本發(fā)明涉及一種新型有機(jī)材料，尤其涉及一種用于有機(jī)電致發(fā)光器件的化合物及其在有機(jī)電致發(fā)光顯示技術(shù)領(lǐng)域中的應(yīng)用。

背景技術(shù)：
電致發(fā)光材料和器件經(jīng)過多年的研究和發(fā)展，已經(jīng)達(dá)到了實(shí)用化水平。各種材料，例如空穴材料，電子材料，發(fā)光材料以及顯示器件制備技術(shù)，已經(jīng)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)展。同樣地，傳輸能力更強(qiáng)、穩(wěn)定性更高類型的電子傳輸材料，在相關(guān)文章和專利中都已有報(bào)道。一般來說，電子傳輸材料都是具有大的共軛結(jié)構(gòu)的平面芳香族化合物，它們大多具有較好的接受電子的能力，同時(shí)在一定正向偏壓下又可以有效的傳遞電子。使用過的電子傳輸材料主要有8-羥基喹啉鋁類化合物，惡二唑類化合物，喹喔啉類化合物，含腈基的聚合物，其它含氮雜環(huán)化合物等(Chem.Mater.2004，16，4556-4573，JMater.Chem.2005，15，94-106)。目前較新的報(bào)道有苯基吡啶基取代的稠環(huán)芳烴電子傳輸材料(申請(qǐng)公布號(hào)CN101891673A，申請(qǐng)公布日2010，11，24)，苯并咪唑基團(tuán)取代的稠環(huán)芳烴電子傳輸材料(公開號(hào)特開2011-3793，公開日2011，1，6)，等等。這些專利所報(bào)道的材料，不同程度地使電致發(fā)光器件啟亮電壓降低，效率提高；但由于這些材料分子量普遍較小，材料的玻璃化溫度較低，在材料使用過程中，反復(fù)充電放電，材料容易結(jié)晶，薄膜的均一性被破壞，從而影響材料使用壽命。因此，開發(fā)穩(wěn)定高效的電子傳輸材料，從而降低起亮電壓，提高器件效率，具有很重要的實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于提供一種新型有機(jī)化合物，并將該化合物應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光功能層作為電子傳輸材料，進(jìn)而得到驅(qū)動(dòng)電壓低，電流效率高、半衰期長(zhǎng)的有機(jī)電致發(fā)光器件。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下：本發(fā)明提供的有機(jī)化合物，其母體是具有大共軛平面結(jié)構(gòu)的芳香稠環(huán)結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)具有高的電子流動(dòng)性。而咪唑并[1,2-a]吡啶基團(tuán)的還原電位比相似結(jié)構(gòu)的純芳香族要低，更利于接受電子，將缺電子的咪唑并[1,2-a]吡啶基團(tuán)引入芳香稠環(huán)上，既提高了化合物的電子遷移率，又降低了整個(gè)分子的共平面性，有利于化合物蒸鍍成膜。同時(shí)與母核芳香稠環(huán)連接的咪唑并[1,2-a]吡啶基團(tuán)，通過單鍵旋轉(zhuǎn)，與芳香稠環(huán)處在非平面狀態(tài)，使得整個(gè)分子在空間立體上形成一定程 度的扭曲，提高了其成膜性。本發(fā)明提供了一種有機(jī)化合物，具有如式(I)或式(II)所示的結(jié)構(gòu)：其中：Ar選自C6～C30稠環(huán)芳烴基團(tuán)；Ar1～Ar3獨(dú)立地選自H、C1～C20的脂肪族烷基、C6～C20的芳香族基團(tuán)或C4～C30的含有雜原子N或S的芳香雜環(huán)基團(tuán)的其中之一；Ar1和Ar2不能同時(shí)為H；n等于1或2。優(yōu)選地，所述有機(jī)化合物具有如式(III)、式(IV)、式(V)或式(VI)所示的結(jié)構(gòu)：其中：Ar選自C6～C30稠環(huán)芳烴基團(tuán)；Ar1～Ar3獨(dú)立地選自H、C1～C20的脂肪族烷基、C6～C20的芳香族基團(tuán)或C4～C30的含有雜原子N或S的芳香雜環(huán)基團(tuán)的其中之一；Ar1和Ar2不能同時(shí)為H；n等于1或2。優(yōu)選地，所述Ar的優(yōu)選結(jié)構(gòu)式如下述結(jié)構(gòu)式：優(yōu)選地，所述Ar1～Ar3的優(yōu)選結(jié)構(gòu)式如下述結(jié)構(gòu)式：優(yōu)選地，所述的有機(jī)化合物的優(yōu)選結(jié)構(gòu)式如下：所述的有機(jī)化合物在有機(jī)電致發(fā)光器件中用作電子傳輸材料。本發(fā)明還提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括基板，以及依次成型于所述基板上的陽極層、有機(jī)發(fā)光功能層和陰極層；所述有機(jī)發(fā)光功能層所用材料包括空穴傳輸材料、有機(jī)發(fā)光材料以及電子傳輸材料，所述電子傳輸材料為具有如式(I)或式(II)所示的結(jié)構(gòu)：其中：Ar選自C6～C30稠環(huán)芳烴基團(tuán)；Ar1～Ar3獨(dú)立地選自H、C1～C20的脂肪族烷基、C6～C20的芳香族基團(tuán)或C4～C30的含有雜原子N或S的芳香雜環(huán)基團(tuán)的其中之一；Ar1和Ar2不能同時(shí)為H；n等于1或2。本發(fā)明還提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括基板，以及依次成型于所述基板上的陽極層、有機(jī)發(fā)光功能層和陰極層；所述有機(jī)發(fā)光功能層所用材料包括空穴傳輸材料、有機(jī)發(fā)光材料以及電子傳輸材料，所述有機(jī)發(fā)光功能層所用材料為具有下述結(jié)構(gòu)式具有如式(I)或式(II)所示的結(jié)構(gòu)：其中：Ar選自C6～C30稠環(huán)芳烴基團(tuán)；Ar1～Ar3獨(dú)立地選自H、C1～C20的脂肪族烷基、C6～C20的芳香族基團(tuán)或C4～C30的含有雜原子N或S的芳香雜環(huán)基團(tuán)的其中之一；Ar1和Ar2不能同時(shí)為H；n等于1或2。本發(fā)明的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn)：(1)本發(fā)明提供的有機(jī)化合物具有較高的電子傳輸性能，成膜性好，所應(yīng)用的器件在使用溫度下具有較高的穩(wěn)定性。(2)本發(fā)明提供的有機(jī)化合物性質(zhì)穩(wěn)定，制備工藝簡(jiǎn)單、易行且具有高的載流子遷移率，在有機(jī)電致發(fā)光器件中可用作電子傳輸層。(3)器件實(shí)施例22-23表明，在電子傳輸層中應(yīng)用本發(fā)明的有機(jī)化合物作為電子傳輸 材料，制備的器件能有效地降低驅(qū)動(dòng)電壓，提高電流效率。。附圖說明為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚的理解，下面根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明；用Gaussian03/6-31方法分別測(cè)定化合物的最高占有分子軌道的HOMO能級(jí)和最低空軌道的LUMO能級(jí)。其中，圖1是本發(fā)明所述的有機(jī)化合物M5的核磁譜圖(13C)；圖2是本發(fā)明所述的有機(jī)化合物M10的核磁譜圖(13C)；圖3是本發(fā)明所述的有機(jī)化合物M14的核磁譜圖(13C)；圖4是本發(fā)明所述的有機(jī)化合物M20的核磁譜圖(13C)；具體實(shí)施方式本發(fā)明中所用的吡啶衍生物、苯基溴代醛酮、芳基硼酸衍生物、二溴代稠環(huán)芳烴等基礎(chǔ)化工原料均可在國內(nèi)化工產(chǎn)品市場(chǎng)買到，稠環(huán)芳烴硼酸衍生物均可用普通有機(jī)方法合成?；衔锖铣蓪?shí)施例實(shí)施例1化合物1的合成合成過程分三步，第一步同于實(shí)施例1第一步，只是將原料中的2-氨基-5-溴吡啶換為2-氨基吡啶，2-溴-2-苯基苯乙酮換為2-溴-2-(對(duì)溴苯基)苯乙酮；第二步同于實(shí)施例1第二步，只是將其中的2，3-二苯基-6-溴咪唑[1,2-a]并吡啶換為2-苯基-3-(對(duì)溴苯基)咪唑[1,2-a]并吡啶；第三步同于實(shí)施例1第三步，只是將其中的一種原料2，3-二苯基咪唑[1,2-a]并吡啶-6-硼酸換為上步合成出的硼酸中間體，得到化合物15。產(chǎn)物MS(m/e)：764，元素分析(C56H36N4)：理論值C：87.93％，H：4.74％，N：7.33％；實(shí)測(cè)值C：87.90％，H：4.71％，N：7.39％。實(shí)施例2化合物2的合成合成過程共分四步，第一步同于實(shí)施例1第一步，只是將原料中的2-氨基-5-溴吡啶換為2-氨基吡啶，2-溴-2-苯基苯乙酮換為2-溴-2-苯基(對(duì)溴苯基)乙酮；第二步同于實(shí)施例1中的第二步，只是將其中的2，3-二苯基-6-溴咪唑[1,2-a]并吡啶換為2-(對(duì)溴苯基)-3-苯基咪唑[1,2-a]并吡啶；第三步同于實(shí)施例1第三步，只是將原料中的對(duì)溴苯硼酸換為上步合成出的硼酸中間體，得到目標(biāo)化合物16.產(chǎn)物MS(m/e)：764，元素分析(C56H36N4)：理論值C：87.93％，H：4.74％，N：7.33％；實(shí)測(cè)值C：87.95％，H：4.73％，N：7.32％。實(shí)施例3化合物3的合成合成過程同于實(shí)施例1中的第三步，只是用6-(4-(1-萘基)苯基-12-溴代Chrysene代替6，12-二溴Chrysene，用4-(3-苯基咪唑[1,2-a]并吡啶-2-基)苯硼酸代替2，3-二苯基咪唑[1,2-a]并吡啶-6-硼酸作原料，得到化合物17。產(chǎn)物MS(m/e)：698，元素分析(C53H34N2)：理論值C：91.09％，H：4.90％，N：4.01％；實(shí)測(cè)值C：91.06％，H：4.87％，N：4.07％。實(shí)施例4化合物4的合成合成過程同于實(shí)施例1中的第三步，只是用6-(4-(1-萘基)苯基-12-溴代Chrysene代替6，12-二溴Chrysene，用4-(2-苯基咪唑[1,2-a]并吡啶-3-基)苯硼酸代替2，3-二苯基咪唑[1,2-a]并吡啶-6-硼酸作原料，得到化合物18。產(chǎn)物MS(m/e)：698，元素分析(C53H34N2)：理論值C：91.09％，H：4.90％，N：4.01％；實(shí)測(cè)值C：91.07％，H：4.87％，N：4.06％。實(shí)施例5化合物5的合成合成過程同于實(shí)施例1中的第三步，只是用1，6-二溴芘代替6，12-二溴Chrysene，用4-(3-苯基咪唑[1,2-a]并吡啶-2-基)苯硼酸代替2，3-二苯基咪唑[1,2-a]并吡啶-6-硼酸作原料，得到化合物19。產(chǎn)物MS(m/e)：738，元素分析(C54H34N4)：理論值C：87.78％，H：4.64％，N：7.58％；實(shí)測(cè)值C：87.80％，H：4.66％，N：7.54％。實(shí)施例6化合物6的合成合成過程同于實(shí)施例1中的第三步，只是用1，6-二溴芘代替6，12-二溴Chrysene，用4-(2-苯基咪唑[1,2-a]并吡啶-3-基)苯硼酸代替2，3-二苯基咪唑[1,2-a]并吡啶-6-硼酸作原料，得到化合物20。產(chǎn)物MS(m/e)：738，元素分析(C54H34N4)：理論值C：87.78％，H：4.64％，N：7.58％；實(shí)測(cè)值C：87.79％，H：4.60％，N：7.61％。實(shí)施例7化合物7的合成合成過程同于實(shí)施例1中的第三步，只是用1-(4-(1-萘基)苯基)6-溴芘代替6，12-二溴Chrysene，用4-(3-苯基咪唑[1,2-a]并吡啶-2-基)苯硼酸代替2，3-二苯基咪唑[1,2-a]并吡啶-6-硼酸作原料，得到化合物21。產(chǎn)物MS(m/e)：672，元素分析(C51H32N2)：理論值C：91.05％，H：4.79％，N：4.16％；實(shí)測(cè)值C：91.01％，H：4.76％，N：4.23％。實(shí)施例8化合物8的合成合成過程同于實(shí)施例1中的第三步，只是用1-(4-(1-萘基)苯基)6-溴芘代替6，12-二溴Chrysene，用4-(2-苯基咪唑[1,2-a]并吡啶-3-基)苯硼酸代替2，3-二苯基咪唑[1,2-a]并吡啶-6-硼酸作原料，得到化合物21。產(chǎn)物MS(m/e)：672，元素分析(C51H32N2)：理論值C：91.05％，H：4.79％，N：4.16％；實(shí)測(cè)值C：91.04％，H：4.83％，N：4.13％。實(shí)施例9化合物9的合成合成過程同于實(shí)施例1中的第三步，只是用5，8-二溴苯并菲代替6，12-二溴Chrysene，用4-(3-苯基咪唑[1,2-a]并吡啶-2-基)苯硼酸代替2，3-二苯基咪唑[1,2-a]并吡啶-6-硼酸作原料，得到化合物23。產(chǎn)物MS(m/e)：764，元素分析(C56H36N4)：理論值C：87.93％，H：4.74％，N：7.32％；實(shí)測(cè)值C：87.96％，H：4.75％，N：7.29％。實(shí)施例10化合物10的合成合成過程同于實(shí)施例1中的第三步，只是用5，8-二溴苯并菲代替6，12-二溴Chrysene，用4-(3-苯基咪唑[1,2-a]并吡啶-2-基)苯硼酸代替2，3-二苯基咪唑[1,2-a]并吡啶-6-硼酸作原料，得到化合物24。產(chǎn)物MS(m/e)：764，元素分析(C56H36N4)：理論值C：87.93％，H：4.74％，N：7.32％；實(shí)測(cè)值C：87.96％，H：4.75％，N：7.29％。實(shí)施例11化合物11的合成合成過程同于實(shí)施例1中的第三步，只是用5-溴-8-(4-(1-萘基)苯基)苯并菲代替6，12-二溴Chrysene，用4-(3-苯基咪唑[1,2-a]并吡啶-2-基)苯硼酸代替2，3-二苯基咪唑[1,2-a]并吡啶-6-硼酸作原料，得到化合物25。產(chǎn)物MS(m/e)：698，元素分析(C53H34N2)：理論值C：91.09％，H：4.90％，N：4.01％； 實(shí)測(cè)值C：91.12％，H：4.84％，N：4.04％。實(shí)施例12化合物12的合成合成過程同于實(shí)施例1中的第三步，只是用5-溴-8-(4-(1-萘基)苯基)苯并菲代替6，12-二溴Chrysene，用4-(2-苯基咪唑[1,2-a]并吡啶-3-基)苯硼酸代替2，3-二苯基咪唑[1,2-a]并吡啶-6-硼酸作原料，得到化合物26。產(chǎn)物MS(m/e)：698，元素分析(C53H34N2)：理論值C：91.09％，H：4.90％，N：4.01％；實(shí)測(cè)值C：91.8％，H：4.86％，N：4.06％。實(shí)施例13化合物13的合成合成過程同于實(shí)施例1中的第三步，只是用3，9二溴苝代替6，12-二溴Chrysene，用4-(2-苯基咪唑[1,2-a]并吡啶-3-基)苯硼酸代替2，3-二苯基咪唑[1,2-a]并吡啶-6-硼酸作原料，得到化合物27。產(chǎn)物MS(m/e)：788，元素分析(C58H36N4)：理論值C：88.30％，H：4.60％，N：7.10％；實(shí)測(cè)值C：88.34％，H：4.64％，N：7.02％。實(shí)施例14化合物14的合成合成過程同于實(shí)施例1中的第三步，只是用3，9二溴苝代替6，12-二溴Chrysene，用4-(3-苯基咪唑[1,2-a]并吡啶-2-基)苯硼酸代替2，3-二苯基咪唑[1,2-a]并吡啶-6-硼酸作原料，得到化合物28。產(chǎn)物MS(m/e)：788，元素分析(C58H36N4)：理論值C：88.30％，H：4.60％，N：7.10％；實(shí)測(cè)值C：88.34％，H：4.58％，N：7.08％。實(shí)施例15化合物15的合成合成過程同于實(shí)施例1中的第三步，只是用3-溴-9-(4-(1-萘基)苯基)苝代替6，12-二溴Chrysene，用4-(3-苯基咪唑[1,2-a]并吡啶-2-基)苯硼酸代替2，3-二苯基咪唑[1,2-a]并吡啶-6-硼酸作原料，得到化合物29。產(chǎn)物MS(m/e)：722，元素分析(C55H34N2)：理論值C：91.38％，H：4.74％，N：3.88％；實(shí)測(cè)值C：91.35％，H：4.71％，N：3.94％。實(shí)施例16化合物16的合成合成過程同于實(shí)施例1中的第三步，只是用3-溴-9-(4-(1-萘基)苯基)苝代替6，12-二溴Chrysene，用4-(2-苯基咪唑[1,2-a]并吡啶-3-基)苯硼酸代替2，3-二苯基咪唑[1,2-a]并吡啶-6-硼酸作原料，得到化合物30。產(chǎn)物MS(m/e)：722，元素分析(C55H34N2)：理論值C：91.38％，H：4.74％，N：3.88％；實(shí)測(cè)值C：91.39％，H：4.70％，N：3.91％。實(shí)施例17化合物17的合成合成過程同于實(shí)施例1中的第三步，只是用2，7-二溴菲代替6，12-二溴Chrysene，用4-(2-苯基咪唑[1,2-a]并吡啶-3-基)苯硼酸代替2，3-二苯基咪唑[1,2-a]并吡啶-6-硼酸作原料，得到化合物31。產(chǎn)物MS(m/e)：714，元素分析(C52H34N4)：理論值C：87.37％，H：4.79％，N：7.84％；實(shí)測(cè)值C：87.35％，H：4.77％，N：7.88％。實(shí)施例18化合物18的合成合成過程同于實(shí)施例1中的第三步，只是用2，7-二溴菲代替6，12-二溴Chrysene，用4-(3-苯基咪唑[1,2-a]并吡啶-2-基)苯硼酸代替2，3-二苯基咪唑[1,2-a]并吡啶-6-硼酸作原料，得到化合物32。產(chǎn)物MS(m/e)：714，元素分析(C52H34N4)：理論值C：87.37％，H：4.79％，N：7.84％；實(shí)測(cè)值C：87.33％，H：4.75％，N：7.92％。實(shí)施例19化合物19的合成合成過程同于實(shí)施例1中的第三步，只是用2-溴-7-(4-(1-萘基)苯基)菲代替6，12-二溴Chrysene，用4-(3-苯基咪唑[1,2-a]并吡啶-2-基)苯硼酸代替2，3-二苯基咪唑[1,2-a]并吡啶-6-硼酸作原料，得到化合物33。產(chǎn)物MS(m/e)：648，元素分析(C49H32N2)：理論值C：90.71％，H：4.97％，N：4.32％；實(shí)測(cè)值C：90.75％，H：4.95％，N：4.30％。實(shí)施例20化合物20的合成合成過程同于實(shí)施例11，只是將其中的一種原料2，3-二苯基-6-溴咪唑[1,2-a]并吡啶用4-(2-苯基咪唑[1,2-a]并吡啶-3-基)溴苯代替作原料，得到化合物35。產(chǎn)物MS(m/e)：764，元素分析(C56H36N4)：理論值C：87.93％，H：4.74％，N：7.33％；實(shí)測(cè)值C：87.95％，H：4.76％，N：7.29％。實(shí)施例21化合物21的合成合成過程同于實(shí)施例11，只是將其中的一種原料2，3-二苯基-6-溴咪唑[1,2-a]并吡啶用4-(3-苯基咪唑[1,2-a]并吡啶-2-基)溴苯代替作原料，得到化合物36。產(chǎn)物MS(m/e)：764，元素分析(C56H36N4)：理論值C：87.93％，H：4.74％，N：7.33％；實(shí)測(cè)值C：87.88％，H：4.77％，N：7.34％。下面是本發(fā)明化合物的應(yīng)用實(shí)施例：實(shí)施例22：制備器件OLED-1～OLED-21制備器件的優(yōu)選實(shí)施方式：(1)器件設(shè)計(jì)為了方便比較這些空穴注入、空穴傳輸材料的性能，本發(fā)明設(shè)計(jì)了一簡(jiǎn)單電發(fā)光器件(基片/陽極/空穴注入層(HIL)/空穴傳輸層(HTL)/有機(jī)發(fā)光層(EL)/電子傳輸層(ETL)/陰極)，僅使用M1～M21作為電子傳輸材料例證，高效電子傳輸材料Bphen作為比較材料，AND摻雜TBPe作為發(fā)光層材料、NPB作為空穴傳輸材料。Bphen、NPB、AND和TBPe的結(jié)構(gòu)為：基片可以使用傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光器件中的基板，例如：玻璃或塑料。在本發(fā)明的器件制作中選用玻璃基板，ITO作陽極材料?？昭▊鬏攲涌梢圆捎酶鞣N三芳胺類材料。在本發(fā)明的器件制作中所選用的空穴傳輸材料是NPB。陰極可以采用金屬及其混合物結(jié)構(gòu)，如Mg：Ag、Ca：Ag等，也可以是電子注入層/金屬層結(jié)構(gòu)，如LiF/Al、Li2O/Al等常見陰極結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明的器件制作中所選用的電子注入材料是LiF，陰極材料是Al。(2)制作器件OLED-1將涂布了ITO透明導(dǎo)電層的玻璃板在商用清洗劑中超聲處理，在去離子水中沖洗，在丙酮：乙醇混合溶劑中超聲除油，在潔凈環(huán)境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能陽離子束轟擊表面；把上述帶有陽極的玻璃基片置于真空腔內(nèi)，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述陽極層膜上真空蒸鍍NPB作為空穴傳輸層，蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍膜厚為40nm；在空穴傳輸層之上真空蒸鍍發(fā)光層，以雙源共蒸的方法，蒸鍍ADN和TBPe，ADN的蒸鍍速率為0.1nm/s，TBPe的蒸鍍速率為0.005nm/s，蒸鍍總膜厚為30nm；在發(fā)光層之上分別真空蒸鍍一層M1～M40或Bphen作為電子傳輸材料，其蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍總膜厚為20nm；在電子傳輸層(ETL)上真空蒸鍍LiF和Al層作為器件的陰極，厚度分別為0.5nm和150nm。按上述方法制備制備OLED-2～OLED-21，僅是改變了作為電子傳輸材料的化合物。對(duì)比例1方法同實(shí)施例22，將ETL材料換成Bphen。器件性能見表1(標(biāo)準(zhǔn)器件結(jié)構(gòu)：ITO/NPB(40nm)/ADN:5％wtTBPe(30nm)/ETL材料(20nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm))。表1實(shí)施例23：制備器件OLED-22和OLED-23方法同實(shí)施例22，將ETL材料換成，將ETL材料換成M1和M13，并改變ETL厚度。對(duì)比例2方法同實(shí)施例22，將ETL材料換成Bphen，并改變ETL厚度。器件的性能見表2：(標(biāo)準(zhǔn)器件結(jié)構(gòu)：ITO/NPB(40nm)/ADN:5％wtTBPe(30nm)/ETL材料(厚度nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm))表2以上結(jié)果表明，本發(fā)明的新型有機(jī)材料在有機(jī)電致發(fā)光器件中應(yīng)用，具有較高的電子傳輸性能和高的載流子遷移率，且制備工藝簡(jiǎn)單、易行，作為電子傳輸層材料，能有效地降低驅(qū)動(dòng)電壓，提高電流效率，是性能良好的電子傳輸材料。盡管結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，應(yīng)當(dāng)理解，在本發(fā)明構(gòu)思的引導(dǎo)下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可進(jìn)行各種修改和改進(jìn)，所附權(quán)利要求概括了本發(fā)明的范圍。