專利名稱：一種防靜電、高熱導率的led封裝基座材料及其生產工藝的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及合成材料技術領域，具體涉及一種防靜電、高熱導率的LED封裝基座材料及其生產工藝。
背景技術：
LED作為一種新型光源，由于具有節(jié)能、環(huán)保、壽命長、啟動速度快、能控制發(fā)光光譜和禁止帶幅的大小使彩度更高等傳統(tǒng)光源無可比擬的優(yōu)勢而得到了空前發(fā)展。大功率 LED固態(tài)照明是繼白熾燈發(fā)明以來，最重要的照明革命。半導體LED材料能將電能直接轉化為光能，具有與傳統(tǒng)照明光源最大的不同，發(fā)光效率高，能耗僅為普通白熾燈八分之一；壽命長；無頻閃、無紅外和紫外輻射以及不含汞元素等，是典型的節(jié)能、綠色環(huán)保照明。伴隨著LED電流強度和發(fā)光量的增加，LED芯片的發(fā)熱量也隨之上升，對于高功率 LED，輸入能源的80%都以熱的形態(tài)消耗掉。如果這些熱量不能及時排出外界，造成芯片的溫升效應，LED的壽命和光輸出都會大打折扣；隨著技術進步及市場規(guī)模的不斷擴大，單顆大功率LED的功率密度及發(fā)光效率在不斷提高，對大功率LED封裝材料及工藝也提出了更高的要求。支架、芯片以及透明封裝膠是大功率LED封裝工藝中的三大主要原材料。大功率 LED支架性能的好壞對LED燈具的穩(wěn)定使用具有非常重要的影響。大功率LED支架主要包括支架引線、熱沉、封裝基座、透鏡組成。封裝基座，目前一般采用包封塑料，主要作用是絕緣隔熱，特別是在高溫下必須具有一定的機械力學性能。有兩個方面的因素容易導致包封塑料損壞，一是由于現(xiàn)有的技術限制，LED芯片80%的電能轉換成熱能，致使大功率LED在使用過程中發(fā)熱非常厲害，光源使用溫度很高，塑料包封料要求在100°C以上長期使用而絕緣性能不受到影響；二是大功率LED光源在焊接時瞬間溫度高達260°C以上，短期高溫不能對塑料包封料產生破壞，絕緣性能及機械強度不能有太大的衰減。傳統(tǒng)的包封塑料或封裝基座為尼龍增強改性材料，以尼龍為基體的改性復合材料在耐高溫、耐老化、抗沖擊、絕緣性能都相對不理想，在燈具制造過程中或在光源焊接過程中往往不容易承受達260°C短時高溫，而導致老化絕緣性能減低，甚至燈具失效。還有傳統(tǒng)使用的環(huán)氧樹脂封裝基座的熱傳導率僅為0. 47ff/mK,已經(jīng)遠遠不能滿足高功率的LED的散熱要求。近年逐步被高導熱率的鋁金屬基板替代，鋁基板受絕緣有機材料的影響，熱傳導率為1. 5-3. 5W/mK，只能夠滿足部分低功率LED的封裝要求，但鋁基板的熱膨脹系數(shù)與LED芯片差異很大，當溫度變化很大或封裝作業(yè)不當時極易產生熱歪斜，引發(fā)芯片瑕疵及發(fā)光效率降低。由于LED亮度隨驅動電流的增大而增大，對更高亮度的LED，鋁基板已經(jīng)無法滿足其散熱要求；因此需要開發(fā)新的安裝在LED芯片的底板上的高導熱率的材料，從而使LED芯片的工作電流密度約提高5 10倍。就目前的趨勢看來，金屬基座材料的選擇主要是以高熱傳導系數(shù)的材料為組成，如鋁、銅等，但這些材料與芯片間的熱膨脹系數(shù)差異甚大，若將其直接接觸很可能因為在溫度升高時材料間產生的應力而造成可靠性的問題，所以一般都會在材料間加上兼具傳導系數(shù)及膨脹系數(shù)的中間材料作為間隔。過去曾經(jīng)有過采用高導熱性氮化鋁材料作為LED封裝外殼的產品，LED的熱量可以借助外殼傳導至封裝底板。雖然該外殼能夠憑借導熱性和耐熱性優(yōu)于樹脂外殼的特點實現(xiàn)高功率LED封裝，但成本昂貴。與之相比，芯片封裝底板采用銅引線框架作為導熱路徑，而非LED封裝外殼，外殼采用耐熱性優(yōu)秀的廉價陶瓷，雖然使成本降低到了原有陶瓷LED封裝的一半，但導熱性差，影響芯片的使用壽命。近年來，陶瓷封裝基座因具有熱導率高(氧化鋁陶瓷的導熱系數(shù)一般在15-22 W/mK)、熱膨脹系數(shù)與高亮度LED晶體匹配、電絕緣強度高、可設計反射杯及導熱通孔等性能，雖然可以有效的解決這些問題，但現(xiàn)有的陶瓷封裝基座的的生產和應用存在一定的缺點1)、生產工藝復雜，能耗大，成本高，且生產中產生大量廢渣、廢水；2)、容易脆化，機械物理性能不佳；3)、未使用高導熱材料或未設高導熱柱，封裝散熱性差；杯壁未金屬化或未使用高反射率材料，封裝聚光及反射效果差。陶瓷封裝基座生產工藝一般為原材料分散、流延、切片、沖孔(腔)、灌封 (印孔)、平面印刷、疊層/加壓、刻槽、排膠/燒結、電鍍。分別描述如下
原材料分散按一定的配比將陶瓷粉末、有機粘合劑、溶劑及其它助劑通過球磨等工藝加工而形成陶瓷漿料。流延將加工好的陶瓷漿料均勻地涂布在薄膜上，烘干得到陶瓷生
市ο切片將流延制成的陶瓷生帶切割成一定尺寸的陶瓷生片。沖孔(腔)根據(jù)產品設計需要，在切割好的陶瓷生片上沖制通孔或腔體。灌封(印孔)根據(jù)需要，用金屬漿料填充陶瓷生片上的通孔或在陶瓷生片上的通孔孔壁掛金屬漿料。平面印刷根據(jù)產品設計，在陶瓷生片表面印刷導電圖形。疊層/加壓根據(jù)產品設計，將幾片已經(jīng)加工完成的單層陶瓷生片疊合在一起并加壓形成整體的陶瓷BAR塊。刻槽將疊/壓好的陶瓷BAR塊，按設計要求切割形成一定深度的槽，以便后續(xù)分成單只產品。排膠/燒結將加工完成的生坯中的有機物通過高溫排除干凈，并在還原性氣氛下燒結形成致密的整體。燒結溫度在600°c以上。電鍍在金屬化層的表面鍍上所需的光亮金屬層。可見陶瓷封裝基座生產工藝及其復雜，而且要經(jīng)過疊層、刻槽、60(TC高溫燒結，還需要重新經(jīng)過電鍍，生產工藝耗費大量人力和能源，生產成本高，且生產過程產生大量廢水廢渣。聚苯硫醚PPS是一種綜合性能優(yōu)異的熱塑性特種工程塑料，其突出特點是耐高溫、耐腐蝕、耐輻射、不燃、機械性能和電性能優(yōu)異。主要用于汽車制造、電子電器、機械行業(yè)、化工儀器儀表和航天工業(yè)等。但是PPS和其他塑料一樣，與金屬的主要區(qū)別在于它的低導熱性能，限制了它不能在某些領域代替金屬。隨著工業(yè)生產和科學技術的發(fā)展，一些對材料導熱性能要求較高的領域如換熱工程、電磁屏蔽、電子信息等領域，對導熱材料提出了更高的要求，希望材料具有優(yōu)良的綜合性能。塑料的導熱系數(shù)很小，提高其導熱性能的途徑主要有兩種，一是合成具有高導熱系數(shù)的結構塑料，如聚乙炔、聚苯胺、聚口比咯等，它們是主要通過電子導熱機制實現(xiàn)導熱， 或具有完整結晶性。但是此種方式受聚合物本身結構限制，不能適用于所有的材料；二是用高導熱填料對塑料進行填充。大多數(shù)塑料采用第二種方法提高其導熱系數(shù)。目前通過此種方法制得的導熱塑料大多是普通塑料，如PP、PE等，但針對高性能的高導熱聚苯硫醚PPS的復合材料還很少。納米陶瓷的特性主要在于力學性能方面，包括納米陶瓷材料的硬度，斷裂韌度和低溫延展性等。納米級陶瓷復合材料的力學性能，特別是在高溫下使硬度、強度得以較大的提高。有關研究表明，納米陶瓷具有在較低溫度下燒結就能達到致密化的優(yōu)越性，而且納米陶瓷出現(xiàn)將有助于解決陶瓷的強化和增韌問題。在室溫壓縮時，納米顆粒已有很好的結合， 高于500°C很快致密化，而晶粒大小只有稍許的增加，所得的硬度和斷裂韌度值更好，而燒結溫度卻要比工程陶瓷低400 600°C，且燒結不需要任何的添加劑。其硬度和斷裂韌度隨燒結溫度的增加(即孔隙度的降低)而增加，故低溫燒結能獲得好的力學性能。通常，硬化處理使材料變脆，造成斷裂韌度的降低，而就納米晶而言，硬化和韌化由孔隙的消除來形成，這樣就增加了材料的整體強度。因此，如果陶瓷材料以納米晶的形式出現(xiàn)，可觀察到通常為脆性的陶瓷可變成延展性的，在室溫下就允許有大的彈性形變。隨著高技術的不斷出現(xiàn)，人們對超微米、納米陶瓷寄予很大希望，世界各國的科研工作者正在不斷研究開發(fā)納米陶瓷粉體并以此為原料合成高技術超微米、納米陶瓷。碳化硅超微陶瓷粉體純度高、粒徑小、分布均勻，比表面積大、高表面活性，松裝密度低，具有極好的力學、熱學、電學和化學性能，即具有高硬度、高耐磨性和良好的自潤滑、高熱傳導率、 低熱膨脹系數(shù)及高溫強度大特點。普通碳化硅的導熱系數(shù)為83. 6W/mK，碳化硅超微粉體做為絕緣材料，導熱系數(shù)高達150W/mK以上，又因為是原子晶體，化學性質非常穩(wěn)定，不溶于任何強酸、強堿。
SiC陶瓷具有如此優(yōu)良的性能，但同時SiC也是難以直接燒結致密的陶瓷。它屬共價鍵性很強的材料。SiC致密陶瓷可以采用多種燒結方式進行燒結，常用的有反應燒結、無壓燒結及熱等靜壓燒結等，其中無壓燒結SiC陶瓷制品為性價比最高的產品。無壓燒結工藝包括固相燒結和液相燒結兩種方式。無壓燒結具有成本低、燒結體性能好、可以制備復雜形狀和大尺寸SiC部件的優(yōu)點，而且相對容易實現(xiàn)工業(yè)化生產。無壓燒結法是將超微粒碳化硅粉末和燒結促進劑的混和物用一般的成形方法壓制成型、注塑成型、燒注成型等成型技術， 無壓燒結是在非氧化性氣氛(氮氣環(huán)境下)中不加壓進行燒結的方法，亦稱常壓燒結法。無壓燒結法同以往的陶瓷制造方法非常相似，適合于形狀復雜的高密度燒結制品的生產，作為廉價的大批量制品的制造方法是很有希望的。但是無壓燒結需要的溫度較高，尤其是固相燒結，通常溫度大于200(TC，生產設備條件高，能耗高。

發(fā)明內容
鑒于現(xiàn)有技術的缺點，本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種防靜電、高熱導率及耐高溫、耐老化、抗沖擊、高絕緣等性能的LED封裝基座材料及其生產工藝，使之克服現(xiàn)有技術的缺點。本發(fā)明為解決上述技術問題所采用的技術方案為
一種防靜電、高熱導率的LED封裝基座材料，其組成按重量百分比為
碳化硅陶瓷微粉40.,0% -一 60.,0%聚苯硫醚PPS20.0% -30.0%玻璃纖維10.,0% -一 20.,0%云母粉2. 0% 8. 0%
偶聯(lián)劑0. 5% 5. 0% ；
輔助劑0 2. 0%。所述的防靜電、高熱導率的LED封裝基座材料，其中所述聚苯硫醚PPS為分子量是 3萬至10萬的第二代高分子量線性樹脂。所述的防靜電、高熱導率的LED封裝基座材料，其中所述碳化硅陶瓷微粉的粒徑 ^ 0. 1 μ m-10 μ m。所述的防靜電、高熱導率的LED封裝基座材料，其中所述玻璃纖維設為無堿無捻長玻璃纖維。所述的防靜電、高熱導率的LED封裝基座材料，其中所述偶聯(lián)劑為硅烷偶聯(lián)劑，選自苯Y —(2，3_環(huán)氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷(KH560)、苯乙烯基三乙氧基硅烷(A-151)、 Y 一氨丙基三乙氧基硅烷(KH550)中的一種或任意兩種的組合。所述的防靜電、高熱導率的LED封裝基座材料，其中所述輔助劑設為抗氧化劑和紫外線吸收劑。所述的防靜電、高熱導率的LED封裝基座材料的生產工藝，包括步驟
1)、將碳化硅陶瓷微粉、云母粉混合，加入偶聯(lián)劑進行表面處理，處理溫度30 70°C， 處理時間5 15min ；
2)、將聚苯硫醚在200-250°C氧化熱交聯(lián)4-8小時后，加入1)中處理好的碳化硅陶瓷微粉、云母粉、偶聯(lián)劑，再添加輔助劑，在高速攪拌機里攪拌混合，混合3 lOmin，得到復合預混料；
3)、將2)中混合好的復合預混料投入到雙螺桿擠出機的加料斗，玻璃纖維由玻纖口加入，經(jīng)熔融混煉、燒結擠出，燒結溫度在265 300°C，壓力為12 18Mpa，保溫停留時間 10 40min，再經(jīng)冷卻、切粒得到復合材料粒子；
4)、經(jīng)過工藝3)處理所得復合材料粒子于110 130°C鼓風干燥3 6h后，采用注塑溫度為250 320°C、模溫為90 130°C的注塑機，在LED引線支架上直接注塑成型，制備 LED封裝基座。本發(fā)明的有益效果1、本發(fā)明采用碳化硅超微陶瓷粉粒、玻璃纖維、聚苯硫醚的主要原料導熱系數(shù)高，且材料價格相對于銅、鋁金屬材料及氮化鋁陶瓷材料具有成本低廉的優(yōu)勢，制備成的LED封裝基座材料具有高導熱性能，大大提高了大功率LED燈的散熱性能。 2、本發(fā)明制得的封裝基座材料，采用高熱導性的碳化硅超微陶瓷粉粒、玻璃纖維對聚苯硫醚復合材料進行混煉、燒結，保持材料的其他各項物理力學性能優(yōu)異的同時，克服了陶瓷基座的易脆化、導熱性能不夠好等缺陷。3、本發(fā)明提出的LED封裝基座材料是一種玻璃纖維強化的PPS/SiC復合材料，采用直接螺桿機混煉、低溫燒結，再在LED支架引線上直接注塑成型，生產工藝簡單，免除了陶瓷基座生產中的疊層、刻槽、600°C高溫燒結成型及電鍍等復雜、耗能、耗時的工藝環(huán)節(jié)，且無廢水、廢氣和廢渣產生，因此生產成本低、節(jié)能環(huán)保。
具體實施例方式實施例1
按以下組分和重量稱取原料碳化硅陶瓷微粉47kg，聚苯硫醚PPS 22. 6kg ；玻璃纖維15kg ；云母粉mcg，苯乙烯基三乙氧基硅烷2kg ；抗氧化劑和紫外線吸收劑1. 4kg。采用下述工藝步驟
1)、將碳化硅陶瓷微粉、云母粉混合，加入苯乙烯基三乙氧基硅烷進行表面處理，處理溫度50°C，處理時間IOmin ；
2)、將聚苯硫醚樹脂在220°C氧化熱交聯(lián)5小時后，加入1)中處理好的碳化硅陶瓷微粉、云母粉、苯乙烯基三乙氧基硅烷及抗氧化劑和紫外線吸收劑，在高速攪拌機里攪拌混合，混合5min，得到復合預混料；
3)、將2)中混合好的復合預混料投入到雙螺桿擠出機的加料斗，玻璃纖維由玻纖口加入，經(jīng)熔融混煉、燒結擠出，燒結溫度在285°C，壓力為13Mpa，保溫停留時間25min，再經(jīng)冷卻、切粒得到復合材料粒子；
4)、經(jīng)過工藝3)處理所得復合材料粒子于120°C鼓風干燥5h后，采用注塑溫度為 290°C、模溫為120°C的注塑機，在LED引線支架上直接注塑成型，制備LED封裝基座。
實施例2
按以下組分和重量稱取原料碳化硅陶瓷微粉54. Ag，聚苯硫醚PPS 23kg ；玻璃纖維 13kg ；云母粉^g，苯乙烯基三乙氧基硅烷2. 5kg ；抗氧化劑和紫外線吸收劑1. Skgo采用下述工藝步驟
1)、將碳化硅陶瓷微粉、云母粉混合，加入苯乙烯基三乙氧基硅烷進行表面處理，處理溫度55°C，處理時間12min ；
2)、將聚苯硫醚樹脂在215°C氧化熱交聯(lián)6小時后，加入1)中處理好的碳化硅陶瓷微粉、云母粉、苯乙烯基三乙氧基硅烷以及抗氧化劑和紫外線吸收劑，在高速攪拌機里攪拌混合，混合7min，得到復合預混料；
3)、將2)中混合好的復合預混料投入到雙螺桿擠出機的加料斗，玻璃纖維由玻纖口加入，經(jīng)熔融混煉、燒結擠出，燒結溫度在290°C，壓力為14Mpa，保溫停留時間35min，再經(jīng)冷卻、切粒得到復合材料粒子；
4)、經(jīng)過工藝3)處理所得復合材料粒子于120°C鼓風干燥4h后，采用注塑溫度為 290°C、模溫為125°C的注塑機，在LED引線支架上直接注塑成型，制備LED封裝基座。
本發(fā)明的LED封裝基座材料是一種玻璃纖維強化的PPS/SiC復合材料，碳化硅為超微米級或納米級碳化硅粉粒，粒徑為0. 1 μ m-10 μ m，其主要目的是提高復合材料在注塑成型后的電絕緣性和抗沖擊強度，同時還會提高復合材料的耐高溫程度，從而使LED支架、 包封基座、框架、封裝材料能夠承受連續(xù)使用溫度提高到220180°C，短時間承受溫度達 260-360°C，其添加量在40-60%在之間，如高于60%，復合材料燒結成型效果不好，如低于 40%卻達不到耐高溫和抗沖擊強度等特性，添加45-55%是最佳的選擇。
本發(fā)明采用聚苯硫醚PPS，是要利用聚苯酯在很寬的溫度范圍都具有很高的機械剛性，同時具有很高的熱穩(wěn)定性，塑料中最大的導熱系數(shù)，良好的電絕緣性以及優(yōu)異的耐化學性能，從而提高大功率LED支架框架包封材料的散熱性能，這樣會大大延長大功率LED支架框架包封材料的使用壽命；同時提高大功率LED支架基座包封材料的耐高溫和抗沖擊強度等特性。其添加量為20-30%，如高于30%會增加其成本，如低于20%卻達不到延長使用壽命和耐高溫和抗沖擊強度等特性，添加20-25 %是最佳的選擇。
在本發(fā)明的方案中，由于LED光源的芯片卻有80%的電能轉化為熱能，使用的LED 支架材料需要承受較高的溫度，不然就會降低LED支架的使用壽命。在燈具制造過程中，在芯片焊接過程中往往需要承受達260°C短時高溫，目前國內外使用的大功率LED支架材料， 主要是五大工程塑料等材料，這些材料最大的特點是價格便宜，其耐高溫、耐老化、抗沖擊、 絕緣性能都不盡理想，在工程塑料經(jīng)過增強處理后，能夠長期承受的溫度就是在120-130°C 之間，短時間承受溫度在180°C左右，它們這些特性遠遠不能夠滿足LED燈具的制造需要， 同時，在芯片的鉛錫焊接過程中，會因為焊接溫度高而使目前的工程塑料熔化，甚至燒焦縮短其使用壽命，還可能造成電極之間發(fā)生短路等危害，為此本發(fā)明所采用的玻璃纖維強化的PPS/SiC復合材料所得到的封裝基座具有優(yōu)異的高溫下的熱穩(wěn)定性，并具有高阻燃性、 高電絕緣性、抗靜電性能、耐輻射和良好的機械性能，尤其適合高大功率LED支架包封材料使用。本領域技術人員不脫離本發(fā)明的實質和精神，可以有多種變形方案實現(xiàn)本發(fā)明， 以上所述僅為本發(fā)明較佳可行的實施例而已，并非因此局限本發(fā)明的權利范圍，凡運用本發(fā)明說明書及附圖
內容所作的等效結構變化，均包含于本發(fā)明的權利范圍之內。
權利要求
1. 一種防靜電、高熱導率的LED封裝基座材料，其特征在于，其組成按重量百分比為碳化硅陶瓷微粉40.0% ‘ 60. 0%聚苯硫醚PPS20.0%--30. 0%玻璃纖維10.0% ‘ 20. 0%云母粉2.0% ‘8. 0%偶聯(lián)劑0.5% ‘5. 0% ；輔助劑0 ‘ 2. 0%。
2.根據(jù)權利要求1所述的防靜電、高熱導率的LED封裝基座材料，其特征在于所述聚苯硫醚PPS為分子量是3萬至10萬的第二代高分子量線性樹脂。
3.根據(jù)權利要求2所述的防靜電、高熱導率的LED封裝基座材料，其特征在于所述碳化硅陶瓷微粉的粒徑為0. 1 μ m-10 μ m。
4.根據(jù)權利要求3所述的防靜電、高熱導率的LED封裝基座材料，其特征在于所述玻璃纖維設為無堿無捻長玻璃纖維。
5.根據(jù)權利要求4所述的防靜電、高熱導率的LED封裝基座材料，其特征在于所述偶聯(lián)劑為硅烷偶聯(lián)劑，選自苯Y —(2，3-環(huán)氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷(KH560)、苯乙烯基三乙氧基硅烷(Α-151)、γ 一氨丙基三乙氧基硅烷(KH550)中的一種或任意兩種的組合。
6.根據(jù)權利要求5所述的防靜電、高熱導率的LED封裝基座材料，其特征在于所述輔助劑設為抗氧化劑和紫外線吸收劑。
7.根據(jù)權利要求1至6任一所述的防靜電、高熱導率的LED封裝基座材料的生產工藝，其特征在于，包括步驟1)、將碳化硅陶瓷微粉、云母粉混合，加入偶聯(lián)劑進行表面處理，處理溫度30 70°C， 處理時間5 15min ；2)、將聚苯硫醚在200-250°C氧化熱交聯(lián)4-8小時后，加入1)中處理好的碳化硅陶瓷微粉、云母粉、偶聯(lián)劑，再添加輔助劑，在高速攪拌機里攪拌混合，混合3 lOmin，得到復合預混料；3)、將2)中混合好的復合預混料投入到雙螺桿擠出機的加料斗，玻璃纖維由玻纖口加入，經(jīng)熔融混煉、燒結擠出，燒結溫度在沈5 300°C，壓力為12 18Mpa，保溫停留時間 10 40min，再經(jīng)冷卻、切粒得到復合材料粒子；4)、經(jīng)過工藝3)處理所得復合材料粒子于110 130°C鼓風干燥3 6h后，采用注塑溫度為250 320°C、模溫為90 130°C的注塑機，在LED引線支架上直接注塑成型，制備 LED封裝基座。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種防靜電、高熱導率的LED封裝基座材料及其生產工藝，其組成按重量百分比為碳化硅陶瓷微粉，40.0%～60.0%；聚苯硫醚PPS，20.0%～30.0%；玻璃纖維，10.0%～20.0%；云母粉，2.0%～8.0%；偶聯(lián)劑，0.5%～5.0%；輔助劑，0～2.0%。該封裝基座材料的生產工藝包括步驟首先將原料按上述比例混合，然后進入塑料雙螺桿擠出機中，其中玻璃纖維由雙螺桿擠出機的玻纖口加入，溫度控制在265～300℃，再進行造粒，然后經(jīng)注塑機注塑成型得到LED封裝基座。由本發(fā)明生產制造的LED封裝基座具有良好的熱導性、耐高溫性、絕緣性、抗靜電能力、物理機械性能和抗老化性能，尤其適合高大功率LED支架基座包封材料使用。
文檔編號C08K7/14GK102321370SQ20111028517
公開日2012年1月18日 申請日期2011年9月23日 優(yōu)先權日2011年9月23日
發(fā)明者蔡明波 申請人:東莞市馳明電子科技有限公司