電子緩沖材料和有機電致發(fā)光裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及電子緩沖材料，和有機電致發(fā)光裝置，其包含第一電極、面向第一電極的第二電極、在第一電極與第二電極之間的發(fā)光層，以及在發(fā)光層與第二電極之間的電子傳輸區(qū)域和電子緩沖層。包含本發(fā)明的電子緩沖材料的有機電致發(fā)光裝置具有低驅(qū)動電壓、極佳發(fā)光功效和長使用壽命。
【專利說明】
電子緩沖材料和有機電致發(fā)光裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明涉及電子緩沖材料和有機電致發(fā)光裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]首先由Eastman Kodak的Tang等人在1987年提出發(fā)射綠光的有機電致發(fā)光裝置 (0LED)，其使用TPD/Alq3的雙層，所述雙層由發(fā)光層和電荷傳輸層組成。隨后，快速地研究 有機電致發(fā)光裝置，并且如今已變得商品化。目前，磷光材料(其具有極佳的發(fā)光功效)主要 用于有機電致發(fā)光裝置的面板。已通過使用磷材料將發(fā)射紅光或綠光的有機電致發(fā)光裝置 成功地商品化。然而，用于發(fā)射藍光的磷材料具有以下缺點，其阻礙實現(xiàn)全色顯示：由于損 失過度形成激子，衰減率在高電流下降低，從而降低表現(xiàn);發(fā)藍光的磷材料本身在使用壽命 的長期穩(wěn)定性方面存在問題;并且色彩純度隨時間流逝而快速降低。
[0003] 截至本發(fā)明，已經(jīng)使用熒光材料，但具有若干問題。首先，當在面板制造過程期間 暴露于高溫時，電流特征可變化，其可引起亮度變化。此外，歸因于結(jié)構(gòu)特征，發(fā)光層與電子 注入層之間的界面特征可劣化，其可引起亮度降低。此外，熒光材料與磷光材料相比提供較 低的效率。因此，已嘗試通過研發(fā)特定熒光材料(如蒽類主體與芘類摻雜劑的組合)來改良 效率。然而，所提出的組合使得電洞變得大量被捕獲，其可引起發(fā)光層中的發(fā)光位點偏移到 靠近電洞傳輸層的一側(cè)，從而在界面處發(fā)出光。界面處的發(fā)光可降低裝置的使用壽命，并且 效率不令人滿意。
[0004] 通過改良發(fā)光材料本身來解決熒光材料的前述問題并不簡單。因此，最近，已研究 解決所述問題，其包括改良電荷傳輸材料以改變電荷傳輸特征，以及研發(fā)最佳裝置結(jié)構(gòu)。
[0005] 韓國特許公開專利申請案第10-2012-0092550號披露一種有機電致發(fā)光裝置，其 中阻擋層插入在電子注入層與發(fā)光層之間，其中阻擋層包含有包含吖嗪環(huán)的芳族雜環(huán)衍生 物。然而，先前技術(shù)參考文獻未披露包含以下化合物的電子緩沖材料:其中II連接到咔唑或 與吲哚稠合以形成化合物的主鏈，以及在電子緩沖層中使用所述化合物的有機電致發(fā)光裝 置。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 待解決的問題
[0007] 本發(fā)明的目標是提供電子緩沖材料，其可提供具有低驅(qū)動電壓、極佳發(fā)光功效和 長使用壽命的有機電致發(fā)光裝置;和包含所述電子緩沖材料的有機電致發(fā)光裝置。
[0008] 問題的解決方案
[0009] 本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)以上目標可通過以下各者實現(xiàn):包含由以下式1表示的化合物的電 子緩沖材料;和一種有機電致發(fā)光裝置，其包含第一電極、面向第一電極的第二電極、在第 一電極與第二電極之間的發(fā)光層，以及在發(fā)光層與第二電極之間的電子傳輸區(qū)域和電子緩 沖層，其中所述電子緩沖層包含由以下式1表示的化合物。
[0010]
[0011] 其中
[0012] A表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（5元到30元)雜芳基；
[0013] L表示單鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C6-C30)亞芳基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（5元到 30元)亞雜芳基；
[0014] 表示以下式2a或2b:
[0015]
[0016] R2表示氫、氘、鹵素、氰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C30)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代 的(C6-C30)芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（5元到30元)雜芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C3-C30) 環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C30)烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三(C1-C30)烷基硅烷 基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三（C6-C30)芳基硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二（C1-C30)烷基 (C6-C30)芳基硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基硅烷基、經(jīng)取代 或未經(jīng)取代的單或二(C1-C30)烷基氨基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的單或二(C6-C30)芳基氨基、 經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C30)烷基(C6-C30)芳基氨基或以下式3;或可與咔唑主鏈稠合以 形成經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并咔唑；
[0017]
[0018] X表示0、S、CRiiRi2、NRi3SSiRi3Ri4;
[0019] R3表示氫、氘、鹵素、氰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C30)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代 的(C6-C30)芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（5元到30元)雜芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C3-C30) 環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C30)烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三(C1-C30)烷基硅烷 基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三（C6-C30)芳基硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二（C1-C30)烷基 (C6-C30)芳基硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基硅烷基、經(jīng)取代 或未經(jīng)取代的單或二(C1-C30)烷基氨基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的單或二(C6-C30)芳基氨基或 經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(Cl -C30)烷基(C6-C30)芳基氨基；
[0020] R4、R5、R7和R1Q各自獨立地表示氫、氘、鹵素、氰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C30)烷 基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C6-C30)芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（5元到30元）雜芳基、經(jīng)取代 或未經(jīng)取代的（C3-C30)環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C30)烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代 的三(C1-C30)烷基硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三(C6-C30)芳基硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取 代的二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C30)烷基二(C6-C30) 芳基硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的單或二(C1-C30)烷基氨基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的單或二 (C6-C30)芳基氨基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(Cl -C30)烷基(C6-C30)芳基氨基;或可鍵聯(lián)到相 鄰取代基以形成經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C3-C30)、單環(huán)或多環(huán)、脂環(huán)族或芳族環(huán)，其碳原子可 以由至少一個選自氮、氧和硫的雜原子置換；
[0021] R6、R8和R9各自獨立地表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C30)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代 的(C6-C30)芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（5元到30元)雜芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C3-C30) 環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的單或二(C1-C30)烷基氨基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的單或二(C6-C30)芳基氨基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(Cl -C30)烷基(C6-C30)芳基氨基；
[0022] Rn到R14各自獨立地表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C30)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代 的（C6-C30)芳基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（5元到30元）雜芳基;或可鍵聯(lián)到相鄰取代基以形 成經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C3-C30)、單環(huán)或多環(huán)、脂環(huán)族或芳族環(huán)，其碳原子可由至少一個選 自氮、氧和硫的雜原子置換；
[0023] 8、(3、(1、6和;1^各自獨立地表示0至1」4的整數(shù);其中3、(3、(1、6或;1^是2或更大的整數(shù)，1?2、 R4、R5、R7或Rio中的每一個可相同或不同；
[0024] b表示0到3的整數(shù);其中b是2或更大的整數(shù)，每個R3可相同或不同；
[0025] η表示0或1的整數(shù);m表示1或2的整數(shù)；
[0026] *表示對味唑主鏈的鍵結(jié)位點;并且
[0027](亞)雜芳基含有一個或多個選自8、10、3、？（=0)、3丨和?的雜原子。
[0028]本發(fā)明的作用
[0029] 通過使用本發(fā)明的電子緩沖材料，有機電致發(fā)光裝置可具有低驅(qū)動電壓、極佳發(fā) 光功效和長使用壽命。
【附圖說明】
[0030] 圖1是說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的有機電致發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)的示意性截面 圖；
[0031] 圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的有機電致發(fā)光裝置的電洞傳輸層、發(fā)光層、電子 緩沖層和電子傳輸區(qū)域中的能帶圖；和
[0032] 圖3是電流效率與實例1到3和比較實例1的有機電致發(fā)光裝置的亮度之間的關(guān)系 的圖。
【具體實施方式】
[0033] 在下文中，將詳細地描述本發(fā)明。然而，以下描述意圖說明本發(fā)明，并且不意味以 任何方式限制本發(fā)明的范圍。
[0034] LUM0( "最低未占用分子軌域(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)"）和HOMO ("最高占用分子軌域(Highest Occupied Molecular Orbital)"）具有負性能級。然而，為 方便起見，在本發(fā)明中由絕對值來指示LUM0能級和Η0Μ0能級。因此，當比較LUM0能級與Η0Μ0 能級時，基于其絕對值來進行比較。在本發(fā)明中，通過密度泛函理論(Density Functional Theory; DFT)計算LUM0能級和HOMO能級。
[0035] 本文中，"(Cl-C30)(亞)烷基"表示具有1到30個，優(yōu)選1到20個并且更優(yōu)選1到10個 碳原子的直鏈或分支鏈(亞)烷基，并且包括甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔 丁基等。"(C2-C30)烯基"表示具有2到30個，優(yōu)選2到20個并且更優(yōu)選2到10個碳原子的直鏈 或分支鏈烯基，并且包括乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、2-甲 基丁-2-烯基等。"(C2-C30)炔基"表示具有2到30個，優(yōu)選2到20個并且更優(yōu)選2到10個碳原 子的直鏈或分支鏈炔基，并且包括乙炔基、1-丙炔基、2-丙炔基、1-丁炔基、2-丁炔基、3-丁 炔基、1-甲基戊-2-炔基等。"(C3-C30)環(huán)烷基"表示具有3到30個、優(yōu)選3到20個并且更優(yōu)選3 到7個碳原子的單環(huán)或多環(huán)烴，并且包括環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基等。"(3元到7元)雜 環(huán)烷基"表示具有3到7個，優(yōu)選5到7個環(huán)主鏈原子(包括至少一個選自B、N、0、S、P(=0)、Si 以及P，優(yōu)選〇、S以及N的雜原子)的環(huán)烷基，并且包括四氫呋喃、吡咯烷、硫雜環(huán)戊烷、四氫吡 喃等。此外，" (C6-C30)(亞)芳基"表示來源于芳族烴并且具有6到30個，優(yōu)選6到20個并且更 優(yōu)選6到15個環(huán)主鏈碳原子的單環(huán)或稠環(huán)，并且包括苯基、聯(lián)二苯、聯(lián)三苯、萘基、聯(lián)萘、苯基 奈基、奈基苯基、弗基、苯基弗基、苯并弗基、^苯并弗基、非基、苯基非基、恩基、印基、聯(lián)伸 三苯基、芘基、并四苯基、茈基、屈基、稠四苯基、莽蒽基、螺芴基等。"(5到30元）（亞）雜芳基" 表示具有5到30個環(huán)主鏈原子并且包括至少一個，優(yōu)選1到4個選自由B、N、0、S、P(=0)、Si以 及P組成的群組的雜原子的芳基;可以是單環(huán)或與至少一個苯環(huán)稠合的稠環(huán);可以是部分飽 和的；可以是通過使至少一個雜芳基或芳基經(jīng)單鍵連接到雜芳基所形成的基團；并且包括 單環(huán)型雜芳基，如呋喃基、苯硫基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、噻二唑基、異噻唑基、異 噁唑基、噁唑基、噁二唑基、三嗪基、四嗪基、三唑基、四唑基、呋吖基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶 基、噠嗪基等，以及稠環(huán)型雜芳基，如苯并呋喃基、苯并噻吩基、異苯并呋喃基、二苯并呋喃 基、二苯并噻吩基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并異噻 唑基、苯并異噁唑基、苯并噁唑基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、苯并噻二唑基、喹啉基、異喹 啉基、噌啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、萘啶基、咔唑基、苯并咔唑基、啡噁嗪基、啡啶基、苯并間 二氧雜環(huán)戊烯基、二氫吖啶基等。此外，"鹵素"包括F、Cl、Br和I。
[0036] 本文中，表述"經(jīng)取代或未經(jīng)取代的"中的"經(jīng)取代的"意指某一官能團中的氫原子 由另一個原子或基團，即取代基置換。本發(fā)明的式1的A、L和RgljR 14中經(jīng)取代的（C1-C30)烷 基、經(jīng)取代的（C1-C30)烷氧基、經(jīng)取代的（C3-C30)環(huán)烷基、經(jīng)取代的（C6-C30)(亞）芳基、經(jīng) 取代的（5元到30元）（亞)雜芳基和經(jīng)取代的(C6-C30)芳基(C1-C30)烷基的取代基各自獨立 地是至少一個選自由以下組成的群組的基團：氘、鹵素、氰基、羧基、硝基、羥基、（C1-C30)烷 基、鹵基(C1-C30)烷基、（C2-C30)烯基、（C2-C30)炔基、（C1-C30)烷氧基、（C1-C30)烷硫基、 (C3-C30)環(huán)烷基、（C3-C30)環(huán)烯基、（3元到7元）雜環(huán)烷基、（C6-C30)芳氧基、（C6-C30)芳基 硫基、未經(jīng)取代或經(jīng)(C6-C30)芳基取代的（3元到30元)雜芳基、未經(jīng)取代或經(jīng)(3元到30元） 雜芳基取代的(C6-C30)芳基、三(C1-C30)烷基硅烷基、三(C6-C30)芳基硅烷基、二(C1-C30) 烷基(C6-C30)芳基硅烷基、（C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基硅烷基、氨基、單或二(C1-C30)烷 基氨基、單或二(C6-C30)芳基氨基、（C1-C30)烷基(C6-C30)芳基氨基、（C1-C30)烷基羰基、 (C1-C30)烷氧羰基、（C6-C30)芳基羰基、二(C6-C30)芳基硼基、二(C1-C30)烷基硼基、（C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硼基、（C6-C30)芳基(C1-C30)烷基以及(C1-C30)烷基(C6-C30)芳 基;并且優(yōu)選各自獨立地是至少一個選自由以下組成的群組的基團：（C1-C30)烷基、未經(jīng)取 代或經(jīng)(C6-C30)芳基取代的（3元到30元)雜芳基、未經(jīng)取代或經(jīng)(3元到30元)雜芳基取代的 (C6-C30)芳基、（C6-C30)芳基(Cl -C30)烷基和(Cl -C30)烷基(C6-C30)芳基。
[0037] 根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供包含由式1表示的化合物的電子緩沖材料。電子緩沖 材料表示控制電子流的材料。因此，電子緩沖材料可以是例如捕獲電子、阻擋電子或降低電 子傳輸區(qū)域與發(fā)光層之間的能量勢皇的材料。具體來說，電子緩沖材料可用于有機電致發(fā) 光裝置。在有機電致發(fā)光裝置中，電子緩沖材料可用于制備電子緩沖層，或可添加到另一區(qū) 域(如電子傳輸區(qū)域或發(fā)光層）中?？稍诎l(fā)光層與電子傳輸區(qū)域之間或在電子傳輸區(qū)域與有 機電致發(fā)光裝置的第二電極之間形成電子緩沖層。電子緩沖材料可以是混合物或組合物， 其可進一步包含用于制備有機電致發(fā)光裝置的常規(guī)材料。
[0038] 式1化合物可優(yōu)選由下式4到10中的任一個，并且具體地說，由以下式4、5或7中的 任一個表不。
[0039]
[0040] 其中、A、L、R2 到 R9、a、b、c、d、e、m和 η 如式1 中定義。
[0041] 在式1和4到10中，Α可優(yōu)選地表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的含氮(5元到30元）雜芳基； 并且更優(yōu)選表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的含氮(6元到20元）雜芳基。具體來說，A可表示經(jīng)取代 或未經(jīng)取代的吡啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的嘧啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三嗪基、經(jīng)取代或 未經(jīng)取代的吡嗪基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的喹啉基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的異喹啉基、經(jīng)取代或 未經(jīng)取代的喹啉基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的喹唑啉基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的喹喏啉基或經(jīng)取 代或未經(jīng)取代的萘啶基;并且更確切地說，經(jīng)取代或未經(jīng)取代的吡啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代 的嘧啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三嗪基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的吡嗪基。優(yōu)選的是，A中的經(jīng) 取代的雜芳基的取代基可以是至少一個選自由以下組成的群組的基團：（C1-C10)烷基；未 經(jīng)取代或經(jīng)氘、氰基、鹵素、（C1-C10)烷基、（C6-C20)環(huán)烷基、（C6-C20)芳基、（6元到20元)雜 芳基、二(C6-C20)芳基氨基或三(C6-C20)芳基硅烷基取代的（C6-C20)芳基;和未經(jīng)取代或 經(jīng)氘、氰基、鹵素、（C1-C10)烷基、（C6-C20)環(huán)烷基、（C6-C20)芳基、（6元到20元)雜芳基、二 (C6-C20)芳基氨基或三(C6-C20)芳基硅烷基取代的(6元到20元)雜芳基。
[0042] 在式1和4到10中，L可優(yōu)選地表示單鍵或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C6-C20)亞芳基;并 且更優(yōu)選表示單鍵或未經(jīng)取代的（C6-C18)亞芳基。具體來說，L可表示單鍵、經(jīng)取代或未經(jīng) 取代的苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的萘基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)二苯、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的 聯(lián)三苯、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯基萘基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的萘基苯基。
[0043] 在式1和4到10中，辦可優(yōu)選地表示氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C6-C20)芳基、經(jīng) 取代或未經(jīng)取代的（5元到20元）雜芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的單或二(C6-C20)芳基氨基或 式3,或可與咔唑主鏈稠合以形成經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并咔唑。具體來說，辦可表示氫，或 經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C6-C20)芳基。更確切地說，R 2可表示氫、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯基、 經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二苯并噻吩基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二苯并呋喃基、經(jīng)取代或未經(jīng)取 代的咔唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二苯基氨基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的II基或式3,或可與咔 唑主鏈稠合以形成經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并咔唑。
[0044] 在式3中，X可優(yōu)選地表示0、S、CRnR1:^NR13。R 1Q可優(yōu)選地表示氫或(Cl -C20)烷基。 Rn到Rm各自獨立地可優(yōu)選地表示氫、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C10)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取 代的（C6-C20)芳基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（5元到20元)雜芳基;并且具體來說，可表示氫、 (Cl -C6)烷基、苯基、萘基或聯(lián)二苯。
[0045] 在式1和4到10中，R3、R4、RdPR7各自獨立地可優(yōu)選地表示氫或經(jīng)取代或未經(jīng)取代 的(Cl -C20)烷基。具體來說，R3、R4、R5和R7可表示氫。
[0046] 在式1和4到10中，R6、R8和R9各自獨立地可優(yōu)選地表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C20)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C6-C20)芳基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（6元到20元)雜芳基； 并且更優(yōu)選可表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C6-C20)芳基。具體來說，R6、R8和R9可各自獨立地 表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)二苯或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的萘基。
[0047] 在式1和4到10中，具體來說，a可表示0或1;b可表示0;c、d、e和f可各自獨立地表示 0到2的;η可表示0或1;并且m可表示1。
[0048]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，A表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的含氮(5元到30元)雜芳基;L 表示單鍵或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C6-C20)亞芳基;心表示式2a或2b; R2表示氫、氘、經(jīng)取代或 未經(jīng)取代的(C6-C20)芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（5元到20元)雜芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的 單或二(C6-C20)芳基氨基或式3,或與咔唑主鏈稠合以形成經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并咔唑； X表示0、S、CRnR12SNR13; R1Q表示氫或(C1-C20)烷基;R3、R4、Rs和R7各自獨立地表示氫或經(jīng)取 代或未經(jīng)取代的（C1-C20)烷基;R 6、R8和R9各自獨立地表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C20)烷 基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C6-C20)芳基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（6元到20元）雜芳基;Rn到 Ri4各自獨立地表示氫、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C10)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C6-C20) 芳基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（5元到20元）雜芳基;并且雜芳基含有一個或多個選自N、0和S 的雜原子。
[0049]具體來說，式1化合物包括(但不限于）以下化合物。
[0051] 、:ζ·. 8.·!的.V··· W JnW、+· W .W ·、·* . 55.·???：..'v v 8.-?{>r ^
^ v·^ S.-<ifv> ''?^' w ,%H
[0052]
[0053] 本發(fā)明的化合物可通過所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的合成方法制備。舉例來說，其 可根據(jù)以下反應方案1或2來制備。
[0054][反應方案1]
[0055]
[0056][反應方案2]
[0057]
[0058] 在以上反應方案1和2中，A、L、R2到R9、a、b、c、d、e、m和η如式1中定義，并且Hal表示 鹵素。關(guān)于更多的用于制備本發(fā)明化合物的特定方法，請參考韓國專利申請案第2013-0149733 號。
[0059] 電子緩沖材料可進一步包含由以下式11表示的化合物。
[0060]
[0061 ] 其中
[0062] An和Ar6各自獨立地表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（5元到30元)雜芳基，或經(jīng)取代或未 經(jīng)取代的(C6-C30)芳基；
[0063] L'表示單鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C6-C30)亞芳基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（3元到 30元)亞雜芳基；
[0064] XgljX3各自獨立地表示N或C，其限制條件是XgljX3中的至少一個表示N;
[0065] R15和R16各自獨立地表示氫、氘、鹵素、氰基、羧基、硝基、羥基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代 的(C1-C30)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C6-C30)芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（5元到30元)雜 芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C3-C30)環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C3-C30)環(huán)烯基、經(jīng)取代 或未經(jīng)取代的（3元到7元)雜環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C30)烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng) 取代的三(C1-C30)烷基硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三(C6-C30)芳基硅烷基、經(jīng)取代或未 經(jīng)取代的二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的單或二(C1-C30)烷基氨基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的單 或二(C6-C30)芳基氨基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C30)烷基(C6-C30)芳基氨基，或可鍵聯(lián) 到相鄰取代基以形成經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C3-C30 )、單環(huán)或多環(huán)、脂環(huán)族或芳族環(huán)，其碳原 子可由至少一個選自氮、氧和硫的雜原子置換；
[0066](亞）雜芳基和雜環(huán)烷基各自獨立地含有一個或多個選自8、10、3、？（=0)、3丨和？ 的雜原子;并且
[0067] s和t各自獨立地表示1到4的整數(shù);其中s或t是2或更大的整數(shù)，R15或R16中的每一 個可相同或不同。
[0068] 在式11中，Ar#PAr6優(yōu)選可各自獨立地表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（6元到20元)雜芳 基，或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C6-C20)芳基。具體來說，An和Ar6各自獨立地表示經(jīng)取代或未 經(jīng)取代的苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)二苯、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的萘基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代 的聯(lián)三苯、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯基萘基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的萘基苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取 代的蒽基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的菲基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的II基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的咔唑 基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二苯并噻吩基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二苯并呋喃基。優(yōu)選的是， Ar#PAr6中經(jīng)取代的雜芳基和經(jīng)取代的芳基的取代基可以各自獨立地是（C1-C10)烷基、 (C6-C20)芳基、（6元到20元)雜芳基或二(C6-C20)芳基氨基。
[0069]在式11中，L'優(yōu)選可表示單鍵，或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C6-C20)亞芳基。具體來 說，L'可表示單鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞萘基或經(jīng)取代或未 經(jīng)取代的亞聯(lián)苯基。
[0070] 在式11中，R15和R16優(yōu)選可各自獨立地表示氫、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C6-C20)芳基 或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（5元到20元）雜芳基，或可鍵聯(lián)到相鄰取代基以形成經(jīng)取代或未經(jīng) 取代的（C5-C20)、單環(huán)或多環(huán)芳環(huán)，其碳原子可由至少一個選自氮、氧和硫的雜原子置換； 并且S和t表示1。在式11中，Rl5和Rl6可不為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的莽基。在式11中，Rl5和Rl6可 各自獨立地不與連接到R 15和R16的咔唑主鏈的苯環(huán)形成經(jīng)取代或未經(jīng)取代的II環(huán)。具體來 說，R15和R 16可各自獨立地表示氫、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的萘基、經(jīng) 取代或未經(jīng)取代的聯(lián)二苯、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二苯并噻吩基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二苯 并呋喃基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的咔唑基，或可鍵聯(lián)到相鄰取代基以形成經(jīng)取代或未經(jīng)取代 的苯環(huán)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的茚環(huán)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的吲哚環(huán)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并 噻吩環(huán)或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并呋喃環(huán)。優(yōu)選的是，經(jīng)取代的基團（如r 15和r16中的經(jīng)取 代的雜芳基和經(jīng)取代的芳基）的取代基可各自獨立地是(C1-C10)烷基、（C6-C20)芳基、未經(jīng) 取代或經(jīng)(C6-C20)芳基、二(C6-C20)芳基氨基或三(C6-C20)芳基硅烷基取代的（6元到20 元)雜芳基。
[0071] 根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，An和Ar6可各自獨立地表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（6元 到20元）雜芳基，或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C6-C20)芳基;L '表示單鍵，或經(jīng)取代或未經(jīng)取代 的（C6-C20)亞芳基;R15和R16各自獨立地表示氫、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C6-C20)芳基，或經(jīng) 取代或未經(jīng)取代的（5元到20元)雜芳基，或可鍵聯(lián)到相鄰取代基以形成經(jīng)取代或未經(jīng)取代 的(C5-C20)、單環(huán)或多環(huán)芳環(huán)，其碳原子可由至少一個選自氮、氧和硫的雜原子置換;并且s 和t可表示1。
[0072]具體來說，式11化合物包括(但不限于）以下化合物：
[0075]
[0076] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種有機電致發(fā)光裝置，其包含第一電極、面向第一 電極的第二電極、在第一電極與第二電極之間的發(fā)光層以及在發(fā)光層與第二電極之間的電 子傳輸區(qū)域和電子緩沖層，其中電子緩沖層包含由以上式1表示的化合物。
[0077] 通過在包含第一和第二電極和發(fā)光層的有機電致發(fā)光裝置中的發(fā)光層與第二電 極之間插入電子緩沖層，可通過電子緩沖層的電子親和性LUM0能量來控制電子注入。
[0078] 除式1化合物以外，有機電致發(fā)光裝置中的電子緩沖層可進一步包含式11化合物。 鑒于驅(qū)動電壓和發(fā)光功效，式1化合物與式11化合物之間的重量比在1:99到99:1，優(yōu)選10: 90到90:10并且更優(yōu)選30:70到70:30范圍內(nèi)。
[0079] 當電子緩沖層包含式1化合物和式11化合物時，電子緩沖層中的這些化合物可共 同蒸發(fā)或混合蒸發(fā)。在本文中，共同蒸發(fā)表示用于使兩種或更多種材料以混合物形式沉積 的方法，通過將所述兩種或更多種材料中的每個引入相應坩堝單元中，且向所述單元施加 電流以便每種材料蒸發(fā)來進行。在本文中，混合物蒸發(fā)表示用于使兩種或更多種材料以混 合物形式沉積的方法，通過將所述兩種或更多種材料在一個坩堝單元中混合，隨后沉積，且 向所述單元施加電流以便所述混合物蒸發(fā)來進行。
[0080] 在有機電致發(fā)光裝置中，發(fā)光層可包含主體化合物和摻雜劑化合物。主體化合物 可以是磷光主體化合物或熒光主體化合物。摻雜劑化合物可以是磷光摻雜劑化合物或熒光 摻雜劑化合物。優(yōu)選的是，主體化合物和摻雜劑化合物可以分別是熒光主體化合物和熒光 摻雜劑化合物。電子緩沖層的LUM0能級可高于主體化合物的LUM0能級。具體來說，電子緩沖 層與主體化合物之間的LUM0能級差異可以是0.7eV或更低。舉例來說，電子緩沖層和主體化 合物的LUM0能級可以分別是1.9eV和1.6eV，并且因此LUM0能級差異可以是0.3eV。盡管主體 化合物與電子緩沖層之間的LUM0勢皇可引起驅(qū)動電壓增加，但電子可由于電子緩沖層中所 包含的式1化合物而更容易地轉(zhuǎn)移到主體化合物中。因此，本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置可具 有低驅(qū)動電壓、高發(fā)光功效和長使用壽命。在本文中，具體來說，電子緩沖層的LUM0能級可 表示電子緩沖層中所包含的式1化合物的含量。
[0081 ] 電子緩沖層的LUM0能級可優(yōu)選在1.6到2.3eV范圍內(nèi)，并且更優(yōu)選在1.75到2.05eV 范圍內(nèi)。當電子緩沖層的LUM0能級在上述范圍內(nèi)時，電子無法容易地注射到另一個層中。然 而，如果電子緩沖層包含式1化合物，則有機電致發(fā)光裝置可具有低驅(qū)動電壓、高發(fā)光功效 和長使用壽命。
[0082] 在本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置中，電子傳輸區(qū)域表示將電子從第二電極傳輸?shù)桨l(fā) 光層的區(qū)域。電子傳輸區(qū)域可包含電子傳輸化合物、還原性摻雜劑或其組合。電子傳輸化合 物可以是至少一種選自由以下組成的群組的化合物:噁唑類化合物、異噁唑類化合物、三唑 類化合物、異噻唑類化合物、噁二唑類化合物、噻二唑類化合物、茈類化合物、蒽類化合物、 鋁絡(luò)合物和鎵絡(luò)合物。還原性摻雜劑可以是至少一種選自由以下組成的群組的摻雜劑:堿 金屬、堿金屬化合物、堿土金屬、稀土金屬以及其鹵化物、氧化物和絡(luò)合物。電子傳輸區(qū)域可 包含電子傳輸層、電子注入層或這兩者。電子傳輸層和電子注入層可以各自獨立地由兩個 或更多個層組成。電子緩沖層的LUM0能級可高于或低于電子傳輸區(qū)域的LUM0能級。舉例來 說，電子緩沖層和電子傳輸區(qū)域的LUM0能級可以分別是1.9eV和1.8eV，并且其LUM0能級之 間的差異可以是〇. leV。當電子緩沖層具有所述數(shù)值范圍內(nèi)的LUM0能級時，電子可通過電子 緩沖層容易地注射到發(fā)光層中。電子傳輸區(qū)域的LUM0能級可以是1.7eV或更高，或1.9eV或 更高。在本發(fā)明中，具體來說，電子傳輸區(qū)域的LUM0能級可表示電子傳輸區(qū)域中所包含的電 子傳輸材料的含量。當電子傳輸區(qū)域具有兩個或更多個層時，電子傳輸區(qū)域的LUM0能級可 以是層中所包含的一種材料，所述材料在電子傳輸區(qū)域中并且與電子緩沖層相鄰。
[0083] 具體來說，電子緩沖層的LUM0能級可高于主體化合物和電子傳輸區(qū)域的LUM0能 級。舉例來說，LUM0能級可具有以下關(guān)系：電子緩沖層〉電子傳輸區(qū)域〉主體化合物。根據(jù)前 述LUM0關(guān)系，在發(fā)光層與電子緩沖層之間捕獲電子，其抑制電子注射到發(fā)光層中，并且因此 可引起驅(qū)動電壓增加。然而，包含式1化合物的電子緩沖層可容易地將電子傳遞到發(fā)光層 中，并且因此本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置可具有低驅(qū)動電壓、高發(fā)光功效和長使用壽命。 [0084]可容易地通過已知的許多方法測量LUM0能級。通常，可使用循環(huán)伏安法（cyclic voltametry)或紫外線光電子光譜法（ultraviolet photoelectron spectroscopy;UPS)。 因此，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可容易地了解和測定電子緩沖層、主體材料和電子傳輸區(qū)域中 何者滿足LUM0能級的前述關(guān)系，使得其可容易地實踐本發(fā)明。可按照與LUM0能級相同的方 式容易地測量Η0Μ0能級。
[0085] 本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置中的層可按照發(fā)光層、電子緩沖層、電子傳輸區(qū)域和 第二電極的順序或按照發(fā)光層、電子傳輸區(qū)域、電子緩沖層和第二電極的順序形成。
[0086] 在下文中，參考圖1，將詳細地描述有機電致發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)，和用于制備其的方 法。
[0087] 圖1展示有機電致發(fā)光裝置100,其包含襯底101、形成于基板101上的第一電極 110、形成于第一電極110上的有機層120以及形成于有機層120上并且面向第一電極110的 第二電極130。
[0088] 有機層120包含電洞注入層122、形成于電洞注入層122上的電洞傳輸層123、形成 于電洞傳輸層123上的發(fā)光層125、形成于發(fā)光層125上的電子緩沖層126以及形成于電子緩 沖層126上的電子傳輸區(qū)域129;并且電子傳輸區(qū)域129包含形成于電子緩沖層126上的電子 傳輸層127,和形成于電子傳輸層127上的電子注入層128。
[0089] 襯底101可以是用于有機電致發(fā)光裝置的任何常規(guī)襯底，如玻璃襯底、塑料襯底或 金屬襯底。
[0090] 第一電極110可以是陽極，并且可以用高功函數(shù)材料制備。第一電極110可由所屬 領(lǐng)域中已知的任何方法形成，如真空沈積、濺鍍等。
[0091] 電洞注入層122可以用所屬領(lǐng)域中已知的任何電洞注入材料制備。舉例來說，電洞 注入層122可以由以下式12表示的化合物形成。
[0092]
[0093] 其中R可選自由以下組成的群組:氰基(-CN)、硝基(-N02)、苯磺?；?_S02(C 6H5))、 經(jīng)氰基或硝基取代的(C2-C5)烯基和經(jīng)氰基或硝基取代的苯基。
[0094] 式12化合物具有待結(jié)晶的特征。因此，通過使用所述化合物，電洞注入層122可具 有強度。式12化合物的實例包括以下式的撤1'-0叫1，4,5,8,9，11-六氮雜苯并菲-六甲腈）：
[0095]
[0096] 電洞注入層122可以是單層，或可由兩個或更多個層組成。在后一種情況下，兩個 或更多個層中的一個可包含式12化合物。電洞注入層122的厚度可在約lnm到約l，000nm范 圍內(nèi)，并且優(yōu)選是約5nm到約100nm。可使用已知的許多方法在第一電極110上形成電洞注入 層122，如真空沈積、濕膜形成法、激光誘導熱成像等。
[0097] 電洞傳輸層123可由所屬領(lǐng)域中已知的任何電洞傳輸材料制備。電洞傳輸層123可 以是單層，或可由兩個或更多個層組成。電洞傳輸層123的厚度可在約lnm到約100nm范圍 內(nèi)，并且優(yōu)選是約5nm到約80nm?？墒褂靡阎脑S多方法在電洞注入層122上形成電洞傳輸 層123，如真空沈積、濕膜形成法、激光誘導熱成像等。
[0098] 發(fā)光層125可由主體化合物和摻雜劑化合物制備。主體化合物可以是磷光主體化 合物或熒光主體化合物。摻雜劑化合物可以是磷光摻雜劑化合物或熒光摻雜劑化合物。所 使用的主體化合物和摻雜劑化合物的類別不受特定限制，并且可以是具有前述LUM0能級和 選自所屬領(lǐng)域中已知的化合物的化合物。優(yōu)選的是，主體化合物可以是熒光主體化合物。熒 光主體化合物可以是由以下式13表示的蒽類化合物。
[0099]
[0100] 其中ArjPAn各自獨立地表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C6-C30)芳基，或經(jīng)取代或未 經(jīng)取代的（5元到30元)雜芳基;Ar 3和Ar4各自獨立地表示氫、氘、鹵素、氰基、硝基、羥基、經(jīng)取 代或未經(jīng)取代的（C1-C30)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C6-C30)芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的 (5元到30元)雜芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C3-C30)環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C1-C30) 烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（Cl -C30)烷基硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C6-C30)芳基硅 烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C6-C30)芳基(C1-C30)烷基硅烷基或-NR 21R22; 1?21和1?22各自獨立 地表示氫、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C6-C30)芳基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（5元到30元)雜芳基， 或可彼此結(jié)合以形成（3元到30元）、單環(huán)或多環(huán)、脂環(huán)族或芳族環(huán)，其碳原子可由至少一個 選自氮、氧和硫的雜原子置換;g和h各自獨立地表示1到4的整數(shù);并且其中g(shù)或h是2或更大 的整數(shù)，Ar 3或Ar4中的每一個可相同或不同。
[0101] 在式13中，ArjPAn可各自獨立地優(yōu)選地表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C6-C30)芳基。 具體來說，ArdPAr2可各自獨立地表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)二 苯、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的萘基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的蒽基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的菲基、經(jīng)取 代或未經(jīng)取代的稠四苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的II蒽基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芘基或經(jīng)取 代或未經(jīng)取代的屈基。在式13中，Ar 3和Ar4可各自獨立地優(yōu)選地表示氫、經(jīng)取代或未經(jīng)取代 的(C6-C21)芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（5元到21元)雜芳基或-NR 21R22。
[0102] 具體來說，式13化合物包括(但不限于）以下化合物：
[0103]
[0105]
[0106]
[0107]
[0108] 優(yōu)選的是，摻雜劑化合物可以是熒光摻雜劑化合物。鑒于需要發(fā)射的光顏色，熒光 摻雜劑化合物可優(yōu)選地選自胺類化合物、芳族化合物、螯合劑絡(luò)合物(如三(8-喹啉)鋁絡(luò)合 物）、香豆素衍生物、四苯基丁二烯衍生物、雙苯乙烯基亞芳基、噁二唑衍生物等；更優(yōu)選是 苯乙烯胺化合物、苯乙烯基二胺化合物、芳基胺化合物和芳基二胺化合物;并且甚至更優(yōu)選 是稠合多環(huán)酰胺衍生物。熒光摻雜劑可單獨使用或以兩種或更多種化合物的組合形式使 用。
[0109] 熒光摻雜劑化合物可以是由以下式14表示的稠合多環(huán)胺衍生物。
[0110]
[0111] 其中Ar21表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C6-C50)芳基或苯乙烯基;1^表示單鍵、經(jīng)取代 或未經(jīng)取代的（C6-C30)亞芳基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（3元到30元)亞雜芳基;ΑΓ2#ΡΑΓ23各 自獨立地表示氫、氘、鹵素、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C30)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C6-C30)芳基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（3元到30元）雜芳基，或可鍵聯(lián)到相鄰取代基以形成（3元 到30元）、單環(huán)或多環(huán)、脂環(huán)族或芳族環(huán)，其碳原子可由至少一個選自氮、氧和硫的雜原子置 換;j表示1或2;并且其中j是2,每4
T相同或不同。
[0112] 優(yōu)選六^的芳基包括經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的莽基、經(jīng)取代 或未經(jīng)取代的蒽基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芘基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的屈基、經(jīng)取代或未經(jīng)取 代的苯并II基和螺[莽-苯并莽]等。
[0113] 具體來說，式14化合物包括(但不限于）以下化合物：
[0114]
[0117]
[0118] 當發(fā)光層125包含主體和摻雜劑時，按摻雜劑和發(fā)光層的主體的總量計，摻雜劑可 按小于約25重量％并且優(yōu)選小于17重量％的量摻雜。發(fā)光層125的厚度可在約5nm到約 100nm范圍內(nèi)，并且優(yōu)選是約10nm到約60nm。在發(fā)光層125處發(fā)生發(fā)光。發(fā)光層125可以是單 層，或可由兩個或更多個層組成。當發(fā)光層125由兩個或更多個層組成時，可制備每個層以 發(fā)出彼此不同的顏色。舉例來說，可通過制備三個分別發(fā)出藍光、紅光和綠光的發(fā)光層125 使裝置發(fā)出白光?？墒褂靡阎脑S多方法在電洞傳輸層123上形成發(fā)光層125,如真空沈積、 濕膜形成法、激光誘導熱成像等。
[0119] 電子緩沖層126使用本發(fā)明的式1化合物。式1化合物的細節(jié)如先前描述。電子緩沖 層126的厚度是lnm或更多，但不受特定限制。具體來說，電子緩沖層126的厚度可在2nm到 200nm范圍內(nèi)?？墒褂靡阎脑S多方法在發(fā)光層125上形成電子緩沖層126,如真空沈積、濕 膜形成法、激光誘導熱成像等。
[0120] 電子傳輸層12 7可由所屬領(lǐng)域中已知的任何電子傳輸材料制備，所述材料包括(但 不限于）噁唑類化合物、異噁唑類化合物、三唑類化合物、異噻唑類化合物、噁二唑類化合 物、噻二唑類化合物、茈類化合物、蒽類化合物、鋁絡(luò)合物和鎵絡(luò)合物。蒽類化合物可以是由 以下式15表示的化合物。
[0121]
[0122] 其中R3jljR35各自獨立地表示氫、鹵素、羥基、氰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C30) 烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C1-C30)烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C1-C30)烷基羰基、（C1-C30)烷基羰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C1-C30)烷氧羰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C6-C30)芳 基羰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C2-C30)烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C2-C30)炔基、經(jīng)取代或 未經(jīng)取代的（C6-C30)芳基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（3元到30元)雜芳基，或可鍵聯(lián)到相鄰取 代基以形成(3元到30元）、單環(huán)或多環(huán)、脂環(huán)族或芳族環(huán)，其碳原子可由至少一個選自氮、氧 和硫的雜原子置換;1^表示單鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C30)亞烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代 的（C6-C30)亞芳基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（3元到30元）亞雜芳基；QjljQ 9各自獨立地表示 氫、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C6-C30)芳基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（3元到30元）雜芳基；并且k 表示1到10的整數(shù)。
[0123] 在式15中，優(yōu)選的是，R3jljR35中的一個可以是經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C6-C18)芳 基，或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（5元到18元)雜芳基，其余的如到―可以是氫;〇 2和如可各自獨 立地表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C6-C30)芳基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（3元到30元）雜芳基； Ql、Q3到Q6、Q8和Q9可表不氫;并且k可表不1。
[0124] 特定的式15化合物包括以下化合物：
[0125]
[0126] 優(yōu)選的是，電子傳輸層127可以是包含電子傳輸化合物和還原性摻雜劑的混合層。 在這種情況下，電子傳輸化合物還原成陰離子，并且因此其變得更易于向電致發(fā)光介質(zhì)注 入和傳遞電子?；旌蠈拥碾娮觽鬏敾衔锊皇芴囟ㄏ拗疲⑶铱梢允侨我环N前述已知的電 子傳輸材料。還原性摻雜劑可選自堿金屬、堿金屬化合物、堿土金屬、稀土金屬以及其鹵化 物、氧化物和絡(luò)合物。具體來說，還原性摻雜劑包括(但不限于)喹啉鋰、喹啉鈉、喹啉銫、喹 啉鉀、1^、似(：1、〇8?、1^ 20、83〇和83?2。電子傳輸層127的厚度可在約5到約10〇11111范圍內(nèi)，并 且優(yōu)選是約10到約60nm。可使用已知的許多方法在電子緩沖層126上形成電子傳輸層127， 如真空沈積、濕膜形成法、激光誘導熱成像等。
[0127] 電子注入層128可由所屬領(lǐng)域中已知的任何電子注入材料制備，所述材料包括(但 不限于）喹啉鋰、喹啉鈉、喹啉銫、喹啉鉀、["、^(^、(^^^、^…、^(^陽逆^電子注入層的厚 度可在約0.1到約l0nm范圍內(nèi)，并且優(yōu)選是約0.3到約9nm?？墒褂靡阎脑S多方法在電子傳 輸層上形成電子注入層128,如真空沈積、濕膜形成法、激光誘導熱成像等。
[0128] 第二電極130可以是陰極，并且可由低功函數(shù)材料制備。第二電極130的材料包括 鋁(A1)、鈣(Ca)、鎂(Mg)、銀(Ag)、銫(Cs)、鋰(Li)和其組合。第二電極130可由所屬領(lǐng)域中已 知的任何方法形成，如真空沈積、濺鍍等。
[0129] 前述關(guān)于圖1中所展示的有機電致發(fā)光裝置的說明意圖說明本發(fā)明的一個實施 例，并且不意欲以任何方式限制本發(fā)明的范圍。有機電致發(fā)光裝置可按另一種方式構(gòu)筑。舉 例來說，除發(fā)光層和電子緩沖層以外，圖1的有機電致發(fā)光裝置可不包含任一個任選的組 件，如電洞注入層。此外，其中可進一步包含任選的組件，其包括雜質(zhì)層，如η型摻雜層和P型 摻雜層。有機電致發(fā)光裝置可以是雙側(cè)發(fā)射型，其中在雜質(zhì)層的兩側(cè)的每一側(cè)上安置發(fā)光 層。雜質(zhì)層上的兩個發(fā)光層可發(fā)出不同顏色。有機電致發(fā)光裝置可以是底部發(fā)射型，其中第 一電極是透明電極并且第二電極是反射電極。有機電致發(fā)光裝置可以是頂部發(fā)射型，其中 第一電極是反射電極并且第二電極是透明電極。有機電致發(fā)光裝置可具有顛倒型結(jié)構(gòu)，其 中在襯底上依序堆疊陰極、電子傳輸層、發(fā)光層、電洞傳輸層、電洞注入層和陽極。
[0130]圖2說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的有機電致發(fā)光裝置的電洞傳輸層、發(fā)光層、電 子緩沖層和電子傳輸區(qū)域中的能帶圖。
[0131 ]在圖2中，依序堆疊電洞傳輸層123、發(fā)光層125、電子緩沖層126和電子傳輸區(qū)域 129。由陰極注入的電子通過電子傳輸區(qū)域129和電子緩沖層126傳輸?shù)桨l(fā)光層中。電子緩沖 層126的LUM0能級可高于發(fā)光層125和電子傳輸層127的主體化合物和摻雜劑化合物的LUM0 能級。具體來說，LUM0能級可具有以下關(guān)系：電子緩沖層〉電子傳輸區(qū)域〉主體化合物。根據(jù) 先前技術(shù)，發(fā)光層中的發(fā)光位點由于電洞捕捉而偏移到電洞傳輸層，由此在界面處發(fā)光。然 而，根據(jù)本發(fā)明，電子由于前述電子緩沖層126的LUM0能級而被捕獲，使得發(fā)光層中的發(fā)光 位點可偏移到電子傳輸區(qū)域129中，并且因此可改良有機電致發(fā)光裝置的使用壽命和效率。 同時，電子緩沖層126的HOMO能級高于發(fā)光層125的主體化合物和摻雜劑化合物的HOMO能 級，但可低于或高于電子傳輸區(qū)域129的HOMO能級。
[0132] 在下文中，將參考以下實例詳細地說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的有機電致發(fā)光 裝置的制備方法和所述裝置的發(fā)光特性。
[0133] [比較實例1]制造發(fā)藍光的0LED，其中不包含電子緩沖層
[0?34] 如下制造0LED。OLED (Samsung Corning)的玻璃襯底上的透明電極氧化銦錫（IT0) 薄膜（15 Ω/sq)經(jīng)歷依序用三氯乙烯、丙酮、乙醇和蒸餾水進行的超聲波洗滌，并且接著儲 存于異丙醇中。接著將ΙΤ0襯底安裝在真空氣相沉積設(shè)備的襯底固持器上。將N 4，N4'-二苯 基-N4，N4'-雙(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-[1，1'_聯(lián)二苯]-4,4'_二胺引入真空氣相沉積設(shè)備 的單元中，并且接著控制所述設(shè)備的腔室中的壓力是10- 6托。隨后，向所述單元施加電流以 使上述引入之材料汽化，由此在ΙΤ0基板上形成厚度為60nm的第一電洞注入層。接著，向所 述真空氣相沉積設(shè)備的另一單元引入1，4，5，8，9，11-六氮雜三亞苯基-六甲腈(HAT-CN)，并 且通過向所述單元施加電流蒸發(fā)，由此在第一電洞注入層上形成厚度為5nm的第二電洞注 入層。接著將N-([ 1，Γ -聯(lián)二苯]-4-基)-9，9-二甲基-N-(4-( 9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-H-2-胺(HT-1)引入真空氣相沉積設(shè)備的另一單元，并且通過向所述單元施加電流蒸 發(fā)，由此在第二電洞注入層上形成厚度為20nm的第一電洞傳輸層。接著，將化合物HT-2引入 真空氣相沉積設(shè)備的另一單元中，且通過向所述單元施加電流蒸發(fā)，由此在第一電洞傳輸 層上形成厚度為5nm的第二電洞傳輸層。隨后，將化合物H-1引入真空氣相沉積設(shè)備的一個 單元中作為主體材料，并且將化合物D-38引入另一個單元中作為摻雜劑。使兩種材料按不 同比率汽化，使得摻雜劑按主體和摻雜劑的總量計2重量％的摻雜量沉積，以在電洞傳輸層 上形成厚度為2〇111]1的發(fā)光層。接著將2-(4-(9，1〇-二(蔡-2-基)恩-2-基)苯基)-1-苯基-1!1-苯并[d]咪唑引入一個單元，并且將喹啉鋰引入另一個單元。以相同速率使兩種材料汽化， 使得其分別以50重量％的摻雜量沉積，以在發(fā)光層上形成厚度為35nm的電子傳輸層。在電 子傳輸層上沉積喹啉鋰作為厚度為2nm的電子注入層后，接著通過另一個真空氣相沉積設(shè) 備在所述電子注入層上沉積厚度為80nm的A1陰極。由此制造0LED。用于制造0LED裝置的所 有材料都是通過在ΠΓ 6托下真空升華而純化的材料。
[0135] 圖3展示說明所制造的有機電致發(fā)光裝置的電流效率與亮度的關(guān)系的圖。此外，以 下表1中展示發(fā)光功效、CIE顏色座標、在l，000nit亮度下的驅(qū)動電壓以及在2,000nit和恒 定電流下10小時的使用壽命。
[0136] [實例1到3]制造發(fā)藍光的0LED，其包含根據(jù)本發(fā)明的電子緩沖材料的電子緩沖層
[0137] 除了電子傳輸層的厚度是30nm，并且在發(fā)光層與電子傳輸層之間插入具有5nm厚 度的電子緩沖層以外，按照與比較實例1中相同的方式制造和評估0LED。實例1到3中使用的 電子緩沖材料展示于以下表1和4中。圖3展示說明所制造的有機電致發(fā)光裝置的電流效率 與亮度的關(guān)系的圖。此外，實例1到3中制造的裝置的評估結(jié)果展示于以下表1中。
[0138] [比較實例2和3]制造發(fā)藍光的0LED，其包含常規(guī)電子緩沖材料的電子緩沖層
[0139] 除了 BF-1和BF-65用于電子緩沖材料并且HT-3用于第二電洞傳輸層以外，按照與 實例1中相同的方式制造和評估0LED。比較實例2和3中制造的裝置的評估結(jié)果展示于以下 表1中。
[0140] [表 1]
[0141]
[0142] 由以上表1，應認識到，由于本發(fā)明的電子緩沖材料的電流較迅速，實例1到3的裝 置與比較實例1到3的裝置相比展示更高的效率和更長的使用壽命，其中所述比較實例1到3 的裝置中不包含電子緩沖層或未使用本發(fā)明的電子緩沖材料制備電子緩沖層。實例1到3的 電子緩沖層的LUM0能級是約1.9eV;主體化合物的LUM0能級是約1.6eV;并且電子傳輸層的 LUM0能級是約1.8eV。由圖3，應認識到，實例1到3的有機電致發(fā)光裝置與比較實例1的有機 電致發(fā)光裝置相比在全范圍亮度內(nèi)展示更高的電流效率。
[0143] [比較實例4]制造發(fā)藍光的0LED，其中不包含電子緩沖層
[0144] 除了第二電洞傳輸層的化合物變成以下表4中所展示的HT-3以外，按照與比較實 例1中相同的方式制造0LED。以下表2中展示發(fā)光功效、CIE顏色座標、在l，000nit亮度下的 驅(qū)動電壓以及在2,000nit和恒定電流下亮度從100%降低到90%所花費的時間。
[0145] [實例4到8]制造發(fā)藍光的0LED，其包含根據(jù)本發(fā)明的電子緩沖材料的電子緩沖層
[0146] 除了電子傳輸層的厚度是30nm，并且在發(fā)光層與電子傳輸層之間插入厚度為5nm 且包含電子緩沖材料的電子緩沖層以外，按照與比較實例4中相同的方式制造和評估0LED。 實例4到8中使用的電子緩沖材料展示于以下表2和4中。實例4到8中制造的裝置的評估結(jié)果 展示于以下表2中。
[0147] [表 2]
[0148]
[0150]應認識到，由于本發(fā)明的電子緩沖材料的電流較迅速，實例4到8的裝置具有與比 較實例4中的一個類似的電流特征，但與比較實例4相比展示更高的效率和更長的使用壽 命。
[0151] [比較實例5 ]制造發(fā)綠光的OLED，其中不包含電子緩沖層
[0152] 除了第一電洞傳輸層的厚度是10nm;使用HT-4在第一電洞傳輸層上形成具有30nm 厚度的第二電洞傳輸層;和分別使用H-44和D-88作為主體和摻雜劑以外，按照與比較實例1 中相同的方式制造和評估0LED。根據(jù)發(fā)光功效、CIE顏色座標、在l，000nit亮度下的驅(qū)動電 壓以及在2,000nit和恒定電流下亮度從100%降低到90%所花費的時間來評估所制造的 0LED，并且結(jié)果展不于以下表3中。
[0153][實例9到10]制造發(fā)綠光的0LED，其包含根據(jù)本發(fā)明的電子緩沖材料的電子緩沖 層
[0154] 除了電子傳輸層的厚度是30nm，并且在發(fā)光層與電子傳輸層之間插入厚度為5nm 且包含電子緩沖材料的電子緩沖層以外，按照與比較實例5中相同的方式制造和評估0LED。 實例9和10中使用的電子緩沖材料以及所制造的裝置的評估結(jié)果展示于以下表3中。
[0155] [表 3]
[0156]
[0157] 應認識到，由于本發(fā)明的電子緩沖材料的電流較迅速，實例9到10的裝置具有與比 較實例5中的一個(其中不包含電子緩沖層)類似的電流特征，但與比較實例5相比展示更高 的效率和更長的使用壽命。
[0158] [表4]比較實例和實例的電洞傳輸層的化合物
[0159]
[0160] [實例11到16 ]制造發(fā)藍光的0LED，其包含根據(jù)本發(fā)明的電子緩沖材料的電子緩沖 層
[0161] 除了使用以下表5中所展示的化合物作為電子緩沖材料以外，按照與實例1相同的 方式制造0LED。通過表5中所展示的兩種化合物的共同蒸發(fā)來形成電子緩沖層。根據(jù)發(fā)光功 效、CIE顏色座標、在l，000nit亮度下的驅(qū)動電壓以及在2,000nit和恒定電流下10小時的使 用壽命來評估所制造的0LED，并且結(jié)果展示于以下表5中。
[0162] [表 5]
[0163]
[0164] 由以上表5，應認識到，由于本發(fā)明的電子緩沖材料的電流較迅速，實例11到16的 裝置與表1中所展示的比較實例1到3的裝置相比展示更高的功效和更長的使用壽命，其中 所述比較實例1到3的裝置中不包含電子緩沖層或未使用本發(fā)明的電子緩沖材料制備電子 緩沖層。
[0165] [實例17到18]制造發(fā)藍光的0LED，其包含根據(jù)本發(fā)明的電子緩沖材料的電子緩沖 層
[0166] 除了使用以下表6中所展示的化合物作為電子緩沖材料以外，按照與實例1相同的 方式制造0LED。通過共同蒸發(fā)形成實例17的電子緩沖層，而通過混合蒸發(fā)形成實例18的電 子緩沖層。根據(jù)發(fā)光功效、CIE顏色座標、在l，000nit亮度下的驅(qū)動電壓以及在2,000nit和 恒定電流下10小時的使用壽命來評估所制造的0LED，并且結(jié)果展示于以下表6中。
[0167] [表 6]
[0168]
[0169] 由以上表6，應認識到，由于本發(fā)明的電子緩沖材料的電流較迅速，實例17和18的 裝置與表1中所展示的比較實例1到3的裝置相比展示更高的功效，其中所述比較實例1到3 的裝置中不包含電子緩沖層或未使用本發(fā)明的電子緩沖材料制備電子緩沖層。具體來說， 使用壽命顯著增強97.4%。此外，B-145和BF-6具有相同沉積溫度，并且因此適用于混合蒸 發(fā)。實例18展示可通過與材料的混合蒸發(fā)來形成電子緩沖層。真空氣相沉積設(shè)備中化合物 的各別沉積溫度展示于以下表7中。電子緩沖層的混合蒸發(fā)方法的優(yōu)勢在于可保持裝置特 征直到坩堝中的全部材料耗盡。
[0170] [表 7]
[0171]
[0172] 參考數(shù)字說明
[0173] 100:有機電致發(fā)光裝置 101:襯底
[0174] 110:第一電極 120:有機層
[0175] 122:電洞注入層 123:電洞傳輸層
[0176] 125:發(fā)光層 126:電子緩沖層
[0177] 127:電子傳輸層 128:電子注入層
[0178] 129:電子傳輸區(qū)域 130:第二電極
【主權(quán)項】
1. 一種電子緩沖材料，其包含由以下式1表不的化合物： 其中A表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（5元到30元)雜芳基； L表示單鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C6-C30)亞芳基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（5元到30元） 亞雜芳基； Ri表示以下式2a或2b:R2表示氫、氘、鹵素、氰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C30)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的 (C6-C30)芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（5元到30元)雜芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C3-C30)環(huán) 烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C30)烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三(C1-C30)烷基硅烷基、 經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三(C6-C30)芳基硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二（C1-C30)烷基（C6-C30)芳基硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基硅烷基、經(jīng)取代或未 經(jīng)取代的單或二(C1-C30)烷基氨基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的單或二(C6-C30)芳基氨基、經(jīng)取 代或未經(jīng)取代的（C1-C30)烷基(C6-C30)芳基氨基或以下式3;或可與咔唑主鏈稠合以形成 經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并咔唑； X 表示0、S、CRnR12、順13或 Si R13Ri4;R3表示氫、氘、鹵素、氰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C30)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的 (C6-C30)芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（5元到30元)雜芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C3-C30)環(huán) 烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C30)烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三(C1-C30)烷基硅烷基、 經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三(C6-C30)芳基硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二（C1-C30)烷基（C6-C30)芳基硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基硅烷基、經(jīng)取代或未 經(jīng)取代的單或二(C1-C30)烷基氨基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的單或二(C6-C30)芳基氨基或經(jīng)取 代或未經(jīng)取代的(Cl -C30)烷基(C6-C30)芳基氨基； R4、R5、R7和R1Q各自獨立地表示氫、氘、鹵素、氰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C30)烷基、 經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C6-C30)芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（5元到30元)雜芳基、經(jīng)取代或未 經(jīng)取代的（C3-C30)環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C30)烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三 (C1-C30)烷基硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三(C6-C30)芳基硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的 二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基 硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的單或二(C1-C30)烷基氨基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的單或二(C6-C30)芳基氨基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C30)烷基(C6-C30)芳基氨基;或可鍵聯(lián)到相鄰取 代基以形成經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C3-C30)、單環(huán)或多環(huán)、脂環(huán)族或芳族環(huán)，其碳原子可以由 至少一個選自氮、氧和硫的雜原子置換； R6、R8和R9各自獨立地表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C30)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的 (C6-C30)芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（5元到30元)雜芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C3-C30)環(huán) 烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的單或二（C1-C30)烷基氨基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的單或二（C6-C30)芳基氨基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(Cl -C30)烷基(C6-C30)芳基氨基； Rn到Ri4各自獨立地表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C30)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C6-C30)芳基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（5元到30元）雜芳基;或可鍵聯(lián)到相鄰取代基以形成經(jīng)取 代或未經(jīng)取代的（C3-C30 )、單環(huán)或多環(huán)、脂環(huán)族或芳族環(huán)，其碳原子可由至少一個選自氮、 氧和硫的雜原子置換； 8、(3、(1、6和；1^各自獨立地表示0到4的整數(shù);其中3、(3、(1、6或；1^是2或更大的整數(shù)，1?2、1?4、1?5、 R7或Rio中的每一個可相同或不同； b表示0到3的整數(shù);其中b是2或更大的整數(shù)，每個R3可相同或不同； η表示0或1的整數(shù);m表示1或2的整數(shù)； *表示對所述味唑主鏈的鍵結(jié)位點；并且 所述(亞)雜芳基含有一個或多個選自^0、3、？(=0)、31和?的雜原子。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子緩沖材料，其中A表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的含氮(5元到30 元)雜芳基;L表示單鍵或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C6-C20)亞芳基;R!表示式2a或2b; R2表示氫、 氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C6-C20)芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（5元到20元）雜芳基、經(jīng)取代 或未經(jīng)取代的單或二(C6-C20)芳基氨基或式3,或可與所述咔唑主鏈稠合以形成經(jīng)取代或 未經(jīng)取代的苯并咔唑;X表示0、S、CRnR 1:^NR13; R1Q表示氫或(Cl -C20)烷基;R3、R4、Rs和R7各 自獨立地表示氫或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C1-C20)烷基;R 6、R8和R9各自獨立地表示經(jīng)取代或 未經(jīng)取代的(C1-C20)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C6-C20)芳基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（6元 到20元)雜芳基;Rn到R 14各自獨立地表示氫、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C10)烷基、經(jīng)取代或 未經(jīng)取代的（C6-C20)芳基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（5元到20元)雜芳基;并且所述雜芳基含 有一個或多個選自N、0和S的雜原子。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子緩沖材料，其中所述式1化合物選自由以下組成的群組：4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子緩沖材料，其中進一步包含由以下式11表示的化合物： 其中An和Ar6各自獨立地表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（5元到30元)雜芳基，或經(jīng)取代或未經(jīng)取 代的(C6-C30)芳基； L'表示單鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C6-C30)亞芳基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（3元到30 元)亞雜芳基； X^I」X3各自獨立地表示N或C，其限制條件是xgljx3中的至少一個表示N; R15和R16各自獨立地表示氫、氘、鹵素、氰基、羧基、硝基、羥基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C1-C30)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C6-C30)芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（5元到30元)雜芳基、 經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C3-C30)環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C3-C30)環(huán)烯基、經(jīng)取代或未 經(jīng)取代的（3元到7元）雜環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C30)烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代 的三(C1-C30)烷基硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三(C6-C30)芳基硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取 代的二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C30)烷基二(C6-C30) 芳基硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的單或二(C1-C30)烷基氨基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的單或二 (C6-C30)芳基氨基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(Cl -C30)烷基(C6-C30)芳基氨基;或可鍵聯(lián)到相 鄰取代基以形成經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C3-C30)、單環(huán)或多環(huán)、脂環(huán)族或芳族環(huán)，其碳原子可 由至少一個選自氮、氧和硫的雜原子置換； (亞）雜芳基和雜環(huán)烷基各自獨立地含有一個或多個選自8、10、3、？（=0)、31和？的雜 原子;并且 s和t各自獨立地表示1到4的整數(shù);其中s或t是2或更大的整數(shù)，R15或R16中的每一個可相 同或不同。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子緩沖材料，其中ArdPAr6可各自獨立地表示經(jīng)取代或未經(jīng) 取代的（6元到20元)雜芳基，或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C6-C20)芳基;L'表示單鍵，或經(jīng)取代 或未經(jīng)取代的（C6-C20)亞芳基;R 15和R16各自獨立地表示氫、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C6-C20) 芳基，或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（5元到20元)雜芳基，或可鍵聯(lián)到相鄰取代基以形成經(jīng)取代或 未經(jīng)取代的(C5-C20)、單環(huán)或多環(huán)芳環(huán)，其碳原子可由至少一個選自氮、氧和硫的雜原子置 換;并且s和t可表示1。6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子緩沖材料，其中所述式11化合物選自由以下組成的群組：7. -種有機電致發(fā)光裝置，其包含第一電極、面向所述第一電極的第二電極、在所述第 一電極與所述第二電極之間的發(fā)光層以及在所述發(fā)光層與所述第二電極之間的電子傳輸 區(qū)域和電子緩沖層，其中所述電子緩沖層包含根據(jù)權(quán)利要求1所述的由式1表示的化合物。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機電致發(fā)光裝置，其中所述電子緩沖層進一步包含根據(jù)權(quán) 利要求4所述的由式11表示的化合物。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機電致發(fā)光裝置，其中所述電子緩沖層中的所述由式1表示 的化合物和所述由式11表示的化合物被共同蒸發(fā)或混合蒸發(fā)。
【文檔編號】C07D409/14GK106068261SQ201580012893
【公開日】2016年11月2日
【申請日】2015年3月17日 公開號201580012893.4, CN 106068261 A, CN 106068261A, CN 201580012893, CN-A-106068261, CN106068261 A, CN106068261A, CN201580012893, CN201580012893.4, PCT/2015/2592, PCT/KR/15/002592, PCT/KR/15/02592, PCT/KR/2015/002592, PCT/KR/2015/02592, PCT/KR15/002592, PCT/KR15/02592, PCT/KR15002592, PCT/KR1502592, PCT/KR2015/002592, PCT/KR2015/02592, PCT/KR2015002592, PCT/KR201502592
【發(fā)明人】金侈植, 李孝姃, 李琇炫, 全志松, 梁正恩, 沈載勛, 崔慶勛, 趙英俊, 全廷桓, 羅弘燁, 趙相熙
【申請人】羅門哈斯電子材料韓國有限公司