化工藝為： 100°C/30min，150°C/lh，200°C/0.5h，250°C/0.5h，300°C/0.5h，380°C/0.5h，430°C/2min， 升溫速率為3°C/min。亞胺化結(jié)束后，以2°C/min的降溫速率將體系溫度降至25°C，取出玻璃 板，在去離子水中浸泡24h后取下薄膜，并于150°C下真空干燥24h，得到低介電PI薄膜 (HBPSi-PI)。
[0064] 實(shí)施例5
[0065] (1)含氨基超支化聚硅氧烷(HBPSi)的合成
[0066]向裝有磁力攪拌器的容器中依次加入20g氯仿、1.6155g TE0S，16.4041g PTCS與 1.9804g ABSE同時(shí)開(kāi)動(dòng)攪拌并給體系降溫。當(dāng)體系溫度降至2°C時(shí)，將1.96g蒸餾水于lh內(nèi) 滴入上述體系中。結(jié)束后，維持反應(yīng)條件不變，繼續(xù)攪拌2h，然后升溫至40°C，繼續(xù)反應(yīng)6h。 反應(yīng)結(jié)束后，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)，溫度控制在60°C，壓力為0.1個(gè)大氣壓，除去揮發(fā)物，得到粗產(chǎn)品E。 用50mL 0°C的乙醇/甲苯混合液（乙醇與甲苯的體積比為3:1)洗滌產(chǎn)品E 2次，獲得產(chǎn)品F。 將產(chǎn)品F溶解于20mL的氯仿中并用孔徑為220nm的四氟濾芯過(guò)濾，然后用200mL 0°C的乙醇 沉析并過(guò)濾。重復(fù)該操作3次，得到產(chǎn)品G。將產(chǎn)品G常溫下于真空烘箱中干燥50h，得到終產(chǎn) 品H，即HBPSi，氨基含量為0.17mmol/g。
[0067] (2)含有HBPSi結(jié)構(gòu)的低介電PI雜化薄膜的制備
[0068] 稱取0.5882g HBPSi與1.5692g 6FDMB于反應(yīng)器中，加入23.6g DMAc并開(kāi)動(dòng)攪拌， 氮?dú)獗Ｗo(hù)。待單體溶解后，維持反應(yīng)體系溫度在〇°C，一次性加入2.0116g HQDPA。維持反應(yīng) 條件不變，繼續(xù)攪拌反應(yīng)24h，得到含有HBPSi結(jié)構(gòu)的PAA溶液(HBPSi-PAA)。將所得HBPSi- PAA溶液均勻涂覆于玻璃板上，于80°C環(huán)境中處理3h后置于烘箱中進(jìn)行亞胺化。具體亞胺化 工藝為：10(TC/30min，15(rC/lh，20(rC/0.5h，25(rC/0.5h，30(rC/0.5h，38(rC/0.5h，420 °C/2min，升溫速率為2°C/min。亞胺化結(jié)束后，以2°C/min的降溫速率將體系溫度降至25°C， 取出玻璃板，在去離子水中浸泡24h后取下薄膜，并于150°C下真空干燥24h，得到低介電PI 薄膜(HBPSi-PI)。
[0069] 實(shí)施例6
[0070] (1)含氨基超支化聚硅氧烷(HBPSi)的合成
[0071]向裝有磁力攪拌器的容器中依次加入20g四氫呋喃、4.2532g TM0S，21.7296g MTCS與3.8443g UP-900E同時(shí)開(kāi)動(dòng)攪拌并給體系降溫。當(dāng)體系溫度降至2°C時(shí)，將5.10g蒸餾 水于lh內(nèi)滴入上述體系中。結(jié)束后，維持反應(yīng)條件不變，繼續(xù)攪拌2h，然后升溫至40°C，繼續(xù) 反應(yīng)6h。反應(yīng)結(jié)束后，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)，溫度控制在60°C，壓力為0.1個(gè)大氣壓，除去揮發(fā)物，得到粗 產(chǎn)品E。用50mL 0°C的乙醇/甲苯混合液（乙醇與甲苯的體積比為3:2)洗滌產(chǎn)品E 3次，獲得 產(chǎn)品F。將產(chǎn)品F溶解于20mL的氯仿中并用孔徑為220nm的四氟濾芯過(guò)濾，然后用200mL 0°C 的乙醇沉析并過(guò)濾。重復(fù)該操作3次，得到產(chǎn)品G。將產(chǎn)品G常溫下于真空烘箱中干燥48h，得 到終產(chǎn)品H，即HBPSi，氨基含量為0.27mmol/g。
[0072] (2)含有HBPSi結(jié)構(gòu)的低介電PI雜化薄膜的制備
[0073] 稱取0.3704g HBPSi與1.0403g DMBZ于反應(yīng)器中，加入25.1g DMS0并開(kāi)動(dòng)攪拌，氮 氣保護(hù)。待單體溶解后，維持反應(yīng)體系溫度在〇°C，一次性加入2.0116g RsDPA。維持反應(yīng)條 件不變，繼續(xù)攪拌反應(yīng)24h，得到含有HBPSi結(jié)構(gòu)的PAA溶液(HBPSi-PAA)。將所得HBPSi-PAA 溶液均勻涂覆于玻璃板上，于l〇〇°C環(huán)境中處理5h后置于烘箱中進(jìn)行亞胺化。具體亞胺化工 藝為：10(TC/30min，15(rC/lh，20(rC/0.5h，25(rC/0.5h，30(rC/0.5h，38(rC/0.5h，42(rC/ 2min，升溫速率為l°C/min。亞胺化結(jié)束后，以2°C/min的降溫速率將體系溫度降至25°C，取 出玻璃板，在去離子水中浸泡24h后取下薄膜，并于150°C下真空干燥24h，得到低介電PI薄 膜（HBPSi-PI)。
[0074] 實(shí)施例7
[0075] (1)含氨基超支化聚硅氧烷(HBPSi)的合成
[0076]向裝有磁力攪拌器的容器中依次加入20g二氯甲烷、2.6182g SiCU，11.4219g CG-151M與5.9597g APMDM同時(shí)開(kāi)動(dòng)攪拌并給體系降溫。當(dāng)體系溫度降至2°C時(shí)，將6.66g蒸 餾水于2h內(nèi)滴入上述體系中。結(jié)束后，維持反應(yīng)條件不變，繼續(xù)攪拌2h，然后升溫至40°C，繼 續(xù)反應(yīng)6h。反應(yīng)結(jié)束后，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)，溫度控制在60°C，壓力為0.1個(gè)大氣壓，除去揮發(fā)物，得到 粗產(chǎn)品E。用50mL 0°C的乙醇/甲苯混合液（乙醇與甲苯的體積比為3:1)洗滌產(chǎn)品E 3次，獲 得產(chǎn)品F。將產(chǎn)品F溶解于20mL的氯仿中并用孔徑為220nm的四氟濾芯過(guò)濾，然后用200mL 0 °C的乙醇沉析并過(guò)濾。重復(fù)該操作3次，得到產(chǎn)品G。將產(chǎn)品G常溫下于真空烘箱中干燥50h， 得到終產(chǎn)品H，即HBPSi，氨基含量為0.75mmol/g。
[0077] (2)含有HBPSi結(jié)構(gòu)的低介電PI雜化薄膜的制備
[0078] 稱取0.1333g HBPSi與1.2167g DDS于反應(yīng)器中，加入19.8g DMF并開(kāi)動(dòng)攪拌，氮?dú)?保護(hù)。待單體溶解后，維持反應(yīng)體系溫度在〇°C，一次性加入2.1515g 6FBPDA。維持反應(yīng)條件 不變，繼續(xù)攪拌反應(yīng)24h，得到含有HBPSi結(jié)構(gòu)的PAA溶液(HBPSi-PAA)。將所得HBPSi-PAA溶 液均勻涂覆于玻璃板上，于80°C環(huán)境中處理3h后置于烘箱中進(jìn)行亞胺化。具體亞胺化工藝 為：100 Γ/30min，150 Γ/lh，200 Γ/0·5h，250 Γ/0·5h，300 Γ/0·5h，380 Γ/0·5h，420 Γ/ 2min，升溫速率為3°C/min。亞胺化結(jié)束后，以2°C/min的降溫速率將體系溫度降至25°C，取 出玻璃板，在去離子水中浸泡24h后取下薄膜，并于150°C下真空干燥24h，得到低介電PI薄 膜（HBPSi-PI)。
[0079] 實(shí)施例8
[0080] (1)含氨基超支化聚硅氧烷(HBPSi)的合成
[0081 ]向裝有磁力攪拌器的容器中依次加入20g四氫呋喃、3.0318g TE0S，22.1567g CG-151E與4.8115g APEDE同時(shí)開(kāi)動(dòng)攪拌并給體系降溫。當(dāng)體系溫度降至2°C時(shí)，將4.1354g蒸餾 水于lh內(nèi)滴入上述體系中。結(jié)束后，維持反應(yīng)條件不變，繼續(xù)攪拌2h，然后升溫至40°C，繼續(xù) 反應(yīng)6h。反應(yīng)結(jié)束后，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)，溫度控制在60°C，壓力為0.1個(gè)大氣壓，除去揮發(fā)物，得到粗 產(chǎn)品E。用50mL 0°C的乙醇/甲苯混合液（乙醇與甲苯的體積比為3:2)洗滌產(chǎn)品E 3次，獲得 產(chǎn)品F。將產(chǎn)品F溶解于20mL的氯仿中并用孔徑為220nm的四氟濾芯過(guò)濾，然后用200mL 0°C 的乙醇沉析并過(guò)濾。重復(fù)該操作3次，得到產(chǎn)品G。將產(chǎn)品G常溫下于真空烘箱中干燥52h，得 到終產(chǎn)品H，即HBPSi，氨基含量為0.68mmol/g。
[0082] (2)含有HBPSi結(jié)構(gòu)的低介電PI雜化薄膜的制備
[0083]稱取 1.4706g HBPSi與2.6311g 1，3,4-APB于反應(yīng)器中，加入25.1g DMS0并開(kāi)動(dòng)攪 拌，氮?dú)獗Ｗo(hù)。待單體溶解后，維持反應(yīng)體系溫度在〇 °C，一次性加入2.1812g PMDA。維持反 應(yīng)條件不變，繼續(xù)攪拌反應(yīng)24h，得到含有HBPSi結(jié)構(gòu)的PAA溶液(HBPSi-PAA)。將所得HBPSi-PAA溶液均勻涂覆于玻璃板上，于100°C環(huán)境中處理5h后置于烘箱中進(jìn)行亞胺化。具體亞胺 化工藝為 ：10(TC/30min，15(rC/lh，20(rC/0.5h，25(rC/0.5h，30(rC/0.5h，38(rC/0.5h，420 °C/2min，升溫速率為l°C/min。亞胺化結(jié)束后，以2°C/min的降溫速率將體系溫度降至25°C， 取出玻璃板，在去離子水中浸泡24h后取下薄膜，并于150°C下真空干燥24h，得到低介電PI 薄膜(HBPSi-PI)。
[0084] 實(shí)施例9
[0085] (1)含氨基超支化聚硅氧烷(HBPSi)的合成
[0086]向裝有磁力攪拌器的容器中依次加入20g二氯甲烷、3.4148g SiCl4,33.0203g CG-123M與3.5641g APEDM同時(shí)開(kāi)動(dòng)攪拌并給體系降溫。當(dāng)體系溫度降至2°C時(shí)，將7.7g蒸餾 水于2h內(nèi)滴入上述體系中。結(jié)束后，維持反應(yīng)條件不變，繼續(xù)攪拌2h，然后升溫至40°C，繼續(xù) 反應(yīng)6h。反應(yīng)結(jié)束后，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)，溫度控制在60°C，壓力為0.1個(gè)大氣壓，除去揮發(fā)物，得到粗 產(chǎn)品E。用50mL 0°C的乙醇/甲苯混合液（乙醇與甲苯的體積比為3:1)洗滌產(chǎn)品E 3次，獲得 產(chǎn)品F。將產(chǎn)品F溶解于20mL的氯仿中并用孔徑為220nm的四氟濾芯過(guò)濾，然后