物中硅烷 偶聯(lián)劑的含量可以為〇. 01重量份至5重量份，或0. 01重量份至1重量份。
[0073] 必要時(shí)，所述封裝組合物還可以包括選自環(huán)氧樹(shù)脂、固化劑、UV穩(wěn)定劑、抗氧化劑、 調(diào)色劑、強(qiáng)化劑、填料、消泡劑、表面活性劑、聚異丁烯低聚物和增塑劑中的至少一種添加 劑。
[0074] 此外，本申請(qǐng)旨在提供一種由上述封裝組合物形成的封裝膜。
[0075] 鑒于每種膜中包含的層的數(shù)量或膜的用途，可以控制所述封裝層的厚度。例如，當(dāng) 膜包括一個(gè)封裝層時(shí)，封裝層的厚度可以在約5至100 y m的范圍內(nèi)。在這個(gè)厚度范圍內(nèi)， 可以提供具有優(yōu)異阻濕性、加工性能和耐久性的膜。
[0076] 根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)示例性實(shí)施方案的封裝膜的結(jié)構(gòu)沒(méi)有特殊限制，只要所述封裝 膜包括封裝層即可。通過(guò)實(shí)例，所述封裝膜可以具有包括基膜或離型膜（下文中也稱作"第 一膜"），并且在所述基膜或離型膜上形成封裝層。
[0077] 此外，根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)示例性實(shí)施方案的封裝膜還可以包括在封裝層（下文稱 作"第二膜"）上形成的基膜或離型膜。
[0078] 圖1至圖3為示出根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)示例性實(shí)施方案的封裝膜的示意圖。
[0079] 如圖1和圖2所示，根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)示例性實(shí)施方案的封裝膜可以包括在第一 膜11上形成的封裝層12。根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)示例性實(shí)施方案的封裝層12和第一膜11示 于圖1中。
[0080] 根據(jù)本申請(qǐng)的另一示例性實(shí)施方案，根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)示例性實(shí)施方案的封裝膜 還可以包括在封裝層12上形成的第二膜13,如圖2所示。然而，示意圖中示出的封裝膜只 是本申請(qǐng)的一個(gè)示例性實(shí)施方案。
[0081 ] 此處可以使用的所述第一膜的具體類型沒(méi)有特殊限制。在本申請(qǐng)中，相關(guān)領(lǐng)域已 知的常規(guī)聚合物膜可以，例如，用作所述第一膜。在本申請(qǐng)中，聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜、聚 四氟乙烯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚氨基甲酸酯 膜、乙烯-乙酸乙烯酯膜、乙烯-丙烯共聚物膜、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物膜、乙烯-丙烯酸 甲酯共聚物膜或聚酰亞胺膜可以，例如，用作基膜或離型膜。此外，根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)示例 性實(shí)施方案的基膜或離型膜的一個(gè)或兩個(gè)表面可以經(jīng)過(guò)適當(dāng)?shù)碾x型處理。用于剝離基膜的 離型劑的實(shí)例可以包括醇酸樹(shù)脂類、有機(jī)硅類、氟類、不飽和酯類、聚烯烴類或蠟類離型劑。 在這些物質(zhì)中，鑒于耐熱性，理想的是使用醇酸樹(shù)脂類、有機(jī)硅類或氟類離型劑，但是本申 請(qǐng)不限于此。
[0082] 此外，此處使用的所述第二膜（下文也稱作"覆蓋膜"）的類型沒(méi)有特殊限制。例 如，在本申請(qǐng)中，與在上面列舉的第一膜的種類中的第一膜相同或不同類型的膜可以用作 所述第二膜。在本申請(qǐng)中，所述第二膜也可以經(jīng)過(guò)適當(dāng)?shù)碾x型處理并使用。
[0083] 在本申請(qǐng)中，這樣的基膜或離型膜（即第一膜）的厚度沒(méi)有特殊限制，并且可以根 據(jù)要應(yīng)用的第一膜的用途適當(dāng)選擇。例如，在本申請(qǐng)中，所述第一膜的厚度可以在約10 ym 至500 y m，優(yōu)選約20 y m至200 y m的范圍內(nèi)。當(dāng)所述第一膜的厚度小于10 y m時(shí)，在制備 過(guò)程中基膜容易變形，反之當(dāng)所述第一膜的厚度大于500 y m時(shí)，經(jīng)濟(jì)可行性會(huì)降低。
[0084] 此外，在本申請(qǐng)中，所述第二膜的厚度沒(méi)有特殊限制。在本申請(qǐng)中，例如，所述第二 膜也可以設(shè)置為具有與所述第一膜的厚度相同的厚度。另外，在本申請(qǐng)中，鑒于加工性能 等，所述第二膜也可以設(shè)置為具有比所述第一膜的厚度相對(duì)更小的厚度。
[0085] 根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)示例性實(shí)施方案的封裝膜中包含的封裝層的厚度沒(méi)有特殊限 制，并且可以鑒于膜要應(yīng)用的用途，根據(jù)下面的要求適當(dāng)選擇。
[0086] 在本申請(qǐng)中，制備這樣的封裝膜的方法沒(méi)有特殊限制。例如，可以使用包括用包含 上述封裝組合物的涂布溶液涂布基膜或離型膜（操作1)，并且使在操作1中涂布的涂布溶 液干燥（操作2)的方法來(lái)制備所述封裝膜。
[0087] 此外，層疊各個(gè)封裝層的方法沒(méi)有特殊限制。例如，可以通過(guò)將在單獨(dú)的離型膜上 形成的封裝層進(jìn)行層疊來(lái)制備具有多層結(jié)構(gòu)的封裝膜。
[0088] 在根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)示例性實(shí)施方案制備封裝膜的方法中，還可以進(jìn)一步進(jìn)行在 操作2中干燥的涂布溶液上壓合基膜或離型膜的操作3。
[0089] 本申請(qǐng)的操作1為通過(guò)將上述封裝組合物溶解或分散在合適的溶劑中制備涂布 溶液的操作。在這個(gè)過(guò)程中，涂布溶液中包含的樹(shù)脂等的含量可以根據(jù)所需的阻濕性和膜 的模制性能進(jìn)行適當(dāng)調(diào)節(jié)。
[0090] 在本申請(qǐng)中，用于制備涂布溶液的溶劑的類型沒(méi)有特殊限制。然而，當(dāng)溶劑的揮 發(fā)時(shí)間非常長(zhǎng)時(shí)，或者溶劑在高溫下?lián)]發(fā)時(shí)，會(huì)引起與封裝膜的加工性能或耐久性相關(guān)的 問(wèn)題。因此，優(yōu)選使用具有150°c以下的揮發(fā)溫度的溶劑。在本申請(qǐng)中，鑒于膜的模制性能 等，也可以混合并使用少量具有比這個(gè)揮發(fā)溫度范圍更高的揮發(fā)溫度的溶劑。此處可以使 用的溶劑的類型可以包括甲基乙基酮（MEK)、丙酮、甲苯、二甲基甲酰胺（DMF)、甲基溶纖劑 (MCS)、四氫呋喃（THF)、二甲苯或N-甲基吡咯烷酮（NMP)，這些溶劑可以單獨(dú)使用或組合使 用，但是本申請(qǐng)不限于此。
[0091] 在本申請(qǐng)的操作1中，用這樣的涂布溶液涂布基膜或離型膜的方法沒(méi)有特殊限 制。例如，可以不加限制地使用已知方法例如刮涂法、輥涂法、噴涂法、凹版涂布法、淋涂法、 逗號(hào)涂布法（comma coating)或唇涂法。
[0092] 本申請(qǐng)的操作2為通過(guò)使在操作1中涂布的涂布溶液進(jìn)行干燥來(lái)形成封裝層的操 作。即，在本申請(qǐng)的操作2中，可以通過(guò)加熱涂布在膜上的涂布溶液來(lái)使膜干燥并去除溶劑 而形成封裝層。此時(shí)，干燥條件沒(méi)有特殊限制。例如，可以在70°C至200°C的溫度下進(jìn)行1 至10分鐘干燥。鑒于所使用的溶劑的類型，可以改變干燥條件。
[0093] 在根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)示例性實(shí)施方案的制備封裝膜的方法中，在操作2之后也可 以進(jìn)一步進(jìn)行在基膜或離型膜上形成的封裝層上壓合另一基膜或離型膜的操作3。
[0094] 另外，本申請(qǐng)旨在提供一種有機(jī)電子器件用封裝產(chǎn)品。根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施方案， 有機(jī)電子器件用封裝產(chǎn)品可以包含：基板；在所述基板上形成的有機(jī)電子器件；以及被配 置以封裝所述有機(jī)電子器件的整個(gè)表面的上述封裝膜。此外，所述封裝產(chǎn)品還可以包括設(shè) 置在所述封裝膜上的覆蓋基板。
[0095] 在本申請(qǐng)中，所述有機(jī)電子器件可以為0LED。
[0096] 有機(jī)電子器件用封裝產(chǎn)品還可以包括被配置以保護(hù)封裝膜和有機(jī)電子器件之間 的有機(jī)電子器件的保護(hù)膜。
[0097] 在有機(jī)電子器件中，所述封裝膜可以用作被配置以有效固定和支撐基板和覆蓋基 板同時(shí)表現(xiàn)優(yōu)異的阻濕性和光學(xué)性能的封裝層。
[0098] 如上所述，所述封裝膜也可以表現(xiàn)優(yōu)異的透明性，從而不管頂發(fā)光型有機(jī)電子器 件和底發(fā)光型有機(jī)電子器件的形狀，都能實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的封裝結(jié)構(gòu)。
[0099] 在本說(shuō)明書中，術(shù)語(yǔ)"封裝膜"可以指被配置以覆蓋所述有機(jī)電子元件的整個(gè)上表 面和側(cè)面的壓敏粘合劑層或粘合劑層。
[0100] 本申請(qǐng)的另一方面提供一種制造有機(jī)電子器件的方法，該方法包括將封裝膜的上 述封裝層施用至表面上形成有有機(jī)電子器件的基板，以覆蓋有機(jī)電子器件。該制備方法也 與制備有機(jī)電子器件的方法有關(guān)，其包括固化所述封裝層。
[0101] 在本說(shuō)明書中，術(shù)語(yǔ)"固化"可以指通過(guò)使根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)示例性實(shí)施方案的封 裝組合物經(jīng)過(guò)加熱或UV照射過(guò)程形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)而將封裝組合物制備成膜形式。
[0102] 可以采用熱輥層合、熱壓，或真空壓合方法將封裝膜施用至有機(jī)電子器件，但是本 申請(qǐng)不限于此。
[0103] 將封裝膜施用至有機(jī)電子器件可以在50°C至90°C的溫度下進(jìn)行，并且可以通過(guò) 在70°C至110°C的溫度下加熱或者用UV射線照射進(jìn)行固化。
[0104] 此外，本申請(qǐng)的方法還可以包括將封裝膜的封裝層粘附至另一封裝材料，例如玻 璃或金屬，使得封裝層與封裝材料接觸。
[0105] 圖3為示出根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)示例性實(shí)施方案的有機(jī)電子器件用封裝產(chǎn)品的橫 截面圖。
[0106] 在根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)示例性實(shí)施方案制備有機(jī)電子器件的方法中，例如，使用例 如真空沉積或?yàn)R射的方法在基板21例如玻璃或聚合物膜上形成透明電極或反射電極；并 且在透明電極或反射電極上形成有機(jī)材料層。所述有機(jī)材料層可以包括空穴注入層、空穴 傳輸層、發(fā)光層、電子注入層和/或電子傳輸層。接下來(lái)，在所述有機(jī)材料上進(jìn)一步形成第 二電極。然后，將上述封裝層12施用至在基板21上形成的有機(jī)電子器件23上以覆蓋有機(jī) 電子器件23的整個(gè)表面。此時(shí)，施用封裝層12的方法沒(méi)有特殊限制。例如，覆蓋基板22 (例 如，玻璃或聚合物膜），其是通過(guò)預(yù)先將根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)示例性實(shí)施方案的封裝膜的封裝 層轉(zhuǎn)移至在基板21上形成的有機(jī)電子器件23的上表面而制備的，可以使用例如加熱、壓合 等方法施用。在這個(gè)操作中，例如，當(dāng)封裝層12轉(zhuǎn)移至覆蓋基板22的上表面時(shí)，在該膜上 形成的基膜或離型膜可以使用上述根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)示例性實(shí)施方案的封裝膜剝離，并且 封裝層12可以在使用真空壓機(jī)或真空層合機(jī)加熱的同時(shí)轉(zhuǎn)移至覆蓋基板22的上表面。在 這個(gè)步驟中，當(dāng)封裝膜的固化反應(yīng)進(jìn)行超過(guò)一定程度時(shí)，封裝層12的粘結(jié)性和粘合性會(huì)劣 化。因此，優(yōu)選控制工藝溫度在約l〇〇°C以下并且加工時(shí)間在5分鐘內(nèi)。類似地，即使當(dāng)加 熱并相對(duì)于有機(jī)電子器件壓合轉(zhuǎn)移有封裝層12的覆蓋基板22時(shí)，可以使用真空壓機(jī)或真 空層合機(jī)。在這個(gè)步驟中，可以按照如上描述設(shè)定溫度條件，并且加工時(shí)間可以在10分鐘 內(nèi)。
[0107] 在本申請(qǐng)中，也可以在其上壓合有有機(jī)電子器件的封裝膜上進(jìn)行另一交聯(lián)或固化 工藝。此處，這個(gè)交聯(lián)或固化工藝（本申請(qǐng)中的固化）可以，例如，在加熱箱或UV箱內(nèi)進(jìn)行。 鑒于有機(jī)電子器件的穩(wěn)定性，可以適當(dāng)選擇在該交聯(lián)或固化工藝中使用的條件。
[0108] 然而，上述制備工藝只是根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)示例性實(shí)施方案封裝有機(jī)電子器件的 實(shí)例，并且可以容易地改變加工順序和加工條件。在該申請(qǐng)中，例如，可以通過(guò)首先將根據(jù) 本申請(qǐng)的一個(gè)示例性實(shí)施方案的封裝層12轉(zhuǎn)移至在基板21上形成的有機(jī)電子器件23,然 后壓合覆蓋基板22來(lái)改變轉(zhuǎn)移和壓合工藝的順序。此外，當(dāng)在有