高分子與導(dǎo)電組合物的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供的高分子，其結(jié)構(gòu)如下：其中x的摩爾百分比介于10％～90％，y的摩爾百分比介于10％～90％之間；且x+y＝100％；R1為-H、-CH3、-CH2CH3、-OCH3、-O(CH2)nCH3，其中n＝1～12、-NH2、-N(CH3)2、-N(CH2)nCH3，其中n＝1～12、-Br、-Cl、-OH、-SO3Na、-SO3H、或-SO2Cl；R2為-H、-COOH、-COOCH3、-COO(CH2)nCH3，其中n＝1～12、-SO3Na、-SO3H、-SO2Cl、-OH、-CONH2、-CON(CH3)2、-CON(CH2)n(CH3)2，其中n＝1～12、-Br、或-Cl；以及R3為-SO3Na、-SO3H、-PO3H、-SO2Cl、-OH、-H、-COOH、-COOCH3、-COO(CH2)nCH3，其中n＝1～12、-CONH2、-CON(CH3)2、-CON(CH2)n(CH3)2，其中n＝1～12、-Br、或-Cl。
【專利說明】高分子與導(dǎo)電組合物
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及導(dǎo)電高分子，更特別涉及其所含的網(wǎng)狀交聯(lián)物的結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002] 銦錫氧化物（Indium Tin Oxide，ΙΤ0)在軟性基材上重復(fù)觸碰敲擊將產(chǎn)生老化， 甚至因彎曲而造成微觀裂縫，因應(yīng)未來多點軟性觸控技術(shù)，在打點壽命及耐彎曲程度不斷 提高的發(fā)展趨勢下，有必要開發(fā)軟性透明導(dǎo)電膜以取代脆性ΙΤ0。導(dǎo)電高分子聚3, 4-乙撐 二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸鹽（PED0T:PSS)則是替代ITO材料選項之一。目前導(dǎo)電高分子以 Heraeus公司為領(lǐng)導(dǎo)廠商，所開發(fā)的導(dǎo)電高分子其薄膜面電阻可達成100 Ω /Sq，透光度為 90%。然而在耐化性方面，仍有很大的改善空間。目前改善PED0T:PSS薄膜的耐化性的方 法為添加粘結(jié)劑如聚氨酯（PU)或三聚氰胺。然而少量添加粘結(jié)劑無法有效增加導(dǎo)電薄膜 的耐化性，但大量添加粘結(jié)劑又會降低導(dǎo)電薄膜的導(dǎo)電度。
[0003] 綜上所述，目前亟需新的添加劑改善TOD0T:PSS的耐化性，且不會降低其導(dǎo)電度。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004] 本發(fā)明一實施例提供的高分子，其結(jié)構(gòu)如下：
[0005]
【權(quán)利要求】
1. 一種高分子，其結(jié)構(gòu)如下：
其中X的摩爾百分比介于10%?90%，y的摩爾百分比介于10%?90%之間；且x+y =100% ； R1 為-Η、-CH3、-CH2CH3' -〇CH3、-O(CH2)nCH3,其中 η = 1 ?12、-NH2、-N(CH3)2' -N(CH2)n 〇13，其中11=1?12、-81'、-(：1、-0!1、-503恥、-503!1、或-50 2(：1; R2 為-11、-〇)0!1、-〇)0013、-〇)0(012)1101 3，其中11=1?12、-503恥、-503!1、-502(：1、-〇!1、-C0NH 2、-C0N(CH3)2、_C0N(CH2)n(CH 3)2，其中 η = 1 ?12、-Br、或-Cl ;以及 R3 為-S03Na、-S03H、-P03H、-SO2Cl、-OH、-H、-C00H、-C00CH 3、-COO(CH2)nCH3,其中 η = 1 ?12、-C0NH2、-CON(CH3)2'-CON(CH2) n(CH3)2，，其中 η = 1 ?12、-Br、或-Cl。
2. 權(quán)利要求1所述的高分子，其Mw介于45000至120000之間。
3. 權(quán)利要求1所述的高分子，其結(jié)構(gòu)如下：
4. 權(quán)利要求1所述的高分子，其結(jié)構(gòu)如下：
5. 權(quán)利要求1所述的高分子，其結(jié)構(gòu)如下：
6. -種導(dǎo)電組合物，包括：
網(wǎng)狀交聯(lián)物，由權(quán)利要求1所述的高分子交聯(lián)而成；以及 聚3, 4-乙撐二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸， 其中所述網(wǎng)狀交聯(lián)物與聚3, 4-乙撐二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸的重量比介于1:0. Ol至 1:0. 8之間。
7. -種導(dǎo)電組合物，包括： 網(wǎng)狀交聯(lián)物，由權(quán)利要求1所述的高分子交聯(lián)而成，以及 聚3,4_乙撐二氧噻吩，其中所述網(wǎng)狀交聯(lián)物與聚3,4_乙撐二氧噻吩的重量比介于 1:0. 2 至 1:0. 002 之間。
【文檔編號】C08F8/42GK104371052SQ201410352537
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2014年7月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月14日
【發(fā)明者】衛(wèi)靖燕, 黃桂武, 符永茜 申請人:財團法人工業(yè)技術(shù)研究院