[0084] 上述胺化合物作為有機EL元件用材料、尤其是熒光發(fā)光層的摻雜劑材料是有用 的。
[0085] 有機EL元件 接下來，對本發(fā)明的有機EL元件進行說明。
[0086] 本發(fā)明的有機EL元件的特征在于，在陰極與陽極之間具有含有發(fā)光層的有機薄 膜層，該有機薄膜層中的至少一層包含前述的胺化合物。
[0087] 作為包含前述的胺化合物的有機薄膜層的例子，可舉出空穴傳輸層、發(fā)光層、間隔 層、及阻擋層等，但不限于這些。前述的胺化合物優(yōu)選被包含在發(fā)光層中，特別優(yōu)選作為熒 光發(fā)光層的摻雜劑材料而被包含，可期待有機EL元件的高效率化。
[0088] 本發(fā)明的有機EL元件可以是熒光或磷光發(fā)光型的單色發(fā)光元件，也可以是熒光/ 磷光混合型的白色發(fā)光元件，可以是具有單獨的發(fā)光單元的簡單（simple)型，也可以是具 有多個發(fā)光單元的串聯(lián)（tandem)型。此處，"發(fā)光單元"是指，包括一層以上有機層且其中 一層為發(fā)光層、通過注入的空穴與電子進行再結(jié)合而能發(fā)光的最小單位。
[0089] 因此，作為簡單型有機EL元件的代表的元件構(gòu)成，可舉出以下的元件構(gòu)成。
[0090] ( 1)陽極/發(fā)光單元/陰極 另外，上述發(fā)光單元可以是具有多層磷光發(fā)光層、熒光發(fā)光層的層疊型，此時，出于防 止在磷光發(fā)光層中產(chǎn)生的激子擴散至熒光發(fā)光層的目的，在各發(fā)光層之間可以具有間隔 層。發(fā)光單元的代表的層構(gòu)成如下所示。 (a) 空穴傳輸層/發(fā)光層（/電子傳輸層） (b) 空穴傳輸層/第一焚光發(fā)光層/第二焚光發(fā)光層（/電子傳輸層） (c) 空穴傳輸層/磷光發(fā)光層/間隔層/熒光發(fā)光層（/電子傳輸層） (d) 空穴傳輸層/第一磷光發(fā)光層/第二磷光發(fā)光層/間隔層/熒光發(fā)光層（/電子傳 輸層） (e) 空穴傳輸層/第一磷光發(fā)光層/間隔層/第二磷光發(fā)光層/間隔層/熒光發(fā)光層 (/電子傳輸層） (f) 空穴傳輸層/磷光發(fā)光層/間隔層/第一熒光發(fā)光層/第二熒光發(fā)光層（/電子傳 輸層)。
[0091] 上述各磷光或熒光發(fā)光層能分別地顯示相互不同的發(fā)光色。具體而言，上述層疊 發(fā)光層（d)中，可舉出空穴傳輸層/第一磷光發(fā)光層(紅色發(fā)光）/第二磷光發(fā)光層(綠色發(fā) 光）/間隔層/熒光發(fā)光層(藍色發(fā)光）/電子傳輸層這樣的層構(gòu)成。
[0092] 需要說明的是，在各發(fā)光層與空穴傳輸層或間隔層之間，可以適當?shù)卦O置電子阻 擋層。另外，在各發(fā)光層與電子傳輸層之間，可以適當?shù)卦O置空穴阻擋層。通過設置電子 阻擋層、空穴阻擋層，從而將電子或空穴封閉在發(fā)光層內(nèi)，提高發(fā)光層中的電荷的再結(jié)合概 率，可提尚發(fā)光效率。
[0093] 作為串聯(lián)型有機EL元件的代表的元件構(gòu)成，可舉出以下的元件構(gòu)成。
[0094] (2)陽極/第一發(fā)光單元/中間層/第二發(fā)光單元/陰極 此處，作為上述第一發(fā)光單元及第二發(fā)光單元，例如，可各自獨立地選擇與上述的發(fā)光 單元相同的發(fā)光單元。
[0095] 上述中間層一般也被稱為中間電極、中間導電層、電荷發(fā)生層、電子提取層、連接 層、中間絕緣層，可使用向第一發(fā)光單元中供給電子、向第二發(fā)光單元中供給空穴的公知的 材料構(gòu)成。
[0096] 圖1示出本發(fā)明的有機EL元件的一例的概略構(gòu)成。有機EL元件1具有基板2、陽 極3、陰極4、及被配置在該陽極3與陰極4之間的發(fā)光單元(有機薄膜層）10。發(fā)光單元10 具有發(fā)光層5,所述發(fā)光層5包括至少一層含有熒光主體材料和熒光摻雜劑的熒光發(fā)光層。 在發(fā)光層5與陽極3之間，可以形成空穴注入層、空穴傳輸層6等；在發(fā)光層5與陰極4之 間，可以形成電子注入層、電子傳輸層7等。另外，分別地，可以在發(fā)光層5的陽極3側(cè)設置 電子阻擋層，在發(fā)光層5的陰極4側(cè)設置空穴阻擋層。由此，可將電子、空穴封閉在發(fā)光層 5中，提高發(fā)光層5中的激子的生成概率。
[0097] 需要說明的是，本說明書中，將與熒光摻雜劑組合的主體稱為熒光主體，將與磷光 摻雜劑組合的主體稱為磷光主體。熒光主體和磷光主體不能僅通過分子結(jié)構(gòu)來進行區(qū)分。 即，熒光主體是指，含有熒光摻雜劑的構(gòu)成熒光發(fā)光層的材料，并不表示無法作為構(gòu)成磷光 發(fā)光層的材料而進行利用。關于磷光主體也同樣。
[0098] 基板 本發(fā)明的有機EL元件在透光性基板上制作。透光性基板是支持有機EL元件的基板， 優(yōu)選為400nm~700nm的可見區(qū)域的光的透過率為50%以上且平滑的基板。具體而言，可 舉出玻璃板、聚合物板等。作為玻璃板，特別地可舉出使用鈉鈣玻璃、含有鋇·鍶的玻璃、鉛 玻璃、鋁硅酸鹽玻璃、硼硅酸玻璃、鋇硼硅酸鹽玻璃、石英等作為原料而形成的玻璃板。另 外，作為聚合物板，可舉出使用聚碳酸酯、丙烯酸類（acrylic)、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚 硫醚、聚砜等作為原料而形成的聚合物板。
[0099] 陽極 有機EL元件的陽極發(fā)揮將空穴注入到空穴傳輸層或發(fā)光層中的作用，使用具有4. 5eV 以上的功函數(shù)的物質(zhì)是有效的。作為陽極材料的具體例，可舉出氧化銦錫合金（ΙΤ0)、氧化 錫（NESA)、氧化銦鋅氧化物、金、銀、鉑、銅等。陽極可通過利用蒸鍍法、濺射法等方法將這些 電極物質(zhì)形成薄膜而制作。當從陽極提取出從發(fā)光層發(fā)出的光時，優(yōu)選使該陽極的可見區(qū) 域的光的透過率大于10%。另外，陽極的薄層電阻優(yōu)選為數(shù)百Ω/□以下。進而，雖然陽極 的膜厚也取決于材料，但通常在IOnm~1 μ m、優(yōu)選IOnm~200nm的范圍內(nèi)選擇。
[0100] 陰極 陰極發(fā)揮向電子注入層、電子傳輸層或發(fā)光層中注入電子的作用，優(yōu)選由功函數(shù)小的 材料形成。對于陰極材料沒有特別限制，具體而言，可使用銦、錯、鎂、鎂一銦合金、鎂一鋁合 金、鋁一鋰合金、鋁一鈧一鋰合金、鎂一銀合金等。陰極也與陽極同樣，可通過利用蒸鍍法、 濺射法等方法形成薄膜來制作。另外，根據(jù)需要，可以從陰極側(cè)提取出發(fā)出的光。
[0101] 發(fā)光層 是具有發(fā)光功能的有機層，當采用摻雜系統(tǒng)時，包含主體材料和摻雜劑材料。此時，主 體材料主要具有促進電子與空穴的再結(jié)合，將激子封閉于發(fā)光層內(nèi)的功能，摻雜劑材料具 有使通過再結(jié)合而得到的激子高效地發(fā)光的功能。在磷光元件的情況下，主體材料主要具 有將通過摻雜劑而產(chǎn)生的激子封閉到發(fā)光層內(nèi)的功能。
[0102] 此處，上述發(fā)光層例如也可采用將電子傳輸性的主體和空穴傳輸性的主體組合 等，調(diào)節(jié)發(fā)光層內(nèi)的載流子平衡的雙主體(也稱為主體·共主體（host-cohost))。
[0103] 另外，通過加入兩種以上量子收率高的摻雜劑材料，可采用各摻雜劑分別發(fā)光的 雙摻雜劑。具體而言，可舉出通過一同蒸鍍主體、紅色摻雜劑及綠色摻雜劑，而使發(fā)光層共 通化從而實現(xiàn)發(fā)出黃色光的方式。
[0104] 對于上述發(fā)光層而言，通過形成層疊多層發(fā)光層而得到的層疊體，從而使電子和 空穴在發(fā)光層界面蓄積，使再結(jié)合區(qū)域集中于發(fā)光層界面，可提高量子效率。
[0105] 空穴向發(fā)光層中注入的容易性和電子向發(fā)光層中注入的容易性可以不同，另外， 用空穴和電子在發(fā)光層中的迀移率表示的空穴傳輸能力和電子傳輸能力可以不同。
[0106] 發(fā)光層例如可通過蒸鍍法、旋涂法、LB法等公知的方法形成。另外，也可通過以下 方式來形成發(fā)光層：利用旋涂法等使將樹脂等粘結(jié)劑和材料化合物溶于溶劑中而得到的溶 液形成薄膜。
[0107] 發(fā)光層優(yōu)選為分子堆積膜。分子堆積膜是指由氣相狀態(tài)的材料化合物進行沉積而 形成的薄膜；由溶液狀態(tài)或液相狀態(tài)的材料化合物進行固體化而形成的膜，通常，該分子堆 積膜與利用LB法形成的薄膜(分子累積膜）可通過在凝集結(jié)構(gòu)、高級結(jié)構(gòu)的區(qū)別、由上述區(qū) 別所導致的功能上的區(qū)別而進行區(qū)分。
[0108] 發(fā)光層的膜厚優(yōu)選為5~50nm、更優(yōu)選為7~50nm、進一步優(yōu)選為10~50nm。為 5nm以上時，容易形成發(fā)光層，為50nm以下時，可避免驅(qū)動電壓上升。
[0109] 摻雜劑 形成發(fā)光層的熒光摻雜劑(熒光發(fā)光材料）是能從單重態(tài)激發(fā)狀態(tài)進行發(fā)光的化合物， 只要是能從單重態(tài)激發(fā)狀態(tài)進行發(fā)光即可，沒有特別限制，可舉出熒蒽衍生物、苯乙烯基亞 芳基衍生物、芘衍生物、芳基乙炔衍生物、芴衍生物、硼絡合物、茈衍生物、噁二唑衍生物、蒽 衍生物、苯乙烯基胺衍生物、芳基胺衍生物等，優(yōu)選為蒽衍生物、熒蒽衍生物、苯乙烯基胺衍 生物、芳基胺衍生物、苯乙烯基亞芳基衍生物、芘衍生物、硼絡合物、更優(yōu)選蒽衍生物、熒蒽 衍生物、苯乙烯基胺衍生物、芳基胺衍生物、硼絡合物化合物。
[0110] 對于熒光摻雜劑在發(fā)光層中的含量沒有特別限制，可根據(jù)目的適當選擇，例如，優(yōu) 選為0. 1~70質(zhì)量％，更優(yōu)選為1~30質(zhì)量％，進一步優(yōu)選為1~20質(zhì)量％，更進一步優(yōu) 選為1~10質(zhì)量％。熒光摻雜劑的含量為〇. 1質(zhì)量％以上時，可得到充分的發(fā)光，為70質(zhì) 量％以下時，能避免濃縮猝滅。
[0111] 主體 作為發(fā)光層的主體，可舉出蒽衍生物、多環(huán)芳香族骨架含有化合物等，優(yōu)選為蒽衍生 物。
[0112] 作為藍色發(fā)光層的主體，例如，可使用下述式（5a)所示的蒽衍生物。
[0113] [化 83]
式（5a)中，Ar11及Ar 12各自獨立地為取代或未取代的成環(huán)原子數(shù)5~50的單環(huán)基、或 取代或未取代的成環(huán)原子數(shù)8~50的稠環(huán)基。Rltl1~R 1(18各自獨立地為選自氫原子、取代 或未取代的成環(huán)原子數(shù)5~50的單環(huán)基、取代或未取代的成環(huán)原子數(shù)8~50的稠環(huán)基、由 上述單環(huán)基和上述稠環(huán)基的組合構(gòu)成的基團、取代或未取代的碳原子數(shù)1~50的烷基、取 代或未取代的成環(huán)碳原子數(shù)3~50的環(huán)烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)1~50的烷氧基、 取代或未取代的碳原子數(shù)7~50的芳烷基、取代或未取代的成環(huán)碳原子數(shù)6~50的芳基 氧基、取代或未取代的甲硅烷基、鹵原子、氰基中的基團，優(yōu)選所有的R ltl1~Rltl8為氫原子， 或Rltl1和R 1(18的一方、R 1(14和R 1(15的一方、R 1(11和R 1(15雙方、R 1(18和R 1(14雙方為選自成環(huán)原子 數(shù)5~50的單環(huán)基(優(yōu)選苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基)、取代或未取代的碳原子數(shù)1~50的烷 基(優(yōu)選甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基)、及取代甲硅烷基(優(yōu) 選三甲基甲硅烷基）中的基團，更優(yōu)選所有的R ltl1~Rltl8為氫原子。
[0114] 式（5a)中的單環(huán)基是僅由不具有稠環(huán)結(jié)構(gòu)的環(huán)結(jié)構(gòu)構(gòu)成的基團。
[0115] 作為成環(huán)原子數(shù)5~50的單環(huán)基(優(yōu)選成環(huán)原子數(shù)5~30、更優(yōu)選成環(huán)原子數(shù)5~ 20)的具體例，優(yōu)選苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、四聯(lián)苯基等芳香族基，和吡啶基、吡嗪基、嘧啶 基、三嗪基、呋喃基、噻吩基等雜環(huán)基。
[0116] 作為上述單環(huán)基，其中，優(yōu)選苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基。
[0117] 式（5a)中的稠環(huán)基是指2環(huán)以上的環(huán)結(jié)構(gòu)進行稠合而得到的基團。
[0118] 作為上述成環(huán)原子數(shù)8~50的稠環(huán)基(優(yōu)選成環(huán)原子數(shù)8~30、更優(yōu)選成環(huán)原 子數(shù)8~20)，具體而言，優(yōu)選為萘基、菲基、蒽基、窟基、苯并蒽基、苯并菲基、三亞苯基、苯 并窟基、茚基、芴基、9,9 一二甲基芴基、苯并芴基、二苯并芴基、熒蒽基、苯并熒蒽基等稠合 芳香族環(huán)基，苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、喹啉 基、非洛琳基等桐合雜環(huán)基。
[0119] 作為上述稠環(huán)基，其中，優(yōu)選萘基、菲基、蒽基、9,9 一二甲基芴基、熒蒽基、苯并蒽 基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、咔唑基。
[0120] 需要說明的是，Ar11及Ar 12的取代基優(yōu)選為上述的單環(huán)基或稠環(huán)基。
[0121] 式（5a)中的烷基、環(huán)烷基、烷氧基、芳烷基的烷基部位和芳基部位、芳基氧基、取代 甲硅烷基(烷基甲硅烷基、芳基甲硅烷基)、鹵原子的具體例與上述的關于式（2)中的R 1~R8 &Ra~Rd所列舉的那些相同。
[0122] 式（5a)中，所有的Rici1~R 1(18為氫原子，或R 1(11和R 1(18的一方、R 1(14和R 1(15的一方、 Rltl1和R 1(15雙方、或R 1(18和R 1(14雙方為選自成環(huán)原子數(shù)5~50的單環(huán)基(優(yōu)選苯基、聯(lián)苯基、 三聯(lián)苯基)、取代或未取代的碳原子數(shù)1~50的烷基(優(yōu)選甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁 基、異丁基、仲丁基、叔丁基)、及取代甲硅烷基(優(yōu)選三甲基甲硅烷基）中的基團，更優(yōu)選所 有的R lt11~R 1(18為氫原子。
[0123] 式（5a)所示的蒽衍生物優(yōu)選為下述蒽衍生物（A)、（B)、及（C)中的任一種，可根據(jù) 適用的有機EL元件的構(gòu)成、要求的特性來選擇。
[0124] 蒽衍生物（A) 該蒽衍生物中，式（5a)中的Ar11及Ar 12各自獨立地成為取代或未取代的成環(huán)原子數(shù) 8~50的稠環(huán)基。作為該蒽衍生物，Ar11及Ar 12可以相同也可以不同。
[0125] 特別優(yōu)選為式（5a)中的Ar11及Ar 12為不同的(包括蒽環(huán)鍵合的位置的差異）取代 或未取代的稠環(huán)基的蒽衍生物，稠環(huán)的優(yōu)選的具體例如上所述。其中，優(yōu)選萘基、菲基、苯并 蒽基、9,9 一二甲基芴基、二苯并呋喃基。
[0126] 蒽衍生物（B) 該蒽衍生物中，式（5a)中的Ar11及Ar 12的一方為取代或未取代的成環(huán)原子數(shù)5~50 的單環(huán)基，另一方成為取代或未取代的成環(huán)原子數(shù)8~50的稠環(huán)基。
[0127] 作為優(yōu)選的方式，Ar12為萘基、菲基、苯并蒽基、9,9 一二甲基芴基、二苯并呋喃基， Ar11為未取代苯基、或被單環(huán)基或稠環(huán)基(例如苯基、聯(lián)苯基、萘基、菲基、9,9 一二甲基芴 基、二苯并呋喃基）取代的苯基。
[0128] 優(yōu)選的單環(huán)基、稠環(huán)基的具體基團如上所述。
[0129] 作為其他的優(yōu)選方式，Ar12為取代或未取代的成環(huán)原子數(shù)8~50的稠環(huán)基，Ar 11為 未取代的苯基。此時，作為稠環(huán)基，特別優(yōu)選菲基、9,9 一二甲基芴基、二苯并呋喃基、苯并蒽 基。
[0130] 蒽衍生物（C) 該蒽衍生物中，式（5a)中的Ar11及Ar 12各自獨立地成為取代或未取代的成環(huán)原子數(shù) 5~50的單環(huán)基。
[0131] 作為優(yōu)選的方式，Ar11、Ar12均為取代或未取代的苯基。
[0132] 作為進一步優(yōu)選的方式，有Ar11為未取代的苯基，Ar 12為被單環(huán)基或稠環(huán)基取代的 苯基的情況；和Ar11、Ar12各自獨立地為被單環(huán)基或稠環(huán)基取代的苯基的情況。
[0133] 優(yōu)選的作為上述取代基的單環(huán)基、稠環(huán)基的具體例如上文所述。進一步優(yōu)選的是， 作為用作取代基的單環(huán)基