技術(shù)特征：

1.一種圖案處理組合物，其包含嵌段共聚物和有機溶劑，其中所述嵌段共聚物包含第一嵌段和第二嵌段，其中所述第一嵌段包含由第一單體形成的單元，所述第一單體包含烯系不飽和可聚合基團和氫受體基團，其中所述氫受體基團是含氮基團，并且所述第二嵌段包含由第二單體形成的單元，所述第二單體包含烯系不飽和可聚合基團和芳香族基團，其限制條件是所述第二單體不是苯乙烯，并且其中：(i)所述第二嵌段包含由第三單體形成的單元，所述第三單體包含烯系不飽和可聚合基團，并且所述第二單體與所述第三單體不同；和/或(ii)所述嵌段共聚物包含第三嵌段，所述第三嵌段包含由第四單體形成的單元，所述第四單體包含烯系不飽和可聚合基團。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案處理組合物，其中所述含氮基團選自胺、酰胺和吡啶。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖案處理組合物，其中所述第一單體是甲基丙烯酸N,N-二甲氨基乙酯或乙烯基吡啶。

4.根據(jù)權(quán)利要求1到3中任一權(quán)利要求所述的圖案處理組合物，其中所述第二單體具有以下通式(I)：

其中：R₁選自氫和C1到C3烷基或鹵烷基；R₂獨立地選自氫、鹵素和任選地被取代的烷基、芳基或芳烷基，并且任選地包括一個或多個選自-O-、-S-、-C(O)O-和-OC(O)-的連接部分，其中兩個或更多個R₂基團任選地形成一個或多個環(huán)；并且a是整數(shù)0到5，其中當(dāng)a是0時，R₁不是氫。

5.根據(jù)權(quán)利要求1到3中任一權(quán)利要求所述的圖案處理組合物，其中所述第二單體是丙烯酸(C1到C3烷基或鹵烷基)酯單體。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖案處理組合物，其中所述第二單體具有以下通式(II)：

其中：R₃選自氫和C1到C3烷基或鹵烷基；Ar選自任選地被取代的芳香族基團；

并且Z₁是單鍵或是選自任選地被取代的脂肪族和芳香族基團的隔離單元，和其組合，

并且任選地包括一個或多個選自-O-、-S-、-C(O)O-和-OC(O)-的連接部分。

7.根據(jù)權(quán)利要求1到6中任一權(quán)利要求所述的圖案處理組合物，其中所述第二嵌段包含由第三單體形成的單元，其中所述第三單體包含脂肪族基團和/或芳香族基團。

8.根據(jù)權(quán)利要求1到7中任一權(quán)利要求所述的圖案處理組合物，其中所述組合物包含所述第三嵌段，所述第三嵌段包含由第四單體形成的單元，其中所述第四單體包含脂肪族基團和/或芳香族基團。

9.根據(jù)權(quán)利要求1到8中任一權(quán)利要求所述的圖案處理組合物，其中所述第一嵌段不含酸不穩(wěn)定基團。

10.根據(jù)權(quán)利要求1到9中任一權(quán)利要求所述的圖案處理組合物，其中所述嵌段共聚物是自由氟烷基。

11.一種圖案處理方法，其包含：

(a)提供半導(dǎo)體襯底，其在其表面上包含圖案化特征；

(b)向所述圖案化特征施用根據(jù)權(quán)利要求1到10中任一權(quán)利要求所述的圖案處理組合物；以及

(c)從所述襯底洗去殘余圖案處理組合物，留下結(jié)合到所述圖案化特征的第一聚合物部分。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的圖案處理方法，其中所述圖案化特征是光致抗蝕劑圖案。