技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本公開涉及用于從基板上除去物質(zhì)的溶液和方法。任選地，該物質(zhì)可包括在半導(dǎo)體晶片上的光致抗蝕劑。該溶液可包含氫氧化季銨、第一胺、第二胺和第三胺，其中胺總量不大于該溶液的總重量的大約95重量%。另外，溶液可包含至少一種胺、氫氧化季銨和水并且不含非水的極性溶劑，其中該溶液具有不大于大約60厘泊的動態(tài)粘度。

技術(shù)研發(fā)人員：T.W.阿克拉;R.D.彼得斯;K.D.波拉;D.J.普菲謝爾
受保護的技術(shù)使用者：戴納洛伊有限責(zé)任公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.01.05
技術(shù)公布日：2017.08.29