(zhì)成為起始點(diǎn)；并且，所述發(fā)光層形成在所述中間層 上。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10的發(fā)光體，其特征在于，所述中間層是這樣的， 其帶隙能量大于所iOL光層的帶隙能量。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10或11的發(fā)光體，其特征在于，所述中間層包括 AlxGayN (x+y=l， 0<x^l以及0￡y<l);以及所述發(fā)光層包括InzAlxGayN(x+y+z=l ， 0￡x￡l ， 0SySl以及)。
13. 根據(jù)權(quán)利要求9、 10、 11或12的發(fā)光體，其特征在于，還具有包 覆層，所述包覆層通過氣相生長(zhǎng)方法形成在所述發(fā)光層上，并且所述包覆 層包括其帶隙能量大于所^光層的帶隙能量的氮化物半導(dǎo)體。
14. 一種發(fā)光物質(zhì)，其特征在于，其是通it^用于形成發(fā)光層的基材 剝離而形成的，且所述基材是權(quán)利要求13中所述的發(fā)光體的所述基材；并 且，其包括所述中間層、所^L光層和所述包覆層。
全文摘要
在利用對(duì)于改善晶體質(zhì)量等有利的氣相生長(zhǎng)方法的同時(shí)，還通過微晶化發(fā)光層改善發(fā)光效率。用于形成發(fā)光層的基材(4)包括單晶基材(1)和設(shè)置在該單晶基材(1)上的定向微晶層(3)。構(gòu)成定向微晶層(3)的各晶體的特定晶軸在相對(duì)于單晶基材(1)的特定方向取向，并且構(gòu)成定向微晶層(3)的各晶體的平均晶粒尺寸為1-1,000nm。發(fā)光體(8)包括設(shè)置在用于形成發(fā)光層的基材(4)中的定向微晶層(3)上的中間層(5)、發(fā)光層(6)和包覆層(7)，它們均是通過氣相生長(zhǎng)方法形成的由氮化物半導(dǎo)體形成的。發(fā)光層(6)由平均粒徑為1至1,000nm的微晶顆粒形成。
文檔編號(hào)C09K11/62GK101248536SQ20068003086
公開日2008年8月20日 申請(qǐng)日期2006年8月24日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月25日
發(fā)明者一柳昌幸, 木山明, 本田善央, 柳瀨康行, 森連太郎, 澤木宣彥, 稻岡宏彌 申請(qǐng)人:豐田自動(dòng)車株式會(huì)社