背景在電子器件，如計(jì)算機(jī)芯片、存儲(chǔ)設(shè)備、發(fā)光二極管（led）等的制造中可能使用各種物質(zhì)，如聚合物。在一些情況下，這些物質(zhì)可用于在電子器件中包含的基板（例如半導(dǎo)體器件基板）的表面上形成構(gòu)件（feature），如電路圖案或接合制品（例如焊料凸點(diǎn)）的圖案。在基板處理中，可以從基板表面除去這些物質(zhì)。在一個(gè)實(shí)例中，可以在基板的至少一部分表面上布置物質(zhì)層并可以在基板的后續(xù)處理過(guò)程中除去該層的至少一部分。在另一實(shí)例中，該物質(zhì)可能是在基板上進(jìn)行特定方法時(shí)產(chǎn)生的殘留物。在任何情況下，從基板上除去物質(zhì)的效果影響半導(dǎo)體器件的運(yùn)行品質(zhì)。在一種示例性情況中，在電子器件中包括的半導(dǎo)體器件的制造中可使用光致抗蝕劑和基于有機(jī)物的電介質(zhì)。在半導(dǎo)體器件制造全程都可在光刻操作中使用例如光致抗蝕劑。在施加到基板表面上后，光致抗蝕劑可通過(guò)光掩模暴露在光化輻射下。例如，可以將聚合物光致抗蝕劑作為掩模施加到基板上以劃定焊料在基板上的位置。在將焊料沉積到基板上后，在實(shí)施該方法中的下一步驟之前除去光致抗蝕劑。在另一實(shí)例中，可以將聚合物光致抗蝕劑作為用于在基板上劃定在蝕刻過(guò)程中創(chuàng)建的結(jié)構(gòu)的蝕刻掩模施加到基板上。在蝕刻過(guò)程后，通常在基板上留下聚合或有機(jī)金屬殘留物，其在實(shí)施該方法中的下一步驟之前必須除去。在一些情況下，可使用正性光致抗蝕劑。正性光致抗蝕劑暴露在光化輻射下可造成使得在堿性水溶液中的溶解度提高的化學(xué)反應(yīng)，這允許可用堿性顯影水溶液溶解和洗掉正性光致抗蝕劑。在另一些情況下，可使用負(fù)性光致抗蝕劑。當(dāng)負(fù)性光致抗蝕劑暴露在光化輻射下時(shí)，可在暴露區(qū)中發(fā)生該聚合物的交聯(lián)，而未暴露區(qū)保持不變。可通過(guò)合適的顯影劑化學(xué)品溶解和洗掉未暴露區(qū)。在顯影后，可留下抗蝕劑掩模?？刮g劑掩模的設(shè)計(jì)和幾何形狀可取決于光致抗蝕劑的正性或負(fù)性。正性光致抗蝕劑可匹配光掩模的設(shè)計(jì)，而負(fù)性光致抗蝕劑可提供與光掩模設(shè)計(jì)相反的圖案。另外，光致抗蝕劑用于微電子器件的封裝。在半導(dǎo)體基板的封裝的制造中，將焊料直接施加到已完成微電子器件的制造但尚未切割成單個(gè)芯片的半導(dǎo)體基板上。使用光致抗蝕劑作為掩模以劃定焊料在半導(dǎo)體基板上的位置。在將焊料沉積到半導(dǎo)體基板上后，在實(shí)施該封裝法中的下一步驟之前除去光致抗蝕劑。該光致抗蝕劑可以是正性或負(fù)性的。在一些情況下，該光致抗蝕劑可作為干膜層壓到晶片表面上。在另一些情況下，可以將液體光致抗蝕劑旋涂或噴涂到晶片表面上。概述本公開(kāi)涉及用于從基板上除去物質(zhì)的溶液和方法。該物質(zhì)可包括在半導(dǎo)體基板（其也可被稱作“晶片”）的表面上的光致抗蝕劑。特別地，該光致抗蝕劑可包括基于丙烯酸酯的光致抗蝕劑。在一些情況下，半導(dǎo)體基板可包括一個(gè)或多個(gè)焊料凸點(diǎn)。該焊料凸點(diǎn)可以不含鉛（pb）。另外，該半導(dǎo)體基板可包括暴露的介電材料。該半導(dǎo)體基板在一些情況下還可包括暴露的cu。光致抗蝕劑可布置在半導(dǎo)體基板的一個(gè)或多個(gè)表面上。光致抗蝕劑也可布置在半導(dǎo)體基板的構(gòu)件的表面上。例如，光致抗蝕劑可布置在半導(dǎo)體基板的焊料凸點(diǎn)上。在另一實(shí)例中，光致抗蝕劑可布置在半導(dǎo)體基板的一個(gè)或多個(gè)含銅表面上。此外，光致抗蝕劑可布置在半導(dǎo)體基板的一個(gè)或多個(gè)介電表面上。用于從基板上除去一種或多種物質(zhì)的溶液可包含第一胺、第二胺和第三胺。該溶液還可包含氫氧化季銨。另外，用于從基板上除去一種或多種物質(zhì)的溶液可包含至少一種胺和氫氧化季銨。該溶液還可包含水并且不含非水的極性溶劑。此外，從基板上除去一種或多種物質(zhì)的方法可包括提供包括第一面和基本平行于第一面的第二面的基板。物質(zhì)可布置在基板的第一面的至少一部分、基板的第二面的至少一部分或兩者上。該方法還可包括使所述基板與包含第一胺、第二胺、第三胺和氫氧化季銨的溶液接觸。在一些情況下，該溶液中的胺總量包括第一胺的量、第二胺的量和第三胺的量，胺總量不大于所述溶液的總重量的大約95重量%。另外，該溶液可包含水。該溶液還可包含酰胺。在一些情況下，該溶液的粘度可以不大于大約60厘泊。任選地，用于從基板上除去一種或多種物質(zhì)的溶液可包含至少一種胺。例如，該溶液可包含多種胺。例如，該溶液可包含第一胺、第二胺和第三胺。第一胺可以是脂族胺。另外，第二胺可以是鏈烷醇胺。此外，第三胺可以是芳胺。該溶液還可包含氫氧化季銨和水。任選地，該溶液可以不含非水的極性溶劑?？梢允够宓囊粋€(gè)或多個(gè)表面與該溶液接觸以從基板上除去一種或多種物質(zhì)。例如，可以使基板與該溶液接觸以從基板的所述一個(gè)或多個(gè)表面上除去光致抗蝕劑?？梢允够迮c該溶液在至少大約60℃的溫度下接觸至少大約10分鐘。附圖簡(jiǎn)述圖1是在基板的一個(gè)或多個(gè)表面上具有物質(zhì)的基板和與該基板接觸的溶液的圖示說(shuō)明。圖2是從基板上除去物質(zhì)的示例性方法的流程圖。詳述本公開(kāi)描述了用于從基板上除去物質(zhì)的溶液和方法。當(dāng)該物質(zhì)與該溶液接觸時(shí)，可從基板表面釋放該物質(zhì)。在特定情況下，該溶液可接觸基板的一個(gè)或多個(gè)面。任選可以將一個(gè)或多個(gè)基板浸在該溶液中。另外，可以將該溶液分配到一個(gè)或多個(gè)基板的至少一個(gè)表面上以從基板上除去至少一種物質(zhì)。例如，可以將該溶液噴施到基板的一個(gè)或多個(gè)表面上以從基板的所述一個(gè)或多個(gè)表面上除去至少一種物質(zhì)。本文所述的方法可用于從基板，如微電子晶片、平板顯示器、led等除去物質(zhì)。特別地，本文所述的技術(shù)可用于從半導(dǎo)體基板上除去光致抗蝕劑?？梢耘c半導(dǎo)體基板的封裝操作結(jié)合除去光致抗蝕劑。此外，通過(guò)使用根據(jù)本文所述的實(shí)施方案描述的溶液和方法，可以在對(duì)基板上的其它物質(zhì)的最小限度影響下實(shí)現(xiàn)從基板上有效除去目標(biāo)物質(zhì)。例如，在根據(jù)本文所述的實(shí)施例從基板上除去光致抗蝕劑時(shí)，可以最小化或消除基板上包括的銅或焊料的任何腐蝕。另外，可以最小化或消除對(duì)基板材料，如si的任何腐蝕或其它破壞。可將光致抗蝕劑沉積到介電材料上，其中光致抗蝕劑和電介質(zhì)之間的粘合足夠強(qiáng)以致難以除去光致抗蝕劑。另外，使用一種或多種熱方法圖案化和處理光致抗蝕劑也增加從半導(dǎo)體基板上除去光致抗蝕劑的困難。可通過(guò)許多機(jī)制從半導(dǎo)體基板的表面上除去光致抗蝕劑，如(1)光致抗蝕劑從基板表面溶脹和抬離（lifting），(2)通過(guò)滲入光致抗蝕劑并攜帶與光致抗蝕劑反應(yīng)和將其分解的化合物的剝離溶液（strippingsolution）溶解光致抗蝕劑，和/或(3)使用界面相互作用，其需要?jiǎng)冸x溶液在光致抗蝕劑和下方基板之間的進(jìn)入點(diǎn)。通常，在光致抗蝕劑和下方基板之間的進(jìn)入點(diǎn)存在于基板邊緣和基板上的圖案化構(gòu)件的邊界處。通過(guò)改變剝離溶液的配方、工藝條件和/或基板的材料，來(lái)自各機(jī)理途徑的貢獻(xiàn)可變。改變這些因素允許選擇特定機(jī)制以從基板上除去物質(zhì)。從基板上除去物質(zhì)的上述機(jī)制也獲益于對(duì)基板的各種表面具有良好潤(rùn)濕性的溶液配制物和穩(wěn)健的沖洗方法。一些機(jī)制更適合某些清潔工具類型。例如，溶脹和抬離機(jī)制可獲益于使用物理力（如來(lái)自噴施工具），以減少剝離工藝時(shí)間。溶解之類的機(jī)制適合任何清潔工具類型，無(wú)論是基于浸漬還是基于噴施工具，無(wú)論是單晶片工具還是分批工具。主要使用界面相互作用實(shí)現(xiàn)的抗蝕劑除去可獲益于浸漬或類似浸漬的工藝，其能向布置在基板上的物質(zhì)施加足量剝離溶液并有足夠的時(shí)間使剝離溶液滲透到暴露界面。本文中描述了用于除去抗蝕劑的溶液和方法的實(shí)例，其中光致抗蝕劑除去機(jī)制是溶脹和抬離。特別地，可以在剝離溶液和光致抗蝕劑的頂面之間以及在光致抗蝕劑的邊緣處實(shí)現(xiàn)接觸，和在將基板圖案化的情況下，也可以在構(gòu)件和光致抗蝕劑之間的邊界處實(shí)現(xiàn)接觸。因此，使與基板表面分離的光致抗蝕劑的量最大化。另外，本文所述的溶液可改變布置在基板上的構(gòu)件與基板表面之間的界面相互作用。因此，可以從存在高構(gòu)件密度的區(qū)域較快除去和從存在較低構(gòu)件密度的區(qū)域較慢除去光致抗蝕劑。術(shù)語(yǔ)“涂布”是指在基板上施加膜的方法，如噴涂、攪拌涂布（puddlecoating）或狹縫涂布。術(shù)語(yǔ)“釋放”是指從基板上除去物質(zhì)并且被定義為包括該物質(zhì)的溶液。不定冠詞“一個(gè)”和“一種”意在包括單數(shù)和復(fù)數(shù)。所有范圍包括端點(diǎn)并且可以任何順序組合，除非這樣的數(shù)值范圍明顯限制于合計(jì)為100%，并且各范圍包括該范圍內(nèi)的所有整數(shù)。除非另行指明，術(shù)語(yǔ)“重量百分比”或“重量%”是指基于該組合物的總重量計(jì)的重量百分比。此外，當(dāng)物體或溶液被描述為“不含”一材料時(shí)，除了在一些情況下可能的殘留量的作為雜質(zhì)的該材料外，該物體或溶液不包含任何量的該材料。圖1是在基板100的一個(gè)或多個(gè)表面上具有物質(zhì)102的基板100和與物質(zhì)102和基板100接觸的溶液104的圖示說(shuō)明。基板100可包括第一面106和第二面108。第二面108可以基本平行于第一面106?？梢栽诘谝幻?06、第二面108或兩者上形成構(gòu)件。例如，基板100可包括可用于將基板100接合到另一基板（未顯示）上的在第一面106上形成的一個(gè)或多個(gè)接合制品，如焊料凸點(diǎn)110。另外，基板100可包括電路圖案構(gòu)件，如在第一面106上形成的銅構(gòu)件112。此外，基板100可包括一種或多種介電材料，如代表性介電材料114。介電材料114可包括聚合物材料。介電材料114還可包括硅（si）的氧化物、氮化物或氮氧化物。此外，介電材料114可包括至少一種氟硅酸鹽玻璃。介電材料114還可包括含碳和氧的材料，如環(huán)氧化物和聚苯并噁唑（pbo），和含碳、氮和氧的材料，如聚酰亞胺（pi）。任選地，介電材料114可包括si-摻雜的有機(jī)介電材料或有機(jī)物摻雜的基于硅的介電材料的雜化材料。盡管在圖1中沒(méi)有顯示在第二面108上形成的構(gòu)件，但可以在第二面108上形成許多焊料凸點(diǎn)、許多銅構(gòu)件、介電材料或其組合。此外，盡管在圖1中在第一面106上顯示單個(gè)焊料凸點(diǎn)110、單個(gè)銅構(gòu)件112和單個(gè)介電材料層114，但可以在第一面106上形成任何數(shù)量的焊料凸點(diǎn)、銅構(gòu)件或介電材料層。在一些情況下，焊料凸點(diǎn)110、銅構(gòu)件112、介電材料114或其組合可以是在第一面106上形成的構(gòu)件圖案的一部分?；?00可包括無(wú)機(jī)材料。例如，基板100可包括半導(dǎo)體材料。例如，基板100可包括硅、二氧化硅或其組合。任選地，基板100可包括半導(dǎo)體材料，還包括摻雜劑材料，如硼（b）、鎵（ga）、砷（as）、磷（p）或其組合。另外，基板100可包括有機(jī)材料，如一種或多種聚合物材料。例如，基板100可包括聚酰亞胺或其它介電聚合物材料。此外，基板100可包括一個(gè)或多個(gè)層，如一個(gè)或多個(gè)芯層、一個(gè)或多個(gè)增強(qiáng)層、一個(gè)或多個(gè)絕緣層、一個(gè)或多個(gè)金屬層或其組合?；?00的表面可以是圓形的?；蛘撸?00的表面可以是平面形狀的，如矩形或正方形。另外，基板100可具有劃定基板100的表面積的一個(gè)或多個(gè)維度，如半徑、直徑、長(zhǎng)度、寬度或其組合?；?00也可具有厚度116?；?00的厚度116可包括基板100的一個(gè)或多個(gè)層的厚度?；?00的厚度116可以為大約250微米至大約950微米，大約500微米至大約800微米，或大約700微米至大約780微米。此外，基板100的寬度或直徑118可以為大約50毫米至大約450毫米，大約200毫米至大約300毫米，或大約200毫米至大約450毫米。任選地，基板100可以更薄。例如，可以使基板變薄以能夠?qū)⒒宥询B到單個(gè)包裝中。薄基板的厚度可以為20微米至100微米，或25微米至75微米。該薄基板可負(fù)載在載體（未顯示在圖1）上并通過(guò)粘合劑粘貼到載體上。該載體和粘合劑是臨時(shí)支承，可從其移除薄基板。在粘貼在載體上時(shí)的薄基板處理過(guò)程中，載體和薄基板組合的厚度可以為大約700毫米至大約900毫米。物質(zhì)102可作為覆蓋基板100的特定面的至少一部分的層布置。任選地，物質(zhì)102可以至少部分覆蓋在基板100上形成的一個(gè)或多個(gè)構(gòu)件。物質(zhì)102可布置在基板100的特定面的一部分上，而基板100的該特定面的其它部分不含物質(zhì)102。例如，在圖1的示例性實(shí)例中，物質(zhì)102布置在銅構(gòu)件112上且第一面106的一部分被物質(zhì)102覆蓋，而第一面106的另一部分不含物質(zhì)102。物質(zhì)102也布置在介電材料114上。物質(zhì)102可根據(jù)圖案布置在基板100的特定面上。盡管物質(zhì)102顯示為布置在基板100的第一面106上，但物質(zhì)102在另一些情況中也可布置在基板100的第二面108上。此外，盡管圖1顯示物質(zhì)102布置在銅構(gòu)件112和介電材料114上且焊料凸點(diǎn)110不含物質(zhì)102，但任選地，物質(zhì)102可以布置在焊料凸點(diǎn)110的至少一部分上，且銅構(gòu)件112的至少一部分和介電材料114的至少一部分可以不含物質(zhì)102。物質(zhì)102可具有厚度120。物質(zhì)102的厚度120可以基本均勻?；蛘撸贾迷诨?00上的物質(zhì)102的厚度120可變。布置在基板100上的物質(zhì)102的厚度120可以不大于大約300微米、或不大于大約250微米、或不大于大約200微米、或不大于大約150微米、或不大于大約100微米。此外，基板100上的物質(zhì)102的厚度120可以為至少大約0.5微米、或至少大約5微米、或至少大約10微米、或至少大約25微米、或至少大約40微米、或至少大約60微米。在一個(gè)示例性實(shí)例中，基板100上的物質(zhì)102的厚度120可以為大約0.25微米至大約300微米。在另一示例性實(shí)例中，基板100上的物質(zhì)102的厚度120可以為大約8微米至大約125微米。在又一示例性實(shí)例中，基板100上的物質(zhì)102的厚度120可以為大約20微米至大約80微米。在一些情況下，物質(zhì)102可包括光致抗蝕劑。該光致抗蝕劑可以是負(fù)性光致抗蝕劑?；蛘撸摴庵驴刮g劑可以是正性光致抗蝕劑。該光致抗蝕劑可以已經(jīng)過(guò)一個(gè)或多個(gè)沖洗過(guò)程、一個(gè)或多個(gè)固化過(guò)程、一個(gè)或多個(gè)預(yù)處理過(guò)程或其組合。例如，該光致抗蝕劑可以已暴露在電磁輻射，如紫外光下。該光致抗蝕劑可包括丙烯酸酯聚合物。在一個(gè)實(shí)例中，該光致抗蝕劑可作為干膜施加到基板100上。例如，該光致抗蝕劑可層壓在基板100的至少一部分上。在另一實(shí)例中，該光致抗蝕劑可作為液體涂布到基板100上。特別地，該光致抗蝕劑可以使用旋涂法或噴涂法施加到基板100的至少一部分上。溶液104可包括剝離溶液以從基板100的至少一部分上除去目標(biāo)物質(zhì)和/或使目標(biāo)物質(zhì)從基板100上釋放。例如，溶液104可以使至少一部分物質(zhì)102從基板100上除去。溶液104可以是均勻的。如本文所用，當(dāng)溶液在大約23℃下保持單相至少24小時(shí)時(shí)，該溶液可被稱作“均勻”。均勻溶液可以比不均勻溶液更有效地從基板100上除去物質(zhì)102。如本文所用，當(dāng)溶液在大約23℃下在該溶液混合后經(jīng)過(guò)24小時(shí)之前具有多個(gè)相時(shí)，該溶液可被稱作“不均勻”。因此，溶液104具有使溶液104均勻的配方。溶液104可包含至少一種胺。所述至少一種胺可包括脂族胺、鏈烷醇胺、芳胺或其組合的至少一種。任選地，溶液104可包含多種胺。例如，溶液104可包含第一胺、第二胺和第三胺。在一個(gè)示例性實(shí)例中，所述多種胺可包含至少一種脂族胺。另外，所述多種胺可包含至少一種鏈烷醇胺。此外，所述多種胺可包含至少一種芳胺。在一個(gè)特定實(shí)例中，溶液104可包含脂族胺、鏈烷醇胺和芳胺。溶液104也可包含少于三種胺，如一種胺或兩種胺，或多于三種胺，如四種胺、五種胺或多于五種胺。脂族胺可包括含氮(n)化合物，其中芳環(huán)不直接鍵合到該化合物的氮原子上。例如，脂族胺可具有一個(gè)或多個(gè)直接鍵合到該化合物的氮原子上的低級(jí)烷基。術(shù)語(yǔ)“低級(jí)烷基”可以是指包含含有1至20個(gè)僅通過(guò)單鍵連接的碳原子的直鏈或支鏈烴并且沒(méi)有任何環(huán)狀結(jié)構(gòu)的官能團(tuán)。低級(jí)烷基的實(shí)例包括甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十烷基等。溶液104中包含的脂族胺的實(shí)例包括，但不限于四亞乙基五胺（tetraethylpentamine）（tepa）、三亞乙基四胺（teta）、二亞乙基三胺（deta）、二甲基十二烷胺、二甲基十四烷胺或其組合。鏈烷醇胺可包含羥基和氨基。羥基和氨基可鍵合到碳原子的直鏈或支鏈上。任選地，鏈烷醇胺可具有至少2個(gè)碳原子并具有鍵合到不同碳原子上的氨基和羥基。例如，溶液104中包含的鏈烷醇胺可包括具有下式的1,2鏈烷醇胺：其中r1和r2獨(dú)立地為氫、(c1-c4)烷基或(c1-c4)烷基氨基。溶液104中包含的鏈烷醇胺的實(shí)例包括，但不限于，氨基乙基乙醇胺、二甲基氨基乙醇、單乙醇胺、n-甲基乙醇胺、n-乙基乙醇胺、n-丙基乙醇胺、n-丁基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、n-甲基二乙醇胺、n-乙基二乙醇胺、異丙醇胺、二異丙醇胺、三異丙醇胺、n-甲基異丙醇胺、n-乙基異丙醇胺、n-丙基異丙醇胺、2-氨基丙-1-醇、n-甲基-2-氨基丙-1-醇、n-乙基-2-氨基丙-1-醇、1-氨基丙-3-醇、n-甲基-1-氨基丙-3-醇、n-乙基-1-氨基丙-3-醇、1-氨基丁-2-醇、n-甲基-1-氨基丁-2-醇、n-乙基-1-氨基丁-2-醇、2-氨基丁-1-醇、n-甲基-2-氨基丁-1-醇、n-乙基-2-氨基丁-1-醇、3-氨基丁-1-醇、n-甲基-3-氨基丁-1-醇、n-乙基-3-氨基丁-1-醇、1-氨基丁-4-醇、n-甲基-1-氨基丁-4-醇、n-乙基-1-氨基丁-4-醇、1-氨基-2-甲基丙-2-醇、2-氨基-2-甲基丙-1-醇、1-氨基戊-4-醇、2-氨基-4-甲基戊-1-醇、2-氨基己-1-醇、3-氨基庚-4-醇、1-氨基辛-2-醇、5-氨基辛-4-醇、1-氨基丙-2,3-二醇、2-氨基丙-1,3-二醇、三(氧甲基)氨基甲烷、1,2-二氨基丙-3-醇、1,3-二氨基丙-2-醇、2-(2-氨基乙氧基)乙醇及其混合物。芳胺可包含鍵合到取代或未取代芳環(huán)上的氨基。該芳環(huán)可具有芳基環(huán)結(jié)構(gòu)或雜芳基環(huán)結(jié)構(gòu)。溶液104中包含的芳胺的實(shí)例包括，但不限于，芐胺、二甲基芐胺、吡啶、苯乙胺及其混合物。溶液104中的所述至少一種胺的總量可包括溶液104中包含的各胺的量。例如，當(dāng)溶液104包含兩種胺時(shí)，溶液104中的胺總量可包括第一胺的量和第二胺的量。在另一實(shí)例中，當(dāng)溶液104包含三種胺時(shí)，溶液104中的胺總量可包括第一胺的量、第二胺的量和第三胺的量。在另一實(shí)例中，當(dāng)溶液104包含四種胺時(shí)，溶液104中的胺總量可包括第一胺的量、第二胺的量、第三胺的量和第四胺的量。在另一實(shí)例中，當(dāng)溶液104包含五種胺時(shí)，溶液104中的胺總量可包括第一胺的量、第二胺的量、第三胺的量、第四胺的量和第五胺的量。溶液104中的任何胺的總量可以不大于大約97%、或不大于大約95%、或不大于大約93%、或不大于大約90%、或不大于大約85%、或不大于大約80%、或不大于大約75%，在每種情況下作為基于溶液104的總重量計(jì)的重量%。此外，溶液104中的胺總量可以為至少大約50%、或至少大約55%、或至少大約60%、或至少大約65%、或至少大約70%，在每種情況下作為基于溶液104的總重量計(jì)的重量%。在一個(gè)示例性實(shí)例中，溶液104中的胺總量可以為溶液104的總重量的大約45重量%至大約98重量%。在另一示例性實(shí)例中，溶液104中的胺總量可以為溶液104的總重量的大約67重量%至大約97重量%。在另一示例性實(shí)例中，溶液104中的胺總量可以為溶液104的總重量的大約82重量%至大約96重量%。溶液104中包含的各胺的量可以不大于大約97%、或不大于大約95%、或不大于大約90%、或不大于大約80%、或不大于大約70%、或不大于大約60%，在每種情況下作為基于溶液104的總重量計(jì)的重量%。溶液104中包含的各胺的量也可以為至少大約2%、或至少大約5%、或至少大約10%、或至少大約20%、或至少大約30%、或至少大約40%、或至少大約50%，在每種情況下作為基于溶液104的總重量計(jì)的重量%。在一個(gè)示例性實(shí)例中，溶液104中包含的各胺的量可以為溶液104的總重量的大約1重量%至大約98重量%。在另一示例性實(shí)例中，溶液104中包含的各胺的量可以為溶液104的總重量的大約2重量%至大約10重量%。在另一示例性實(shí)例中，溶液104中包含的各胺的量可以為溶液104的總重量的大約5重量%至大約30重量%。在另一示例性實(shí)例中，溶液104中包含的各胺的量可以為溶液104的總重量的大約22重量%至大約42重量%。在再一示例性實(shí)例中，溶液104中包含的各胺的量可以為該溶液的總重量的大約25重量%至大約55重量%。在另一實(shí)例中，溶液104中包含的各胺的量可以為溶液104的總重量的大約30重量%至大約40重量%。在另一實(shí)例中，溶液104中包含的各胺的量可以為溶液104的總重量的大約40重量%至大約55重量%。溶液104中的各胺的量的其它合適范圍包括1-98、或2-98、或5-98、或20-98、或30-98、或50-98、或50-98、或1-97、或2-97、或5-97、或20-97、或30-97、或50-97、或50-95、或1-95、或2-95、或5-95、或20-95、或30-95、或50-95、或50-90、或1-90、或2-90、或5-90、或20-90、或30-90、或50-90、或50-80、或1-80、或2-80、或5-80、或20-80、或30-80、或50-80、或50-70、或1-70、或2-70、或5-70、或20-70、或30-70、或50-70、或50-60、或1-60、或2-60、或5-60、或20-60、或30-60、或50-60、在每種情況下作為基于溶液104的總重量計(jì)的重量%。在一些示例性實(shí)例中、溶液104可包含一定量的至少一種脂族胺。例如，溶液104可包含溶液104的總重量的大約20重量%至大約95重量%的量的脂族胺。溶液104還可包含溶液104的總重量的大約25重量%至大約45重量%的量的脂族胺。另外，溶液104可包含溶液104的總重量的大約38重量%至大約58重量%的量的脂族胺。在一些情況下，溶液104可以不含脂族胺。溶液104可包含一定量的至少一種鏈烷醇胺。例如，溶液104可包含溶液104的總重量的大約2重量%至大約90重量%的量的鏈烷醇胺。在另一些情況下，溶液104可包含溶液104的總重量的大約10重量%至大約40重量%的量的鏈烷醇胺。此外，溶液104可包含溶液104的總重量的大約22重量%至大約37重量%的量的鏈烷醇胺。此外，溶液104在一些情況下可以不含鏈烷醇胺。溶液104可包含一定量的至少一種芳胺。溶液104可包含溶液104的總重量的大約2重量%至大約35重量%的量的芳胺。溶液104還可包含溶液104的總重量的大約3重量%至大約10重量%的量的芳胺。另外，溶液104可包含溶液104的總重量的大約18重量%至大約32重量%的量的芳胺。溶液104在一些情況下可以不含芳胺。另外，溶液104可包含一定量的至少一種氫氧化季銨。該季銨基團(tuán)可包含(c1-c8)烷基、芳基烷基及其組合。所述至少一種氫氧化季銨可包括四甲基氫氧化銨（tmah）、四乙基氫氧化銨（teah）、二甲基二丙基氫氧化銨（dmdpah）、三甲基乙基氫氧化銨（tmeah）、芐基三甲基氫氧化銨（btmah）、四丙基氫氧化銨（tpah）、四丁基氫氧化銨（tbah）或其混合物。在一個(gè)示例性實(shí)例中，溶液104可包含溶液104的總重量的大約0.5重量%至大約10重量%的量的氫氧化季銨。在另一示例性實(shí)例中，溶液104中包含的氫氧化季銨的量可以為溶液104的總重量的大約1重量%至大約5重量%。溶液104還可包含一定量的水。例如，溶液104可包含溶液104的總重量的大約0.5重量%至大約10重量%的量的水。在另一實(shí)例中，溶液104可包含溶液104的總重量的大約1重量%至大約5重量%的量的水。此外，溶液104可包含一定量的至少一種非水的極性溶劑。所述至少一種極性溶劑可包括將物質(zhì)102的組分溶劑化的溶劑。例如，當(dāng)物質(zhì)102包括光致抗蝕劑時(shí)，所述至少一種極性溶劑可以將物質(zhì)102的聚合物鏈溶劑化。所述至少一種極性溶劑還可包括遞送旨在與物質(zhì)102的組分反應(yīng)的溶液104的組分的溶劑。例如，當(dāng)物質(zhì)102包括光致抗蝕劑時(shí)，所述至少一種極性溶劑可以向光致抗蝕劑的聚合物鏈上的官能團(tuán)遞送溶液104的組分，如一種或多種胺。此外，所述至少一種極性溶劑可為溶液104提供穩(wěn)定性并保持溶液104的均勻性。在一個(gè)實(shí)例中，所述至少一種極性溶劑可助于溶解溶液104中包含的氫氧化季銨。此外，所述至少一種極性溶劑可在溶液104接觸物質(zhì)102時(shí)在最低限度上或完全不參與物質(zhì)102的分解反應(yīng)。在一個(gè)示例性實(shí)例中，當(dāng)物質(zhì)102包括光致抗蝕劑時(shí)，所述至少一種極性溶劑可在最低限度上或完全不參與光致抗蝕劑的聚合物鏈的分解反應(yīng)。在一個(gè)特定實(shí)例中，所述至少一種非水的極性溶劑不包括胺。任選地，所述至少一種極性溶劑可包括二醇、聚二醇、二醇醚或其組合。在一個(gè)實(shí)例中，所述至少一種極性溶劑可包括醇。在另一實(shí)例中，所述至少一種極性溶劑可包括二醇。另外，所述至少一種極性溶劑可包括極性質(zhì)子溶劑。所述至少一種非水的極性溶劑可包括3-甲氧基3-甲基1-丁醇、3-甲氧基3-甲基2-丁醇、3-甲氧基-3-甲基-4-丁醇、乙二醇、丙二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、1,2戊二醇、1,3-戊二醇、1,4-戊二醇、1,5-戊二醇、2,3-戊二醇、1,2-己二醇、1,3-己二醇、1,4-己二醇、1,5-己二醇、1,6-己二醇、2,3-己二醇、2,4-己二醇、3,4-己二醇、二乙二醇、三乙二醇、四乙二醇、三乙二醇單甲基醚、三乙二醇單乙基醚、三乙二醇單丁基醚、三乙二醇二甲基醚、三乙二醇二乙基醚、三乙二醇二丁基醚、丁二醇單甲基醚、丁二醇單乙基醚、丁二醇單丁基醚、丁二醇二甲基醚、丁二醇二乙基醚、丁二醇二丁基醚、四氫糠醇、環(huán)己醇、芐醇、糠醇、二乙二醇單丁基醚、二乙二醇單乙基醚、二乙二醇單甲基醚、二乙二醇二丁基醚、二乙二醇二乙基醚、二乙二醇二甲基醚、(4-甲基環(huán)己基)甲醇、羥甲基環(huán)己烷、間甲酚、叔丁醇、叔戊醇、3-甲基-3-戊醇、1-辛醇、1-癸醇、1-十一烷醇、1-十二烷醇、1-十三烷醇、1-十四烷醇、1-十五烷醇、1-十六烷醇、9-十六烯-1-醇、1-十七烷醇、1-十八烷醇、1-十九烷醇、1-二十烷醇、1-二十一烷醇、1-二十二烷醇、1,3-二十二烯-1-醇、1-二十四烷醇、1-二十六烷醇、1-二十七烷醇、1-二十八烷醇、1-三十烷醇、1-三十二烷醇、1-三十四烷醇、鯨蠟硬脂醇或其混合物。溶液104可含有具有結(jié)構(gòu)roh的溶劑。在一個(gè)實(shí)例中，r可以是具有包含1至20個(gè)碳原子的碳鏈的任選取代的脂族基團(tuán)。在一個(gè)示例性實(shí)例中，該溶劑可包括丁醇。該脂族基團(tuán)可包含至少一個(gè)任選取代的芳族取代基。任選地，該溶劑可包括具有包含1至20個(gè)碳原子的任選取代的碳鏈的脂族二醇或脂族多元醇。例如，該溶劑可包括1,2丁二醇。在另一實(shí)例中，該溶劑可包括糖醇，如山梨糖醇或木糖醇。另外，該溶劑可包括芳族二醇，如鄰苯二酚或間苯二酚。此外，該溶劑可包括二醇（glycol）。在一個(gè)實(shí)例中，該溶劑可包括丁二醇。任選地，該溶劑可包括具有結(jié)構(gòu)r3-o-r4-oh的任選取代的脂族二醇醚，其中r3和r4獨(dú)立地包括具有1至20個(gè)碳原子的任選取代的碳鏈。r3或r4也可包括任選取代的芳族基團(tuán)，以使該溶劑包括芳族二醇醚。在一個(gè)示例性實(shí)例中，該溶劑可包括乙二醇苯基醚。此外，該溶劑可包括具有結(jié)構(gòu)r5-o-r6-o-r7-o-r8的二醚，其中r5和r8獨(dú)立地包括h或具有1至20個(gè)碳原子的任選取代的碳鏈，且r6和r7包括具有1至20個(gè)碳原子的任選取代的碳鏈。例如，該溶劑可包括二乙二醇二甲基醚。溶液104中包含的溶劑的碳鏈的任何取代基可包括h、oh、包含1至10個(gè)碳原子的烷基、包含1至10個(gè)碳原子的烯基、包含1至10個(gè)碳原子的炔基、任選取代的氨基、任選取代的芳基、任選取代的雜芳基、任選取代的環(huán)烷基或其組合。在一個(gè)示例性實(shí)例中，溶液104中包含的非水的極性溶劑的量可以為溶液104的總重量的大約0.5重量%至大約30重量%。在另一示例性實(shí)例中，溶液104中包含的非水的極性溶劑的量可以為溶液104的總重量的大約1重量%至大約12重量%。溶液104在一些情況下也可以不含非水的極性溶劑。此外，溶液104可包含一定量的至少一種酰胺。所述至少一種酰胺可降低溶液104的粘度。降低溶液104的粘度可改進(jìn)使用溶液104的方法的效率，減少對(duì)使用溶液104的裝置的維護(hù)，或兩者。任選地，所述至少一種酰胺可包括具有下式的二甲基酰胺：其中r8是(c1-c9)烷基或(c1-c9)烯。溶液104中包含的酰胺包括，但不限于，n,n-二甲基9-癸烯酰胺（dmda）、n,n-二甲基癸酰胺（dmdaa）、二甲基乙酰胺（dmac）或其混合物。在一個(gè)示例性實(shí)例中，溶液104可包含溶液104的總重量的大約1重量%至大約55重量%的量的酰胺。在另一示例性實(shí)例中，溶液104可包含溶液104的總重量的大約10重量%至大約40重量%的量的酰胺。在另一示例性實(shí)例中，溶液104可包含溶液104的總重量的大約20重量%至大約30重量%的量的酰胺。任選地，溶液104可以不含酰胺。在一些實(shí)例中，溶液104可具有不大于大約70厘泊（cp）、或不大于大約60cp、或不大于大約50cp、或不大于大約40cp、或不大于大約30cp的粘度。另外，溶液104可具有至少大約5cp、或至少大約15cp、或至少大約25cp、或至少大約35cp的粘度。在一個(gè)示例性實(shí)例中，溶液104可具有大約10cp至大約60cp的粘度。在另一示例性實(shí)例中，溶液104可具有大約30cp至大約55cp的粘度。在另一示例性實(shí)例中，溶液104可具有大約10cp至大約25cp的粘度。溶液104的粘度可以是指溶液104的動(dòng)態(tài)粘度。可通過(guò)在水浴中在25℃下使用ubbelohde毛細(xì)管粘度計(jì)根據(jù)本申請(qǐng)?zhí)峤粫r(shí)的astm方法d445測(cè)量運(yùn)動(dòng)粘度而測(cè)量溶液104的粘度?？赏ㄟ^(guò)將運(yùn)動(dòng)粘度（以cst測(cè)得）乘以溶液密度計(jì)算動(dòng)態(tài)粘度（以cp測(cè)得）。通過(guò)計(jì)算該溶液的組分的重量平均密度估算該溶液密度。溶液104可包含溶液104的總重量的大約40重量%至大約60重量%的量的脂族胺，如tepa；溶液104的總重量的大約30重量%至大約40重量%的量的鏈烷醇胺，如mea；和溶液104的總重量的大約3重量%至大約25重量%的量的芳胺，如芐胺。溶液104還可包含溶液104的總重量的大約1重量%至大約5重量%的量的氫氧化季銨，如tmah和溶液104的總重量的大約1重量%至大約5重量%的量的水。此外，溶液104可以不含非水的極性溶劑。溶液104也可包含溶液104的總重量的大約40重量%至大約60重量%的量的脂族胺，如tepa；溶液104的總重量的大約30重量%至大約40重量%的量的鏈烷醇胺，如mea；和溶液104的總重量的大約3重量%至大約25重量%的量的芳胺，如芐胺。此外，溶液104可包含溶液104的總重量的大約1重量%至大約5重量%的量的氫氧化季銨，如tmah；溶液104的總重量的大約1重量%至大約5重量%的量的水；和溶液104的總重量的大約0.5重量%至大約12重量%的量的非水的極性溶劑，如mmb。此外，溶液104可具有大約40cp至大約60cp的粘度。任選地，溶液104可包含溶液104的總重量的大約35重量%至大約45重量%的量的脂族胺，如tepa；溶液104的總重量的大約20重量%至大約30重量%的量的鏈烷醇胺，如mea；和溶液104的總重量的大約1重量%至大約10重量%的量的芳胺，如芐胺。溶液104也可包含溶液104的總重量的大約1重量%至大約5重量%的量的氫氧化季銨，如tmah；溶液104的總重量的大約1重量%至大約5重量%的量的水；和溶液104的總重量的大約0.5重量%至大約5重量%的量的非水的極性溶劑，如mmb；和溶液104的總重量的大約20重量%至大約30重量%的量的酰胺，如dmda或dmac。此外，溶液104可具有大約10cp至大約25cp的粘度。圖2是除去布置在基板上的目標(biāo)物質(zhì)，如布置在圖1的基板100上的物質(zhì)102的示例性方法200的流程圖。在202，方法200包括提供包括第一面和基本平行于第一面的第二面的基板。該物質(zhì)可布置在基板的第一面、基板的第二面或兩者上。在一些情況下，該物質(zhì)可布置在一個(gè)或多個(gè)在基板的面上形成的構(gòu)件，如一個(gè)或多個(gè)焊料凸點(diǎn)、一個(gè)或多個(gè)銅構(gòu)件或其組合上。該物質(zhì)可包括光致抗蝕劑。任選地，可通過(guò)將包含光致抗蝕劑的干膜層壓到基板的一個(gè)或多個(gè)部分上而將光致抗蝕劑施加到基板的所述一個(gè)或多個(gè)部分上。光致抗蝕劑也可以作為液體在旋涂法或噴涂法中施加到基板的一個(gè)或多個(gè)部分上。在將光致抗蝕劑施加到基板的所述一個(gè)或多個(gè)部分上之后，該光致抗蝕劑可以暴露在光化輻射，如紫外線輻射下。在204，方法200包括提供用于從基板上除去一種或多種物質(zhì)的溶液。該溶液可包括關(guān)于圖1的溶液104描述的一種或多種溶液配制物。在一個(gè)實(shí)例中，該溶液可包含第一胺、第二胺、第三胺和氫氧化季銨。在另一實(shí)例中，該溶液可包含至少一種胺、氫氧化季銨、水并且不含非水的極性溶劑。任選地，該溶液可包含脂族胺并具有至少為該溶液的總重量的大約35重量%的量的脂族胺。另外，該溶液可包含鏈烷醇胺并具有至少為該溶液的總重量的大約15重量%的量的鏈烷醇胺。此外，該溶液可包含芳胺并具有不大于該溶液的總重量的大約30重量%的量的芳胺。該溶液還可包含不大于該溶液的總重量的大約8重量%的量的氫氧化季銨。此外，該溶液可包含不大于該溶液的總重量的大約8重量%的量的水。任選地，該溶液可包含非水的極性質(zhì)子溶劑并包含不大于該溶液的總重量的大約25重量%的量的極性質(zhì)子溶劑。因此，在一些實(shí)例中，該溶液可包含一定量的非水的極性溶劑，但在另一些配制物中，該溶液可以不含非水的極性溶劑。此外，該溶液可包含不大于該溶液的總重量的大約50重量%的量的酰胺。另外，該溶液可具有不大于大約50cp的粘度。該溶液也可具有不大于大約30cp的粘度。任選地，可以在方法200中使用具有不大于大約30cp的粘度的溶液以將一些機(jī)械設(shè)備（machinery）在該基板和該溶液的處理過(guò)程中遇到的問(wèn)題最小化。在206，方法200包括使基板與該溶液接觸以除去布置在基板上的一種或多種物質(zhì)的至少一部分。任選地，該溶液可接觸基板的一個(gè)或多個(gè)面。該溶液可以溶解布置在基板上的目標(biāo)物質(zhì)（例如光致抗蝕劑）和/或使目標(biāo)物質(zhì)從基板上釋放。例如，該溶液可通過(guò)一個(gè)或多個(gè)分解反應(yīng)溶解目標(biāo)物質(zhì)。該基板可以與一個(gè)或多個(gè)附加基板一起處理，且方法200可用于從多個(gè)基板上除去物質(zhì)。特別地，該溶液可以從基板上除去至少大約75%的目標(biāo)物質(zhì)、或從基板上除去至少大約85%的目標(biāo)物質(zhì)、或從基板上除去至少大約95%的目標(biāo)物質(zhì)、或從基板上除去至少大約99%的目標(biāo)物質(zhì)。另外，該溶液可以從基板上除去基本所有該物質(zhì)。使基板上的物質(zhì)與該溶液接觸也可包括將該溶液、基板或兩者加熱到用于在指定時(shí)間內(nèi)除去該物質(zhì)的溫度?？梢詫⒃撊芤?、基板或兩者加熱到不大于大約115℃、不大于大約100℃、不大于大約90℃、或不大于大約80℃的溫度。另外，可以將該溶液、基板或兩者加熱到至少大約30℃、至少大約45℃、至少大約60℃、或至少大約75℃的溫度。此外，可以將該溶液、基板或兩者加熱到大約40℃至大約100℃的溫度。也可以將該溶液、基板或兩者加熱到大約65℃至大約85℃范圍內(nèi)。任選地，可以將該溶液加熱到低于該溶液的閃點(diǎn)的溫度。提高該溶液和/或基板的溫度的熱量可以由熱源，如傳導(dǎo)熱源或?qū)α鳠嵩刺峁？梢允够迮c該溶液接觸不多于大約180分鐘、不多于大約150分鐘、不多于大約120分鐘、或不多于大約90分鐘的指定時(shí)間。另外，可以使基板與該溶液接觸至少大約10分鐘、至少大約25分鐘、至少大約40分鐘、或至少大約60分鐘的指定時(shí)間。此外，可以使基板與該溶液接觸大約10分鐘至大約120分鐘的持續(xù)時(shí)間。也可以使基板與該溶液接觸大約45分鐘至大約70分鐘的持續(xù)時(shí)間。可以將基板浸在該溶液中。例如，可以將基板浸在溶液浴中。在一些情況下，可以將基板與一個(gè)或多個(gè)附加基板一起浸在浴中。也可以將該溶液施加到基板的一個(gè)或多個(gè)面上。在一個(gè)實(shí)例中，可以用該溶液涂布基板的一個(gè)或多個(gè)面。例如，可以例如使用一個(gè)或多個(gè)噴嘴用該溶液噴施基板的一個(gè)或多個(gè)面。另外，可以將該溶液旋涂到基板的一個(gè)或多個(gè)面上。當(dāng)使基板的多個(gè)面與該溶液接觸時(shí)，可以將該溶液順序施加到各面上。也就是說(shuō)，可以在合適的條件下將該溶液施加到基板的一個(gè)面上指定時(shí)間，然后將該溶液施加到基板的另一個(gè)面上。或者，該溶液可以基本同時(shí)施加到基板的多個(gè)面上?？梢詫⒁欢w積的溶液添加到包括基板的容器中以使溶液的厚度基本覆蓋基板的至少一個(gè)面。根據(jù)應(yīng)用和待除去的物質(zhì)（例如抗蝕劑），在晶片上的液體涂層的厚度可以更薄或更厚。此外，在基板與該溶液接觸的同時(shí)可以攪動(dòng)該溶液?？梢酝ㄟ^(guò)機(jī)械攪拌、循環(huán)、將惰性氣體鼓泡通過(guò)該溶液或其組合攪動(dòng)基板。在與該溶液接觸一段時(shí)間后，可隨后沖洗和干燥該基板。例如，可以對(duì)該基板施以一個(gè)或多個(gè)使用去離子水（di）和/或低沸點(diǎn)溶劑，如丙酮和異丙醇（ipa）的沖洗操作。該基板可以使用多個(gè)操作沖洗，如di沖洗，接著是ipa沖洗?；蛘撸摶蹇梢栽趇pa中沖洗，接著是di沖洗。這些沖洗步驟的使用順序可變，且沖洗步驟可以重復(fù)多次。任選地，可以使用加壓水進(jìn)行一個(gè)或多個(gè)沖洗操作。在一個(gè)或多個(gè)沖洗操作后，可以對(duì)基板施以一個(gè)或多個(gè)干燥操作，如使用空氣、氮?dú)饣驓鍤獾囊环N或多種的物流的干燥，或表面張力梯度干燥（marangoni效應(yīng)）。當(dāng)進(jìn)行多個(gè)沖洗步驟時(shí)，可以在沖洗步驟之間進(jìn)行一個(gè)或多個(gè)干燥步驟。任選地，可以在多個(gè)交替工藝步驟中使該溶液和沖洗介質(zhì)交替接觸基板。在使基板與該溶液接觸之前，可以對(duì)該基板施以一個(gè)或多個(gè)工藝以在基板上形成構(gòu)件。例如，可以在基板的第一面、基板的第二面、或基板的第一面和基板的第二面上形成一個(gè)或多個(gè)焊料凸點(diǎn)。在另一實(shí)例中，可以加熱所述一個(gè)或多個(gè)焊料凸點(diǎn)以熔融所述一個(gè)或多個(gè)焊料凸點(diǎn)并將所述一個(gè)或多個(gè)焊料凸點(diǎn)結(jié)合到基板的一個(gè)或多個(gè)構(gòu)件上。例如，可以對(duì)該基板施以焊料回流法。另外，可以在基板的第一面、基板的第二面、或基板的第一面和基板的第二面上形成一個(gè)或多個(gè)金屬構(gòu)件。此外，可以在基板的第一面、基板的第二面、或基板的第一面和基板的第二面上形成一個(gè)或多個(gè)介電材料構(gòu)件。也可以將物質(zhì)，如光致抗蝕劑沉積到基板的第一面、基板的第二面、或基板的第一面和基板的第二面上以形成用于焊料凸點(diǎn)或所述一個(gè)或多個(gè)金屬構(gòu)件的開(kāi)口，沉積到所述一個(gè)或多個(gè)介電材料構(gòu)件上，或其組合?？梢酝ㄟ^(guò)許多方法由光致抗蝕劑形成圖案。在一個(gè)實(shí)例中，可通過(guò)使光致抗蝕劑暴露在某一形式的電磁輻射下而形成圖案。在一個(gè)示例性實(shí)例中，可通過(guò)使光致抗蝕劑暴露在光化輻射下而形成圖案。該光致抗蝕劑可以是負(fù)性光致抗蝕劑或正性光致抗蝕劑。在使基板與該溶液接觸之后，可以對(duì)基板施以一個(gè)或多個(gè)下游工藝。例如，基板可經(jīng)過(guò)將半導(dǎo)體芯片封裝上的引線連接到印刷電路板的電路構(gòu)件上的工藝，如焊料印刷/電鍍工藝和/或附加焊料回流工藝。任選地，方法200的條件可取決于布置在基板上的光致抗蝕劑的類型、布置在基板上的光致抗蝕劑的厚度，或兩者。例如，作為干膜施加的光致抗蝕劑涂層具有比作為液體施加的光致抗蝕劑涂層高的固體/溶劑比。在光致抗蝕劑具有較高的溶劑相對(duì)含量，例如作為液體施加的光致抗蝕劑涂層的情況下，與具有相對(duì)較高固體含量的光致抗蝕劑，例如具有以較高密度堆積的聚合物鏈的作為干膜施加的光致抗蝕劑涂層相比，聚合物鏈的組織較不緊密并且需要較少能量以滲透、分離和除去。因此，干膜光致抗蝕劑的除去需要與作為液體施加的光致抗蝕劑不同的處理?xiàng)l件（例如較高工藝溫度、較長(zhǎng)停留時(shí)間），因?yàn)楦赡す庵驴刮g劑中的聚合物鏈的分離花費(fèi)更多能量。此外，可以不同地處理具有不同厚度和類型的光致抗蝕劑的基板，因?yàn)榭赡苄纬刹煌康墓腆w聚合物或分解反應(yīng)副產(chǎn)物。因此，基板上的光致抗蝕劑的厚度和類型可決定多長(zhǎng)時(shí)間的浴可以從基板上有效除去光致抗蝕劑。例如，與干膜光致抗蝕劑涂布的基板相比，液體負(fù)性光致抗蝕劑的固體含量較低，需要較少能量來(lái)清潔，并且可以在單個(gè)浴中清潔更多基板。通過(guò)應(yīng)用使用本文所述的溶液配制物的方法200，可以從基板上除去液體光致抗蝕劑和干膜光致抗蝕劑。另外，也可以從基板上除去具有不同厚度的光致抗蝕劑。此外，根據(jù)本文所述的實(shí)施方案的物質(zhì)除去在從基板上除去物質(zhì)的過(guò)程中在最低限度上使用有害材料。也可以使用本文所述的配制物保持溶液的均勻性。盡管已經(jīng)專門就結(jié)構(gòu)特征和/或方法操作描述了該主題，但要理解的是，所附權(quán)利要求中限定的主題不一定限于所描述的具體特征或操作。相反，具體特征和操作作為實(shí)施權(quán)利要求的示例性形式公開(kāi)。實(shí)施例在下列實(shí)施例中，使用各種剝離組合物除去用無(wú)鉛焊料填充并在介電材料上圖案化的負(fù)性圖案化厚基于丙烯酸系的聚合物膜或光致抗蝕劑。使用分批浸漬法進(jìn)行從晶片試件上除去圖案化光致抗蝕劑膜的清潔研究，所述晶片試件在焊料沉積后經(jīng)過(guò)附加熱處理。在燒杯中處理試件大小的半導(dǎo)體晶片樣品。該燒杯裝有100毫升剝離溶液并使用熱板加熱到85℃的目標(biāo)溫度。當(dāng)該剝離溶液在目標(biāo)溫度時(shí)，將試件置于燒杯中的支架（holder）中并由攪拌棒提供輕微攪動(dòng)。在該方法的全程將溫度保持在85℃的目標(biāo)溫度。在60分鐘的總處理時(shí)間后，從燒杯中移除試件，用di水和ipa沖洗并用空氣物流干燥。對(duì)于下述實(shí)驗(yàn)，所有受試溶液的組成顯示在表1中。表1中的各溶液的組分總計(jì)100%。所列組分并非總計(jì)100%的任何溶液歸因于該溶液的組分量的四舍五入。觀察并記錄剝離溶液的溶液均勻性。通過(guò)目視觀察測(cè)定溶液均勻性。如果剝離溶液的樣品在大約23℃下靜置24小時(shí)并保持均勻，溶液均勻性被記錄為“均勻”。不均勻剝離溶液被定義為組分在合并時(shí)不混溶、在混合時(shí)產(chǎn)生多于一個(gè)相或在混合后24小時(shí)產(chǎn)生多于一個(gè)相的剝離溶液。記錄在加熱后變均勻的溶液，但不進(jìn)一步使用。在隨后的實(shí)施例中，通過(guò)除去晶片試件上的作為基于丙烯酸系的聚合物膜的光致抗蝕劑，測(cè)定表1中的各配制物的聚合物膜除去特性。如果從晶片試件表面上除去所有聚合物，光致抗蝕劑或聚合物膜除去被定義為“干凈”；如果從表面上除去至少80%的聚合物，被定義為“基本干凈”；如果從表面上除去大約50%的聚合物，被定義為“部分干凈”；并且如果從表面上除去<50%的聚合物，被定義為“不干凈”。如果受試試件的鏡面光潔（mirror-finished）背面保持鏡面光潔度而沒(méi)有視覺(jué)污點(diǎn)，硅相容性被記錄為“好”。如果受試試件的鏡面光潔背面在清潔試驗(yàn)后由于導(dǎo)致鏡面光潔度損失的粗糙化而變模糊，硅相容性被記錄為“差”。對(duì)于所選溶液，在水浴中在25℃下使用ubbelohde毛細(xì)管粘度計(jì)根據(jù)astm方法d445測(cè)量運(yùn)動(dòng)粘度。通過(guò)將運(yùn)動(dòng)粘度（cst）乘以溶液密度計(jì)算動(dòng)態(tài)粘度（cp）。通過(guò)計(jì)算該溶液的組分的重量平均密度估算該溶液密度。在表1中所列的溶液的各種配方中使用下列縮寫(xiě)：tepa=四亞乙基五胺；mea=單乙醇胺；mmb=3-甲氧基3-甲基丁醇；tmah=四甲基氫氧化銨；dmda=n,n-二甲基9-癸烯酰胺；teta=三亞乙基四胺；tegme=三乙二醇單甲基醚；dmdaa=n,n-二甲基癸酰胺；dimla1214=二甲基十二烷胺和二甲基十四烷胺的混合物；dmac=二甲基乙酰胺；dmf=二甲基甲酰胺；pg=丙二醇；teah=四乙基氫氧化銨；dmdpah=二甲基二丙基氫氧化銨；ba=芐胺。表1.受試配制物的概要：組成和溶液均勻性。使用采用光致抗蝕劑（其是用無(wú)鉛焊料填充的基于丙烯酸系的聚合物膜）圖案化的晶片試件完成實(shí)施例1-10。申請(qǐng)人注意到，該溶液中包含的胺量影響該溶液的清潔性質(zhì)和均勻性。特別地，該溶液中的tepa量影響該溶液的清潔性質(zhì)。包含tepa并提供“良好”清潔結(jié)果的溶液的使用是出乎意料的，因?yàn)閠epa是與其它胺相比相對(duì)較大并且麻煩的化合物，這通常使其在用于必須滲入有機(jī)聚合物的剝離溶液中時(shí)比較缺乏吸引力。實(shí)施例1表2列出測(cè)試使用上述浸漬法除去用無(wú)鉛焊料填充的負(fù)性圖案化厚基于丙烯酸系的光致抗蝕劑涂層的能力的剝離溶液的清潔結(jié)果，其中該光致抗蝕劑已經(jīng)過(guò)附加熱處理。測(cè)試兩種不同類型的厚基于丙烯酸系的光致抗蝕劑涂層，標(biāo)作i型和ii型，其中不同類型具有不同施加方法并由不同的光致抗蝕劑涂層供應(yīng)商供應(yīng)。受試樣品包括具有接觸光致抗蝕劑膜下側(cè)的介電膜的半導(dǎo)體晶片試件。表2中所示的結(jié)果說(shuō)明剝離溶液的組分的濃度范圍，其中配制物1、2和12表現(xiàn)出最大性能優(yōu)點(diǎn)。表2配制物標(biāo)號(hào)i型光致抗蝕劑除去結(jié)果硅相容性1干凈好2干凈好3基本干凈好4基本干凈好5基本干凈好6基本干凈好7基本干凈好8基本干凈好9部分干凈好10部分干凈好11不干凈好12干凈好實(shí)施例2表3列出測(cè)試使用上述浸漬法除去用無(wú)鉛焊料填充的負(fù)性圖案化厚基于丙烯酸系的光致抗蝕劑涂層的能力的剝離溶液的清潔結(jié)果，其中該涂層已經(jīng)過(guò)附加熱處理。測(cè)試兩種不同類型的厚基于丙烯酸系的光致抗蝕劑涂層，標(biāo)作i型和ii型，其中不同類型具有不同施加方法并由不同的光致抗蝕劑涂層供應(yīng)商供應(yīng)。受試樣品包括具有接觸光致抗蝕劑涂層下側(cè)的介電膜的半導(dǎo)體晶片試件。表3中所示的結(jié)果說(shuō)明胺的混合物的性能優(yōu)點(diǎn)。在這種情況下，如果該溶液不均勻，由于不進(jìn)行進(jìn)一步測(cè)試，結(jié)果被記錄為na。*是指也引入極性質(zhì)子溶劑以產(chǎn)生用于測(cè)試的均勻溶液。表3配制物標(biāo)號(hào)胺的種數(shù)光致抗蝕劑除去結(jié)果光致抗蝕劑類型硅相容性321naiina331部分干凈ii好341naiina62基本干凈i好102部分干凈*i好242不干凈i好392基本干凈ii好實(shí)施例3表4列出測(cè)試使用上述浸漬法除去用無(wú)鉛焊料填充的負(fù)性圖案化厚基于丙烯酸系的光致抗蝕劑涂層的能力的剝離溶液的清潔結(jié)果，其中該涂層已經(jīng)過(guò)附加熱處理。受試樣品包括具有接觸光致抗蝕劑涂層下側(cè)的介電膜的半導(dǎo)體晶片試件。表4中所示的結(jié)果說(shuō)明添加胺或烷基氫氧化銨以進(jìn)一步改進(jìn)清潔結(jié)果。表4配制物標(biāo)號(hào)組分總數(shù)一種或多種附加組分ii型光致抗蝕劑除去結(jié)果硅相容性392na基本干凈好403芐胺干凈好414tmah,h2o干凈好424tmah,pg干凈好實(shí)施例4表5列出測(cè)試使用上述浸漬法除去用無(wú)鉛焊料填充的負(fù)性圖案化厚基于丙烯酸系的光致抗蝕劑涂層的能力的剝離溶液的清潔結(jié)果，其中該涂層已經(jīng)過(guò)附加熱處理。受試樣品包括具有接觸光致抗蝕劑涂層下側(cè)的介電膜的半導(dǎo)體晶片試件。表5中所示的結(jié)果說(shuō)明與配制物中包含四甲基氫氧化銨相關(guān)的性能優(yōu)點(diǎn)。表5配制物標(biāo)號(hào)[tmah]光致抗蝕劑除去結(jié)果光致抗蝕劑類型硅相容性13干凈i好23干凈i好41.5基本干凈i好350部分干凈ii好360基本干凈ii好其中[tmah]是該溶液的總重量的重量%。實(shí)施例5表6列出測(cè)試使用上述浸漬法除去用無(wú)鉛焊料填充的負(fù)性圖案化厚基于丙烯酸系的光致抗蝕劑涂層的能力的剝離溶液的清潔結(jié)果，其中該涂層已經(jīng)過(guò)附加熱處理。受試樣品包括具有接觸光致抗蝕劑涂層下側(cè)的介電膜的半導(dǎo)體晶片試件。表6中所示的結(jié)果說(shuō)明包含tmah的剝離溶液的配制物可提供與含有替代的烷基氫氧化銨的剝離溶液相比改進(jìn)的結(jié)果。表6配制物標(biāo)號(hào)烷基氫氧化銨i型光致抗蝕劑除去結(jié)果硅相容性30teah部分干凈差31dmdpah不干凈好實(shí)施例6表7列出測(cè)試使用上述浸漬法除去用無(wú)鉛焊料填充的負(fù)性圖案化厚基于丙烯酸系的光致抗蝕劑涂層的能力的剝離溶液的清潔結(jié)果，其中該涂層已經(jīng)過(guò)附加熱處理。受試樣品包括具有接觸光致抗蝕劑涂層下側(cè)的介電膜的半導(dǎo)體晶片試件。盡管難以包含烷基氫氧化銨而不包含水，但存在控制水濃度的幾種選項(xiàng)。表7中所示的結(jié)果說(shuō)明控制配制物中的水的作用。表7配制物標(biāo)號(hào)水的濃度光致抗蝕劑除去結(jié)果光致抗蝕劑類型硅相容性232.8干凈i,ii好370干凈ii好其中水濃度作為該溶液的總重量的重量%列出。實(shí)施例7表8列出測(cè)試使用上述浸漬法除去用無(wú)鉛焊料填充的負(fù)性圖案化厚基于丙烯酸系的光致抗蝕劑涂層的能力的剝離溶液的清潔結(jié)果，其中該涂層已經(jīng)過(guò)附加熱處理。受試樣品包括具有接觸光致抗蝕劑涂層下側(cè)的介電膜的半導(dǎo)體晶片試件。表8中所示的結(jié)果說(shuō)明為改進(jìn)溶液均勻性而并入極性質(zhì)子溶劑。使用配制物19表現(xiàn)出性能益處。極性質(zhì)子溶劑的加入通?？山档陀糜诔ス庵驴刮g劑的剝離溶液的清潔效率，特別是在挑戰(zhàn)性更高的剝離方法，如負(fù)性圖案化光致抗蝕劑涂層的除去中。但是，它們有助于產(chǎn)生與晶片表面上的永久材料的相容性提高的配制物并有助于通過(guò)提高和穩(wěn)定溶解在該配制物中的固體的溶解度而隨時(shí)間經(jīng)過(guò)保持剝離溶液的均勻性。在配制物19中加入mmb的情況下，獲得完全除去聚合物的出乎意料的結(jié)果。表8配制物標(biāo)號(hào)極性質(zhì)子溶劑i型光致抗蝕劑除去結(jié)果硅相容性13芐醇基本干凈好14tegme基本干凈好15de溶劑基本干凈好16db溶劑基本干凈好17糠醇基本干凈好18環(huán)己醇基本干凈好19mmb干凈好實(shí)施例8表9列出測(cè)試使用上述浸漬法除去用無(wú)鉛焊料填充的負(fù)性基于丙烯酸系的光致抗蝕劑膜的能力的剝離溶液的清潔結(jié)果，其中該光致抗蝕劑已經(jīng)過(guò)附加熱處理。受試樣品包括具有接觸光致抗蝕劑涂層下側(cè)的介電膜的半導(dǎo)體晶片試件。表9中所示的結(jié)果說(shuō)明改變極性質(zhì)子溶劑的濃度的作用。表9配制物標(biāo)號(hào)極性質(zhì)子溶劑的濃度i型光致抗蝕劑除去結(jié)果硅相容性191干凈好2010干凈好2124.4基本干凈好其中該濃度作為該溶液的總重量的重量%記錄。實(shí)施例9在一些情況下，由于工藝機(jī)械設(shè)備，可使用具有較低粘度的剝離溶液。在保持完全除去光致抗蝕劑涂層、溶液穩(wěn)定性和硅相容性的同時(shí)，在降低粘度方面評(píng)估溶液。采用幾種方法降低粘度，包括(i)通過(guò)將最高粘度的胺換成更高量的該溶液中的其它組分或其它低粘度胺而改變?cè)撆渲莆锏臐舛龋?ii)通過(guò)使用低粘度極性質(zhì)子溶劑稀釋該配制物和(iii)通過(guò)使用低粘度酰胺稀釋該配制物。表10列出對(duì)使用上述浸漬法和具有介電基板的半導(dǎo)體晶片試件的實(shí)施例9測(cè)試的剝離溶液的配方。表10中所示的結(jié)果說(shuō)明，各種粘度的具有根據(jù)本文中的實(shí)施方案描述的配方的剝離溶液可實(shí)現(xiàn)聚合物的完全除去。另外，表10中所示的結(jié)果表明，使用酰胺降低溶液粘度的幾種溶液保持它們從基板上除去聚合物涂層的能力。因此，添加酰胺而非一些極性質(zhì)子溶劑可提供與清潔能力和粘度降低相關(guān)的一些優(yōu)點(diǎn)。表10.配制物標(biāo)號(hào)策略動(dòng)態(tài)粘度(厘泊)光致抗蝕劑除去結(jié)果光致抗蝕劑類型硅相容性20iina干凈i好21ii42.7基本干凈i好22i34.3基本干凈i好23iii22.9干凈i,ii好24i17.4不干凈i好25iiina干凈i好26iiina不干凈i好27inan/ain/a28iii15.9干凈i,ii好29iiina部分干凈i好38iii27.8干凈ii好其中na是指不可得。實(shí)施例10在一些情況下，可以使用剝離溶液從有機(jī)介電基板上除去由其它光致抗蝕劑涂層供應(yīng)商提供的用無(wú)鉛焊料填充的負(fù)性圖案化厚基于丙烯酸系的光致抗蝕劑膜。表11列出對(duì)使用浸漬法和具有介電基板的半導(dǎo)體晶片的實(shí)施例10測(cè)試的剝離溶液的清潔結(jié)果。表11中所示的結(jié)果說(shuō)明，具有根據(jù)本文中的實(shí)施方案描述的配方的剝離溶液可實(shí)現(xiàn)從有機(jī)介電基板上完全除去厚基于丙烯酸系的光致抗蝕劑涂層。表11配制物標(biāo)號(hào)動(dòng)態(tài)粘度(厘泊)ii型光致抗蝕劑除去結(jié)果硅相容性13na干凈好14na干凈好15na干凈好16na干凈好17na干凈好18na干凈好2142.7干凈好2234.3干凈好2322.9干凈好2417.4基本干凈好2815.9干凈好3743.7干凈好3827.8干凈好40na干凈好4168.0干凈好4283.4干凈好4365.5干凈好本發(fā)明的示例性實(shí)例盡管申請(qǐng)人的公開(kāi)包括提到上述具體實(shí)施方案，但要理解的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以作出修改和變動(dòng)而不背離本文中描述的本發(fā)明的特征的精神和范圍。意在涵蓋所有這樣的修改和變動(dòng)。因此下列本發(fā)明的示例性實(shí)例僅是示例性的而非限制性的。實(shí)例1.一種溶液，其包含：第一胺；第二胺；第三胺；和氫氧化季銨；其中第一胺、第二胺和第三胺是各自不同的化合物。實(shí)例2.實(shí)例1的溶液，其中所述溶液中的胺總量包括第一胺的量、第二胺的量和第三胺的量，且所述溶液中任何和所有胺化合物的總量不大于所述溶液的總重量的大約95重量%。實(shí)例3.實(shí)例1或2的溶液，其中第一胺包括脂族胺，不是鏈烷醇胺，并以所述溶液的總重量的至少大約35重量%的量存在。實(shí)例4.實(shí)例1至3任一項(xiàng)的溶液，其中第二胺包括鏈烷醇胺并以所述溶液的總重量的至少大約15重量%的量存在。實(shí)例5.實(shí)例1至4任一項(xiàng)的溶液，其中第三胺包括芳胺并以所述溶液的總重量的不大于大約30重量%的量存在。實(shí)例6.實(shí)例1至5任一項(xiàng)的溶液，其中氫氧化季銨以所述溶液的總重量的不大于大約8重量%的量存在。實(shí)例7.實(shí)例1至6任一項(xiàng)的溶液，其進(jìn)一步包含水。實(shí)例8.實(shí)例7的溶液，其中水以所述溶液的總重量的不大于大約8重量%的量存在。實(shí)例9.實(shí)例7的溶液，其進(jìn)一步包含非水的極性質(zhì)子溶劑。實(shí)例10.實(shí)例9的溶液，其中所述極性質(zhì)子溶劑以所述溶液的總重量的不大于大約25重量%的量存在。實(shí)例11.實(shí)例9或10的溶液，其中所述極性質(zhì)子溶劑包括醇、二醇、聚二醇、二醇醚或其組合。實(shí)例12.實(shí)例10的溶液，其中所述極性質(zhì)子溶劑包括芐醇、二乙二醇單丁基醚、糠醇、環(huán)己醇、3-甲氧基3-甲基丁醇、三乙二醇單甲基醚、二乙二醇單乙基醚、丙二醇或其混合物的至少一種。實(shí)例13.實(shí)例9至12任一項(xiàng)的溶液，其中所述極性質(zhì)子溶劑不包括胺。實(shí)例14.實(shí)例9至13任一項(xiàng)的溶液，其進(jìn)一步包含酰胺。實(shí)例15.實(shí)例1至8任一項(xiàng)的溶液，其進(jìn)一步包含以所述溶液的總重量的不大于大約50重量%的量存在的酰胺。實(shí)例16.實(shí)例1至15任一項(xiàng)的溶液，其中所述溶液的動(dòng)態(tài)粘度不大于大約60厘泊。實(shí)例17.實(shí)例1至16任一項(xiàng)的溶液，其進(jìn)一步包含不同于第一胺、第二胺和第三胺的第四胺。實(shí)例18.實(shí)例17的溶液，其進(jìn)一步包含水和非水的極性質(zhì)子溶劑。實(shí)例19.實(shí)例1至6任一項(xiàng)的溶液，其進(jìn)一步包含極性質(zhì)子溶劑，其中所述溶液不含水。實(shí)例20.一種溶液，其包含：至少一種胺；氫氧化季銨；和水；且其中所述溶液不含非水的極性溶劑且所述溶液具有不大于大約60厘泊的動(dòng)態(tài)粘度。實(shí)例21.實(shí)例20的溶液，其中所述至少一種胺包含多種胺。實(shí)例22.實(shí)例20或21的溶液，其中所述至少一種胺包含四亞乙基五胺、單乙醇胺、芐胺、三亞乙基四胺、二甲基十二烷胺、二甲基十四烷胺或其混合物。實(shí)例23.實(shí)例20至22任一項(xiàng)的溶液，其中所述氫氧化季銨包含四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、二甲基二丙基氫氧化銨或其混合物。實(shí)例24.實(shí)例20至23任一項(xiàng)的溶液，其進(jìn)一步包含酰胺，其包含n,n-二甲基9-癸烯酰胺、n,n-二甲基癸酰胺、二甲基乙酰胺或其混合物。實(shí)例25.實(shí)例20至24任一項(xiàng)的溶液，其中所述溶液的動(dòng)態(tài)粘度不大于大約30厘泊。實(shí)例26.一種溶液，其包含：第一胺；第二胺；第三胺；非水的極性質(zhì)子溶劑；和酰胺；其中第一胺、第二胺和第三胺是各自不同的化合物。實(shí)例27.實(shí)例26的溶液，其進(jìn)一步包含水。實(shí)例28.實(shí)例26或27的溶液，其中第一胺包括脂族胺，第二胺包括鏈烷醇胺，且第三胺包括芳胺。實(shí)例29.實(shí)例26至28任一項(xiàng)的溶液，其中第一胺包括四亞乙基五胺，第二胺包括單乙醇胺，且第三胺包括芐胺。實(shí)例30.實(shí)例26至29任一項(xiàng)的溶液，其中所述非水的極性質(zhì)子溶劑包括3-甲氧基3-甲基丁醇。實(shí)例31.實(shí)例26至30任一項(xiàng)的溶液，其中所述酰胺包括n,n-二甲基9-癸烯酰胺。實(shí)例32.實(shí)例26至31任一項(xiàng)的溶液，其進(jìn)一步包含氫氧化季銨。實(shí)例33.一種方法，其包括：提供包括第一面和基本平行于第一面的第二面的基板，其中將物質(zhì)布置在基板的第一面的至少一部分、基板的第二面的至少一部分或兩者上；使基板的第一面、基板的第二面、或基板的第一面和基板的第二面上的所述物質(zhì)與包含：第一胺；第二胺；第三胺；和氫氧化季銨的溶液接觸；其中第一胺、第二胺和第三胺是各自不同的化合物。實(shí)例34.實(shí)例33的方法，其中在大約40℃至大約100℃的溶液溫度下使基板的至少一個(gè)面與所述溶液接觸。實(shí)例35.實(shí)例33或34的方法，其中使基板的至少一個(gè)面與所述溶液接觸大約10分鐘至大約120分鐘。實(shí)例36.實(shí)例33至35任一項(xiàng)的方法，其中使基板與溶液接觸包括將基板浸在溶液浴中。實(shí)例37.實(shí)例33至36任一項(xiàng)的方法，其中所述物質(zhì)包括光致抗蝕劑且所述方法進(jìn)一步包括在使基板與溶液接觸之前，將光致抗蝕劑層沉積到所述基板的一個(gè)或多個(gè)部分上。實(shí)例38.實(shí)例37的方法，其中所述物質(zhì)包括光致抗蝕劑，其中在使基板與溶液接觸之前，將光致抗蝕劑旋涂到基板的第一面的至少一部分、基板的第二面的至少一部分、或基板的第一面的至少一部分和基板的第二面的至少一部分上。實(shí)例39.實(shí)例32至38任一項(xiàng)的方法，其中所述物質(zhì)包括光致抗蝕劑且所述方法進(jìn)一步包括：在使基板與溶液接觸之前，在基板的第一面、基板的第二面、或基板的第一面和基板的第二面上形成一個(gè)或多個(gè)焊料凸點(diǎn)；加熱所述一個(gè)或多個(gè)焊料凸點(diǎn)以熔融所述一個(gè)或多個(gè)焊料凸點(diǎn)并將所述一個(gè)或多個(gè)焊料凸點(diǎn)結(jié)合到基板的一個(gè)或多個(gè)構(gòu)件上；在基板的第一面、基板的第二面、或基板的第一面和基板的第二面上形成一個(gè)或多個(gè)金屬構(gòu)件；在基板的第一面、基板的第二面、或基板的第一面和基板的第二面上形成一個(gè)或多個(gè)介電材料構(gòu)件；將光致抗蝕劑沉積到基板的第一面、基板的第二面、或基板的第一面和基板的第二面上以形成用于焊料凸點(diǎn)或所述一個(gè)或多個(gè)金屬構(gòu)件的開(kāi)口，沉積到所述一個(gè)或多個(gè)介電材料構(gòu)件上，或其組合；和使所述光致抗蝕劑暴露在某一形式的電磁輻射下。實(shí)例40.實(shí)例1至6任一項(xiàng)的溶液，其進(jìn)一步包含水和酰胺。當(dāng)前第1頁(yè)12