>[0040] 式（1)所表示的化合物也可為式（1)所表示的化合物之間的締合物。
[0041] 作為式（1)所表示的化合物的合適的具體例子，例如，可以列舉以下所示的式 (IA)、（IB)、（1C)、（ID)以及（IE)所表示的化合物。
[0042] [化 3]
[0044] [式中、Ra表示 2, 2, 3, 3,4,4, 5, 5,6,6, 7, 7, 7-十三氟庚基，Rb表示 2, 2, 2-三氟乙 基，IT表示七氟丁?；?，Rd表示仲丁基，R6表示異丙基。]
[0045] 另外，式（IA)、（IB)、（1C)、（ID)以及（IE)所表示的化合物中的氟原子的合計數(shù) 的比例相對各自氟原子以及氫原子的合計數(shù)，為87 %、60 %、28 %、16 %以及87 %。
[0046] 根據(jù)式（1)所表示的化合物，能夠使每單位體積的捕水量為例如超過70mg/cm3,優(yōu) 選為80mg/cm 3以上。
[0047] [化合物的制造方法]
[0048] 上述式⑴所表示的化合物，例如，能夠通過使具有M的化合物或M單體與具有R1、 R2或R3的醇或具有R4的羧酸反應(yīng)而得。在此，醇以及羧酸分別對應(yīng)式（1)中的可被氟原子 取代的碳原子數(shù)1~16的烷基以及可被氟原子取代的碳原子數(shù)2~17的酰基。
[0049] 在M為鋁原子的情況下，作為具有M的化合物，例如，可列舉三正丁氧基鋁、三仲丁 氧基錯、二叔丁氧基錯、二正辛氧基錯、二仲辛氧基錯、二正十^烷氧基錯、二仲十^烷氧基 鋁、三氫化鋁、四氫化鋰鋁。在M為鈦原子的情況下，作為具有M的化合物，例如，可列舉四 正丁氧基鈦、四仲丁氧基鈦、四叔丁氧基鈦、四正辛氧基鈦、四仲辛氧基鈦、四正十二烷氧基 鈦、四仲十二烷氧基鈦、四氫化鈦。在M為硅原子的情況下，作為具有M的化合物，例如，可列 舉四正丁氧基硅烷、四仲丁氧基硅烷、四叔丁氧基硅烷、四正辛氧基硅烷、四仲辛氧基硅烷、 四正十^?烷氧基硅烷、四仲十^?烷氧基硅烷、硅烷。在M為棚原子的情況下，作為具有M的 化合物，例如，可列舉硼酸三正丁酯、硼酸三仲丁酯、硼酸三叔丁酯、三正辛氧基硼酸、三仲 辛氧基硼酸、三正十二烷氧基硼酸、三仲十二烷氧基硼酸、四氫硼酸鈉、乙硼烷。
[0050] 作為具有R1、R2或R 3的醇，具體而言，例如，可列舉甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正 丁醇、異丁醇、仲丁醇、叔丁醇、正戊醇、異戊醇、仲戊醇、新戊醇、正己醇、環(huán)己醇、正庚醇、 正辛醇、壬醇、癸醇、十四醇、十六醇、二氟甲醇、三氟甲醇、2, 2-二氟-1-乙醇、2, 2, 2-三 氟-1-乙醇、3, 3, 3-三氟-1-丙醇、3, 3,4,4, 5, 5,6,6,6-九氟-1-己醇、2, 2, 3, 3,4,4, 5, 5， 6,6,7,7,7_十三氟-1-庚醇。
[0051] 具有R4的羧酸為R4COOH所表示的羧酸。作為具有R 4的羧酸，例如，可列舉將以具 有上述R1、R2或R3的醇為例而表示的醇的羥基取代為羧基的羧酸。
[0052] 具有M的化合物或M單體、和具有R1、R2或R 3的醇或具有R4的羧酸，可分別單獨 使用1種，也可組合2種以上使用，但優(yōu)選分別各使用1種。
[0053] 使具有M的化合物或M單體、與具有R1、R2或R 3的醇或具有R 4的羧酸發(fā)生反應(yīng)時 的比率為，相對1摩爾具有M的化合物或M單體，使具有R1、R 2或R3的醇或具有R4的羧酸為 至少3摩爾以上即可，但可以優(yōu)選使具有R 1、R2或R 3的醇或具有R4的羧酸為3~9摩爾。
[0054] 作為具有M的化合物、M單體、具有R1、R2或R 3的醇以及具有R4的羧酸以外的成 分，可使二醇或二羧酸以任意的比率混合并反應(yīng)。
[0055] 其中，作為二醇，例如，可列舉將具有上述R1、R2或R 3的醇的碳原子上的氫中的1個 取代為羥基的化合物。作為二羧酸，例如，可列舉將二醇的2個羥基取代為羧基的化合物。
[0056] 反應(yīng)條件可以根據(jù)使用的原料進行適當(dāng)?shù)倪x擇，優(yōu)選在無溶劑或溶劑存在下，在 40~150°C下加熱攪拌0. 5~48小時。此外，反應(yīng)結(jié)束后，能夠?qū)]發(fā)成分減壓蒸餾除去。
[0057] [干燥劑]
[0058] 本實施方式的干燥劑含有上述式（1)所表示的化合物。
[0059] 本實施方式的干燥劑優(yōu)選進一步含有粘度調(diào)節(jié)劑。通過使其含有粘度調(diào)節(jié)劑，能 夠進行干燥劑的粘度調(diào)整，并且使干燥劑容易填充入密封結(jié)構(gòu)內(nèi)。
[0060] 作為粘度調(diào)節(jié)劑，例如，作為硅酮，可列舉二甲基硅酮、甲基苯基硅酮、烷基改性硅 酮、聚醚改性娃酮、氟硅氧烷（fluoro silicone)，優(yōu)選使用氟硅氧烷。此外，作為粘度調(diào)節(jié) 劑，也可使用全氟聚醚。
[0061] 粘度調(diào)節(jié)劑的含有比例，例如，能夠設(shè)為相對式（1)所表示的化合物的質(zhì)量為 0? 05 ~20 倍。
[0062] 本實施方式的干燥劑，在不妨礙本申請發(fā)明的效果的范圍內(nèi)，能夠含有式（1)所 表示的化合物、粘度調(diào)節(jié)劑以外的其他成分。作為其他的成分，可列舉作為以往公知的干燥 劑的氧化鈣等化學(xué)吸附劑和沸石、硅膠等物理吸附劑。
[0063] 本實施方式的干燥劑，例如，能夠通過利用分配（dispense)涂布法、ODF(One Drop Fill)法、絲網(wǎng)印刷法、噴涂法、熱熔法等而應(yīng)用于對象。在應(yīng)用利用分配涂布法的情況下， 干燥劑的粘度優(yōu)選為1~5000Pa *s，更優(yōu)選為1~1000 Pa *s，進一步優(yōu)選為1~300Pa *s。 此外，在適用ODF法的情況下，干燥劑的粘度優(yōu)選為0. 1~IPa ? s。
[0064] 本實施方式的干燥劑由于含有上述式（1)所表示的化合物，該化合物以特定比例 含有與有機層的相溶性較低的氟原子，因此能夠抑制干燥劑對有機層的滲透。
[0065] [密封結(jié)構(gòu)]
[0066] 本實施方式的密封結(jié)構(gòu)為通過密封劑密封一對基板而成的密封結(jié)構(gòu)，在密封結(jié)構(gòu) 內(nèi)具備上述干燥劑。干燥劑可應(yīng)用于被密封的空間的一部分，例如僅應(yīng)用于基板上的特定 的部位，也可填充被密封的空間。
[0067] 本實施方式的密封結(jié)構(gòu)可以特別適合用于封入容易受到水分影響的設(shè)備的情況。 作為這樣的設(shè)備，例如可列舉有機電致發(fā)光元件、有機半導(dǎo)體、有機太陽電池等的有機電子 設(shè)備。
[0068] [有機電致發(fā)光元件]
[0069] 下面，基于圖1，對本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件的一種實施方式進行說明。
[0070] 本實施方式的有機電致發(fā)光元件1為填充密封結(jié)構(gòu)的有機電致發(fā)光元件，其由如 下部件構(gòu)成：元件基板2 ;與元件基板2相對配置的密封基板3 ;設(shè)于元件基板2上、通過一 對電極5及6夾持有機層4而形成的層壓體；對元件基板2以及密封基板3的外周部進行 密封的密封劑8 ;以及，填充被密封的空間的填充劑7。填充劑7為上述本實施方式的干燥 劑。
[0071] 在有機電致發(fā)光元件1中，關(guān)于填充劑7以外的要素能夠適用以往公知的元件，在 下面簡單說明其中一個例子。
[0072] 元件基板2由具有絕緣性以及透光性的矩形玻璃基板制成，該元件基板2上通過 作為透明導(dǎo)電材料的ITO (Indium Tin Oxide)而形成有陽極（電極）5。該陽極5通過以下 方式形成：將通過例如真空蒸鍍法、派射法等PVD (Physical Vapor Deposition)法而在元 件基板2上成膜的ITO膜，通過利用光刻膠法的蝕刻而形成為特定的圖案形狀。作為電極 的陽極5的一部分與引出至元件基板2的端部的驅(qū)動電路連接（圖中未示出）。
[0073] 陽極5的上表面例如通過真空蒸鍍法、電阻加熱法等PVD法而層壓有作為包 含有機發(fā)光材料的薄膜的有機層4。有機層4可由單層形成，也可由功能不同的多層形 成。本實施方式中的有機層4為從陽極5側(cè)依次層壓空穴注入層4a、空穴輸送層4b、發(fā) 光層4c以及電子輸送層4d的4層結(jié)構(gòu)?？昭ㄗ⑷雽?a例如由數(shù)十nm膜厚的銅酞菁 (CuPc)形成?？昭ㄝ斔蛯?由例如數(shù)十nm膜厚的雙[N-(l-萘基）-N-苯基]聯(lián)苯胺 (bis[N-(l_naphthyl)-N-phenyl]benzidine) (a-NPD)形成。發(fā)光層 4c 由例如數(shù)十 nm 膜 厚的三（8-羥基喹啉）鋁（Alq3)形成。電子輸送層4d由例如數(shù)nm膜厚的氟化鋰（LiF)形 成。然后，通過依此順序?qū)訅宏枠O5、有機層4以及后述的陰極6而成的層壓體而形成發(fā)光 部。
[0074] 有機層4 (電子輸送層4d)的上表面通過真空蒸鍍法等PVD法而層壓有作為金屬 薄膜的陰極（電極）6。作為金屬薄膜的材料，例如可列舉Al、Li、Mg、In等功函數(shù)較小的 金屬單體和Al-Li、Mg-Ag等功函數(shù)較小的合金等。陰極6的膜厚形成為例如數(shù)十nm~數(shù) 百nm(優(yōu)選為50nm~200nm)。陰極6的一部分引出至元件基板2的端部與驅(qū)動電路連接 (圖中未示出）。
[0075] 密封基板3以隔著有機層4與元件基板2相對的方式配置，元件基板2以及密封 基板3的外周部由密封劑8密封。作為密封劑例如能夠使用紫外線固化樹脂。進一步，被 密封的空間中填充有作為本實施方式的干燥劑的填充劑7。由此，保護有機層4等。
[0076] 另外，上述有機電致發(fā)光元件雖然為從元件基板側(cè)取出光的底部發(fā)光型的有機電 致發(fā)光元件，但本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件也可為從密封基板側(cè)取出光的頂部發(fā)光型的有 機電致發(fā)光元件。頂部發(fā)光型的有機電致發(fā)光元件雖然也能夠通過以往公知的方法來制 造，但需要進行如下變更：使用具有透光性的物質(zhì)作為密封基板3的同時，使用透明電極作 為陰極6、或者交