具有低可浸出氟離子的經輻照的氟聚合物物品的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及已用至少5千格雷的輻射來輻照過的氟聚合物物品，其中這些得到的物品具有低水平的可浸出的或可引出的氟離子。來自該經輻照的物品的低氟離子遷移是由于在該氟聚合物組合物中存在低水平的金屬鹽或金屬氧化物。本發(fā)明對于其中氟聚合物層與生物或藥物流體相接觸的、并且經受輻照滅菌的氟聚合物物品是特別有用的。
【專利說明】具有低可浸出氟離子的經輻照的氟聚合物物品
[0001]發(fā)明領域
[0002]本發(fā)明涉及已用至少5千格雷的輻射來輻照過的氟聚合物物品，其中這些得到的物品具有低水平的可浸出的或可引出的氟離子。從該經輻照的物品中浸出低的氟離子與該氟聚合物組合物中存在低水平的金屬鹽或金屬氧化物有關。本發(fā)明對于其中氟聚合物層與生物或藥物流體相接觸的、并且其中物品是經受輻射滅菌的氟聚合物物品是尤其有用的。
[0003]發(fā)明背景
[0004]已知基于偏二氟乙烯CF2=CH2 (VDF)的聚合物，例如像PVDF (聚偏二氟乙烯)均聚物和共聚物用于提供卓越的機械穩(wěn)定特性、非常大的化學惰性、以及良好的抗老化性。這些品質在多種應用領域中是有用的。
[0005]經常向氟聚合物中加入添加劑以提高它們的性能。例如:阻燃性(^7，642，313)、以及在熱加工后的白度(如在US7，045，584和US7，012，122中所描述的添加乙酸鈉)。已經添加了白色顏料如TiO2和ZnO來提高該氟聚合物的白度，這種白度在熱加工過程中會被削弱。
[0006]US7, 192，646描述了在用于燃料軟管的氟彈性體中使用5至15百分比的酸受體。這些酸受體包括氧化鎂、氫氧化鈣、一氧化鉛、磷酸氫鉛、氧化鈣、以及氧化鋅。
[0007]可以進行氟聚合物的輻照出于幾個原因，如官能團的接枝(如將馬來酸酐接枝到氟聚合物上，如在US7，241，817中所描述的)來產生分支并且增強特性(US7，514，480)、以及為了對含有氟聚合物的物品的滅菌(US5，516，564)。
[0008]許多高純度操作要求干凈的、純的加工環(huán)境和容器。在這些應用中使用的聚合物必須是極其化學耐受的并且能夠容易地被滅菌。這些高純度的聚合物找到在包括用于高純度液體、生物的和生物醫(yī)藥的介質、以及高純度化學品和試劑的袋子或其他容器的應用中的用途。氟聚合物物品在蒸汽高壓釜中不能總是容易地滅菌的，因為它們會熔化在一起并且變得無用。
[0009]氟聚合物是以它們的穩(wěn)定性而著稱的并且氟離子很難從氟聚合物中浸出或引出。
[0010]不幸的是，暴露于輻照和其他高能輻射中的氟聚合物會經受一些聚合物鍵的斷裂、或會產生碳碳雙鍵(這能夠引起脫色)，伴隨釋放少量的氟離子和小的含氟分子。在氟聚合物的聚合中使用的其他氟化的化合物、殘留單體和低聚物也會釋放出氟離子和小的含氟分子。除氟離子之外，其他可浸出的含氟小分子包括但不限于:HF、含氟的單體和低聚物、以及氟化的表面活性劑。氟離子是極其活性的。雖然可引出的氟離子的濃度是低的，但是有希望甚至進一步將該水平降低——尤其是在以下應用中，在這些應用中該氟聚合物與人體進行接觸、或與打算用于與活體接觸的流體進行接觸。在這些情況中，可浸出的或可引出的氟化合物需要最小化到人體可忍受的水平。
[0011]出人意料地，現在已經發(fā)現向氟聚合物中添加小水平的一些金屬鹽或氧化物，實質上降低了氟離子遷移進入在這些器皿中容納的材料中，尤其是在該氟聚合物經受輻照處理之后。
[0012]本發(fā)明的一個額外的優(yōu)點是，氟離子濃度的降低傾向于降低該氟聚合物的變色，產生了一種更白的物品。
[0013]發(fā)明概述
[0014]本發(fā)明涉及一種經輻照的氟聚合物物品，該氟聚合物物品包括至少一個將會與流體接觸的氟聚合物組合物層，其中所述氟聚合物組合物包括至少一種氟聚合物和從50ppm至50，OOOppm的至少一種金屬鹽或金屬氧化物，并且其中所述氟聚合物組合物已被暴露于至少5千格雷的福射中。
[0015]本發(fā)明進一步涉及一種無菌氟聚合物物品，并且其中所述氟聚合物組合物包括從50ppm至50，OOOppm的至少一種金屬鹽和金屬氧化物、并且該氟聚合物已被暴露于至少20千格雷的輻射中；其中所述物品在成型為一個2密耳厚的袋子并且用25-50千格雷的伽馬輻射輻照過、并且在40°C下用80%注射用無菌水/20%乙醇的溶液以2.21/cm的表面與液體體積的比率來填充14天時，產生了少于IOppm的引出的氟離子。
[0016]本發(fā)明進一步涉及一種使無菌氟聚合物物品成型的方法，該方法包括:向一種氟聚合物中添加從500ppm至50，OOOppm的一種金屬鹽或氧化物以形成一種氟聚合物組合物，接著或者在該氟聚合物組合物成型為一種物品之前、或優(yōu)選在這之后對該氟聚合物組合物進行輻照的步驟。
[0017]發(fā)明的詳細說明
[0018]本發(fā)明涉及一種氟聚合物組合物，該氟聚合物組合物含有至少一種氟聚合物和低水平的至少一種金屬鹽或氧化物。已經發(fā)現這些組合物在輻照后具有非常低的可浸出氟離子。
[0019]除非另行說明，所有的百分比都是重量百分比，并且所有提供的分子量都是重均分子量。所有在此引用的文獻通過引用進行結合。
[0020]氟聚合物
[0021]在本發(fā)明中有用的氟聚合物是包含至少50重量百分比的一種或多種含氟單體、優(yōu)選至少75重量百分比的含氟單體并且更優(yōu)選從80到100重量百分比的含氟單體的那些。如根據本發(fā)明使用的術語“含氟單體”是指一種氟化的且烯屬不飽和的單體，這種單體能夠經受自由基聚合反應。根據本發(fā)明適合使用的示例性含氟單體包括但不限于:偏二氟乙烯、氟乙烯、三氟乙烯、四氟乙烯(TFE)、乙烯四氟乙烯、六氟丙烯(HFP)、2，3，3，3-四氟丙烯、以及它們的對應的共聚物。優(yōu)選的氟聚合物是聚偏二氟乙烯均聚物(PVDF)或其共聚物、聚四氟乙烯均聚物或其共聚物、聚乙烯三氟乙烯(ETFE)、以及氯三氟乙烯(CTFE)。還考慮了氟代三聚物，包括諸如具有四氟乙烯、六氟丙烯、以及偏二氟乙烯單體單元的那些三聚物。
[0022]在一個優(yōu)選實施例中，該氟聚合物是一種聚偏二氟乙烯。本發(fā)明的聚偏二氟乙烯聚合物包括通過將偏二氟乙烯(VDF)聚合而制成的均聚物、以及偏二氟乙烯的共聚物、三聚物以及更高的聚合物，(在此被稱為如“共聚物”的組)，其中這些偏二氟乙烯單元占該聚合物中所有這些單體單元總重量的大于70百分比，并且更優(yōu)選地占這些單體單元總重量的大于75百分比、更優(yōu)選大于80重量百分比。偏二氟乙烯的共聚物、三聚物以及更高的聚合物可以通過使偏二氟乙烯與以下各項發(fā)生反應而制得:一種或多種來自由氟乙烯、三氟乙烯、四氟乙烯組成的組中 的單體；一種或多種部分地或完全氟化的α -烯烴，如3，3，3-三氟_1_丙烯、1，2, 3, 3, 3-五氟丙烯、3，3, 3, 4, 4-五氟-1- 丁烯、以及六氟丙烯、2，3, 3, 3-四氟丙烯(1234yf);部分氟化的烯烴六氟異丁烯；全氟化的乙烯醚，如全氟甲基乙烯醚、全氟乙基乙烯醚、全氟正丙基乙烯醚、以及全氟-2-丙氧丙基乙烯醚；氟化的間二氧雜環(huán)戊烯，如全氟(1，3-間二氧雜環(huán)戊烯)以及全氟(2，2-二甲基-1，3-間二氧雜環(huán)戊烯)；烯丙基單體，部分氟化的烯丙基單體，或氟化的烯丙基單體，如2-羥基乙基烯丙基醚、或3-烯丙氧基丙二醇；以及乙烯或丙烯。
[0023]優(yōu)選的共聚物包括:包含從約71重量百分比到約99重量百分比的VDF，和相應地從約I百分比到約29百分比的TFE的那些；從約71重量百分比到99重量百分比的VDF，和相應地從約I百分比到29百分比的HFP的那些；以及從約71重量百分比到99重量百分比的VDF，和相應地從約I重量百分比到29重量百分比的氯三氟乙烯(CTFE)的那些。
[0024]最優(yōu)選的PVDF共聚物包括具有2重量百分比到30重量百分比的HFP的那些，如KYNAR FLEX2850、2750、和 2500 (阿科瑪公司)。
[0025]雖然本發(fā)明適用于于全部氟聚合物，但是在此本發(fā)明將在其關于聚偏二氟乙烯的方面來進行說明。本領域的技術人員能夠使用在此的傳授內容來將這種技術應用到其他氟聚合物組合物上。
[0026]金屬鹽或氧化物
[0027]已經發(fā)現將低水平的金屬鹽或氧化物添加到氟聚合物組合物中能夠實質上降低在將由該氟聚合物組合物成型的物品暴露于輻射中之后氟離子遷移的水平。在暴露液體介質之后，極小水平的氟離子和相應的添加的陽離子從聚偏二氟乙烯(PVDF)中浸出。在將該PVDF組合物暴露于輻射中 之后，可浸出的氟離子的水平實質上增加了，而浸出的陽離子的水平卻沒有明顯變化。例如當將低水平的氧化鋅(ZnO)添加到一種氟聚合物組合物中時，發(fā)現由這種氟聚合物組合物成型的并且暴露于輻射中的物品具有顯著減少的可浸出氟離子水平，伴隨著只是小的可浸出陽離子的增加。浸出的Zn陽離子的量與向該PVDF中添加的ZnO的量是成比例的。
[0028]有幾個因素影響著有待在本發(fā)明使用的金屬鹽和氧化物的選擇。這些因素包括:
[0029]I)該鹽或氧化物的表面與重量比。這些具有小粒徑的材料在降低可浸出的氟離子上總體上是更有效的。然而在一些情況下，如使用氧化鋅，發(fā)現在降低可浸出的氟離子的水平時微米氧化鋅是比納米氧化鋅更有效的。
[0030]2)這些具有較高價電子數的金屬原子在與這些氟離子或含氟分子反應時是更有效的。
[0031]3)在擠出過程中這些鹽應當是自由流動地以便處理和加工。這還意味著在暴露于大氣水分中時它們的顆粒不會彼此粘貼。這是重要的，因為在一些情況下，初級顆粒是非常細的但是在暴露于水分中時它們將彼此粘貼并且它們的表面與體積的比率將實質上降低。此外，水溶性鹽趨向于容易浸入水基流體中。
[0032]4)最重要的是，這些鹽對活體不應是有毒的并且優(yōu)選的與這些活體非常相容。如果該氟聚合物組合物被用于形成接觸或容納將會與生物系統接觸的流體的物品的表面，則陽離子的水平必須在對活體有毒的水平之下。已知這些浸出的離子(陰離子和陽離子二者)能夠妨礙細胞生長或具有其他有害影響。
[0033]在輻照之后，浸出的氟離子的水平應該是少于lOppm、優(yōu)選少于5ppm、更優(yōu)選少于lppm、甚至更優(yōu)選少于500ppb、并且最優(yōu)選少于lOOppb。注意到的是,許多市政當局向飲用水供應中添加約Ippm或更少水平的氟化鈉?？山鲭x子的這個水平是基于自一個2密耳厚的PVDF袋子的可浸出的離子，該袋子是用25-50千格雷、優(yōu)選40-50千格雷的伽馬輻射輻照過的，具有2.21/cm的表面與液體體積的比率、容納了 80%注射用無菌水(SWFI)和20%乙醇的混合物在40°C下儲存14天的。
[0034]在降低可浸出的氟離子的水平時，可浸出的陽離子的水平還需要被最小化到這些陽離子的毒性水平之下。一些陰離子和陽離子是已知存在于活體中的并且是細胞代謝所要求的。這些(關于人血清中的平均標準濃度)包括:鈉(3200ppm)、|丐(lOOppm)、鉀(170ppm)、鎂(20ppm)、和鋅(Ippm)的陽離子，以及硫酸根、磷酸根、氯離子、碳酸根、和碳酸氫根的陰離子。
[0035]將在本發(fā)明中最有用的這些金屬鹽挑選出來以便包括與活體相容的陽離子和陰離子一在人血清中具有相對高的濃度的那些。優(yōu)選的陰離子是鎂、鈣、鉀、鈉、和鋅，而優(yōu)選的陰離子包括但不限于磷酸根、硫酸根、氯離子(chloride)、氧離子(oxide)、乙酸根、和甲酸根。鈉鹽是優(yōu)選的，因為人體可以容忍高水平的鈉離子一盡管與許多其他鹽相比鈉鹽還傾向于是是水溶性更大的一增加可浸出性并且還吸收大量的水。鈣鹽和鉀鹽兩者具有類似的分子量，然而，鈣具有兩個價電子這意味著以類似的重量添加時它應當是兩倍有效于鉀。鎂具有與鈉和鈣相比輕幾乎40%的優(yōu)點并且還具有兩個價電子，然而，這種離子在血液中的濃度幾乎是鈣的1/5。鋅同樣是優(yōu)選的陽離子，具有兩個價電子，盡管它幾乎比鈣重60%。
[0036]除硫酸根之外，磷酸根、氯離子、碳酸根、和碳酸氫根的陰離子、硝酸根的陰離子同樣有用。氧離子是優(yōu)選的陰離子，因為它們對人體是非毒性的而且是輕的。乙酸根、甲酸根、硬脂酸根、草酸根和其他有機陰離子同樣是優(yōu)選的，因為它們僅含碳、氫、和氧并且總體上是生物相容的。氧化鋅是尤其優(yōu)選的因為它是穩(wěn)定的、不吸濕的、并且具有低水溶性。本發(fā)明的有用的鹽類和氧化物包括但不限于:
[0037]鈉鹽.類:
[0038]乙酸鈉、三水合乙酸鈉、`鋁酸鈉、氯化鋁鈉、磷酸氫銨鈉、硫酸銨鈉、偏硼酸鈉、碳酸鈉、氯酸鈉、亞氯酸鈉、次氯酸鈉、肉桂酸鈉、檸檬酸鈉、庚酸鈉、乙基硫酸鈉、氟鋁酸鈉、氟硼酸鈉、氟化鈉、氟乙酸鈉、氟磺酸鈉、甲醛合次硫酸鈉、甲酸鈉、單谷氨酸鈉、甘油磷酸鈉水合物、氫氧化鈉、硫酸鎂鈉、酒石酸鎂鈉、甲醇鈉、甲硫酸鈉、鑰酸鈉、硝酸鈉、油酸鈉、草酸鈉、過氧化鈉、棕櫚酸鈉、戊巴比妥鈉、苯酚鈉、連二磷酸鈉、連二磷酸鈉、丙酸鈉、水楊酸鈉、亞硒酸鈉、錫酸鈉、硅酸鈉、琥珀酸鈉、硬脂酸鈉、硫酸鈉、硫化鈉、亞硫酸鈉、鎢酸鈉、乳酸鈉、亞硝酸鈉、磷酸鈉、亞磷酸鈉、酒石酸鈉、硫酸鋰鈉、氯化鈉、苯甲酸鈉、酒石酸銨鈉、三硅酸鋁鈉。
[0039]歷:
[0040]乙酸鈣、二水合乙酸鈣、一水合乙酸鈣、丁酸鈣、碳酸鈣、氯酸鈣、氯化鈣、氯鋁酸鈣(calcium chloride aluminate)、次氯酸韓、桂皮酸韓、檸檬酸韓、氟娃酸韓、甲酸韓、葡萄糖酸鈣、氫氧化鈣、馬來酸鈣、馬來酸鈣、硝酸鈣、氧化鈣、苯酚磺酸鈣、苯酚鈣、磷酸鈣、亞磷酸鈣、丙酸鈣、水楊酸鈣、硫化鈣、硫酸鈣、硬脂酸鈣、鎢酸鈣、硼酸鈣、亞氯酸鈣、富馬酸鈣、異丁酸鈣、乳酸鈣、月桂酸鈣、亞油酸鈣、油酸鈣、草酸鈣、碳酸鎂鈣、硅酸鈣、亞硝酸鈣、琥珀酸鈣、酒石酸鈣。
[0041]登鹽:[0042]乙酸鎂、二水合乙酸鎂、一水合乙酸鎂、丁酸鎂、碳酸鎂、氯酸鎂、氯化鎂、氯鋁酸鎂(magnesium chloride aluminate)、次氯酸鎂、桂皮酸鎂、檸檬酸鎂、氟娃酸鎂、甲酸鎂、葡萄糖酸鎂、氫氧化鎂、蘋果酸鎂、馬來酸鎂、硝酸鎂、氧化鎂、苯酚磺酸鎂、苯酚鎂、磷酸鎂、亞磷酸鎂、丙酸鎂、水楊酸鎂、硫化鎂、硫酸鎂、硬脂酸鎂、鎢酸鎂、硼酸鎂、亞氯酸鎂、富馬酸鎂、異丁酸鎂、乳酸鎂、月桂酸鎂、亞油酸鎂、油酸鎂、草酸鎂、碳酸鎂鎂、硅酸鎂、亞硝酸鎂、琥珀酸鎂、酒石酸鎂。
[0043]鋰鹽:
[0044]乙酸鉀、鋁酸鉀、硅鋁酸鉀、酒石酸銨鉀、苯甲酸鉀、硼酸鉀、二甲苯甲酸硼鉀(potassium bOT0Xylate)、氯酸鉀、氯化鉀、碳酸鉀、硫酸鎂鉀、檸檬酸鉀、乙基硫酸鉀、氟硼酸鉀、甲酸鉀、氟化鉀、氫氧化鉀、乳酸鉀、氯化鎂鉀、硒酸鎂鉀、硫酸鎂鉀、氯化鎂鉀、甲基硫酸鉀、鑰酸鉀、萘二磺酸鉀、硝酸鉀、油酸鉀、草酸鉀、氧化鉀、磷酸鉀、酞酸鉀、丙酸鉀、丙基硫酸鉀、水楊酸鉀、山道年酸鉀、硅酸鉀、鎢酸鉀、碳酸鈉鉀、硫酸鈉鉀、酒石酸鈉鉀、山梨酸鉀、錫酸鉀、硬脂酸鉀、琥珀酸鉀、硫酸鉀、硫化鉀、酒石酸鉀、鎢酸鉀、黃原酸鉀、硫酸鋁銨鉀、氯化鎂鉀、硫酸鎂鉀、碳酸鉀、月桂酸鉀、蘋果酸鉀、甲二磺酸鉀、亞硝酸鉀。
[0045]佳鹽:
[0046]乙酸鋅、硼酸鋅、苯甲酸鋅、丁酸鋅、氯酸鋅、氯化鋅、檸檬酸鋅、氟化鋅、氟硅酸鋅、甲醛次硫酸鋅、甲酸鋅、乳酸鋅、月桂酸鋅、硝酸鋅、油酸鋅、草酸鋅、氧化鋅、磷酸鋅、硒酸鋅、硫酸鋅、硫化鋅、酒石酸鋅、戊酸鋅、亞硫酸鋅、苦味酸鋅、氫氧化鋅、次磷酸鋅。
[0047]向該PVDF中添加的金屬鹽的水平的范圍是從50至50，OOOppm,優(yōu)選100至10，OOOppm、并且更優(yōu)選500至5，OOOppm。該下限代表在福射后、提供在可浸出的氟離子和其他小的含氟分子水平上的 顯著減少所需要的鹽的有效水平。該上限是開放式的，提供了可浸出的氟離子的減少，然而過量的陽離子可能消極影響該氟聚合物組合物的其他性能。
[0048]共混
[0049]本發(fā)明的氟聚合物組合物是通過將該氟聚合物與一種或多種金屬鹽或氧化物共混來形成的。該共混可以按任何已知的方式發(fā)生?？傮w上，向該氟聚合物中添加鹽或氧化物將在聚合反應后、并且在任何水洗滌之后發(fā)生——尤其是對于水溶性鹽而言。然而，在本發(fā)明的范圍之內的是在任何點可以將該金屬鹽或氧化物添加到該聚合物膠乳中。可以將該聚合物膠乳和一種鹽或氧化物溶液/懸浮液進行共噴射干燥以形成該氟聚合物組合物。可以將該金屬鹽可以作為唯一的凝固劑、或作為與其他凝固劑的一種混合物在該方法的凝結階段中添加。該干燥的氟聚合物粉末可以與該金屬鹽或氧化物干混，或者該氟聚合物和金屬鹽或氧化物可以甚至分別添加到一個加工設備中(如一個擠出機)并且恰好在造?；虺尚蜑橐粋€最終物品之前熔融共混。
[0050]除本發(fā)明的氟聚合物和這些金屬鹽或氧化物之外，該聚合物組合物還可以按低水平、通?？傆嬙?重量百分比之下、并且為了高純度的應用優(yōu)選更低的水平來含有一種或多種典型的添加劑、以及與PVDF易混合的其他聚合物，這些添加劑包括但不限于:顏料、染料、填料、表面活性劑、阻燃劑、抗氧化劑、熱穩(wěn)定劑。
[0051]通過已知的手段將本發(fā)明的氟聚合物組合物成型為物品，諸如通過擠出或共擠出、涂覆、注塑模制、旋轉模制、粉末涂覆、流化床涂覆、以及吹氣模制。本發(fā)明的氟聚合物組合物在該物品的將與流體接觸的那側上一通常是管、容器、袋子、或器皿的內表面上；盡管它也可以在兩側都與流體接觸的物品(如導液管(catheter))的兩側上。一個植入件將在該植入件的外側上具有該氟聚合物。該物品可以是一種單層的或一種多層的物品。該物品的氟聚合物層的厚度至少是I密耳。本發(fā)明的氟聚合物物品包括但不限于:容器(包括用于食品、牛奶、水、介質、血液、用于靜脈遞送的溶液(IV)、以及藥物的)、配件、過濾器、管材、袋子、毛細管、移液管、注射器、器皿、一次性反應器或反應器襯里、連接件、攪拌器、管道、注塑模制物品、以及包裝-包括食品包裝。在一個實施例中一個袋子是通過成型一種多層膜、然后通過熱封或射頻輻射將該多層膜沿著其多個邊緣結合到另一個膜上成型的。在另一個實施例中，該氟聚合物組合物是通過激光燒結而成型為一種物品的，包括如骨頭或關節(jié)代替物的物品。
[0052] 通常在一個物品上在其成型后進行輻照，盡管在一些情況中，如在聚合物接枝、或進行輻照以提高性能時，輻射可以在最終制造成為物品之前在該聚合物粉末上發(fā)生。在一個實施例中，為了滅菌的目的將該物品暴露于輻射能中。通過如在此使用的“無菌的”或“滅菌”意指破壞了所有形式的微生物生命。暴露于輻射中可以在該氟聚合物組合物與流體接觸之前，盡管預期的是在一些情況下可以成型為一個含有氟聚合物組合物內層的袋子、并且將其用一種流體(如血清、鹽溶液、藥物的或其他的液體)填充，并且對這個袋子和其內容物的輻照可以在一個單步中完成。本發(fā)明的聚合物組合物的滅菌還可以包括熱滅菌(高壓釜)。熱能持續(xù)了實現滅菌的一段時間和強度通常會導致氟離子的增加，然而本發(fā)明的組合物將致使可引出的氟離子水平在IOppm以下、優(yōu)選在Ippm以下、更優(yōu)選在500ppb以下、并且最優(yōu)選在IOOppb以下。
[0053]在本發(fā)明中使用的輻照的形式將包括但不限于:阿爾法、貝塔、和伽馬輻射，激光能，電子束，X-射線，微波，和射頻輻射-如用于該氟聚合物的焊接。對于滅菌而言，電子束(e-束)和伽馬輻射是尤其優(yōu)選的。對于滅菌而言，輻射暴露的水平將大于5千格雷、優(yōu)選大于10千格雷、更優(yōu)選從20-70千格雷、并且甚至更優(yōu)選25-40千格雷。如果福射的水平過低，將不會發(fā)生滅菌，并且該氟聚合物鍵的斷裂是低的。如果輻射的水平過高，則該聚合物的物理特性受到影響。
[0054]下列實例進一步展示了諸位發(fā)明人所考慮的用于實踐本發(fā)明的最佳模式，并且應該被解釋為對本發(fā)明的說明而非對其的限制。
[0055]實例
[0056]實例I
[0057]使來自阿科瑪公司的聚偏二氟乙烯共聚物樣品KYNAR RX801HPC與0ppm、500ppm、
I,OOOppm、2，OOOppm、和 3，OOOppm 的載荷的 FDA 級 AZ066USP ZnO 在一個 18mm 的萊斯(Leistritz)擠出機中進行混合。然后，將這些得到的球粒在40-50千格雷下進行伽馬輻射并且在209ffit0H/80%SWFI的溶液中暴露于40°C中持續(xù)14天。球粒測試被用作比以下一種方法求更少的材料和時間的替代性方法:將該聚合物成型為一種單層或多層的袋子并且用該流體填充以便用于可引出性的測試。使用色譜法和離子耦合等離子體法來表征浸入到該溶液中的這些陰離子和離子。以下表格顯示了這些結果:
[0058]表1
[0059]ICP 結果-在 40°C下 14 天
[0060]
【權利要求】
1.一種經輻照的氟聚合物物品，包括至少一個將會與流體接觸的氟聚合物組合物層，其中所述氟聚合物組合物包括至少一種氟聚合物和從50ppm至50，OOOppm的至少一種金屬鹽或一種金屬氧化物，并且其中所述氟聚合物組合物已被暴露于至少5千格雷的輻射中。
2.如權利要求1所述的經輻照的氟聚合物物品，其中所述氟聚合物組合物，在成型為.2密耳厚的袋子并且用25-50千格雷的伽馬輻射輻照過時，在40°C下用80%注射用無菌水/20%乙醇的溶液、以2.21/cm的表面與液體體積的比率來填充14天后，產生了少于IOppm的引出的氟離子。
3.如權利要求1所述的經輻照的氟聚合物物品，其中氟聚合物組合物已被暴露于至少20千格雷的福射中。
4.如權利要求2所述的經輻照的物品，其中該引出的氟離子是少于500ppb。
5.如權利要求1所述的經輻照的氟聚合物物品，其中該引出的氟離子是少于lOOppb。
6.如權利要求1所述的經輻照的物品，其中所述氟聚合物包括至少一種聚偏二氟乙烯或乙烯三氟乙烯的均聚物或共聚物。
7.如權利要求1所述的經輻照的物品，其中所述輻射是選自下組，該組由以下各項組成:伽馬輻射、阿爾法輻射、貝塔輻射、激光能、以及X-射線輻射。
8.如權利要求1所述的經輻照的物品，其中所述物品是一種多層物品。
9.如權利要求1所述的經輻照的物品，其中所述金屬鹽或金屬氧化物是由選自由磷酸根、硫酸根、氯離子、氧離子、乙酸根、和甲酸根組成的組中的陰離子和選自由鎂、鈣、鉀、鈉、和鋅組成的組中的陽離子來形成的。
10.如權利要求1所述的經福照的物品，其中所述氟聚合物組合物包含從500ppm至10，OOOppm的所述金屬鹽或氧化物。
11.一種無菌氟聚合物物品，包括至少一個將會與流體接觸的氟聚合物組合物層，其中所述氟聚合物組合物包括至少一種氟聚合物和從50ppm至50，OOOppm的至少一種金屬鹽或一種金屬氧化物。
12.如權利要求11所述的無菌氟聚合物物品，其中所述氟聚合物組合物在成型為2密耳厚的袋子并且用25-50千格雷的伽馬輻射輻照過時，在40°C下在用80%注射用無菌水/20%乙醇的溶液以2.21/cm的表面與液體體積的比率來填充14天后，產生了少于IOppm的引出的氟離子。
13.如權利要求11所述的無菌物品，其中該引出的氟離子是少于500ppb。
14.如權利要求11所述的無菌物品，其中所述氟聚合物包括至少一種聚偏二氟乙烯或乙烯三氟乙烯的均聚物或共聚物。
15.如權利要求11所述的無菌物品，其中所述金屬鹽或金屬氧化物包括從500ppm至5000ppm的所述金屬鹽或氧化物,并且其中所述金屬鹽或金屬氧化物是由選自由磷酸根、硫酸根、氯離子、氧離子、乙酸根、和甲酸根組成的組中的陰離子和選自由鎂、鈣、鉀、鈉、和鋅組成的組中的陽離子來形成的。
16.一種用于生產無菌氟聚合物物品的方法，該方法包括以下步驟: a)形成一種氟聚合物組合物，該氟聚合物組合物包括至少一種氟聚合物和從50ppm至.50，OOOppm的至少一種金屬鹽或金屬氧化物； b)使一種物品成型，該物品具有至少一個包含所述氟聚合物組合物的層；c)將或者步驟a)的氟聚合物組合物或者步驟b)的氟聚合物物品暴露于至少20千格雷的電離輻射中。
17.如權利要求16所述的方法，其中所述物品在成型為2密耳厚的袋子并且用40-50千格雷的伽馬輻射輻照過、并且在40°C下在用80%注射用無菌水/20%乙醇的溶液以2.21/cm的表面與液體體積的比率來填充14天時，產生了少于Ippm的引出的氟離子。
18.如權利要求16所述的方法，其中該引出的氟離子是少于500ppb。
19.如權利要求16所述的方法，其中所述氟聚合物是聚偏二氟乙烯或乙烯三氟乙烯，并且其中所述經輻照的氟聚合物是暴露于向伽馬輻射、阿爾法輻射、貝塔輻射、激光能、或X-射線輻射中的。
20.如權利要求16所述的方法，其中所述金屬鹽或金屬氧化物是由選自由磷酸根、硫酸根、氯離子、氧離子、乙酸根、和甲酸根組成的組中的陰離子和選自由鎂、鈣、鉀、鈉、和鋅組成的組中的陽離子 來形成的。
【文檔編號】C08K5/00GK103597021SQ201280025362
【公開日】2014年2月19日 申請日期:2012年5月23日 優(yōu)先權日:2011年5月25日
【發(fā)明者】S·哲拉法迪 申請人:阿科瑪股份有限公司