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在信息層中含有作為吸光性化合物的半菁染料的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的制作方法

文檔序號(hào):3745354閱讀:272來源:國(guó)知局
專利名稱:在信息層中含有作為吸光性化合物的半菁染料的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及在信息層中含有作為吸光性化合物的半菁染料(Hemicyaninfarbtoff)的一次可記錄的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì),和涉及它的生產(chǎn)方法。
采用特定的吸光性物質(zhì)或其混合物的一次寫入型可記錄的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)特別適合用于以藍(lán)色激光二極管、尤其GaN或SHG激光二極管(360-460nm)操作的高密度可記錄的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)和/或用于以紅光(635-660nm)或紅外(780-830nm)激光二極管操作的DVD-R或CD-R盤片,和上述染料通過旋涂或汽相淀積法施涂于聚合物基材、尤其聚碳酸酯上。
一次寫入型可記錄的壓縮光盤(CD-R,780nm)最近有了巨大的發(fā)展并代表了技術(shù)上成熟的系統(tǒng)。
下一代的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)-DVD系列-目前已經(jīng)引入到市場(chǎng)。由于短波激光照射(635-660nm)和較高的數(shù)值孔徑NA的使用,該存儲(chǔ)密度能夠提高。在這種情況下可記錄的格式是DVD-R。
今天,已經(jīng)開發(fā)出了使用高激光功率的藍(lán)色激光二極管(基于GaN,JP 08 191171或二次諧波發(fā)生SHG,JP09 050 629)(360nm-460nm)的光數(shù)據(jù)存儲(chǔ)格式??捎涗浀墓鈱W(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)器因此也用于這一代。能實(shí)現(xiàn)的存儲(chǔ)密度取決于激光焦點(diǎn)在該信息面上的聚焦。焦點(diǎn)尺寸與激光波長(zhǎng)λ/NA成正比例。NA所使用的物鏡的數(shù)值孔徑。為了獲得最高可能的存儲(chǔ)密度,目的是使用最小可能的波長(zhǎng)λ。以半導(dǎo)體激光二極管為基礎(chǔ),390nm目前是可能的。
該專利文獻(xiàn)描述了染料型可記錄的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì),它們同樣地適合于CD-R和DVD-R系統(tǒng)(JP-A 11 043 481和JP-A 10 181 206)。為了獲得高反射率,讀出信號(hào)的高調(diào)制電平和在記錄過程中的足夠敏感性,可利用以下事實(shí)CD-R的780nm的IR波長(zhǎng)位于染料的吸收峰的長(zhǎng)波側(cè)翼(Hanke)的基礎(chǔ)部分和DVD-R的635nm或650nm的紅色波長(zhǎng)位于染料的吸收峰的短波側(cè)翼(Hanke)的基礎(chǔ)部分。在JP-A 02557 335,JP-A 10058 828,JP-A 06336086,JP-A 02 865 955,WO-A09 917284和US-A 5 266699中,這一概念延伸到覆蓋在吸收峰的短波長(zhǎng)斜坡上的450nm工作波長(zhǎng)范圍和在長(zhǎng)波長(zhǎng)斜坡上的紅色和IR范圍。
除該上述的光學(xué)性質(zhì)外,得自吸光性有機(jī)物質(zhì)的可記錄的信息層必須具有盡可能無定形的形態(tài),以便在記錄或讀的過程中保持盡可能小的噪音信號(hào)。對(duì)于此目的,當(dāng)通過從溶液旋涂或通過汽相淀積(Aufdampfen)和/或升華來施涂該物質(zhì)時(shí),特別優(yōu)選的是在隨后于真空下罩涂金屬或電介質(zhì)層的過程中防止該吸光性物質(zhì)的結(jié)晶。
得自吸光性物質(zhì)的無定形層優(yōu)選具有高度熱穩(wěn)定性,因?yàn)橥ㄟ^濺射或汽相淀積法被施涂于吸光性信息層上的有機(jī)或無機(jī)材料的其它附加層將由于散射而形成變模糊的邊界,因此不利地影響反射率。此外,如果吸光性物質(zhì)在聚合物載體的界面處具有不夠的熱穩(wěn)定性,則它擴(kuò)散到后者中,和再次不利地影響該反射率。
如果吸光性物質(zhì)具有過高的蒸汽壓力,則吸光性物質(zhì)將在高真空下的附加層的上述噴濺或汽相淀積過程中發(fā)生升華和因此降低了所需要的層厚度。這進(jìn)而不利地影響該反射率。
本發(fā)明的目的因此是提供滿足可用于在一次可記錄的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的信息層中,尤其用于在340-680nm的激光波長(zhǎng)范圍內(nèi)的高密度可記錄的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)格式的高要求(例如光穩(wěn)定性,有益的信號(hào)/噪聲比,對(duì)基材的無損害式施涂等)的合適的化合物。
令人吃驚地已經(jīng)發(fā)現(xiàn),選自半菁染料類的吸光性化合物能夠特別適于滿足上述要求范圍(profil)。
本發(fā)明因此涉及含有優(yōu)選透明的基材的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì),該基材任選地已涂敷了一層或多層的反射層和在其表面上施涂光可記錄的信息層,任選的一層或多層反射層和任選的保護(hù)層或附加的基材或頂層,該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)能夠利用藍(lán)光或紅光,優(yōu)選激光來記錄和讀,其中信息層含有吸光性化合物和任選的粘結(jié)劑,特征在于至少一種半菁染料用作該吸光性化合物。
藍(lán)光激光是特別優(yōu)選的。
吸光性化合物應(yīng)該優(yōu)選是以加熱途徑來改性的。熱改性(thermische Vernderung)優(yōu)選在<600℃的溫度下,特別優(yōu)選在<400℃的溫度下,非常特別優(yōu)選在<300℃的溫度下,尤其在<200℃的溫度下發(fā)生。該改性能夠是例如吸光性化合物的發(fā)色中心的分解或化學(xué)改性。
通式I的半菁是優(yōu)選的 其中X1表示氮或X1-R1表示S,X2表示O,S,N-R2或CR3R4,R1和R2彼此獨(dú)立地表示C1-到C16-烷基,C3-到C6-鏈烯基,C5-到C7-環(huán)烷基或C7-到C16-芳烷基,R3和R4彼此獨(dú)立地表示C1-至C4-烷基或CR3R4表示下式的二價(jià)基團(tuán) 或 其中兩個(gè)鍵是從星號(hào)(*)標(biāo)記的環(huán)中原子上引出,A與X1,X2和它們之間鍵接的C-原子一起表示含有1-4個(gè)雜原子的五元或六元芳族或準(zhǔn)芳族雜環(huán)和/或可以是苯并-或萘并-稠合的和/或被非離子基團(tuán)取代,R5和R6彼此獨(dú)立地表示氫,C1-至C16-烷基,C4-至C7-環(huán)烷基,C7-至C16-芳烷基,C6-至C10-芳基或雜環(huán)基或NR5R6表示五元或六元飽和環(huán),它經(jīng)N鍵接和可以另外含有N或O原子和/或被非離子基團(tuán)取代,R7表示氫,C1-到C16-烷基,C1-到C16-烷氧基或鹵素或R7和R5形成兩元或三元橋連基(Brücke),它可以含有O或N原子和/或被非離子基團(tuán)取代,R8表示氫,C1-到C16-烷基,C1-到C16-烷氧基,鹵素,氰基,C1-到C4-烷氧基羰基,O-CO-R10,NR11-CO-R10,O-SO2-R10或NR11-SO2-R10,R9表示氫,C1-到C4-烷基,氰基,CO-O-R12,CO-NR11R12,CS-O-R12或CS-NR11R12,R10表示氫,C1-到C16-烷基,C4-到C7-環(huán)烷基,C7-到C16-芳烷基,C1-到C16-烷氧基,單或雙-C1-到C16-烷基胺基,C6-到C10-芳基,C6-到C10-芳氧基,C6-到C10-芳基胺基或雜環(huán)基,R11表示氫或C1-到C4-烷基,R12表示C1-到C4-烷基,C4-到C7-環(huán)烷基,C7-到C16-芳烷基或C6-到C10-芳基和An-表示陰離子。
X2也可表示CR3,其中R3具有上述的意義。
環(huán)A與X1,X2和在它們之間鍵接的C-原子一起也可以是部分氫化的雜環(huán)。
合適的非離子基團(tuán)例如是C1-到C4-烷基,C1-到C4-烷氧基,鹵素,氰基,硝基,C1-到C4-烷氧基羰基,C1-到C4-烷硫基,C1-到C4-鏈烷?;坊?,苯甲?;坊瑔?或二-C1-到C4-烷基胺基。
烷基,烷氧基,芳基和雜環(huán)基可以任選含有附加的基團(tuán),如烷基,鹵素,硝基,氰基,CO-NH2,烷氧基,三烷基甲硅烷基,三烷基硅氧基或苯基,該烷基和烷氧基基團(tuán)可以是直鏈或支化的,該烷基可以部分地鹵化或全鹵化,該烷基和烷氧基基團(tuán)可以是乙氧基化或丙氧基化或甲硅烷基化的,在芳基或雜環(huán)基團(tuán)上的相鄰?fù)榛?或烷氧基基團(tuán)可以一起形成三元或四元橋連基和該雜環(huán)基可以是苯并稠合的和/或季化的(quaterniert)。
以下通式的環(huán)A
特別優(yōu)選表示苯并噻唑-2-基,苯并噁唑-2-基,苯并咪唑-2-基,3-H-吲哚-2-基,2-或4-吡啶基或2-或4-喹啉基,其中上述的環(huán)能夠各自被C1-到C6-烷基,C1-到C6-烷氧基,氟,氯,溴,碘,氰基,硝基,C1-到C6-烷氧基羰基,C1-到C6-烷硫基,C1-到C6-酰胺基,C6-到C10-芳基,C6-到C10-芳氧基,C6-到C10-芳基羰基胺基,單或二-C1-到C6-烷基胺基,N-C1-到C6-烷基-N-C6-到C10-芳基胺基,吡咯烷基,嗎啉基或哌嗪基取代。
以下通式的環(huán)A 也特別優(yōu)選表示噻唑-2-基,噻唑啉-2-基,噁唑-2-基,噁唑啉-2-基或二氫吡咯-2-基,其中上述的環(huán)能夠各自被C1-到C6-烷基,C1-到C6-烷氧基,氟,氯,溴,碘,氰基,硝基,C1-到C6-烷氧基羰基,C6-到C10-芳基或C6-到C10-芳氧基取代。
在特別優(yōu)選的形式中,所使用的半菁是具有通式(I)的那些,其中以下通式的環(huán)A 表示苯并噻唑-2-基,苯并咪唑-2-基,3,3-二甲基-3H-吲哚-2-基,嘧啶-2-酮-4-基,2-或4-吡啶基或2-或4-喹啉基,其中上述的基團(tuán)能夠各自被甲基,乙基,甲氧基,乙氧基,氯,氰基,甲氧基羰基或乙氧基羰基取代,R1表示甲基,乙基,丙基,丁基,戊基,己基,芐基,苯乙基,苯基丙基,烯丙基,環(huán)己基,氯乙基,氰基甲基,氰基乙基,氰基-丙基,羥乙基,2-羥丙基,甲氧基乙基,乙氧基乙基或以下通式的基團(tuán)
R2,如果環(huán)A表示苯并咪唑-2-基,具有與R1相同的意義,R5和R6彼此獨(dú)立地表示甲基,乙基,丙基,丁基,戊基,己基,芐基,苯乙基,苯基丙基,環(huán)己基,氯乙基,氰基甲基,氰基乙基,氰基丙基,羥乙基,2-羥丙基,甲氧基乙基,乙氧基乙基,甲氧基羰基乙基,乙氧基羰基乙基,乙酰氧基乙基,丙酰氧基乙基,苯基,甲苯基,甲氧基苯基,氯苯基,氰基苯基或以下通式的基團(tuán) 和R5能夠另外表示氫或NR5R6表示吡咯烷基,哌啶基,N-甲基哌啶基,N-乙基哌啶基,N-羥乙基哌啶基或嗎啉基,R7表示氫,甲基,甲氧基或氯或R7;R5表示-(CH2)2-,-(CH2)3-,-C(CH3)-CH2-C(CH3)2-或-O-(CH2)2-橋連基,R8表示氫,甲基,甲氧基或氯,R9表示氫和An-表示陰離子。
合適的陰離子An-是全部的單價(jià)陰離子或一個(gè)當(dāng)量的多價(jià)陰離子。優(yōu)選該陰離子是無色的。合適的陰離子是,例如,氯離子,溴離子,碘離子,四氟硼酸根,高氯酸根,六氟硅酸根,六氟磷酸根,甲硫酸根,乙硫酸根,C1-到C10-鏈烷烴磺酸根,C1-到C10-全氟鏈烷烴磺酸根,C1-到C10-鏈烷酸根(它任選被氯、羥基或C1-到C4烷氧基取代),苯磺酸根,萘磺酸根或聯(lián)苯磺酸根(它們?nèi)芜x被硝基,氰基,羥基,C1-到C25-烷基,全氟C1-到C4-烷基,C1-到C4-烷氧基羰基或氯所取代),苯二磺酸根,萘二磺酸根或聯(lián)苯二磺酸根(它們?nèi)芜x被硝基,氰基,羥基,C1-到C4-烷基,C1-到C4-烷氧基,C1-到C4-烷氧基羰基或氯取代),苯甲酸根(它任選被硝基,氰基,C1-到C4-烷基,C1-到C4-烷氧基,C1-到C4-烷氧基羰基,苯甲?;?,氯苯甲?;蚣妆锦;〈?,萘二羧酸的陰離子,二苯基醚二磺酸根,四苯基硼酸根,氰基三苯基硼酸根,四-C1-到C20-烷氧基硼酸根,四苯氧基硼酸根,7,8-或7,9-dicarba-nido-undecaborat(1-)或(2-),它們?nèi)芜x在B-和/或C-原子上被一個(gè)或兩個(gè)C1-到C12-烷基或苯基取代, 十二氫-dicarbadodecaborat(2-)或B-C1-到C12-烷基-C-苯基-十二氫-dicarbadodecaborat(1-)。
溴離子,碘離子,四氟硼酸根,高氯酸根,甲烷磺酸根,苯磺酸根,甲苯磺酸根,十二烷基苯磺酸根和十四烷磺酸根是優(yōu)選的。
在非常特別優(yōu)選的形式中,所使用的半菁是具有通式(III)到(VI)的那些
其中R1表示甲基,乙基,丙基,丁基,戊基,己基,芐基,環(huán)己基,氯乙基,氰基甲基,氰基乙基,羥乙基,2-羥丙基,甲氧基乙基,乙氧基乙基或以下通式的基團(tuán) R5和R6彼此獨(dú)立地表示甲基,乙基,丙基,丁基,戊基,己基,芐基,環(huán)己基,氯乙基,氰基乙基,羥乙基,2-羥丙基,甲氧基乙基,乙氧基乙基,甲氧基羰基乙基,乙氧基羰基乙基,乙酰氧基乙基,苯基,甲苯基或甲氧基苯基或NR5R6表示吡咯烷基,N-甲基哌啶基或嗎啉基,R7表示氫或R7;R5表示-(CH2)2-,-C(CH3)-CH2-C(CH3)2-或-O-(CH2)2-橋連基,R8表示氫,R9表示氫和An-表示四氟硼酸根,高氯酸根,六氟硅酸根,碘離子,硫氰酸根,氰酸根,羥基乙酸根,甲氧基乙酸根,乳酸根,檸檬酸根,甲烷磺酸根,乙烷磺酸根,苯磺酸根,甲苯磺酸根,丁基苯磺酸根,氯苯磺酸根,十二烷基苯磺酸根或萘磺酸根。
An-也能夠表示六氟磷酸根。
在還非常特別優(yōu)選的形式中,所使用的半菁是具有通式(IIIa)和(IVa)的那些
其中R1表示甲基,乙基,丙基,丁基,戊基,己基,芐基,環(huán)己基,氯乙基,氰基甲基,氰基乙基,羥乙基,2-羥丙基,甲氧基乙基,乙氧基乙基或以下通式的基團(tuán) R5和R6彼此獨(dú)立地表示甲基,乙基,丙基,丁基,戊基,己基,芐基,環(huán)己基,氯乙基,羥乙基,2-羥丙基,甲氧基乙基,乙氧基乙基,甲氧基羰基乙基,乙氧基羰基乙基,乙酰氧基乙基,苯基,甲苯基或甲氧基苯基或NR5R6表示吡咯烷基,N-甲基哌啶基,嗎啉基或N,N-雙-(2-氰基-乙基)氨基,R7表示氫或R7;R5表示-(CH2)2-,-C(CH3)-CH2-C(CH3)2-或-O-(CH2)2-橋連基,R8表示氫,R9表示氫,
R13表示氫,甲基,甲氧基,氯,硝基,氰基或甲氧基羰基,R14表示氫,甲基,甲氧基或乙氧基和An-表示四氟硼酸根,高氯酸根,六氟硅酸根,六氟磷酸根,碘離子,硫氰酸根,氰酸根,羥基乙酸根,甲氧基乙酸根,乳酸根,檸檬酸根,甲烷磺酸根,乙烷磺酸根,苯磺酸根,甲苯磺酸根,丁基苯磺酸根,氯苯磺酸根,十二烷基苯磺酸根或萘磺酸根。
優(yōu)選R13表示氫,甲基,甲氧基或甲氧基羰基和R14表示氫。
在也非常特別優(yōu)選的形式中,所使用的半菁是具有通式(VII)到(IX)的那些 其中R1表示甲基,乙基,丙基,丁基,戊基,己基,芐基,環(huán)己基,氯乙基,氰基甲基,氰基乙基,羥乙基,2-羥丙基,甲氧基乙基,乙氧基乙基或以下通式的基團(tuán)
R5和R6彼此獨(dú)立地表示甲基,乙基,丙基,丁基,戊基,己基,芐基,環(huán)己基,氯乙基,氰基乙基,羥乙基,2-羥丙基,甲氧基乙基,乙氧基乙基,甲氧基羰基乙基,乙氧基羰基乙基,乙酰氧基乙基,苯基,甲苯基或甲氧基苯基或NR5R6表示吡咯烷基,N-甲基哌啶基或嗎啉基,R7表示氫或R7;R5表示-(CH2)2-,-C(CH3)-CH2-C(CH3)2-或-O-(CH2)2-橋連基,R8表示氫,R9表示氫,An-表示四氟硼酸根,高氯酸根,六氟硅酸根,六氟磷酸根,碘離子,硫氰酸根,氰酸根,羥基乙酸根,甲氧基乙酸根,乳酸根,檸檬酸根,甲烷磺酸根,乙烷磺酸根,苯磺酸根,甲苯磺酸根,丁基苯磺酸根,氯苯磺酸根,十二烷基苯磺酸根或萘磺酸根。
對(duì)于利用藍(lán)光激光器的光進(jìn)行記錄和讀的根據(jù)本發(fā)明的一次寫入型可記錄的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì),此類半菁染料是優(yōu)選的,它的最大吸收λmax2是在420-550nm范圍,其中在波長(zhǎng)λmax2處的最大吸收的短波側(cè)翼(Flanke)中的消光值是在λmax2處的消光值的一半的那一波長(zhǎng)λ1/2和在波長(zhǎng)λmax2處的最大吸收的短波側(cè)翼中的消光值是在λmax2處的消光值的十分之一的那一波長(zhǎng)λ1/10優(yōu)選在各情況下彼此相隔不超過50nm。此類半菁染料優(yōu)選在不大于350nm,特別優(yōu)選不大于320nm,和非常特別優(yōu)選不大于290nm的波長(zhǎng)下不顯示出更短波最大值λmax1。
優(yōu)選的半菁染料是具有410到530nm的最大吸收λmax2的那些染料。
特別優(yōu)選的半菁染料是具有420到510nm的最大吸收λmax2的那些染料。
非常特別優(yōu)選的半菁染料是具有430到500nm的最大吸收λmax2的那些染料。
在這些半菁染料中,如以上所定義的λ1/2和λ1/10優(yōu)選彼此相隔不超過40nm,特別優(yōu)選相隔不超過30nm,非常特別優(yōu)選相隔不超過20nm。
對(duì)于利用紅光激光器的光進(jìn)行記錄和讀的根據(jù)本發(fā)明的一次寫入型可記錄的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì),此類半菁染料是優(yōu)選的它的最大吸收λmax2是在500-650nm范圍,其中在波長(zhǎng)λmax2處的最大吸收的長(zhǎng)波側(cè)翼中的消光值是在λmax2處的消光值的一半的那一波長(zhǎng)λ1/2和在波長(zhǎng)λmax2處的最大吸收的長(zhǎng)波側(cè)翼中的消光值是在λmax2處的消光值的十分之一的那一波長(zhǎng)λ1/10優(yōu)選在各情況下彼此相隔不超過50nm。此類半菁染料優(yōu)選在不大于750nm,特別優(yōu)選不大于800nm,和非常特別優(yōu)選不大于850nm的波長(zhǎng)下不顯示出更長(zhǎng)波最大值λmax3。
優(yōu)選的半菁染料是具有530到630nm的最大吸收λmax2的那些染料。
特別優(yōu)選的半菁染料是具有550到620nm的最大吸收λmax2的那些染料。
非常特別優(yōu)選的半菁染料是具有580到610nm的最大吸收λmax2的那些染料。
在這些半菁染料中,如以上所定義的λ1/2和λ1/10優(yōu)選彼此相隔不超過40nm,特別優(yōu)選相隔不超過30nm,非常特別優(yōu)選相隔不超過20nm。
在最大吸收λmax2處半菁染料具有>40000l/mol cm,優(yōu)選>60000l/mol cm,特別優(yōu)選>80000l/mol cm和非常特別優(yōu)選>100000l/molcm的摩爾消光系數(shù)ε。
該吸收光譜例如在溶液中測(cè)量。
具有所需的光譜性質(zhì)的合適半菁尤其是其中偶極矩變化Δμ=|μg-μag|,即在基態(tài)下的偶極矩與在第一激發(fā)態(tài)之間的正的差值是盡可能小的,優(yōu)選<5D,和特別優(yōu)選<2D的那些染料。測(cè)定該偶極矩變化Δμ的一種方法例如描述在F.Würthner等,Angew.Chem.1997,109,2933和其中所列舉的文獻(xiàn)中。低的溶劑化顯色(Solvatochromie)(甲醇/二氯甲烷)也是合適的選擇標(biāo)準(zhǔn)。優(yōu)選的半菁是這樣的染料,它的溶劑化顯色Δλ=|λ二氯甲烷-λ甲醇|,即在溶劑二氯甲烷和甲醇中的吸收波長(zhǎng)之間的正的差異是<25nm,特別優(yōu)選<15nm,非常特別優(yōu)選<5nm。
根據(jù)本發(fā)明來說非常特別優(yōu)選的半菁是具有通式(III)和(V)的那些。
通式(I)和(III)到(VI)的半菁,例如,可以從DE-OS 2 932 092,DE-P891120,DE-P 721 020和DE-OS 1 569 606中獲知。
所述的吸光性物質(zhì)確保了未記錄狀態(tài)的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的足夠高的反射率(>10%)和在用聚焦光的點(diǎn)式照射時(shí)足夠高的吸收以實(shí)現(xiàn)信息層的熱降解,如果光的波長(zhǎng)是在360-460nm和600-680nm范圍的話。在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的記錄和未記錄區(qū)域之間的對(duì)比度可通過根據(jù)入射光的波幅(Amplitude)和相而言的反射率變化來獲得,這是通過在熱降解之后信息層的變化的光學(xué)性質(zhì)。
該半菁染料優(yōu)選通過旋涂方法或真空蒸發(fā)涂敷方法被施涂于光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)上。該半菁能夠相互或與其它具有類似物光譜性質(zhì)的染料混合。信息層能夠不僅含有半菁染料,而且含有諸如粘結(jié)劑,潤(rùn)濕劑,穩(wěn)定劑,稀釋劑和增感劑以及其它成分之類的添加劑。
除信息層外,光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)能夠含有其它層,如金屬層,電介質(zhì)層和保護(hù)層。金屬和電介質(zhì)層特別用于調(diào)節(jié)反射率和熱平衡。取決于激光波長(zhǎng),金屬能夠是金,銀或鋁等等。電介質(zhì)層例如是二氧化硅和氮化硅。保護(hù)層是,例如,可光致固化的涂層,粘合層和保護(hù)膜。
粘合劑層能夠由壓敏材料組成。
本發(fā)明還涉及含有優(yōu)選透明的基材的一次寫入型可記錄的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì),在基材的表面上施涂至少一層光可記錄的信息層,任選的反射層和/或任選的保護(hù)層,該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)能夠利用藍(lán)光(優(yōu)選激光)來記錄和讀,其中信息層含有至少一種上述的吸光性化合物和任選的粘結(jié)劑,潤(rùn)濕劑,穩(wěn)定劑,稀釋劑和增感劑以及其它成分。另外地,該光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的組合結(jié)構(gòu)能夠含有·優(yōu)選透明的基材,它的表面施涂了至少一層的光可記錄的信息層,任選的反射層和任選的粘合劑層,和附加的、優(yōu)選透明的基材。
·優(yōu)選透明的基材,它的表面施涂了任選的反射層,至少一層的光可記錄的信息層,任選的粘合劑層和透明的頂層(Abdeckschicht)。
壓敏粘合劑層主要由丙烯酸粘合劑組成。Nitto Denko DA-8320或DA-8310,它們?cè)趯@鸍P-A11-273147中公開,能夠例如用于這一目的。
該光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)具有,例如,下列層狀組合結(jié)構(gòu)(參見

圖1)透明基材(1),任選的保護(hù)層(2),信息層(3),任選的保護(hù)層(4),任選的粘合劑層(5)和頂層(6)。
優(yōu)選,該光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)組合結(jié)構(gòu)能夠含有-優(yōu)選透明的基材(1),它的表面涂敷了能夠利用光(優(yōu)選激光)進(jìn)行記錄的至少一層光可記錄的信息層(3),任選的保護(hù)層(4),任選的粘合劑層(5)和透明頂層(6);-優(yōu)選透明的基材(1),它的表面涂敷了保護(hù)層(2),能夠利用光(優(yōu)選激光)進(jìn)行記錄的至少一層信息層(3),任選的粘合劑層(5)和透明頂層(6);-優(yōu)選透明的基材(1),它的表面涂敷了任選的保護(hù)層(2),能夠利用光(優(yōu)選激光)進(jìn)行記錄的至少一層信息層(3),任選的保護(hù)層(4),任選的粘合劑層(5)和透明頂層(6);-優(yōu)選透明的基材(1),它的表面涂敷了能夠利用光(優(yōu)選激光)進(jìn)行記錄的至少一層信息層(3),任選的粘合劑層(5)和透明頂層(6);另外地,光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)具有例如下列層狀組合結(jié)構(gòu)(參見圖2)優(yōu)選透明的基材(11),信息層(12),任選的反射層(13),任選的粘合劑層(14),和附加的、優(yōu)選透明的基材(15)。
本發(fā)明還涉及利用藍(lán)光或紅光,尤其激光來記錄的根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。
下列實(shí)施例用于說明本發(fā)明的主題實(shí)施例實(shí)施例11.4g的5-二甲基胺基呋喃-2-羧醛和1.74g的1,3,3-三甲基-2-亞甲基-3H-吲哚在5ml的冰醋酸和1ml的乙酸酐的混合物中于40℃攪拌2小時(shí)。在冷卻之后,將混合物排出到已溶解了2.6g的四氟硼酸鈉的80ml水中?;旌衔锉怀闉V出來,殘留物用水洗滌和干燥。獲得了1.6g(理論值的42%)的以下通式的紅色粉 M.p.=218℃λmax(甲醇)=551nmε=87670l/mol cmλ1/2-λ1/10(短波側(cè)翼)=41nmλ1/2-λ1/10(長(zhǎng)波側(cè)翼)=30nm溶解度在TFP(2,2,3,3-四氟丙醇)中>2%玻璃狀的膜同樣合適的半菁染料示于下表中



1)在甲醇中,除非另外說明。
2)Δλ=|λ二氯甲烷-λ甲醇|3)在短波側(cè)翼上4)在長(zhǎng)波側(cè)翼上5)在水中實(shí)施例34在室溫下制備實(shí)施例2的染料在2,2,3,3-四氟丙醇中的4wt%的溶液。這一溶液利用旋涂法被施涂于預(yù)先刻槽的(pregrooved)聚碳酸酯基材上。該預(yù)先刻槽的聚碳酸酯基材是通過注塑方法以盤片形式制造。盤片和槽結(jié)構(gòu)的尺寸對(duì)應(yīng)于通常用于DVD-R的那些。有染料層作為信息載體的該盤片通過汽相鍍覆法涂敷了100nm的銀。UV可固化的丙烯酸清漆隨后通過旋涂法進(jìn)行涂敷和利用UV燈來固化。使用建造在光具座(Bank)上的動(dòng)態(tài)記錄試驗(yàn)裝置,該裝置由用于產(chǎn)生線式偏振光的二極管激光器(λ=405nm),偏振-敏感的光束分裂器,λ/4-板(Plttchen)和具有數(shù)值孔徑NA=0.65的可移動(dòng)的懸掛式會(huì)聚透鏡(調(diào)節(jié)透鏡(Aktuatorlinse))組成。從盤片的反射層上反射的光利用上述偏振-敏感的光束分裂器從射束路徑中分出并利用像散透鏡聚焦在四象限的(Vierquadranten)檢測(cè)器上。在線性速度V=2.6m/s和記錄(寫)功率Pw=13.2mW下,測(cè)量信/噪比C/N=47dB。這里,該記錄功率是按照振蕩脈沖序列來施加,該盤片交替地用上述記錄功率Pw輻射1μs和用讀取功率Pr≈0.44mW輻射4μs。該盤片用這一振蕩脈沖序列輻射,直至它繞自身旋轉(zhuǎn)一次。所產(chǎn)生的標(biāo)記然后使用讀取功率Pr≈0.44mW來讀取和測(cè)量上述的信/噪比C/N。
類似地通過使用以上表中的其它實(shí)施例獲得了光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。
權(quán)利要求
1.含有優(yōu)選透明的基材的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì),該基材任選地已涂敷了一層或多層的反射層和在其表面上施涂光可記錄的信息層,任選的一層或多層反射層和任選的保護(hù)層或附加的基材或頂層,該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)能夠利用藍(lán)光或紅光,優(yōu)選激光來記錄和讀,其中信息層含有吸光性化合物和任選的粘結(jié)劑,特征在于至少一種半菁染料用作該吸光性化合物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì),特征在于該半菁對(duì)應(yīng)于通式I 其中X1表示氮或X1-R1表示S,X2表示O,S,N-R2或CR3R4,R1和R2彼此獨(dú)立地表示C1-到C16-烷基,C3-到C6-鏈烯基,C5-到C7-環(huán)烷基或C7-到C16-芳烷基,R3和R4彼此獨(dú)立地表示C1-至C4-烷基或CR3R4表示下式的二價(jià)基團(tuán) 或 其中兩個(gè)鍵是從星號(hào)(*)標(biāo)記的環(huán)原子上引出,A與X1,X2和它們之間鍵接的C-原子一起表示含有1-4個(gè)雜原子的五元或六元芳族或準(zhǔn)芳族雜環(huán)和/或可以是苯并-或萘并-稠合的和/或被非離子基團(tuán)取代,R5和R6彼此獨(dú)立地表示氫,C1-至C16-烷基,C4-至C7-環(huán)烷基,C7-至C16-芳烷基,C6-至C10-芳基或雜環(huán)基或NR5R6表示五元或六元飽和環(huán),它經(jīng)N鍵接和可以另外含有N或O原子和/或能夠被非離子基團(tuán)取代,R7表示氫,C1-到C16-烷基,C1-到C16-烷氧基或鹵素或R7和R5形成兩元或三元橋連基,它可以含有O或N原子和/或能夠被非離子基團(tuán)取代,R8表示氫,C1-到C16-烷基,C1-到C16-烷氧基,鹵素,氰基,C1-到C4-烷氧基羰基,O-CO-R10,NR11-CO-R10,O-SO2-R10或NR11-SO2-R10,R9表示氫,C1-到C4-烷基,氰基,CO-O-R12,CO-NR11R12,CS-O-R12或CS-NR11R12,R10表示氫,C1-到C16-烷基,C4-到C7-環(huán)烷基,C7-到C16-芳烷基,C1-到C16-烷氧基,單或雙-C1-到C16-烷基胺基,C6-到C10-芳基,C6-到C10-芳氧基,C6-到C10-芳基胺基或雜環(huán)基,R11表示氫或C1-到C4-烷基,R12表示C1-到C4-烷基,C4-到C7-環(huán)烷基,C7-到C16-芳烷基或C6-到C10-芳基和An-表示陰離子。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì),特征在于在通式(I)中以下通式的環(huán)A 特別優(yōu)選表示苯并噻唑-2-基,苯并噁唑-2-基,苯并咪唑-2-基,3-H-吲哚-2-基,嘧啶-2-酮-4-基或2-或4-喹啉基,其中上述的環(huán)能夠各自被C1-到C6-烷基,C1-到C6-烷氧基,氟,氯,溴,碘,氰基,硝基,C1-到C6-烷氧基羰基,C1-到C6-烷硫基,C1-到C6-酰胺基,C6-到C10-芳基,C6-到C10-芳氧基,C6-到C10-芳基羰基胺基,單或二-C1-到C6-烷基胺基,N-C1-到C6-烷基-N-C6-到C10-芳基胺基,吡咯烷基,嗎啉基或哌嗪基取代。
4.根據(jù)權(quán)利要求2-3中一項(xiàng)或多項(xiàng)的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì),特征在于該半菁對(duì)應(yīng)于通式(I),其中以下通式的環(huán)A 表示苯并噻唑-2-基,苯并咪唑-2-基,3,3-二甲基-3H-吲哚-2-基,嘧啶-2-酮-4-基,2-或4-吡啶基或2-或4-喹啉基,其中上述的環(huán)能夠各自被甲基,乙基,甲氧基,乙氧基,氯,氰基,甲氧基羰基或乙氧基羰基取代,R1表示甲基,乙基,丙基,丁基,戊基,己基,芐基,苯乙基,苯基丙基,烯丙基,環(huán)己基,氯乙基,氰基甲基,氰基乙基,氰基丙基,羥乙基,2-羥丙基,甲氧基乙基,乙氧基乙基或以下通式的基團(tuán) R2,如果環(huán)A表示苯并咪唑-2-基,具有與R1相同的意義,R5和R6彼此獨(dú)立地表示甲基,乙基,丙基,丁基,戊基,己基,芐基,苯乙基,苯基丙基,環(huán)己基,氯乙基,氰基甲基,氰基乙基,氰基丙基,羥乙基,2-羥丙基,甲氧基乙基,乙氧基乙基,甲氧基羰基乙基,乙氧基羰基乙基,乙酰氧基乙基,丙酰氧基乙基,苯基,甲苯基,甲氧基苯基,氯苯基,氰基苯基或以下通式的基團(tuán) 和R5能夠另外表示氫或NR5R6表示吡咯烷基,哌啶基,N-甲基哌啶基,N-乙基哌啶基,N-羥乙基哌啶基或嗎啉基,R7表示氫,甲基,甲氧基或氯或R7;R5表示-(CH2)2-,-(CH2)3-,-C(CH3)-CH2-C(CH3)2-或-O-(CH2)2-橋連基,R8表示氫,甲基,甲氧基或氯,R9表示氫和An-表示陰離子。
5.根據(jù)權(quán)利要求2的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì),特征在于在通式(I)中,以下通式的環(huán)A 表示噻唑-2-基,噻唑啉-2-基,噁唑-2-基,噁唑啉-2-基或二氫吡咯-2-基,其中上述的環(huán)能夠各自被C1-到C6-烷基,C1-到C6-烷氧基,氟,氯,溴,碘,氰基,硝基,C1-到C6-烷氧基羰基,C6-到C10-芳基或C6-到C10-芳氧基取代。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-4中一項(xiàng)或多項(xiàng)的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì),特征在于該半菁對(duì)應(yīng)于通式(III) 其中R1表示甲基,乙基,丙基,丁基,戊基,己基,芐基,環(huán)己基,氯乙基,氰基甲基,氰基乙基,羥乙基,2-羥丙基,甲氧基乙基,乙氧基乙基或以下通式的基團(tuán) R5和R6彼此獨(dú)立地表示甲基,乙基,丙基,丁基,戊基,己基,芐基,環(huán)己基,氯乙基,氰基乙基,羥乙基,2-羥丙基,甲氧基乙基,乙氧基乙基,甲氧基羰基乙基,乙氧基羰基乙基,乙酰氧基乙基,苯基,甲苯基或甲氧基苯基或NR5R6表示吡咯烷基,N-甲基哌啶基或嗎啉基,R7表示氫或R7;R5表示-(CH2)2-,-C(CH3)-CH2-C(CH3)2-或-O-(CH2)2-橋連基,R8表示氫,R9表示氫和An-表示四氟硼酸根,高氯酸根,六氟硅酸根,碘離子,硫氰酸根,氰酸根,羥基乙酸根,甲氧基乙酸根,乳酸根,檸檬酸根,甲烷磺酸根,乙烷磺酸根,苯磺酸根,甲苯磺酸根,丁基苯磺酸根,氯苯磺酸根,十二烷基苯磺酸根或萘磺酸根。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-4中一項(xiàng)或多項(xiàng)的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì),特征在于該半菁對(duì)應(yīng)于通式(IV) 其中R1,R5到R9和An-具有在權(quán)利要求5中給出的意義。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-4中一項(xiàng)或多項(xiàng)的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì),特征在于該半菁對(duì)應(yīng)于通式(V) 其中R1,R5到R9和An-具有在權(quán)利要求5中給出的意義。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-4中一項(xiàng)或多項(xiàng)的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì),特征在于該半菁對(duì)應(yīng)于通式(VI) 其中R1,R5到R9和An-具有在權(quán)利要求5中給出的意義。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-4中一項(xiàng)或多項(xiàng)的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì),特征在于該半菁對(duì)應(yīng)于通式(IIIa) 其中R1表示甲基,乙基,丙基,丁基,戊基,己基,芐基,環(huán)己基,氯乙基,氰基甲基,氰基乙基,羥乙基,2-羥丙基,甲氧基乙基,乙氧基乙基或以下通式的基團(tuán) R5和R6彼此獨(dú)立地表示甲基,乙基,丙基,丁基,戊基,己基,芐基,環(huán)己基,氯乙基,羥乙基,2-羥丙基,甲氧基乙基,乙氧基乙基,甲氧基羰基乙基,乙氧基羰基乙基,乙酰氧基乙基,苯基,甲苯基或甲氧基苯基或NR5R6表示吡咯烷基,N-甲基哌啶基,嗎啉基或N,N-雙-(2-氰基-乙基)氨基,R7表示氫或R7;R5表示-(CH2)2-,-C(CH3)-CH2-C(CH3)2-或-O-(CH2)2-橋連基,R8表示氫,R9表示氫,R13表示氫,甲基,甲氧基,氯,硝基,氰基或甲氧基羰基,和An-表示四氟硼酸根,高氯酸根,六氟硅酸根,六氟磷酸根,碘離子,硫氰酸根,氰酸根,羥基乙酸根,甲氧基乙酸根,乳酸根,檸檬酸根,甲烷磺酸根,乙烷磺酸根,苯磺酸根,甲苯磺酸根,丁基苯磺酸根,氯苯磺酸根,十二烷基苯磺酸根或萘磺酸根。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-4中一項(xiàng)或多項(xiàng)的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì),特征在于該半菁對(duì)應(yīng)于通式(IVa) 其中R1表示甲基,乙基,丙基,丁基,戊基,己基,芐基,環(huán)己基,氯乙基,氰基甲基,氰基乙基,羥乙基,2-羥丙基,甲氧基乙基,乙氧基乙基或以下通式的基團(tuán) R5和R6彼此獨(dú)立地表示甲基,乙基,丙基,丁基,戊基,己基,芐基,環(huán)己基,氯乙基,羥乙基,2-羥丙基,甲氧基乙基,乙氧基乙基,甲氧基羰基乙基,乙氧基羰基乙基,乙酰氧基乙基,苯基,甲苯基或甲氧基苯基或NR5R6表示吡咯烷基,N-甲基哌啶基,嗎啉基或N,N-雙-(2-氰基-乙基)氨基,R7表示氫或R7;R5表示-(CH2)2-,-C(CH3)-CH2-C(CH3)2-或-O-(CH2)2-橋連基,R8表示氫,R9表示氫,R14表示氫,甲基,甲氧基或乙氧基和An-表示四氟硼酸根,高氯酸根,六氟硅酸根,六氟磷酸根,碘離子,硫氰酸根,氰酸根,羥基乙酸根,甲氧基乙酸根,乳酸根,檸檬酸根,甲烷磺酸根,乙烷磺酸根,苯磺酸根,甲苯磺酸根,丁基苯磺酸根,氯苯磺酸根,十二烷基苯磺酸根或萘磺酸根。
12.根據(jù)權(quán)利要求1-5中一項(xiàng)或多項(xiàng)的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì),特征在于該半菁對(duì)應(yīng)于通式(VII) 其中R1表示甲基,乙基,丙基,丁基,戊基,己基,芐基,環(huán)己基,氯乙基,氰基甲基,氰基乙基,羥乙基,2-羥丙基,甲氧基乙基,乙氧基乙基或以下通式的基團(tuán) R5和R6彼此獨(dú)立地表示甲基,乙基,丙基,丁基,戊基,己基,芐基,環(huán)己基,氯乙基,氰基乙基,羥乙基,2-羥丙基,甲氧基乙基,乙氧基乙基,甲氧基羰基乙基,乙氧基羰基乙基,乙酰氧基乙基,苯基,甲苯基或甲氧基苯基或NR5R6表示吡咯烷基,N-甲基哌啶基或嗎啉基,R7表示氫或R7;R5表示-(CH2)2-,-C(CH3)-CH2-C(CH3)2-或-O-(CH2)2-橋連基,R8表示氫,R9表示氫,An-表示四氟硼酸根,高氯酸根,六氟硅酸根,六氟磷酸根,碘離子,硫氰酸根,氰酸根,羥基乙酸根,甲氧基乙酸根,乳酸根,檸檬酸根,甲烷磺酸根,乙烷磺酸根,苯磺酸根,甲苯磺酸根,丁基苯磺酸根,氯苯磺酸根,十二烷基苯磺酸根或萘磺酸根。
13.根據(jù)權(quán)利要求1-5中一項(xiàng)或多項(xiàng)的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì),特征在于該半菁對(duì)應(yīng)于通式(VIII) 其中R1表示甲基,乙基,丙基,丁基,戊基,己基,芐基,環(huán)己基,氯乙基,氰基甲基,氰基乙基,羥乙基,2-羥丙基,甲氧基乙基,乙氧基乙基或以下通式的基團(tuán) R5和R6彼此獨(dú)立地表示甲基,乙基,丙基,丁基,戊基,己基,芐基,環(huán)己基,氯乙基,氰基乙基,羥乙基,2-羥丙基,甲氧基乙基,乙氧基乙基,甲氧基羰基乙基,乙氧基羰基乙基,乙酰氧基乙基,苯基,甲苯基或甲氧基苯基或NR5R6表示吡咯烷基,N-甲基哌啶基或嗎啉基,R7表示氫或R7;R5表示-(CH2)2-,-C(CH3)-CH2-C(CH3)2-或-O-(CH2)2-橋連基,R8表示氫,R9表示氫,An-表示四氟硼酸根,高氯酸根,六氟硅酸根,六氟磷酸根,碘離子,硫氰酸根,氰酸根,羥基乙酸根,甲氧基乙酸根,乳酸根,檸檬酸根,甲烷磺酸根,乙烷磺酸根,苯磺酸根,甲苯磺酸根,丁基苯磺酸根,氯苯磺酸根,十二烷基苯磺酸根或萘磺酸根。
14.根據(jù)權(quán)利要求1-5中一項(xiàng)或多項(xiàng)的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì),特征在于該半菁對(duì)應(yīng)于通式(IX) 其中R1表示甲基,乙基,丙基,丁基,戊基,己基,芐基,環(huán)己基,氯乙基,氰基甲基,氰基乙基,羥乙基,2-羥丙基,甲氧基乙基,乙氧基乙基或以下通式的基團(tuán) R5和R6彼此獨(dú)立地表示甲基,乙基,丙基,丁基,戊基,己基,芐基,環(huán)己基,氯乙基,氰基乙基,羥乙基,2-羥丙基,甲氧基乙基,乙氧基乙基,甲氧基羰基乙基,乙氧基羰基乙基,乙酰氧基乙基,苯基,甲苯基或甲氧基苯基或NR5R6表示吡咯烷基,N-甲基哌啶基或嗎啉基,R7表示氫或R7;R5表示-(CH2)2-,-C(CH3)-CH2-C(CH3)2-或-O-(CH2)2-橋連基,R8表示氫,R9表示氫,An-表示四氟硼酸根,高氯酸根,六氟硅酸根,六氟磷酸根,碘離子,硫氰酸根,氰酸根,羥基乙酸根,甲氧基乙酸根,乳酸根,檸檬酸根,甲烷磺酸根,乙烷磺酸根,苯磺酸根,甲苯磺酸根,丁基苯磺酸根,氯苯磺酸根,十二烷基苯磺酸根或萘磺酸根。
15.半菁在一次可記錄的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的信息層中的應(yīng)用,其中半菁具有在420-650nm范圍的最大吸收λmax2。
16.半菁在一次可記錄的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的信息層中的應(yīng)用,其中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)利用藍(lán)光激光來記錄和讀。
17.生產(chǎn)根據(jù)權(quán)利要求1的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的方法,其特征在于,優(yōu)選透明的基材被涂敷了半菁,該基材任選地已涂敷了反射層,任選地與合適的粘結(jié)劑和添加劑和任選的合適溶劑相結(jié)合,以及任選提供了反射層,附加的中間層和任選的保護(hù)層或附加基材或頂層。
18.根據(jù)權(quán)利要求1的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì),它是利用藍(lán)光或紅光,尤其是藍(lán)光,尤其是藍(lán)光激光進(jìn)行記錄的。
全文摘要
本發(fā)明因此涉及含有優(yōu)選透明的基材的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì),該基材任選地已涂敷了一層或多層的反射層和在其表面上施涂光可記錄的信息層,任選的一層或多層反射層和任選的保護(hù)層或附加的基材層或頂層,該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)能夠利用藍(lán)光或紅光(優(yōu)選激光)來記錄和讀,其中信息層含有吸光性化合物和任選的粘結(jié)劑,特征在于至少一種半菁染料用作該吸光性化合物。
文檔編號(hào)C09B23/01GK1527996SQ02810904
公開日2004年9月8日 申請(qǐng)日期2002年3月20日 優(yōu)先權(quán)日2001年3月28日
發(fā)明者H·伯內(nèi)斯, H 伯內(nèi)斯, F·-K·布魯?shù)? げ悸車, W·黑澤, 攬, R·哈根, 固羋廾啄, K·哈森呂克, 遣 , S·科斯特羅米尼, 蠖 , P·蘭登伯格, な┧ , R·奧澤爾, 指穸, T·索默曼, J·-W·施塔維茨, T·比林格爾 申請(qǐng)人:拜爾公司
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