專(zhuān)利名稱(chēng)：處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對(duì)用于半導(dǎo)體及FPD(Flat Panel Display平板面板顯示器)制造裝置、印刷電路基板制造裝置、生物關(guān)連裝置(DNA(脫氧核糖核酸)微陣列制作、DNA芯片)、化學(xué)反應(yīng)試驗(yàn)裝置等的各種基板(以下簡(jiǎn)稱(chēng)為“基板”)供給處理液、實(shí)施規(guī)定的處理的處理裝置。
背景技術(shù)：
以前使用噴墨技術(shù)，直接向基板上噴出處理液進(jìn)行圖形形成等規(guī)定處理的噴墨方式的處理裝置為眾所周知。如專(zhuān)利文獻(xiàn)1中記載的處理裝置是把抗蝕劑液作為處理液而供給基板形成保護(hù)膜的裝置。該裝置通過(guò)使噴墨噴嘴在基板上沿X、Y方向移動(dòng)，且從該噴嘴噴出抗蝕劑液，從而在基板上所希望的位置上形成抗蝕劑膜。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1為日本專(zhuān)利特開(kāi)2003-112098號(hào)公報(bào)(第6頁(yè)、圖4)但是作為上述噴墨噴嘴的利用形式，提出了如下方案。即提出了代替抗蝕劑液，直接向基板噴出焊錫涂糊的液滴，形成配線圖形的技術(shù)的方案。該提案技術(shù)由于配線圖形直接在基板上形成，故能有效地進(jìn)行配線的形成。但是，近年來(lái)不斷進(jìn)行配線圖形的細(xì)微化，隨之必須使設(shè)在噴嘴上的噴出口的孔徑變細(xì)，與此同時(shí)，噴嘴的堵塞成了大問(wèn)題。另外，只要使用噴墨噴嘴，其噴出性能也有一定的極限。因而，從噴墨噴嘴能穩(wěn)定噴出的液滴的粒徑必然被限制在規(guī)定的范圍內(nèi)。結(jié)果，在構(gòu)成用噴墨方式供給基板處理液的液滴而實(shí)施規(guī)定的處理的裝置時(shí)，只能將液滴供給與該液滴的粒徑相同程度或比其范圍大的區(qū)域，能處理的基板受到限制。
另外，由于現(xiàn)有裝置中液滴的粒徑被固定化，即使對(duì)與上述液滴的粒徑相比足夠大的區(qū)域供給處理液時(shí)，由從噴嘴噴出的液滴供給基板的每單位時(shí)間的供給量受限于與液滴的粒徑對(duì)應(yīng)的值(即最小量)，對(duì)效率的提高形成很大的障礙。
而且，對(duì)于同一基板應(yīng)供給處理液的區(qū)域的大小不同，即存在具有微細(xì)區(qū)域和比該微細(xì)區(qū)域更廣的區(qū)域的基板，而在上述這樣的液滴的粒徑被固定的裝置中，相對(duì)于此靈活對(duì)應(yīng)變得很困難。即若處理液的液滴的粒徑是一種，則為了供給微細(xì)區(qū)域處理液而必須使處理液的液滴的粒徑小，但這對(duì)于微細(xì)區(qū)域以外的區(qū)域也必須照樣供給小粒徑的處理液，效率的下降不可避免。另外，當(dāng)在基板上存在比處理液的液滴的粒徑還小的處理區(qū)域時(shí)，不能進(jìn)行處理。特別是用現(xiàn)有的噴墨方式(壓電方式或熱方式)噴出不足1pl(微微升)那樣的極少量的液滴是困難的。這是由于噴嘴越微細(xì)，噴出所需要的壓力越大的緣故。
根據(jù)這樣的背景，人們一直要求提供一種能使用適合于對(duì)基板應(yīng)供給處理液的區(qū)域的粒徑的液滴而供給基板處理液的裝置，而現(xiàn)狀如上所述，液滴的粒徑大致是固定的，存在缺乏裝置的通用性的問(wèn)題。另外，雖然即使是單一的噴嘴直徑，壓電方式中液滴的粒徑也是多少可變的，但基本上可以說(shuō)液滴的粒徑由噴嘴直徑大致固定。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題而提出的，其目的是提供一種具有優(yōu)良的通用性、而且能以高效率進(jìn)行規(guī)定的處理的處理裝置。
本發(fā)明是對(duì)基板供給處理液而進(jìn)行規(guī)定的處理的處理裝置，為了達(dá)成上述目的，其特征是包括基板保持裝置，其保持所述基板；通常流體噴射部，其以通常粒徑向所述基板噴出所述處理液的液滴；微細(xì)流體噴射部，其以比所述通常粒徑小的微細(xì)粒徑向所述基板噴出所述處理液的液滴；驅(qū)動(dòng)裝置，其使所述通常流體噴射部和所述微細(xì)流體噴射部的每一個(gè)相對(duì)于所述基板保持裝置所保持的所述基板相對(duì)移動(dòng)；控制裝置，其調(diào)整相對(duì)于所述基板的各噴射部的相對(duì)位置，控制所述液滴的供給位置。
這樣構(gòu)成的處理裝置中，以通常粒徑噴出處理液的液滴的通常流體噴射部和以比通常粒徑小的微細(xì)粒徑噴出處理液的液滴的微細(xì)流體噴射部設(shè)置在一個(gè)裝置內(nèi)。而且各噴射部可以相對(duì)于基板相對(duì)移動(dòng)，控制從各噴射部噴出的液滴的供給位置。因此，可以對(duì)應(yīng)于基板上的處理區(qū)域，從各噴射部噴出粒徑各異的液滴，通用性好。例如通過(guò)在向基板上的微細(xì)區(qū)域供給處理液時(shí)，可以從微細(xì)流體噴射部向基板供給處理液，另一方面，對(duì)于比微細(xì)區(qū)域大的處理區(qū)域(微細(xì)區(qū)域以外的區(qū)域)，通過(guò)從通常流體噴射部向基板供給處理液，可以使裝置的效率提高。
也可以如下構(gòu)成所述通常流體噴射部具有噴嘴主體，在其內(nèi)部存儲(chǔ)所述處理液，同時(shí)能從設(shè)在其前端部的通常噴出口噴出所述處理液的液滴；壓力施加裝置，其對(duì)存儲(chǔ)在所述噴嘴主體中的所述處理液施加壓力，通過(guò)所述壓力施加裝置的壓力施加，從所述通常噴出口噴出液滴，另一方面，所述微細(xì)流體噴射部具有噴嘴主體，在其內(nèi)部存儲(chǔ)所述處理液，同時(shí)能從設(shè)在其前端部、比所述通常噴出口小的微細(xì)噴出口噴出所述處理液的液滴；電極，其以與存儲(chǔ)在所述噴嘴主體中的所述處理液接觸的形式設(shè)置，通過(guò)在使所述微細(xì)噴出口接近于所述基板的狀態(tài)下對(duì)所述電極施加電壓，在所述微細(xì)噴出口附近產(chǎn)生局部電場(chǎng)，從而使所述微細(xì)噴出口附近的處理液帶電，使該帶電的處理液的液滴從所述微細(xì)噴出口噴出。
作為這樣的通常流體噴射部可以使用如以前一直被實(shí)用化的、廣泛使用的壓電(壓電元件)方式或熱方式(吹泡(バブルジエツト)(注冊(cè)商標(biāo))方式)的噴墨噴嘴。前者是通過(guò)利用向設(shè)在噴嘴主體上的壓電元件施加電壓導(dǎo)致的壓電元件的伸縮向存儲(chǔ)在噴嘴主體內(nèi)的處理液施加壓力，噴出處理液的液滴。后者是通過(guò)利用設(shè)在噴嘴主體上的加熱體使處理液加熱而在處理液中發(fā)生氣泡的情況向存儲(chǔ)在噴嘴主體內(nèi)的處理液施加壓力，噴出處理液的液滴。兩者都通過(guò)對(duì)存儲(chǔ)在噴嘴主體內(nèi)的處理液施加壓力，使從設(shè)在噴嘴主體前端部的通常噴出口能?chē)姵鎏幚硪旱囊旱?。但是，用這些方式很難噴出1pl(微微升)以下那樣的微少量的液滴。這是由于噴嘴變得越微細(xì)、粒徑變得越小，與液滴的質(zhì)量的慣性效果產(chǎn)生的噴出力相比毛細(xì)管力的效果越大，噴出變得困難。
而作為微細(xì)流體噴射部，使用根據(jù)與上述方式完全不同的原理使原來(lái)不可能?chē)姵龅奈⑸倭康囊旱蔚膰姵龀蔀榭赡艿膰娮臁Ｔ敿?xì)將在后面詳述，而通過(guò)與存儲(chǔ)在噴嘴主體中的處理液接觸的電極而使設(shè)在噴嘴主體前端部的微細(xì)噴出口附近的處理液帶電，在微細(xì)噴出口附近產(chǎn)生局部的電場(chǎng)，從而由微細(xì)噴出口噴出處理液的液滴成為可能。更具體而言，由于通過(guò)帶電而處理液所具有的電荷和由該電荷誘導(dǎo)到以基板為中心的對(duì)稱(chēng)位置上的鏡象電荷間作用的靜電引力，使噴出處理液的液滴成為可能。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，可以噴出1fl(微微升)或其以下的微少量的液滴。
所述驅(qū)動(dòng)裝置也可以使所述通常流體噴射部和所述微細(xì)流體噴射部一體地相對(duì)于所述基板相對(duì)移動(dòng)。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，由于把通常流體噴射部和微細(xì)流體噴射部構(gòu)成一體被驅(qū)動(dòng)，故不必分別對(duì)通常流體噴射部和微細(xì)流體噴射部設(shè)置驅(qū)動(dòng)裝置，可以實(shí)現(xiàn)裝置結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)單化。而且可以提高通常流體噴射部和微細(xì)流體噴射部的相對(duì)位置精度。
另外也可以具有多個(gè)所述通常流體噴射部。同樣也可以具有多個(gè)所述微細(xì)流體噴射部。通過(guò)這樣具有多個(gè)噴射部(多路化)，可以提高裝置的效率。
在此，也可以如下構(gòu)成，即所述驅(qū)動(dòng)裝置具有X軸驅(qū)動(dòng)部，其使所述通常流體噴射部和所述微細(xì)流體噴射部相對(duì)于所述基板，沿作為與所述基板大致平行的任意的1個(gè)軸方向的X軸方向相對(duì)移動(dòng)；Y軸驅(qū)動(dòng)部，其使所述通常流體噴射部和所述微細(xì)流體噴射部相對(duì)于所述基板，沿與所述基板大致平行且與所述X軸方向垂直的Y軸方向相對(duì)移動(dòng)；Z軸驅(qū)動(dòng)部，其使所述通常流體噴射部和所述微細(xì)流體噴射部相對(duì)于所述基板，沿與所述X軸方向和所述Y軸方向垂直的Z軸方向相對(duì)移動(dòng)，通過(guò)使所述Z軸驅(qū)動(dòng)部動(dòng)作，微調(diào)所述微細(xì)流體噴射部與所述基板的間隔。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，通過(guò)使各驅(qū)動(dòng)部動(dòng)作，可以正確地控制各噴射部和基板的相對(duì)位置。特別是通過(guò)用Z軸驅(qū)動(dòng)部微調(diào)微細(xì)流體噴射部和基板的間隔，可以提高從微細(xì)流體噴射部噴出的處理液的液滴的命中位置精度及噴出控制性。微細(xì)流體噴射部和基板的間隔的變位通過(guò)用非接觸式位移傳感器以非接觸形式進(jìn)行檢測(cè)，根據(jù)來(lái)自非接觸式傳感器的位移信號(hào)使Z軸驅(qū)動(dòng)部動(dòng)作，可以微調(diào)微細(xì)流體噴射部和基板的間隔。作為非接觸式位移傳感器可以使用具有向基板發(fā)射激光的投光部和接受由該基板反射的激光反射光的受光部的正反射式激光位移計(jì)。有時(shí)激光位移計(jì)中，基板的背面反射成為問(wèn)題，但這時(shí)，只要檢出部使用CCD方式的激光位移計(jì)就可以解決。這時(shí)，由于檢出光束的曲線中呈現(xiàn)與表面和背面相當(dāng)?shù)膬蓚€(gè)波峰，通過(guò)從光束曲線軟件檢測(cè)出背面?zhèn)鹊牟ǚ澹僭O(shè)不包括求取光束位置的重心計(jì)算，可以消除背面反射的影響。
所述非接觸式位移傳感器也可以連續(xù)檢測(cè)出不包含由所述微細(xì)流體噴射部向所述基板供給所述液滴的的供給位置、且尚未供給所述液滴的未供給區(qū)域。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于非接觸式位移傳感器檢測(cè)出不包含由微細(xì)流體噴射部向基板供給液滴的供給位置、且尚未供給液滴的未供給區(qū)域，故沒(méi)有檢測(cè)出由微細(xì)流體噴射部噴出的處理液的液滴。例如，激光不會(huì)射入到由微細(xì)流體噴射部噴出的處理液的液滴中。因此，能夠回避由于激光射入處理液的液滴產(chǎn)生的液滴的變性，同時(shí)防止由于通過(guò)激光檢測(cè)出向基板供給的處理液的液滴而使位移計(jì)產(chǎn)生誤差的問(wèn)題。進(jìn)而，由于能夠這樣回避處理液的液滴的變性的同時(shí)，防止位移計(jì)發(fā)生誤差，故可以連續(xù)檢測(cè)出微細(xì)流體噴射部和基板的間隔的變位。由此，可以將微細(xì)流體噴射部和基板的間隔經(jīng)常且高精度地保持在規(guī)定值。另一方面，所述非接觸式位移傳感器也可以在由所述微細(xì)流體噴射部向所述基板供給所述液滴之前，檢測(cè)出所述液滴的供給位置及其附近之后，停止檢測(cè)。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于非接觸式位移傳感器在由微細(xì)流體噴射部向基板供給液滴之前，檢測(cè)出包含液滴的供給位置的該供給位置附近之后，停止檢測(cè)，故與連續(xù)檢測(cè)時(shí)相比，可以使處理速度提高。在此，通過(guò)還具有調(diào)整非接觸式位移傳感器的檢出位置的位置調(diào)整機(jī)構(gòu)，可以檢測(cè)出由微細(xì)流體噴射部供給的液滴的供給位置、或其附近的任意位置。另外，在作成多噴嘴(多路)而為直線排列頭部或二維排列頭部時(shí)，由于一處的位移信息不足，可以安裝多個(gè)激光位移計(jì)，取這些多個(gè)位移信號(hào)的平均值，也可以提高Z軸驅(qū)動(dòng)部的自由度進(jìn)行線修正和面修正等。
另外，也可以具有調(diào)整所述通常流體噴射部和所述微細(xì)流體噴射部的相對(duì)位置的校準(zhǔn)基板。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在從各噴射部向基板供給處理液之前，求取通常流體噴射部和微細(xì)流體噴射部的相對(duì)的位置誤差，同時(shí)，能使各噴射部對(duì)位。由此，能高精度地控制從各噴射部噴出的液滴的供給位置。
作為本發(fā)明的處理液，可以使用將銀離子分散在溶媒中的鈉涂糊(ハリマ化成制造)、金鈉涂糊及以他們?yōu)榛鶞?zhǔn)的金屬微粒的膠體溶液。通過(guò)使用它們，可以在基板上作成線幅為數(shù)μm的金屬微細(xì)配線。另外，作為處理液，只要使用導(dǎo)電性高分子的可溶性衍生物(誘導(dǎo)體)，有機(jī)EL元件等的微細(xì)圖形形成就成為可能。作為這樣的導(dǎo)電性高分子可溶性衍生物，例如有MEH-PPV(ポリパラフエニレンビニレン)。其它作為處理液也可以使用把鐵、鈷、鎳等過(guò)渡金屬的超微粒子分散在有機(jī)溶媒等中的觸媒溶液等。
作為供給基板處理液而進(jìn)行規(guī)定的處理的處理裝置舉例如下。
(1)可以構(gòu)成為所述基板能裝載集成電路部件，通過(guò)從所述微細(xì)流體噴射部噴出所述微細(xì)粒徑的所述處理液的液滴，在所述基板上形成所述集成電路部件的周邊等的具有微細(xì)寬度的微細(xì)圖形，同時(shí)，通過(guò)從所述通常流體噴射部噴出所述通常粒徑的所述處理液的液滴，在所述基板上形成具有比所述微細(xì)寬度寬的通常寬度的通常圖形。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于可以根據(jù)形成的圖形的幅度而從各噴射部供給液滴粒徑各異的處理液，可以使效率提高。而且，即使在同一基板上形成具有微細(xì)幅度的微細(xì)圖形和具有比該微細(xì)幅度寬的通常幅度的通常圖形時(shí)，也可以靈活對(duì)應(yīng)，通用性好。
(2)也可以構(gòu)成為所述處理液是DNA溶液，通過(guò)從所述通常流體噴射部噴出所述通常粒徑的DNA溶液，在所述基板上形成排列多個(gè)通常直徑的點(diǎn)的DNA微陣列，同時(shí)，通過(guò)從所述微細(xì)流體噴射部噴出所述微細(xì)粒徑的DNA溶液，在所述基板上形成排列多個(gè)比所述通常直徑小的所述微細(xì)直徑的點(diǎn)的DNA微陣列。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于可以根據(jù)處理區(qū)域由各噴射部供給液滴粒徑各異的處理液，可以使效率提高。而且，由于可以根據(jù)分析目的等形成不同的點(diǎn)徑，通用性好。
對(duì)于想重點(diǎn)分析的DNA，通過(guò)由通常流體噴射部供給通常粒徑的DNA溶液，形成使通常直徑的點(diǎn)排列在基板上的DNA微陣列，可以使分析結(jié)果穩(wěn)定。而且，在雜交(使具有相輔的堿的一根鏈的DNA彼此互相結(jié)合，形成兩根鏈)時(shí)可以直接目視確認(rèn)反應(yīng)狀況。另一方面，通過(guò)由微細(xì)流體噴射部供給比通常粒徑小的微細(xì)粒徑的DNA溶液，可以在基板上形成高密度地排列比通常直徑小的微細(xì)直徑的點(diǎn)而成的DNA微陣列。由此，即使是進(jìn)行大規(guī)模的遺傳因子分析的情況下，也能在一塊基板上排列DNA。即由于根據(jù)形成的點(diǎn)徑由各噴出部供給液滴的粒徑互不相同的處理液，故對(duì)于重點(diǎn)分析的DNA的分析結(jié)果的可靠性高，且通過(guò)在基板上高密度地排列DNA，可以使分析的整體效率提高。
(3)也可以構(gòu)成為所述處理液是化學(xué)試料溶液，通過(guò)從所述通常流體噴射部噴出所述通常粒徑的化學(xué)試料溶液，在所述基板上形成配列多個(gè)通常直徑的點(diǎn)的微陣列，同時(shí)，通過(guò)從所述微細(xì)流體噴射部噴出所述微細(xì)粒徑的化學(xué)試料溶液，在所形成的各個(gè)所述通常直徑的點(diǎn)上重疊形成配列了多個(gè)比所述通常直徑小的微細(xì)直徑的點(diǎn)的微陣列，從而使所述通常粒徑的化學(xué)試料溶液和所述微細(xì)粒徑的化學(xué)試料溶液進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，可以分別在通常點(diǎn)上，在通常粒徑的化學(xué)試料溶液和多種微細(xì)粒徑的化學(xué)試料溶液之間系統(tǒng)地發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，也就是說(shuō)可以使用組合化學(xué)(コンビナトリアルケミストリ)的方法的化學(xué)實(shí)驗(yàn)的效率飛躍地提高。即通過(guò)由通常流體噴射部供給通常粒徑的化學(xué)試料溶液，在基板上形成排列通常粒徑的點(diǎn)的微陣列，同時(shí)，在形成的各個(gè)通常粒徑的點(diǎn)上，由細(xì)微流體噴射部供給比通常粒徑小的微細(xì)粒徑的化學(xué)試料溶液，重疊形成排列微細(xì)粒徑的點(diǎn)的微陣列，可以有效且迅速地發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。在由于各種化學(xué)試料的差導(dǎo)致噴出量不同時(shí)，如通過(guò)預(yù)先在校準(zhǔn)板上噴出各種化學(xué)試料溶液，在小范圍內(nèi)調(diào)整點(diǎn)的直徑，從而測(cè)定噴出量的差，通過(guò)根據(jù)噴出量的超過(guò)或不足調(diào)整噴出控制信號(hào)，從而可以抑制噴出量的偏差。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，由于供給基板的處理液的液滴的粒徑?jīng)]有被固定，可以根據(jù)處理區(qū)域供給基板粒徑互異的液滴，故通用性好。而且由于可以根據(jù)基板上的處理區(qū)域改變供給基板的處理液液滴的粒徑，故可以使裝置的效率提高。


圖1A、圖1B是表示本發(fā)明的處理裝置的第一實(shí)施方式的視圖；圖2是表示圖1的處理裝置的電結(jié)構(gòu)的模式圖；圖3是通常流體噴射噴嘴的側(cè)剖面圖；圖4是微細(xì)流體噴射噴嘴的側(cè)剖面圖；圖5是表示在微細(xì)流體噴射噴嘴中的表面張力和靜電壓力對(duì)噴嘴直徑依賴(lài)性的模式計(jì)算結(jié)果的視圖；圖6是表示圖1的處理裝置的動(dòng)作的一例的流程圖；圖7是表示具有微細(xì)配線的圖形形成的狀態(tài)的視圖；圖8是表示形成Si貫通電極的狀態(tài)的視圖；圖9A、圖9B是表示形成焊錫突起的狀態(tài)的視圖；圖10是表示本發(fā)明的處理裝置的第二實(shí)施方式的視圖；圖11是表示DNA溶液板的外觀的視圖；圖12是表示DNA微陣列用的頭部的一例的視圖；圖13是表示圖10的處理裝置的動(dòng)作的一例的流程圖；
圖14A、圖14B是表示DNA微陣列的外觀的視圖；圖15A、圖15B是表示化學(xué)試料反應(yīng)的外觀的視圖。
具體實(shí)施例方式
第一實(shí)施方式(微細(xì)配線的形成)圖1A、圖1B是表示本發(fā)明處理裝置的第一實(shí)施方式的視圖。圖2是表示圖1的處理裝置的電氣結(jié)構(gòu)的視圖。該處理裝置是對(duì)作為被處理對(duì)象的基板S供給作為本發(fā)明的“處理液”的金屬涂糊或金屬微粒子的膠態(tài)溶液等(以下稱(chēng)為“溶液”)而形成規(guī)定的圖形的處理裝置。在該處理裝置中，基板S由基板保持架1保持，通過(guò)由在該基板保持架1上形成的吸附槽(圖示省略)真空吸附基板S而進(jìn)行固定?；灞３旨芸梢允褂萌缡乒ぷ髋_(tái)。這樣，在本實(shí)施方式中基板保持架1就相當(dāng)于“基板保持裝置”。
在該基板保持架1的上方設(shè)置有能?chē)姵鐾ǔＡ降娜芤旱囊旱蔚耐ǔＡ黧w噴射噴嘴2；能?chē)姵霰韧ǔＡ叫〉奈⒓?xì)粒徑的溶液的液滴的微細(xì)流體噴射噴嘴3；正反射式激光位移計(jì)4。它們安裝在同一支架(圖示省略)上，而形成頭部10。這樣，由于把通常流體噴射噴嘴2和微細(xì)流體噴射噴嘴3構(gòu)成為一體，不必對(duì)各噴嘴設(shè)置驅(qū)動(dòng)裝置，可以實(shí)現(xiàn)裝置結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)單化。而且，可以提高通常流體噴射噴嘴2和微細(xì)流體噴射噴嘴3的相對(duì)的位置精度。另外，通常流體噴射噴嘴2和微細(xì)流體噴射噴嘴3不限于一個(gè)，可以分別把多個(gè)噴嘴安裝在頭部10上(多路化)。因此，可以使裝置的效率提高。在安裝多個(gè)噴嘴時(shí)，圖形形成等的處理可以由光柵掃描執(zhí)行。即通過(guò)頭部10掃描基板S上的整個(gè)區(qū)域，同時(shí)控制來(lái)自各噴嘴的溶液的噴出的通/斷，溶液被供給到基板S上的希望的區(qū)域。
頭部10上連接有沿著導(dǎo)軌11使頭部10在X方向上移動(dòng)的X軸驅(qū)動(dòng)部41。在導(dǎo)軌11的兩端設(shè)有使導(dǎo)軌11沿Y方向移動(dòng)的Y軸驅(qū)動(dòng)部42、43。導(dǎo)軌11通過(guò)Y軸驅(qū)動(dòng)部42、43被同步驅(qū)動(dòng)，而能在設(shè)于基板保持架1的X方向兩側(cè)的一對(duì)導(dǎo)軌12、13上沿Y方向移動(dòng)。進(jìn)而，在頭部10設(shè)有使頭部10沿導(dǎo)軌14移動(dòng)的Z軸驅(qū)動(dòng)部44，該導(dǎo)軌14沿X軸驅(qū)動(dòng)部41的側(cè)面(Z軸方向)形成。另外，在各驅(qū)動(dòng)部上可以采用電機(jī)等驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)、在各導(dǎo)軌上使用了滾珠絲杠的進(jìn)給絲杠機(jī)構(gòu)等各種眾所周知的機(jī)構(gòu)。而通過(guò)根據(jù)控制裝置全體的控制部50發(fā)出的動(dòng)作指令使X軸驅(qū)動(dòng)部41、Y軸驅(qū)動(dòng)部42、43和Z軸驅(qū)動(dòng)部44動(dòng)作，可以使頭部10在X、Y、Z方向上自由移動(dòng)。由此，可以使頭部10定位在基板保持架1上所保持的基板S上的任意位置。
如圖2所示，通常流體噴射噴嘴2和微細(xì)流體噴射噴嘴3與作為溶液的供給源的液體供給部45管路連接，把由該液體供給部45壓送來(lái)的溶液分別存儲(chǔ)在噴嘴內(nèi)。另外，通常流體噴射噴嘴2與通常噴射電壓發(fā)生部21連接，可以通過(guò)由通常噴射電壓發(fā)生部21施加規(guī)定的電壓向基板S噴出溶液。同樣，微細(xì)流體噴射噴嘴3與微細(xì)噴射電壓發(fā)生部31連接，可以通過(guò)由微細(xì)噴射電壓發(fā)生部31施加規(guī)定的電壓向基板S噴出溶液。對(duì)通常流體噴射噴嘴2和微細(xì)流體噴射噴嘴3的結(jié)構(gòu)及動(dòng)作將在后面進(jìn)行詳細(xì)闡述。
通常噴射電壓發(fā)生部21和微細(xì)噴射電壓發(fā)生部31與圖形發(fā)生部46電連接，可以通過(guò)從圖形發(fā)生部46接收?qǐng)D形形成信號(hào)而分別向通常流體噴射噴嘴2和微細(xì)流體噴射噴嘴3施加規(guī)定的電壓并進(jìn)行噴出。該圖形形成信號(hào)向通常噴射電壓發(fā)生部21或微細(xì)噴射電壓發(fā)生部31發(fā)出電壓發(fā)生指令，使得在基板S上的所要求的位置上形成規(guī)定的圖形。例如，當(dāng)圖形發(fā)生部46從控制部50接收到基板S上的位置信號(hào)時(shí)，根據(jù)該位置信號(hào)向通常噴射電壓發(fā)生部21或微細(xì)噴射電壓發(fā)生部31輸出圖形形成信號(hào)。之后，如微細(xì)噴射電壓發(fā)生部31接收到圖形形成信號(hào)時(shí)，微細(xì)噴射電壓發(fā)生部31向微細(xì)流體噴射噴嘴3施加規(guī)定的電壓。由此，從微細(xì)流體噴射噴嘴3向基板S上的規(guī)定的位置供給溶液。同樣，當(dāng)通常噴射電壓發(fā)生部21接收到圖形形成信號(hào)時(shí)，從通常流體噴射噴嘴2向基板S上的規(guī)定位置供給溶液。這樣，通過(guò)由通常流體噴射噴嘴2或微細(xì)流體噴射噴嘴3供給的溶液而在基板S上的所希望的位置上形成圖形。
接著，對(duì)正反射式激光位移計(jì)4進(jìn)行說(shuō)明。正反射式激光位移計(jì)4是為了計(jì)測(cè)頭部10和基板S的間隔的變位而設(shè)置的。正反射式激光位移計(jì)4特別是為了計(jì)測(cè)微細(xì)流體噴射噴嘴3和基板S的間隔的變位而設(shè)置的，從而設(shè)定由微細(xì)流體噴射噴嘴3向基板S上供給的溶液的供給位置附近設(shè)定檢出位置、即激光的焦點(diǎn)。正反射式激光位移計(jì)4具有向基板S發(fā)射激光的投光部4a和接受由該基板S反射的激光反射光的受光部4b。因此，可以非接觸地檢出頭部10和基板S的間隔的變位。正反射式激光位移計(jì)4由支撐體5支撐，通過(guò)使支撐體5移動(dòng)能使由正反射式激光位移計(jì)4檢出的位置變化。有時(shí)在激光位移計(jì)4中基板S的背面反射成為問(wèn)題，但這時(shí)，只要檢出部使用CCD方式的激光位移計(jì)4就可以解決該問(wèn)題。這時(shí)，由于在檢出光束的曲線中呈現(xiàn)與表面和背面相當(dāng)?shù)膬蓚€(gè)波峰，通過(guò)從光束曲線軟件檢出背面?zhèn)鹊牟ǚ澹话ㄇ笕〔ǚ逦恢玫闹匦挠?jì)算，就可消除背面反射的影響。
支撐體5例如由于由壓電元件構(gòu)成，故可通過(guò)壓電元件的伸縮自動(dòng)調(diào)整基板S上的位置。由此可把正反射式激光位移計(jì)4的檢出位置設(shè)定在用微細(xì)流體噴射噴嘴3向基板S供給溶液的供給位置或其附近的任意位置。例如可使正反射式激光位移計(jì)4的檢出位置不含用微細(xì)流體噴射噴嘴3向基板S上供給溶液的供給位置，而且與不供給溶液的未供給區(qū)域重合。由此回避了由于激光射入由微細(xì)流體噴射噴嘴3噴出的溶液的液滴而產(chǎn)生的溶液的變性，同時(shí)通過(guò)激光檢測(cè)出向基板S供給的溶液的液滴而可防止位移計(jì)產(chǎn)生誤差的問(wèn)題。因此可連續(xù)檢測(cè)出微細(xì)流體噴射噴嘴3和基板S的間隔的變位。由此使微細(xì)流體噴射噴嘴3和基板S的間隔通常高精度地保持在規(guī)定值。
另外，也可以使正反射式激光位移計(jì)4的檢出位置與包含用微細(xì)流體噴射噴嘴3向基板S上供給溶液的供給位置的附近一致。這時(shí)，只要在用微細(xì)流體噴射噴嘴3噴出的溶液向基板S供給之前在預(yù)定供給溶液的位置進(jìn)行檢測(cè)后停止檢測(cè)就行。因此，與連續(xù)檢測(cè)的情況相比，可以提高處理速度。這樣，在本實(shí)施方式中，支撐體5相當(dāng)于“位置調(diào)整機(jī)構(gòu)”。
進(jìn)而，在為多噴嘴(多路)而成為直線排列頭部或二維排列頭部時(shí)，由于一處的變位信息不足，可以安裝多個(gè)激光位移計(jì)4，取其多個(gè)變位信號(hào)的平均，也可以使Z軸驅(qū)動(dòng)部的自由度提高，進(jìn)行線修正和面修正等。
圖3是表示通常流體噴射噴嘴2的結(jié)構(gòu)的視圖。在通常流體噴射噴嘴2中，例如使用公知的壓電式噴墨噴嘴。該通常流體噴射噴嘴2裝備具有能在其內(nèi)部存儲(chǔ)溶液的存儲(chǔ)空間23的噴嘴主體22、和用于向該存儲(chǔ)空間23內(nèi)的溶液加壓的壓電元件24。在噴嘴主體22的底部，設(shè)置有向基板S噴出存儲(chǔ)空間23內(nèi)的溶液的通常直徑(如大于25μm的直徑)的通常噴出口25。在噴嘴主體22的側(cè)面設(shè)置向存儲(chǔ)空間23供給溶液的供給口26，并與液體供給部45連通連接。壓電元件24經(jīng)由配線27與通常噴射電壓發(fā)生部21電連接。由于壓電元件24通過(guò)施加電壓進(jìn)行伸縮，從而通過(guò)由通常噴射電壓發(fā)生部21施加規(guī)定的電壓，壓電元件24伸縮，在存儲(chǔ)空間23中存儲(chǔ)的溶液被加壓。其結(jié)果，由通常噴出口25向基板S噴出溶液的液滴。這樣，在本實(shí)施方式中，壓電元件24相當(dāng)于“壓力施加裝置”。
通常流體噴射噴嘴2不限于壓電式噴墨噴嘴，也可以使用眾所周知的熱式(氣泡噴射(バブルジエツト(注冊(cè)商標(biāo)))式)噴墨噴嘴。在使用熱式噴墨噴嘴時(shí)，設(shè)有用于加熱噴嘴內(nèi)部的溶液的發(fā)熱體等的加熱裝置以代替壓電元件24，通過(guò)加熱溶液而使溶液產(chǎn)生氣泡，由此溶液被加壓，由通常噴出口25向基板S噴出溶液的液滴。
圖4是表示微細(xì)流體噴射噴嘴3的結(jié)構(gòu)的視圖。該微細(xì)流體噴射噴嘴3裝備具有能在其內(nèi)部存儲(chǔ)溶液的存儲(chǔ)空間33的噴嘴主體32、和與該存儲(chǔ)空間33內(nèi)的溶液接觸的電極34。在噴嘴主體32的底部設(shè)有向基板S噴出存儲(chǔ)空間33內(nèi)的溶液的比所述通常直徑小的微細(xì)直徑(如低于μm～25μm的直徑)的微細(xì)噴出口35。噴嘴主體32通過(guò)密封橡膠36和噴嘴夾37安裝在保持架38上，使噴嘴主體32內(nèi)部的壓力不會(huì)泄漏。壓力調(diào)整器39是調(diào)整噴嘴主體32內(nèi)部壓力的部件，通過(guò)壓力管40調(diào)整噴嘴主體32內(nèi)部的壓力。該壓力調(diào)整器39不是通過(guò)施加高壓把溶液從微細(xì)噴出口35擠出的，而是用于調(diào)整傳導(dǎo)性(噴嘴內(nèi)溶液的易流動(dòng)性)，或用于向存儲(chǔ)空間33充填溶液、消除噴嘴的堵塞等。噴嘴主體32考慮到成型性而使用玻璃，電極34使用金屬線(鎢線)。也可以在噴嘴內(nèi)通過(guò)電鍍形成電極。另外，用導(dǎo)電性物質(zhì)形成噴嘴主體32時(shí)，在其上覆蓋絕緣材料。
接著，對(duì)由微細(xì)流體噴射噴嘴3進(jìn)行的微細(xì)液滴的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。電極34與微細(xì)噴射電壓發(fā)生部31連接，由微細(xì)噴射電壓發(fā)生部31產(chǎn)生的電壓傳給電極34，使微細(xì)噴出口35附近的溶液帶電，在微細(xì)噴出口35附近產(chǎn)生局部的電場(chǎng)(電場(chǎng)的集中效果)。在該微細(xì)噴出口35集中的電荷Q，在以基板S為中心而離開(kāi)基板內(nèi)側(cè)恰好該電荷Q和基板S的間隔的對(duì)稱(chēng)位置上誘導(dǎo)電荷量相等且極性相反的鏡象電荷Q′。而通過(guò)作用在電荷Q和鏡象電荷Q′之間的靜電力(鏡象力)將會(huì)由微細(xì)噴出口35向基板S噴出溶液的液滴。作為噴出的條件，靜電力必須比作用在噴嘴內(nèi)的溶液上的表面張力大，如后述那樣，噴嘴直徑越微細(xì)，電場(chǎng)的集中效果越大，對(duì)噴出有利是很明確的。
圖5表示基于局部的電場(chǎng)模型的模型計(jì)算的結(jié)果。圖5是表示噴嘴直徑r與表面張力的壓力Ps以及靜電壓力Pe的關(guān)系的視圖。作為表面張力，圖示了有關(guān)水(γ＝72mNm)、有機(jī)溶媒(γ＝20mNm)的情況。由此示出，通過(guò)使用足夠小的噴嘴直徑，使靜電壓力Pe超過(guò)由表面張力產(chǎn)生的壓力Ps。即，可以理解能?chē)姵鑫⒓?xì)液滴。因此，在現(xiàn)有的噴墨方式中，由于噴嘴堵塞等問(wèn)題不能穩(wěn)定地噴出的微細(xì)液滴的噴出成為可能。
這樣用微細(xì)流體噴射噴嘴3噴出微細(xì)液滴的特點(diǎn)是在微細(xì)噴出口35附近的電場(chǎng)集中效果和在相對(duì)向的基板S上感應(yīng)的鏡象力的作用。因此使基板S或基板保持架1具有導(dǎo)電性，或不需要在其上附加電壓。即作為基板可使用絕緣性的玻璃基板、聚酰亞胺等塑料基板、陶瓷基板、半導(dǎo)體基板等。
對(duì)電極34的附加電壓正、負(fù)都可以。進(jìn)而通過(guò)微細(xì)流體噴射噴嘴3和基板S的距離保持在數(shù)μm～數(shù)百μm以下，可以使溶液的噴出更加容易。
接著，回到圖1繼續(xù)裝置的說(shuō)明。在基板保持架1上裝有噴嘴清洗部6、預(yù)調(diào)部7及校準(zhǔn)板8。噴嘴清洗部6和預(yù)調(diào)部7是為了清洗微細(xì)流體噴射噴嘴3而設(shè)置的。噴嘴清洗部6具有多種清洗溶劑用的容器，實(shí)行超聲波清洗。作為清洗溶劑，在每一種使用的溶液中可以選擇洗凈性最佳的，在用所選擇的清洗溶劑進(jìn)行清洗后，用酒精進(jìn)行清洗。清洗溶劑只要用手動(dòng)定期進(jìn)行更換就行。這是因?yàn)楦街谖⒓?xì)流體噴射噴嘴3前端的溶液量極少，對(duì)清洗容器中的溶劑的污染也只有一點(diǎn)點(diǎn)。在預(yù)調(diào)部7中設(shè)有不銹鋼制的器皿，實(shí)行初始噴出。
在校準(zhǔn)板8中，例如使用玻璃板，在圖形形成前在該玻璃板上進(jìn)行通常流體噴射噴嘴2和微細(xì)流體噴射噴嘴3的對(duì)位。該順序如下。首先通過(guò)從微細(xì)流體噴射噴嘴3噴出溶液，從而在玻璃板上形成十字線。之后，通過(guò)從通常流體噴射噴嘴2噴出溶液，同樣在玻璃板上形成十字線。之后，通過(guò)用顯微器(圖示省略)目視各十字線相對(duì)的位置誤差，求得位置修正值。通過(guò)把求出的位置修正值輸入到控制部50，可以使通常流體噴射噴嘴2和微細(xì)流體噴射噴嘴3的相對(duì)位置對(duì)位。
接著，參照?qǐng)D6說(shuō)明上述那樣構(gòu)成的處理裝置的動(dòng)作。圖6是表示圖1的處理裝置的動(dòng)作的流程圖。在此，對(duì)形成用于在基板S上能裝載LSI裝置等的集成電路元件的配線圖形的情況進(jìn)行說(shuō)明。
首先作為噴出的準(zhǔn)備，由噴嘴清洗部6清洗通常流體噴射噴嘴2和微細(xì)流體噴射噴嘴3(步驟S1)。接著，從液體供給部45向各噴嘴壓送溶液，通過(guò)由預(yù)調(diào)部7從各噴嘴噴出溶液，實(shí)施初始噴出(步驟S2)。由此，各噴嘴的清洗結(jié)束。接著，在校準(zhǔn)板8上通過(guò)由各噴嘴噴出溶液，形成位置重合用的圖形(步驟S3)。之后，通過(guò)用顯微器目視確認(rèn)所形成的圖形的相對(duì)位置誤差，求得位置修正值，并把該修正值輸入到控制部50(步驟S4)。由此，通常流體噴射噴嘴2和微細(xì)流體噴射噴嘴3的相對(duì)位置的對(duì)位結(jié)束。另一方面，作為基板S側(cè)的準(zhǔn)備，把基板S放置在基板保持架1上，真空吸附基板S(步驟S5)。接著，驅(qū)動(dòng)頭部10，用正反射式激光位移計(jì)4檢測(cè)出基板S的厚度(步驟S6)，進(jìn)行基板S的浮動(dòng)檢查(步驟S7)。
在上述的圖形形成前的準(zhǔn)備完成的狀態(tài)下，首先用微細(xì)流體噴射噴嘴3實(shí)行圖形的形成(步驟S8)。頭部10定位在基板S上的規(guī)定位置，同時(shí)，從微細(xì)流體噴射噴嘴3向基板S上供給微細(xì)粒徑的液滴。由此，形成如裝置等的集成電路部件的周邊等的具有微細(xì)幅度的微細(xì)圖形(例如線幅比25μm還窄的圖形)。接著，在用微細(xì)流體噴射噴嘴3形成圖形結(jié)束后，再用通常流體噴射噴嘴2實(shí)行圖形的形成(步驟S9)。頭部10定位在基板S上的規(guī)定位置，同時(shí)，從通常流體噴射噴嘴2向基板S上供給比微細(xì)粒徑大的通常粒徑的液滴。由此，形成例如具有比微細(xì)幅度寬的通常幅度的通常圖形(是微細(xì)圖形以外的圖形，例如比線幅為25μm還寬的圖形)。形成微細(xì)圖形后形成通常圖形是為了防止由通常粒徑的液滴形成的圖形干涉微細(xì)流體噴射噴嘴3。當(dāng)然，在該干涉不成問(wèn)題時(shí)也可以在通常圖形形成(步驟S9)后，形成微細(xì)圖形(步驟S8)。
圖7是表示形成具有微細(xì)配線的圖形的樣子的視圖。具體而言，表示如下的樣子用玻璃環(huán)氧基板或柔性印刷電路基板作為基板S，向基板S噴出金屬涂糊等的液滴，形成配線圖形。圖形P2表示具有微細(xì)幅度、與裝置連接的接點(diǎn)和其周邊的配線圖形，通過(guò)從微細(xì)流體噴射噴嘴3供給基板S微細(xì)粒徑的液滴而形成該圖形。另一方面，圖形P1表示具有比微細(xì)幅度寬的幅度的通常圖形(微細(xì)圖形以外的圖形)，該圖形通過(guò)從通常流體噴射噴嘴2噴出通常粒徑的液滴而形成。
如上所述，根據(jù)該實(shí)施方式，通過(guò)對(duì)微細(xì)區(qū)域從微細(xì)流體噴射噴嘴3供給基板S溶液而形成圖形，能使配線細(xì)微化，另一方面，對(duì)于比該微細(xì)區(qū)域?qū)挼膮^(qū)域(微細(xì)區(qū)域以外的區(qū)域)，通過(guò)從通常流體噴射噴嘴2供給基板S溶液而形成圖形，可以使效率提高。即若液滴的粒徑是一種，為了形成微細(xì)區(qū)域的圖形，必須使液滴的粒徑為小粒徑，但若用這樣的小粒徑在比微細(xì)區(qū)域?qū)挼膮^(qū)域形成圖形，就會(huì)導(dǎo)致效率的下降。根據(jù)該實(shí)施方式，由于根據(jù)所形成的圖形幅度更換液滴的粒徑，故可以防止這樣的效率下降。另外，由于能?chē)姵鼍哂胁煌降囊旱?，故?duì)于處理區(qū)域由微細(xì)區(qū)域構(gòu)成的基板、由比該微細(xì)區(qū)域?qū)挼膮^(qū)域構(gòu)成的基板、及兩者混合存在的基板都可以靈活對(duì)應(yīng)，通用性好。特別由于通過(guò)用微細(xì)流體噴射噴嘴3對(duì)由于在噴墨噴嘴中噴嘴堵塞等問(wèn)題產(chǎn)生的不能穩(wěn)定噴出的液滴的粒徑也能?chē)姵觯幌抻谥挥脟娔绞綐?gòu)成的裝置那樣的處理對(duì)象。因此，與要求高密度的連接點(diǎn)數(shù)多的LSI裝置等的連接圖形也可以不用光刻法等方法處理，而直接在基板上形成。
該實(shí)施方式在基板S上形成具有微細(xì)配線的圖形，但不限于此。例如對(duì)以下的用途也能適用。
(Si貫通電極的形成)近年來(lái)由于便攜電話所代表的高集成化的要求，SIP(系統(tǒng)封裝化)技術(shù)正在進(jìn)步。這是把用薄型晶片等基板作成的各種裝置集成化，密封為單一的封裝中實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)化。對(duì)各種裝置間的配線使用了通過(guò)金屬線連接器裝置相互連接的方法，但金屬線連接器的三維接線在裝置的初始設(shè)定中的示教需要很多的時(shí)間，效率也存在問(wèn)題。因此可以考慮代替金屬線連接，在各基板上設(shè)置貫通孔，形成Si貫通電極，把形成它們的基板多級(jí)疊層起來(lái)。該Si貫通電極為了減少各基板間的信號(hào)延遲，或?yàn)榱烁呙芏然?，必須是微?xì)直徑(如數(shù)十μm或其以下)的貫通孔。另一方面，在基板的周邊等，為了向各基板供給電源而大多形成由通常直徑的貫通孔形成的貫通電極。
圖8是表示Si貫通電極的形成狀態(tài)的視圖。具體而言，表示如下這樣的狀態(tài)對(duì)使形成了貫通孔的各基板多級(jí)疊層而成的多層基板MS，向該多層基板MS上的貫通孔供給金屬涂糊等導(dǎo)電性的溶液，進(jìn)行孔眼填埋。貫通孔H1表示通常直徑的貫通孔，該貫通孔通過(guò)從通常流體噴射噴嘴2噴出通常粒徑的液滴而進(jìn)行孔眼填埋。而貫通孔H2表示比通常直徑小的微細(xì)直徑的貫通孔，通過(guò)從微細(xì)流體噴射噴嘴3噴出微細(xì)粒徑的液滴填埋該貫通孔。
如上所述，由于根據(jù)貫通孔的孔徑把通常粒徑或微細(xì)粒徑的液滴供給貫通孔，故可以提高效率。即若液滴的粒徑是一種，用于填埋微細(xì)直徑的貫通孔的液滴的粒徑必須為小粒徑，但用這樣的小粒徑填埋比微細(xì)直徑大的貫通孔就會(huì)導(dǎo)致效率的下降。根據(jù)該實(shí)施方式，由于根據(jù)孔徑更換液滴的粒徑，故可以防止這樣的效率下降。另外，由于能?chē)姵鼍哂懈鞑幌嗤牧降囊旱?，可以把?duì)應(yīng)于孔徑的粒徑的液滴供給基板，通用性好。特別由于通過(guò)使用微細(xì)流體噴射噴嘴3，對(duì)于用噴墨噴嘴命中精度不足、不能穩(wěn)定地噴出的液滴的粒徑(數(shù)十μm以下)也能?chē)姵?，故不?huì)像僅由噴墨方式構(gòu)成的裝置那樣限定處理對(duì)象。另外，由于在形成貫通電極的同時(shí)，進(jìn)行圖7所示的圖形的形成，故可以期待通用性和效率的提高。
(焊錫突起的形成)也可以用于焊錫突起的形成。圖9A、圖9B是表示焊錫突起形成的狀態(tài)的視圖。圖9A通過(guò)由通常流體噴射噴嘴2噴出通常粒徑的液滴，形成通常直徑的突起。圖9B通過(guò)由微細(xì)流體噴射噴嘴3噴出微細(xì)粒徑的液滴而形成比通常直徑小的微細(xì)直徑的突起。
如上所述，由于根據(jù)所形成的突起直徑向基板S供給通常粒徑或微細(xì)粒徑的液滴，故可以使效率提高。即若液滴的粒徑是一種，為了形成微細(xì)直徑的突起必須使液滴的粒徑為小粒徑，但在用這樣的小粒徑形成比微細(xì)直徑大的突起直徑時(shí)，每單位時(shí)間的對(duì)基板的液體供給量就會(huì)被限制，導(dǎo)致效率的下降。根據(jù)該實(shí)施方式，由于根據(jù)形成的突起直徑更換液滴的粒徑，故可以防止這樣的效率下降。另外，由于能?chē)姵鼍哂胁煌旱蔚牧降娜芤?，可以把適合形成的突起直徑的粒徑的液滴供給基板，通用性好。特別是由于通過(guò)使用微細(xì)流體噴射噴嘴3，對(duì)于用噴墨噴嘴命中精度不足、不能穩(wěn)定地噴出的液滴的粒徑(突起直徑30μm為界限)也能?chē)姵?，故可以與突起直徑的微細(xì)化相適應(yīng)，同時(shí)，不會(huì)像僅由噴墨方式構(gòu)成的裝置那樣限定處理對(duì)象。
第二實(shí)施方式(DNA微陣列的形成)圖10是表示本發(fā)明的處理裝置的第二實(shí)施方式的視圖。該處理裝置是向作為被處理對(duì)象的基板S供給作為本發(fā)明的“處理液”的DNA探測(cè)溶液(以下稱(chēng)為“DNA溶液”)而形成DNA微陣列的處理裝置。在基板S上使用滑動(dòng)玻璃或Si晶片。另外，為了提高處理效率，多個(gè)基板S設(shè)置在基板保持架1上。如配置20塊×20塊(計(jì)400塊)的基板S。
在此，所謂DNA微陣列是把與分析對(duì)象生物的遺傳因子對(duì)應(yīng)的DNA切片作為基板上的小點(diǎn)高密度排列。如分離從生物體取出的DNA，用PCR(Polymerase Chain Reaction聚合酶鏈?zhǔn)椒磻?yīng))法使同一DNA放大，在基板上排列DNA溶液。由于據(jù)說(shuō)人的遺傳因子是30000～40000，與其對(duì)應(yīng)的DNA切片的數(shù)量有數(shù)萬(wàn)種，因而準(zhǔn)備數(shù)萬(wàn)種的DNA溶液。
以前，有用具有玻璃或不銹鋼等金屬針的測(cè)位儀在10mm見(jiàn)方的玻璃基板上排列φ100μm左右的點(diǎn)而成的DNA微陣列。當(dāng)按100μm的間隔排列它時(shí)，點(diǎn)的數(shù)量最大為10000點(diǎn)。但在用于大規(guī)模的遺傳因子分析時(shí)，點(diǎn)的數(shù)量不足，產(chǎn)生需要多個(gè)玻璃基板的問(wèn)題。例如，若每塊基板的最大的點(diǎn)的數(shù)量為10000點(diǎn)，則為了分析人的遺傳因子必須有3～4塊玻璃基板。另外，點(diǎn)徑有所謂偏差的缺點(diǎn)。另一方面，根據(jù)噴墨方式若把點(diǎn)徑穩(wěn)定的物件的點(diǎn)徑微細(xì)化，設(shè)在噴嘴上的噴出口的孔徑必須變小，而噴嘴堵塞等問(wèn)題對(duì)噴出性能也有一定的限制，穩(wěn)定的噴出是困難的。而且噴嘴內(nèi)的清洗性也有問(wèn)題。
用半導(dǎo)體制造等的光刻方法實(shí)現(xiàn)φ100μm或其以下(如φ23μm)的點(diǎn)徑的DNA芯片雖然存在，但該方法中所裝載的DNA探測(cè)溶液被限定，不能適應(yīng)多種研究。另外，若點(diǎn)徑變?yōu)?00μm以下時(shí)，雜交時(shí)的目視確認(rèn)變得困難，同時(shí)，具有所謂分析結(jié)果不穩(wěn)定，缺乏再現(xiàn)性的問(wèn)題。
接著返回圖10繼續(xù)處理裝置的說(shuō)明，該第二實(shí)施方式與第一實(shí)施方式大不相同的點(diǎn)是在基板保持架1上新配置DNA溶液板9及液體供給部45只保持酒精等清洗溶劑。因而，向通常流體噴射噴嘴2及微細(xì)流體噴射噴嘴3的DNA溶液的供給由DNA溶液板9進(jìn)行。DNA溶液板9如圖11所示，由于是把微小的點(diǎn)9a進(jìn)行多個(gè)排列，互不相同的DNA溶液分別進(jìn)入各點(diǎn)9a中。其它結(jié)構(gòu)基本與第一實(shí)施方式相同。因而，下面對(duì)相同結(jié)構(gòu)賦予相同符號(hào)并省略其說(shuō)明。
圖12表示DNA微陣列用的頭部的一例。圖12是裝有8路微細(xì)流體噴射噴嘴3的例子。這樣，通過(guò)使噴嘴多路化，可以提高裝置的效率。各微細(xì)流體噴射噴嘴3間的間距與DNA溶液板9的各點(diǎn)9a間的間距一致。對(duì)各噴嘴的DNA溶液的供給通過(guò)把噴嘴的前端部浸入到裝入點(diǎn)9a的DNA溶液中而進(jìn)行。因此，利用毛細(xì)管現(xiàn)象，DNA溶液被吸引到噴嘴的前端部。
接著，對(duì)DNA微陣列的形成動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。圖13是表示圖10的處理裝置動(dòng)作的一例的流程圖?；镜膭?dòng)作與圖6所示的流程一樣，但在DNA微陣列的形成中，在各噴嘴中的溶液的供給由DNA溶液板9進(jìn)行這一點(diǎn)不同。因此，在此只對(duì)不同點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明，對(duì)其它點(diǎn)的說(shuō)明省略。
首先，作為噴出的準(zhǔn)備，由噴嘴清洗部6清洗各噴嘴(步驟S11)。接著，頭部10移動(dòng)到DNA溶液板9之上，微細(xì)流體噴射噴嘴3的前端部浸入到裝入DNA溶液板9的點(diǎn)9a的DNA溶液中。由此，利用毛細(xì)管現(xiàn)象DNA溶液被吸引到微細(xì)流體噴射噴嘴3中(步驟S12)。同樣，對(duì)于通常流體噴射噴嘴2，DNA溶液也被吸引。而通過(guò)在預(yù)調(diào)部7中從各噴嘴噴出溶液而進(jìn)行初始噴出(步驟S13)。由于對(duì)各噴嘴的DNA溶液的供給是利用毛細(xì)管現(xiàn)象的吸引，故必須預(yù)先進(jìn)行規(guī)定次數(shù)的預(yù)噴出，除去附著在噴嘴前端部的DNA溶液。這是由于在不進(jìn)行該預(yù)噴出的情況下，附著在噴嘴前端部的DNA溶液產(chǎn)生不良影響，不能得到所希望的點(diǎn)徑。另外，用校準(zhǔn)板8進(jìn)行各噴嘴的相對(duì)位置的對(duì)位(步驟S14)、輸入修正值(步驟S15)及基板S的準(zhǔn)備(步驟S16～S18)由于與圖6相同，故省略說(shuō)明。
在以上的完成圖形形成前的準(zhǔn)備的狀態(tài)下，首先，用微細(xì)流體噴射噴嘴3實(shí)施點(diǎn)的形成(步驟S19)。頭部10定位在基板S上的規(guī)定位置，同時(shí)，由微細(xì)流體噴射噴嘴3向基板S上供給微細(xì)粒徑的液滴。由此，在基板S上形成微細(xì)直徑的點(diǎn)(微細(xì)點(diǎn))。在頭部10裝有8路微細(xì)流體噴射噴嘴3時(shí)，在基板S上形成8個(gè)點(diǎn)。一個(gè)點(diǎn)由來(lái)自微細(xì)流體噴射噴嘴3的一個(gè)噴出形成。在此，在把多個(gè)基板S配置在基板保持架1上時(shí)，各基板中的每一個(gè)就會(huì)順序形成8個(gè)點(diǎn)。
在補(bǔ)充DNA溶液時(shí)，各DNA溶液中的每一種補(bǔ)充到點(diǎn)9a中。之后，通過(guò)把噴嘴的前端部浸入到裝入點(diǎn)9a的DNA溶液中進(jìn)行吸引，向噴嘴內(nèi)補(bǔ)充DNA溶液。補(bǔ)充后，再次進(jìn)行預(yù)噴出之后進(jìn)行點(diǎn)的形成。另外，在更換DNA溶液時(shí)，用預(yù)調(diào)部7從液體供給部45壓送清洗溶劑，清洗噴嘴內(nèi)，同時(shí)，在噴嘴清洗部6中用清洗溶劑實(shí)施超聲波清洗。之后，通過(guò)把噴嘴的前端部浸入到新的DNA溶液中進(jìn)行吸引，向噴嘴內(nèi)供給DNA溶液。這些操作可以對(duì)8路微細(xì)噴嘴3同時(shí)進(jìn)行。
接著，用微細(xì)流體噴射噴嘴3完成點(diǎn)形成后，用通常流體噴射噴嘴2實(shí)施點(diǎn)形成(步驟S20)。關(guān)于利用通常流體噴出的點(diǎn)形成也和利用微細(xì)流體噴出的點(diǎn)形成一樣進(jìn)行。即頭部10在基板S上的規(guī)定位置定位，同時(shí)，由通常流體噴射噴嘴2供給基板S比微細(xì)粒徑大的通常粒徑的液滴，從而在基板S上形成通常直徑的點(diǎn)(通常點(diǎn))。
圖14A、圖14B表示DNA微陣列的外觀。該圖14A表示在滑動(dòng)玻璃等的基板S上用微細(xì)流體噴射噴嘴3在微細(xì)區(qū)域R2上作成微細(xì)點(diǎn)，在通常區(qū)域R1上用通常流體噴射噴嘴2作成比該微細(xì)直徑大的通常點(diǎn)的例子。該圖14B是各區(qū)域的放大圖。該例中微細(xì)點(diǎn)徑為8μm，通常點(diǎn)徑為100μm。
如上所述，根據(jù)該實(shí)施方式，由于根據(jù)處理區(qū)域供給基板S通常粒徑或微細(xì)粒徑的液滴，可以使效率提高。即若液滴的粒徑是一種，則為了形成微細(xì)直徑的點(diǎn)，必須使液滴的粒徑為小粒徑，但用這樣的小粒徑形成比微細(xì)直徑大的點(diǎn)徑時(shí)，就會(huì)限制每單位時(shí)間向基板的液體供給量，導(dǎo)致效率的下降。根據(jù)本實(shí)施方式，由于根據(jù)形成的點(diǎn)徑更換液滴的粒徑，故可以防止這樣的效率下降。另外，由于能?chē)姵鼍哂胁煌降囊旱?，故可以供給基板S適合分析目的等的粒徑的液滴。通用性好。特別是由于通過(guò)使用微細(xì)流體噴射噴嘴3，對(duì)噴墨噴嘴因噴嘴堵塞等問(wèn)題不能穩(wěn)定噴出的液滴的粒徑也能?chē)姵觯梢赃m應(yīng)點(diǎn)徑的微細(xì)化及點(diǎn)排列的高密度化。
根據(jù)該實(shí)施方式，對(duì)于想重點(diǎn)分析的DNA，通過(guò)用通常液體噴嘴2排列通常點(diǎn)，可以使分析結(jié)果數(shù)值穩(wěn)定。而且，通過(guò)使點(diǎn)徑為100μm或其以上，可以用目視分析雜交時(shí)的反應(yīng)狀況。另一方面，由于通過(guò)使用微細(xì)流體噴射噴嘴3，用噴墨噴嘴不能穩(wěn)定噴出的液滴的粒徑也能?chē)姵?，可以高密度地排列微?xì)點(diǎn)，使分析效率提高。因此，即使用于大規(guī)模的遺傳因子分析時(shí)，也可以在一塊基板上作成DNA微陣列。進(jìn)而，由于更換DNA探測(cè)溶液時(shí)噴嘴也是微細(xì)的，附著的溶液量也很少，可以減少交叉污染的問(wèn)題。
(化學(xué)試料反應(yīng))該實(shí)施方式中，在基板S上形成DNA微陣列，但不限于此。例如，對(duì)于使用組合化學(xué)(コンビナトリアルケミストリ)的方法的化學(xué)試料反應(yīng)也可以使用。此時(shí)可以使用化學(xué)試料溶液板取代DNA探測(cè)溶液板9。在化學(xué)試料溶液板的各個(gè)點(diǎn)9a中分別放入成分和成分比例相互不同的化學(xué)試料溶液。
圖15A、圖15B表示化學(xué)試料反應(yīng)的外觀。該圖15A表示對(duì)不同的化學(xué)試料溶液A～F中的每一種，重合九種不同的化學(xué)試料溶液的狀態(tài)。該圖15B是化學(xué)試料溶液A的放大圖。對(duì)于化學(xué)試料溶液A～F用通常流體噴射噴嘴2形成通常直徑的點(diǎn)(通常點(diǎn))，對(duì)于九種不同的化學(xué)試料溶液a～i，用微細(xì)流體噴射噴嘴3形成比通常直徑小的微細(xì)直徑的點(diǎn)(微細(xì)點(diǎn))。各點(diǎn)的形成是首先用通常流體噴射噴嘴2形成通常點(diǎn)后，在形成的各通常點(diǎn)上用微細(xì)流體噴射噴嘴3形成微細(xì)點(diǎn)。之后，在通常點(diǎn)和微細(xì)點(diǎn)重合的部分，在通常粒徑的化學(xué)試料溶液和微細(xì)粒徑的化學(xué)試料溶液之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。若用該圖15B說(shuō)明這一點(diǎn)，在點(diǎn)A1中，通常粒徑的化學(xué)試料溶液A和微細(xì)粒徑的化學(xué)試料溶液a之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)(A-a)，在點(diǎn)A2中，通常粒徑的化學(xué)試料溶液A和微細(xì)粒徑的化學(xué)試料溶液b之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)(A-b)，在點(diǎn)A3中，通常粒徑的化學(xué)試料溶液A和微細(xì)粒徑的化學(xué)試料溶液c之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)(A-c)，下面同樣，在溶液A和溶液d～i中發(fā)生化學(xué)反應(yīng)A-d～A-i。通過(guò)光學(xué)檢測(cè)其反應(yīng)結(jié)果，可以使實(shí)驗(yàn)效率飛躍地提高。
在由于各種化學(xué)試料的性質(zhì)狀態(tài)的差導(dǎo)致噴出量不同時(shí)，通過(guò)預(yù)先向校準(zhǔn)板上噴出各種化學(xué)試料，用顯微器調(diào)查點(diǎn)的直徑，測(cè)定噴出量的差，通過(guò)根據(jù)其噴出量的過(guò)量或不足調(diào)整噴出控制信號(hào)(點(diǎn)形成信號(hào))，可以抑制噴出量的偏差。
如上所述，由于能?chē)姵鼍哂袃煞N不同液滴的粒徑的溶液，故可以在具有一種液滴的粒徑(通常點(diǎn))的溶液上重疊具有另一種液滴的粒徑(微細(xì)點(diǎn))的溶液。因此，通用性好，可以利用化學(xué)試料彼此的組合系統(tǒng)、有效且迅速地發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，同時(shí)，迅速地評(píng)價(jià)它們的反應(yīng)結(jié)果。特別是由于通過(guò)使用微細(xì)流體噴射噴嘴3，對(duì)于由在噴墨噴嘴中噴嘴堵塞等問(wèn)題產(chǎn)生的不能穩(wěn)定地噴出的液滴的粒徑也能?chē)姵觯试谟赏ǔＡ黧w噴射噴嘴2形成的通常點(diǎn)上可以高密度地排列微細(xì)點(diǎn)，可以使實(shí)驗(yàn)效率飛躍地提高。
其它本發(fā)明不限于上述的實(shí)施方式，在不脫離其宗旨的限度內(nèi)在上述之外可以實(shí)行各種變化。如在上述實(shí)施方式中，通過(guò)沿X、Y、Z方向驅(qū)動(dòng)頭部10，控制向基板S供給處理液的位置，但只要是使頭部10相對(duì)于基板S三維相對(duì)移動(dòng)的結(jié)構(gòu)即可，驅(qū)動(dòng)裝置是任意的。例如，也可以固定頭部10，沿X、Y、Z方向驅(qū)動(dòng)基板S，以控制向基板S供給處理液的位置。
另外，上述實(shí)施方式整體構(gòu)成并驅(qū)動(dòng)通常流體噴射噴嘴2和微細(xì)流體噴射噴嘴3，但也可以分別相對(duì)通常流體噴射噴嘴2和微細(xì)流體噴射噴嘴3設(shè)置驅(qū)動(dòng)部，各自動(dòng)作。
上述實(shí)施方式通過(guò)在基板保持架1的兩側(cè)裝有兩根導(dǎo)軌12、13，把Y軸作成兩軸同步驅(qū)動(dòng)的跨線橋型，但也可以作成裝有一根導(dǎo)軌的一軸的單邊結(jié)構(gòu)。在作成單邊結(jié)構(gòu)時(shí)，必須考慮機(jī)械剛性使位置精度不下降。
可以適用于這樣的處理裝置，其對(duì)用于半導(dǎo)體及FPD制造裝置、印刷電路基板制造裝置、生物關(guān)聯(lián)裝置(作成DNA微陣列、作成DNA芯片)和化學(xué)反應(yīng)試驗(yàn)裝置等中的基板等的被處理體供給處理液，實(shí)施規(guī)定的處理。
權(quán)利要求
1.一種處理裝置，對(duì)基板供給處理液而進(jìn)行規(guī)定的處理，其特征在于，包括基板保持裝置，其保持所述基板；通常流體噴射部，其以通常粒徑向所述基板噴出所述處理液的液滴；微細(xì)流體噴射部，其以比所述通常粒徑小的微細(xì)粒徑向所述基板噴出所述處理液的液滴；驅(qū)動(dòng)裝置，其使所述通常流體噴射部和所述微細(xì)流體噴射部的每一個(gè)相對(duì)于所述基板保持裝置所保持的所述基板相對(duì)移動(dòng)；控制裝置，其調(diào)整相對(duì)于所述基板的各噴射部的相對(duì)位置，控制所述液滴的供給位置。
2.如權(quán)利要求1所述的處理裝置，其特征在于，所述通常流體噴射部具有噴嘴主體，在其內(nèi)部存儲(chǔ)所述處理液，同時(shí)能從設(shè)在其前端部的通常噴出口噴出所述處理液的液滴；壓力施加裝置，其對(duì)存儲(chǔ)在所述噴嘴主體中的所述處理液施加壓力，通過(guò)所述壓力施加裝置的壓力施加，從所述通常噴出口噴出液滴，另一方面，所述微細(xì)流體噴射部具有噴嘴主體，在其內(nèi)部存儲(chǔ)所述處理液，同時(shí)能從設(shè)在其前端部、比所述通常噴出口小的微細(xì)噴出口噴出所述處理液的液滴；電極，其以與存儲(chǔ)在所述噴嘴主體中的所述處理液接觸的形式設(shè)置，通過(guò)在使所述微細(xì)噴出口接近于所述基板的狀態(tài)下對(duì)所述電極施加電壓，在所述微細(xì)噴出口附近產(chǎn)生局部電場(chǎng)，從而使所述微細(xì)噴出口附近的處理液帶電，使該帶電的處理液的液滴從所述微細(xì)噴出口噴出。
3.如權(quán)利要求1或2所述的處理裝置，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)裝置使所述通常流體噴射部和所述微細(xì)流體噴射部一體地相對(duì)于所述基板相對(duì)移動(dòng)。
4.如權(quán)利要求1或2所述的處理裝置，其特征在于，具有多個(gè)所述通常流體噴射部。
5.如權(quán)利要求1或2所述的處理裝置，其特征在于，具有多個(gè)所述微細(xì)流體噴射部。
6.如權(quán)利要求1或2所述的處理裝置，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)裝置具有X軸驅(qū)動(dòng)部，其使所述通常流體噴射部和所述微細(xì)流體噴射部相對(duì)于所述基板，沿作為與所述基板大致平行的任意的1個(gè)軸方向的X軸方向相對(duì)移動(dòng)；Y軸驅(qū)動(dòng)部，其使所述通常流體噴射部和所述微細(xì)流體噴射部相對(duì)于所述基板，沿與所述基板大致平行且與所述X軸方向垂直的Y軸方向相對(duì)移動(dòng)；Z軸驅(qū)動(dòng)部，其使所述通常流體噴射部和所述微細(xì)流體噴射部相對(duì)于所述基板，沿與所述X軸方向和所述Y軸方向垂直的Z軸方向相對(duì)移動(dòng)，通過(guò)使所述Z軸驅(qū)動(dòng)部動(dòng)作，微調(diào)所述微細(xì)流體噴射部與所述基板的間隔。
7.如權(quán)利要求6所述的處理裝置，其特征在于，還具有非接觸式位移傳感器，其在非接觸狀態(tài)下檢測(cè)出所述微細(xì)流體噴射部與所述基板的間隔的變位，通過(guò)根據(jù)來(lái)自所述非接觸式位移傳感器的位移信號(hào)使所述Z軸驅(qū)動(dòng)部動(dòng)作，微調(diào)所述微細(xì)流體噴射部與所述基板的間隔。
8.如權(quán)利要求7所述的處理裝置，其特征在于，所述非接觸式位移傳感器是正反射式激光位移計(jì)，其具有將激光向所述基板投射的投光部和接收由該基板反射的激光反射光的受光部。
9.如權(quán)利要求7所述的處理裝置，其特征在于，所述非接觸式位移傳感器連續(xù)檢測(cè)出不包含由所述微細(xì)流體噴射部向所述基板供給所述液滴的的供給位置、且尚未供給所述液滴的未供給區(qū)域。
10.如權(quán)利要求7所述的處理裝置，其特征在于，所述非接觸式位移傳感器在由所述微細(xì)流體噴射部向所述基板供給所述液滴之前，檢測(cè)出所述液滴的供給位置及其附近之后，停止檢測(cè)。
11.如權(quán)利要求9或10所述的處理裝置，其特征在于，還具有位置調(diào)整機(jī)構(gòu)，其調(diào)整所述非接觸式位移傳感器的檢出位置，從而檢測(cè)出由所述微細(xì)流體噴射部供給的所述液滴的供給位置附近的任意位置。
12.如權(quán)利要求1或2所述的處理裝置，其特征在于，還具有校準(zhǔn)基板，其調(diào)整所述通常流體噴射部和所述微細(xì)流體噴射部的相對(duì)位置。
13.如權(quán)利要求1或2所述的處理裝置，其特征在于，所述通常流體噴射部和所述微細(xì)流體噴射部向所述基板噴出作為所述處理液的金屬微粒的膠體溶液。
14.如權(quán)利要求1或2所述的處理裝置，其特征在于，所述通常流體噴射部和所述微細(xì)流體噴射部向所述基板噴出作為所述處理液的導(dǎo)電性高分子的可溶性衍生物。
15.如權(quán)利要求13所述的處理裝置，其特征在于，所述基板能裝載集成電路部件，通過(guò)從所述微細(xì)流體噴射部噴出所述微細(xì)粒徑的所述處理液的液滴，在所述基板上形成所述集成電路部件的周邊等的具有微細(xì)寬度的微細(xì)圖形，同時(shí)，通過(guò)從所述通常流體噴射部噴出所述通常粒徑的所述處理液的液滴，在所述基板上形成具有比所述微細(xì)寬度寬的通常寬度的通常圖形。
16.如權(quán)利要求1或2所述的處理裝置，其特征在于，所述處理液是導(dǎo)電性的溶液，所述基板是多層基板，通過(guò)從所述通常流體噴射部噴出所述通常粒徑的所述導(dǎo)電性的溶液的液滴，進(jìn)行形成于所述多層基板上的、具有通常直徑的貫通孔的孔眼填埋，同時(shí)，通過(guò)從所述微細(xì)流體噴射部噴出所述微細(xì)粒徑的所述導(dǎo)電性的溶液的液滴，進(jìn)行形成于所述多層基板上的、具有比所述通常直徑小的微細(xì)直徑的貫通孔的孔眼填埋。
17.如權(quán)利要求1或2所述的處理裝置，其特征在于，通過(guò)從所述通常流體噴射部噴出所述通常粒徑的液滴，在所述基板上形成通常直徑的焊錫突起，同時(shí)，通過(guò)從所述微細(xì)流體噴射部噴出所述微細(xì)粒徑的液滴，在所述基板上形成比所述通常直徑小的微細(xì)直徑的焊錫突起。
18.如權(quán)利要求1或2所述的處理裝置，其特征在于，所述處理液是脫氧核糖核酸溶液，通過(guò)從所述通常流體噴射部噴出所述通常粒徑的脫氧核糖核酸溶液，在所述基板上形成排列多個(gè)通常直徑的點(diǎn)的脫氧核糖核酸微陣列，同時(shí)，通過(guò)從所述微細(xì)流體噴射部噴出所述微細(xì)粒徑的脫氧核糖核酸溶液，在所述基板上形成配列多個(gè)比所述通常直徑小的微細(xì)直徑的點(diǎn)的脫氧核糖核酸微陣列。
19.如權(quán)利要求1或2所述的處理裝置，其特征在于，所述處理液是化學(xué)試料溶液，通過(guò)從所述通常流體噴射部噴出所述通常粒徑的化學(xué)試料溶液，在所述基板上形成配列多個(gè)通常直徑的點(diǎn)的微陣列，同時(shí)，通過(guò)從所述微細(xì)流體噴射部噴出所述微細(xì)粒徑的化學(xué)試料溶液，在所形成的各個(gè)所述通常直徑的點(diǎn)上重疊形成配列了多個(gè)比所述通常直徑小的微細(xì)直徑的點(diǎn)的微陣列，從而使所述通常粒徑的化學(xué)試料溶液和所述微細(xì)粒徑的化學(xué)試料溶液進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)。
全文摘要
本發(fā)明的目的是提供一種具有優(yōu)良的通用性且能以高效率進(jìn)行規(guī)定的處理的處理裝置。在基板保持架(1)的上方設(shè)有能?chē)姵鐾ǔＡ降娜芤旱囊旱蔚耐ǔＡ黧w噴射噴嘴(2)、能?chē)姵霰韧ǔＡ叫〉奈⒓?xì)粒徑的溶液的液滴的微細(xì)流體噴射噴嘴(3)和正反射式激光位移計(jì)(4)。它們安裝在同一支架上，形成頭部(10)。頭部(10)通過(guò)按照來(lái)自控制裝置全體的控制部(50)的動(dòng)作指令使X軸驅(qū)動(dòng)部(41)、Y軸驅(qū)動(dòng)部(42、43)和Z軸驅(qū)動(dòng)部(44)動(dòng)作，可以沿X、Y、Z方向自由移動(dòng)。因此，能使頭部(10)定位在基板保持架(1)上所保持的基板(S)上的任意位置上。由此，可以由各噴嘴向基板(S)上所希望的位置供給溶液的液滴。
文檔編號(hào)B05C5/02GK1674217SQ200510051760
公開(kāi)日2005年9月28日 申請(qǐng)日期2005年3月1日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月23日
發(fā)明者中川良幸, 村田和廣 申請(qǐng)人:大日本網(wǎng)目版制造株式會(huì)社, 獨(dú)立行政法人產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所