例6)
[0284] 除了在上述比較例1中將由上述式（24)所示的羧酸酐去除以外，其余與比較例1 同樣地調(diào)制組合物。
[0285] (比較例7)
[0286] 除了在上述比較例3中將由上述式（24)所示的羧酸酐去除以外，其余與比較例3 同樣地調(diào)制組合物。
[0287] (比較例8)
[0288] 除了在上述比較例4中將由上述式（30)所示的羧酸酐去除以外，其余與比較例4 同樣地調(diào)制組合物。
[0289] 對各組合物進(jìn)行下述項(xiàng)目的評估。而且，固化條件是150°C X 5小時(shí)。結(jié)果是總結(jié) 于表1、表2〇
[0290] 1.硬度：制作2mm厚的薄片狀固化物后，依據(jù)JIS K6253-3 :2012來進(jìn)行測定。
[0291] 2.折射率：制作2mm厚的薄片狀固化物后，使用JIS K0062 :1992中所規(guī)定的多波 長阿貝（Abbe)折射計(jì)DR-M2/1550 (ATAGO股份有限公司制），來測定在25°C、波長589nm也 就是鈉的D射線的波長時(shí)的折射率。
[0292] 3.水蒸氣穿透率：制作1mm厚的薄片狀固化物后，使用依據(jù)JIS K7129 :2008的 Lyssy公司制L80-5000型水蒸氣穿透度計(jì)來進(jìn)行測定。而且，測定溫度是40°C，測定時(shí)使 用的該固化物的面積是50cm2。
[0293] 4.固化物的耐沖擊性：在具有與圖2的方案相同的構(gòu)成的光半導(dǎo)體裝置中，為了 形成密封材料5,而以使LED芯片1浸漬的方式將上述中所得的組合物注入凹部8'中，并 在150°C加熱5小時(shí)，由此制作光半導(dǎo)體裝置，該光半導(dǎo)體裝置是以該組合物的固化物來將 LED芯片1密封而成。而且，將1，000個(gè)該光半導(dǎo)體裝置掛在碗型振動(dòng)零件給料器來使其整 齊地排列后，計(jì)算接合線發(fā)生斷線的個(gè)數(shù)。
[0294] 5.固化物的耐龜裂性：使用10個(gè)與上述"4.固化物的耐沖擊性"同樣地進(jìn)行而制 得的光半導(dǎo)體裝置，將在-40Γ放置15分鐘后在120Γ放置15分鐘設(shè)為1次循環(huán)后，進(jìn)行 重復(fù)500次循環(huán)的溫度循環(huán)試驗(yàn)。試驗(yàn)后，以肉眼來觀察固化物的外觀，并計(jì)算發(fā)生龜裂的 個(gè)數(shù)。
[0295] 6.固化物的氣體穿透性：將與上述"4.固化物的耐沖擊性"同樣地進(jìn)行而制得的 光半導(dǎo)體裝置在100°C、10ppm的硫化氫氣體環(huán)境中放置200小時(shí)后，以肉眼來確認(rèn)凹部8' 的底面的銀的變色程度。
[0296] 7.固化物對銀的粘著性：將2片已對表面進(jìn)行鍍金的鋁的試驗(yàn)面板（長50mmX寬 25mmX厚0· 5mm)，以使各個(gè)面板的端部每10mm重復(fù)的方式，以將厚度80 μ m的上述中所得 的各組合物的層夾住的方式迭合，并通過在150°C加熱5小時(shí)使該組合物固化，而制作粘著 試驗(yàn)片。然后，對這個(gè)試驗(yàn)片進(jìn)行抗張剪切粘著試驗(yàn)（抗張速度50mm/分鐘），而評估粘著 強(qiáng)度（剪切粘著力）及凝集破壞率。
[0297] [表 1]
[0298]
[0299]
[0301 ] 對銀的剪切粘著力的（）內(nèi)，是表示凝集破壞率（面積％ )
[0302] [表 2]
[0303]
[0304]
[0305] 對銀的剪切粘著力的（）內(nèi)，是表示凝集破壞率（面積％ )
[0306] 由表1及表2的結(jié)果可知，相較于比較例1~8,本發(fā)明的光半導(dǎo)體密封用固化性 組合物（實(shí)施例1~12)，使該組合物固化而得的固化物，具有更良好的耐沖擊性和耐龜裂 性及低氣體穿透性，所以無法觀察到接合線發(fā)生斷線或龜裂、以及銀的變色。特別是，含有 (A)~（E)成分的本發(fā)明的光半導(dǎo)體密封用固化性組合物（實(shí)施例1~9)，使該組合物固 化而得的固化物，對銀的粘著性也良好。另一方面，比較例1~8因?yàn)椋˙)成分沒有滿足本 發(fā)明的要件，所以能夠觀察到接合線發(fā)生斷線或龜裂、及銀的變色。
[0307] 由上述結(jié)果明顯可知，只要使用本發(fā)明的光半導(dǎo)體密封用固化性組合物，就能夠 獲得一種固化物，其耐沖擊性和耐龜裂性優(yōu)異并且具有低氣體穿透性，而顯示這樣的光半 導(dǎo)體密封用固化性組合物適合作為光半導(dǎo)體元件的密封材料。
[0308] 而且，本發(fā)明并不受上述實(shí)施方式所限定。上述實(shí)施方式只是示例，只要具有與本 發(fā)明的申請專利范圍中所記載的技術(shù)思想實(shí)質(zhì)上相同的構(gòu)成且產(chǎn)生同樣的作用效果，不論 是任何種類，都包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種光半導(dǎo)體密封用固化性組合物，其特征在于，含有下述（A)~（D)成分，并且， 前述（B)成分的調(diào)配量，是前述（B)成分中的與硅原子直接鍵結(jié)的氫原子，相對于該組合物 中所含的烯基Imol，成為0. 50~2. Omol的量，且使前述光半導(dǎo)體密封用固化性組合物固化 而得到的固化物的硬度是30~70的值，所述硬度是使用JIS K6253-3 :2012中所規(guī)定的A 型硬度計(jì)來測得，且使前述光半導(dǎo)體密封用固化性組合物固化而得到的Imm厚的固化物的 水蒸氣穿透率為10. 〇g/m2 ·日以下； 100質(zhì)量份的（A)直鏈狀多氟化合物，其一分子中具有2個(gè)以上的烯基且在主鏈中具有 全氟聚醚結(jié)構(gòu)并且烯基含量是0. 0050~0. 200mol/100g ; (B)由下述通式（1)所示的有機(jī)氫聚硅氧烷，式（1)中，a是1~50的整數(shù)，b是1~50的整數(shù)，a+b是2~100的整數(shù)，G是互相 獨(dú)立的由2價(jià)烴基與硅原子鍵結(jié)的1價(jià)全氟烷基或1價(jià)全氟氧烷基，且該2價(jià)烴基可含有 硅原子、氧原子或氮原子，R1是互相獨(dú)立的取代或無取代的1價(jià)烴基，R 2是互相獨(dú)立的取代 或無取代的1價(jià)烴基，R3是互相獨(dú)立的取代或無取代的1價(jià)烴基，并且式（1)中的一（SiO) ⑶R 2-以及一（SiO) (G) R3-的鍵結(jié)順序沒有限定； 相對于（A)成分的質(zhì)量，以鉑族金屬原子來換算是0. 1~500ppm的（C)鉑族金屬系催 化劑； 0. 10~10. 0質(zhì)量份的（D)有機(jī)聚硅氧烷，其一分子中具有：與娃原子直接鍵結(jié)的氫原 子；由2價(jià)烴基與硅原子鍵結(jié)的1價(jià)全氟烷基或1價(jià)全氟氧烷基，且該2價(jià)烴基可含有硅原 子、氧原子或氮原子；以及，由2價(jià)烴基與硅原子鍵結(jié)的環(huán)氧基或三烷氧基硅烷基、或是其 雙方，且該2價(jià)烴基可含有氧原子。2. 如權(quán)利要求1所述的光半導(dǎo)體密封用固化性組合物，其中，所述組合物進(jìn)一步含有 0. 010~10. 0質(zhì)量份的羧酸酐作為（E)成分。3. 如權(quán)利要求1述的光半導(dǎo)體密封用固化性組合物，其中，前述（A)成分是由下述通式 (2)所示的直鏈狀多氟化合物：式（2)中，R4及R5是互相獨(dú)立的烯基、或是取代或無取代的1價(jià)烴基且R4及R 5兩個(gè)以 上是烯基，R6是互相獨(dú)立的氫原子、或是取代或無取代的1價(jià)烴基，d及e分別是1~15的 整數(shù)，且d+e的平均值是2~300, f是O~6的整數(shù)。4. 如權(quán)利要求1所述的光半導(dǎo)體密封用固化性組合物，其中，前述（A)成分是從由下述 通式（3)、下述通式（4)及下述通式（5)所組成的群組中選出的1種以上的直鏈狀多氟化合 物：式（3)中，R6、d、e及f與上述相同，R7是互相獨(dú)立的取代或無取代的1價(jià)烴基；式⑷中，R6、R7、d、e及f與上述相同；式（5)中，R6、d、e及f與上述相同。5. 如權(quán)利要求1所述的光半導(dǎo)體密封用固化性組合物，其中，前述（D)成分是由下述通 式（6)所示的環(huán)狀有機(jī)聚硅氧烷：式（6)中，g是1~6的整數(shù)，h是1~4的整數(shù)，i是1~4的整數(shù)，g+h+i是4~10 的整數(shù)，R8是互相獨(dú)立的取代或無取代的1價(jià)烴基，J是互相獨(dú)立的由2價(jià)烴基與硅原子鍵 結(jié)的1價(jià)全氟烷基或1價(jià)全氟氧烷基，且該2價(jià)烴基可含有硅原子、氧原子或氮原子，L是 互相獨(dú)立的由2價(jià)烴基與硅原子鍵結(jié)的環(huán)氧基或三烷氧基硅烷基、或是其雙方，且該2價(jià)烴 基可含有氧原子，并且式（6)中的一（SiO) (H)R8 -、一 (SiO) (J)R8一以及一（SiO) (L)R8- 的鍵結(jié)順序沒有限定。6. 如權(quán)利要求2所述的光半導(dǎo)體密封用固化性組合物，其中，前述（E)成分在常壓下在 23 °C是液體。7. 如權(quán)利要求2所述的光半導(dǎo)體密封用固化性組合物，其中，前述（E)成分是由下述通 式（7)所示的環(huán)狀有機(jī)聚硅氧烷：式⑵中，j是1~6的整數(shù)，k是1~4的整數(shù)，1是1~4的整數(shù)，j+k+Ι是4~10 的整數(shù)，R9是互相獨(dú)立的取代或無取代的1價(jià)烴基，M是互相獨(dú)立的由2價(jià)烴基與硅原子鍵 結(jié)的1價(jià)全氟烷基或1價(jià)全氟氧烷基，且該2價(jià)烴基可含有硅原子、氧原子或氮原子，Q是 互相獨(dú)立的由2價(jià)烴基與硅原子鍵結(jié)的環(huán)狀羧酸酐殘基，并且式（7)中的一（SiO) (H) R9-、 -(SiO) (M) R9-以及一（SiO) (Q) R 9-的鍵結(jié)順序沒有限定。8. 如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的光半導(dǎo)體密封用固化性組合物，其中，前述（B)及 /或（D)成分中，1價(jià)全氟烷基或1價(jià)全氟氧烷基是互相獨(dú)立的由下述通式（8)或通式（9) 所示的基團(tuán)： CnF2lri- (8) 式⑶中，m是1~10的整數(shù)；式（9)中，η是1~10的整數(shù)。9. 如權(quán)利要求7所述的光半導(dǎo)體密封用固化性組合物，其中，前述⑶及/或⑶成分 中，1價(jià)全氟烷基或1價(jià)全氟氧烷基是互相獨(dú)立的由下述通式（8)或通式（9)所示的基團(tuán)： CnF2lri- (8) 式⑶中，m是1~10的整數(shù)；式（9)中，η是1~10的整數(shù)。10. 如權(quán)利要求1至7、9中任一項(xiàng)所述的光半導(dǎo)體密封用固化性組合物，其中，使前述 光半導(dǎo)體密封用固化性組合物固化而得的固化物在25°C、波長589nm也就是鈉的D射線的 波長時(shí)的折射率是1. 30以上并且未達(dá)1. 40。11. 一種光半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有光半導(dǎo)體元件及固化物，該固化物是使權(quán)利 要求1至7、9中任一項(xiàng)所述的光半導(dǎo)體密封用固化性組合物固化而得到并且是用來將該光 半導(dǎo)體元件密封。12.如權(quán)利要求11所述的光半導(dǎo)體裝置，其中，前述光半導(dǎo)體元件是發(fā)光二極管。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種光半導(dǎo)體密封用固化性組合物及光半導(dǎo)體裝置，該組合物能夠獲得一種固化物，其耐沖擊性和耐龜裂性優(yōu)異并且具有低氣體穿透性，其硬度是30～70，該硬度是使用A型硬度計(jì)來測得，且前述組合物的1mm厚的固化物的水蒸氣穿透率為10.0g/m2·日以下，該光半導(dǎo)體裝置具有該組合物的固化物。所述組合物含有下述(A)～(D)成分，(A)直鏈狀多氟化合物，一分子中具有2個(gè)以上的烯基且在主鏈中具有全氟聚醚結(jié)構(gòu)；(B)由下述通式(1)所示的有機(jī)氫聚硅氧烷；(C)鉑族金屬系催化劑；(D)有機(jī)聚硅氧烷，其具有：與硅原子直接鍵結(jié)的氫原子；1價(jià)全氟烷基或1價(jià)全氟氧烷基；以及，環(huán)氧基或三烷氧基硅烷基、或是其雙方，
【IPC分類】C08L71/00, H01L33/56, C08L83/08
【公開號】CN105482429
【申請?zhí)枴緾N201510641704
【發(fā)明人】越川英紀(jì)
【申請人】信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社
【公開日】2016年4月13日
【申請日】2015年9月30日