專利名稱：導(dǎo)熱性片材、發(fā)光二極管安裝基板和導(dǎo)熱性粘接片材的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及導(dǎo)熱性片材，詳細(xì)而言涉及適宜用于電子元件的散熱的導(dǎo)熱性片材。另外，詳細(xì)而言，本發(fā)明涉及電力電子學(xué)技術(shù)所用的導(dǎo)熱性片材。本發(fā)明還涉及發(fā)光二極管安裝基板。
背景技術(shù)：
以往，公知有在基板上安裝IC芯片、電容器、電阻等電子元件的安裝基板，具體而言，提出有例如包括基底材、以規(guī)定圖案形成在該基底材上的導(dǎo)體層和覆蓋該基底材及導(dǎo)體層的絕緣保護(hù)層的柔性印刷電路板(例如，參照日本特開2002-57442號(hào)公報(bào))。日本特開2002-57442號(hào)公報(bào)所記載的絕緣保護(hù)層由聚氨酯樹脂、聚酯樹脂或聚酰胺樹脂等樹脂形成。另外，近年來(lái)，在混合器件(hybrid device)、高輝度LED器件、電磁感應(yīng)加熱器件等中，采用利用半導(dǎo)體元件轉(zhuǎn)換、控制電力的電力電子學(xué)技術(shù)。在電力電子學(xué)技術(shù)中，為了將大電流轉(zhuǎn)換為熱等，要求配置在半導(dǎo)體元件附近的材料具有較高的散熱性(高的導(dǎo)熱性)。例如，提出有用硅酮系樹脂覆蓋CPU等的方案(例如，參照日本特開2010-10469 號(hào)公報(bào))。另外，發(fā)光二極管安裝基板是形成有布線的基板，在制造發(fā)光二極管安裝基板之后，在基板上以LED (發(fā)光二極管)與布線連接的方式搭載LED (發(fā)光二極管)。作為上述那樣的LED安裝基板，例如提出有利用具有光反射性的氧化鋁基板反射從LED發(fā)出的光來(lái)提高LED安裝基板的發(fā)光效率的方案(例如，參照日本特開2010-10469 號(hào)公報(bào))。另外，例如提出有含有板狀的氮化硼粉末和丙烯酸酯共聚樹脂的導(dǎo)熱片材的方案 (例如，參照日本特開2008-280496號(hào)公報(bào))。在日本特開2008-280496號(hào)公報(bào)的導(dǎo)熱片材中，氮化硼粉末被取向?yàn)槠溟L(zhǎng)軸方向 (與氮化硼粉末的板厚正交的方向)沿著片材的厚度方向，由此來(lái)提高導(dǎo)熱性片材的厚度方向的導(dǎo)熱性。然而，在包含日本特開2002-57442號(hào)公報(bào)的柔性印刷電路板的安裝基板中，由于所安裝的電子元件發(fā)熱，因此，需要使電子元件的熱高效率地導(dǎo)熱。但是，日本特開 2002-57442號(hào)公報(bào)的絕緣保護(hù)層存在不能使該熱充分地導(dǎo)熱這樣的不良情況。另外，在日本特開2010-10469號(hào)公報(bào)的硅酮系樹脂中，存在不能使從CPU發(fā)出的熱高效率地導(dǎo)熱這樣的不良情況。另外，在硅酮系樹脂的表面形成各種標(biāo)記的情況下，在觀察該表面時(shí)，日本特開 2010-10469號(hào)公報(bào)的硅酮系樹脂具有良好的透明性，因此，不僅能看到標(biāo)記，也能看到內(nèi)部的CPU的結(jié)構(gòu)，這樣，標(biāo)記與CPU的結(jié)構(gòu)的圖像重疊，存在不能清楚地識(shí)別標(biāo)記這樣的不良情況。
另外，由于LED變成高溫，因此，需要使導(dǎo)熱到外部來(lái)防止LED的發(fā)光效率降低。但是，專利文獻(xiàn)1所述的氧化鋁基板使熱各向同性地、即在表面方向及厚度方向上以相同比例導(dǎo)熱，因此，存在不能使該LED的熱充分高效率地導(dǎo)熱這樣的不良情況。另外，根據(jù)用途及目的的不同，有時(shí)要求導(dǎo)熱片材在與厚度方向正交的正交方向 (表面方向)上具有較高的導(dǎo)熱性。在該情況下，在專利文獻(xiàn)1的導(dǎo)熱片材中，由于氮化硼粉末的長(zhǎng)軸方向與表面方向正交(交差)，因此，存在該表面方向的導(dǎo)熱性不充分這樣的不良情況。另外，根據(jù)使用情況的不同，有時(shí)要求導(dǎo)熱片材相對(duì)于散熱對(duì)象具有優(yōu)異的粘接性或粘著性，而在日本特開2008-280496號(hào)公報(bào)的導(dǎo)熱片材中，存在相對(duì)于散熱對(duì)象的粘接性或粘著性不充分這樣的不良情況。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供表面方向的導(dǎo)熱性優(yōu)異且電絕緣性也優(yōu)異的導(dǎo)熱性片材。本發(fā)明的另一目的在于提供表面方向的導(dǎo)熱性優(yōu)異且隱蔽性也優(yōu)異的導(dǎo)熱性片材。本發(fā)明的又一目的在于提供表面方向的導(dǎo)熱性優(yōu)異且表面反射率也優(yōu)異的導(dǎo)熱性片材及具有由該導(dǎo)熱性片材構(gòu)成的導(dǎo)熱性光反射層的發(fā)光二極管安裝基板。本發(fā)明的再一目的在于提供表面方向的導(dǎo)熱性優(yōu)異且粘接性或粘著性也優(yōu)異的導(dǎo)熱性粘接片材。本發(fā)明的導(dǎo)熱性片材是含有板狀的氮化硼顆粒的導(dǎo)熱性片材，其特征在于，上述導(dǎo)熱性片材的與厚度方向正交的方向的熱導(dǎo)率為4W/m · K以上，體積電阻為IX 101° Ω · cm 以上。本發(fā)明的導(dǎo)熱性片材的與厚度方向正交的表面方向的導(dǎo)熱性優(yōu)異且電絕緣性也優(yōu)異。因此，若利用本發(fā)明的導(dǎo)熱性片材覆蓋電子元件，能夠保護(hù)該電子元件，且能使電子元件的熱高效率地導(dǎo)熱，并且能防止電子元件之間短路。另外，本發(fā)明的導(dǎo)熱性片材是含有板狀的氮化硼顆粒的導(dǎo)熱性片材，其特征在于， 上述導(dǎo)熱性片材的與厚度方向正交的方向的熱導(dǎo)率為4W/m*K以上，厚度300 μ m的上述導(dǎo)熱性片材對(duì)波長(zhǎng)500nm的光的透射率為10%以下。另外，本發(fā)明的導(dǎo)熱性片材的與厚度方向正交的表面方向的導(dǎo)熱性優(yōu)異，隱蔽性也優(yōu)異。因此，利用本發(fā)明的導(dǎo)熱性片材覆蓋電力電子學(xué)所用的電子部件，在該導(dǎo)熱性片材的表面形成標(biāo)記，從該表面觀察導(dǎo)熱性片材時(shí)，由于電子元件被導(dǎo)熱性片材隱蔽，因此， 不能看到電子元件，而僅能看到標(biāo)記。結(jié)果，能清楚地識(shí)別標(biāo)記，能使電子元件的熱沿著導(dǎo)熱性片材的表面方向散熱。另外，本發(fā)明的導(dǎo)熱性是含有板狀的氮化硼顆粒的導(dǎo)熱性片材，其特征在于，上述導(dǎo)熱性片材的與厚度方向正交的方向的熱導(dǎo)率為4W/m · K以上，對(duì)500nm的光的表面反射率是以硫酸鋇的表面反射率為100%時(shí)的70%以上。另外，本發(fā)明的發(fā)光二極管安裝基板的特征在于，其包括用于安裝發(fā)光二極管的基板和形成在上述基板的表面、由上述的導(dǎo)熱性片材構(gòu)成的導(dǎo)熱性光反射層。另外，本發(fā)明的導(dǎo)熱性片材的與厚度方向正交的表面方向的導(dǎo)熱性優(yōu)異，且表面反射率也優(yōu)異。因此，若在包括由本發(fā)明的導(dǎo)熱性片材構(gòu)成的導(dǎo)熱性光反射層的發(fā)光二極管安裝基板上安裝發(fā)光二極管，能在導(dǎo)熱性光反射層高效率地反射從發(fā)光二極管發(fā)出的特定波長(zhǎng)的光，且能利用導(dǎo)熱性光反射層使從發(fā)光二極管發(fā)出的熱高效率地導(dǎo)熱。結(jié)果，能可靠地防止發(fā)光效率降低。


圖1表示本發(fā)明的導(dǎo)熱性片材的一實(shí)施方式的立體圖。圖2是用于說(shuō)明圖1所示的導(dǎo)熱性片材的制造方法的工序圖，(a)表示對(duì)混合物或?qū)盈B片材進(jìn)行熱壓的工序；(b)表示將壓制片材分割為多個(gè)的工序；(c)表示層疊分割片材的工序。圖3表示利用圖1所示的導(dǎo)熱性片材覆蓋電子元件、在導(dǎo)熱性片材上形成標(biāo)記的工序。圖4表示包括由圖1所示的導(dǎo)熱性片材構(gòu)成的導(dǎo)熱性光反射層的發(fā)光二極管安裝基板的剖視圖。圖5是用于說(shuō)明發(fā)光二極管安裝基板的制造方法及發(fā)光二極管的安裝方法的工序圖，(a)表示準(zhǔn)備基板的工序；(b)表示形成導(dǎo)熱性光反射層的工序；(C)表示形成布線、 制造發(fā)光二極管安裝基板的工序；(d)表示在發(fā)光二極管安裝基板上安裝發(fā)光二極管的工序。圖6表示本發(fā)明的導(dǎo)熱性粘接片材的一實(shí)施方式的剖視圖。圖7是用于說(shuō)明將圖6所示的導(dǎo)熱性粘接片材粘接在電子元件及安裝基板上的方法的工序圖，(a)表示分別準(zhǔn)備導(dǎo)熱性粘接片材和安裝基板的工序；(b)表示將導(dǎo)熱性粘接片材熱壓接在電子元件及安裝基板上之后通過(guò)加熱進(jìn)行粘接的工序。圖8表示本發(fā)明的導(dǎo)熱性粘接片材的另一實(shí)施方式(在粘接層 粘著層上形成有開口部的方式)。圖9是用于說(shuō)明將圖8所示的導(dǎo)熱性粘接片材粘接在電子元件及安裝基板上的方法的工序圖，(a)表示分別準(zhǔn)備導(dǎo)熱性粘接片材及安裝基板的工序；(b)表示將導(dǎo)熱性粘接片材熱壓接在電子元件及安裝基板上之后通過(guò)加熱進(jìn)行粘接或粘著的工序。圖10是表示耐彎曲性試驗(yàn)的類型I的試驗(yàn)裝置(耐彎曲性試驗(yàn)前)的立體圖。圖11是表示耐彎曲性試驗(yàn)的類型I的試驗(yàn)裝置(耐彎曲性試驗(yàn)中)的立體圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的導(dǎo)熱性片材含有氮化硼顆粒。具體而言，導(dǎo)熱性片材含有作為必需成分的氮化硼(BN)顆粒，并且例如含有樹脂成分。氮化硼顆粒形成為板狀(或鱗片狀)，在導(dǎo)熱性片材上以沿著規(guī)定方向(后述)取向的形態(tài)分散。
氮化硼顆粒的長(zhǎng)度方向長(zhǎng)度(與板的厚度方向正交的方向的最大長(zhǎng)度)的平均值例如為1 100 μ m,優(yōu)選為3 90 μ m。另外，氮化硼顆粒的長(zhǎng)度方向長(zhǎng)度的平均值為5 μ m 以上，優(yōu)選為10 μ m以上，更優(yōu)選為20 μ m以上，特別優(yōu)選為30 μ m以上，最優(yōu)選為40 μ m以上，通常，例如為IOOym以下，優(yōu)選為90 μ m以下。另外，氮化硼顆粒的厚度(板的厚度方向長(zhǎng)度、即顆粒的寬度方向長(zhǎng)度)的平均值例如為0. 01 20 μ m，優(yōu)選為0. 1 15 μ m。另外，氮化硼顆粒的長(zhǎng)寬比(長(zhǎng)度方向長(zhǎng)度/厚度)例如為2 10000，優(yōu)選為 10 5000。而且，氮化硼顆粒的利用光散射法測(cè)量的平均粒徑例如為5μπι以上，優(yōu)選為 10 μ m以上，更優(yōu)選為20 μ m以上，特別優(yōu)選為30 μ m以上，最優(yōu)選為40 μ m以上，通常為 100 μ m以下。另外，利用光散射法測(cè)量的平均粒徑是利用動(dòng)態(tài)光散射式粒度分布測(cè)量裝置測(cè)量的體積平均粒徑。在氮化硼顆粒的利用光散射法測(cè)量的平均粒徑小于上述范圍時(shí)，存在導(dǎo)熱性片材變脆、操作性降低的情況。另外，氮化硼顆粒的體積密度(日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)JIS K5101、視密度)例如為0. 3 1. 5g/cm3，優(yōu)選為 0. 5 1. Og/cm3。另外，氮化硼顆?？梢允褂檬惺燮坊?qū)κ惺燮芳庸ざ傻募庸て?。作為氮化硼顆粒的市售品，例如可以舉出Momentive 'Performance 'Materials ‘ Japan公司制的“PT”系列(例如“ΡΡΤ-110”等)、昭和電工公司制的“SHOBN UHP"系列(例如“SHOBN UHP-1"等)寸。樹脂成分是可以分散氮化硼顆粒、即、分散氮化硼顆粒的分散介質(zhì)(基質(zhì))，例如， 可以列舉出熱硬化性樹脂成分、熱塑性樹脂成分等樹脂成分。作為熱硬化性樹脂成分，例如，可以列舉出環(huán)氧樹脂、熱硬化性聚酰亞胺、酚醛樹脂、脲醛樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙基酯樹脂、硅樹脂、熱硬化性聚氨酯樹脂等。作為熱塑性樹脂成分，例如，可以列舉出聚烯烴(例如，聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物等)、丙烯酸樹脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯等)、聚醋酸乙烯酯、乙烯-醋酸乙烯共聚物、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯腈、聚酰胺、聚碳酸酯、聚縮醛、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚苯醚、聚苯硫醚、聚砜、聚醚砜、聚醚醚酮、聚烯丙基砜(polyallysulfone)、熱塑性聚酰亞胺、熱塑性聚氨酯樹脂、聚氨基雙馬來(lái)酰亞胺、聚酰胺酰亞胺、聚醚酰亞胺、雙馬來(lái)酰亞胺三嗪樹脂、聚甲基戊烯、氟樹脂、液晶聚合物、烯烴-乙烯醇共聚物、離聚物、聚芳酯、丙烯腈-乙烯-苯乙烯共聚物、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、丙烯腈-苯乙烯共聚物等。上述的樹脂成分，可以單獨(dú)使用或組合兩種以上使用。熱硬化性樹脂成分中，可以列舉出優(yōu)選環(huán)氧樹脂。環(huán)氧樹脂在常溫下為液態(tài)、半固態(tài)及固態(tài)的任一形態(tài)。具體而言，作為環(huán)氧樹脂，可以列舉出，例如雙酚型環(huán)氧樹脂(例如，雙酚A型環(huán)氧樹脂、雙酚F型環(huán)氧樹脂、雙酚S型環(huán)氧樹脂、氫化雙酚A型環(huán)氧樹脂、二聚酸改性雙酚型環(huán)氧樹脂等)、酚醛清漆型環(huán)氧樹脂(例如，線型酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、甲酚-線型酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂等)、萘型環(huán)氧樹脂、芴型環(huán)氧樹脂(例如，雙芳基芴型環(huán)氧樹脂等)、三苯基甲烷型環(huán)氧樹脂(例如，三羥基苯基甲烷型環(huán)氧樹脂等)等芳香族系環(huán)氧樹脂；例如三環(huán)氧基丙基異氰脲酸酯(三縮水甘油基異氰脲酸酯)、乙內(nèi)酰脲環(huán)氧樹脂等含氮環(huán)的環(huán)氧樹脂；例如，脂肪族型環(huán)氧樹脂；例如，脂環(huán)式環(huán)氧樹脂(例如，雙環(huán)環(huán)型環(huán)氧樹脂等)；例如，縮水甘油醚型環(huán)氧樹脂；例如，縮水甘油胺型環(huán)氧樹脂等。上述的環(huán)氧樹脂可以單獨(dú)使用或組合兩種以上使用。優(yōu)選可以列舉出液態(tài)的環(huán)氧樹脂及固態(tài)的環(huán)氧樹脂的組合，更優(yōu)選液態(tài)的芳香族系環(huán)氧樹脂及固態(tài)的芳香族系環(huán)氧樹脂的組合等。作為上述的組合，具體而言，可以列舉出液態(tài)的雙酚型環(huán)氧樹脂及固態(tài)的三苯基甲烷型環(huán)氧樹脂的組合、或液態(tài)的雙酚型環(huán)氧樹脂及固態(tài)的雙酚型環(huán)氧樹脂的組合。另外，作為環(huán)氧樹脂，優(yōu)選可以列舉出單獨(dú)使用半固態(tài)的環(huán)氧樹脂，更優(yōu)選可以列舉出單獨(dú)使用半固態(tài)的芳香族系環(huán)氧樹脂。作為上述的環(huán)氧樹脂，更具體而言，可以列舉出半固態(tài)的芴型環(huán)氧樹脂。如果為液態(tài)的環(huán)氧樹脂及固態(tài)的環(huán)氧樹脂的組合、或半固態(tài)的環(huán)氧樹脂，可以提高導(dǎo)熱性片材的高度差追隨性(后述)。另外，環(huán)氧樹脂的環(huán)氧當(dāng)量例如為100 lOOOg/eqiv.，優(yōu)選為180 700g/ eqiV.，軟化溫度(環(huán)球法)例如為80°C以下(具體而言，為20 80°C )，優(yōu)選為70°C以下 (具體而言，為25 70°C)。另外，環(huán)氧樹脂在80°C時(shí)的溶融粘度例如為10 20000mPa · s，也優(yōu)選為50 IOOOOmPa *s。組合使用兩種以上環(huán)氧樹脂時(shí)，作為它們的混合物的溶融粘度被設(shè)定在上述的范圍內(nèi)。另外，組合使用常溫下的固態(tài)的環(huán)氧樹脂和常溫下的液態(tài)的環(huán)氧樹脂時(shí)，將軟化溫度例如小于45°C、優(yōu)選35°C以下的第1環(huán)氧樹脂和軟化溫度例如為45°C以上、優(yōu)選55°C 以上的第2環(huán)氧樹脂組合使用。由此，可以將樹脂成分(混合物)的運(yùn)動(dòng)粘度(依據(jù)日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)JIS K 7幻3，后述)設(shè)定在期望的范圍內(nèi)，可以提高導(dǎo)熱性片材的高度差追隨性。另外，例如，可以使環(huán)氧樹脂中含有硬化劑及硬化促進(jìn)劑，制備成環(huán)氧樹脂組合物。硬化劑是通過(guò)加熱可以使環(huán)氧樹脂硬化的潛在性硬化劑(環(huán)氧樹脂硬化劑)，例如，可以列舉出咪唑化合物、胺化合物、酸酐化合物、酰胺化合物、酰胼化合物、咪唑啉化合物等。另外，除了上述之外，也可以列舉出酚類化合物、尿素化合物、多硫化物化合物等。作為咪唑化合物，例如，可以列舉出2-苯基咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑等。作為胺化合物，可以列舉出例如乙二胺、丙二胺、二乙烯三胺、三乙烯四胺等脂肪族多胺；例如，間苯二胺、二氨基二苯基甲烷、二氨基二苯基砜等芳香族多胺等。作為酸酐化合物，可以列舉出例如鄰苯二甲酸酐、馬來(lái)酸酐、四氫鄰苯二甲酸酐、 六氫鄰苯二甲酸酐、4-甲基-六氫鄰苯二甲酸酐、甲基降冰片烯二酸酐、均苯四甲酸酐、 十二碳烯琥珀酸酐、二氯琥珀酸酐、二苯甲酮四羧酸酐、六氯降冰片烯二酸酐等。作為酰胺化合物，可以列舉出例如雙氰胺、多酰胺等。作為酰胼化合物，可以列舉出例如己二酸二酰胼等。
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作為咪唑啉化合物，可以列舉出例如甲基咪唑啉、2-乙基-4-甲基咪唑啉、乙基咪唑啉、異丙基咪唑啉、2，4-二甲基咪唑啉、苯基咪唑啉、i^一烷基咪唑啉、十七烷基咪唑啉、 2-苯基-4-甲基咪唑啉等。上述的硬化劑可以單獨(dú)使用或組合使用兩種以上。作為硬化劑，優(yōu)選可以列舉出咪唑化合物。作為硬化促進(jìn)劑，可以列舉出例如三乙烯二胺、三-2，4，6_ 二甲基氨基甲基苯酚等叔胺化合物、例如三苯基膦、四苯基鱗四苯基硼酸鹽、四-正丁基鱗-ο，ο-二乙基二硫代磷酸酯等磷化合物；例如季銨鹽化合物；例如有機(jī)金屬鹽化合物；例如它們的衍生物等。上述的硬化促進(jìn)劑，可以單獨(dú)使用或組合兩種以上使用。對(duì)于環(huán)氧樹脂組合物中的硬化劑的配合比例，相對(duì)于100質(zhì)量份的環(huán)氧樹脂，例如為0. 5 50質(zhì)量份，優(yōu)選為1 10質(zhì)量份，硬化促進(jìn)劑的配合比例，例如為0. 1 10質(zhì)量份，優(yōu)選為0.2 5質(zhì)量份。上述的硬化劑及/或硬化促進(jìn)劑根據(jù)需要可以配制為被溶劑溶解及/或分散的溶劑溶液及/或溶劑分散液而使用。作為溶劑，可以列舉出例如丙酮、甲乙酮等酮類；例如乙酸乙酯等酯類；例如N， N-二甲基甲酰胺等酰胺類等有機(jī)溶劑等。另外，作為溶劑，也可以列舉出例如水，例如甲醇、 乙醇、丙醇、異丙醇等醇類等水系溶劑。作為溶劑，可以列舉出優(yōu)選有機(jī)溶劑，更優(yōu)選酮類、 酰胺類。熱塑性樹脂成分中，優(yōu)選可以列舉出聚烯烴。作為聚烯烴，優(yōu)選可以列舉出聚乙烯、乙烯-丙烯共聚物。作為聚乙烯，可以列舉出例如低密度聚乙烯、高密度聚乙烯等。作為乙烯-丙烯共聚物，可以列舉出例如乙烯及丙烯的無(wú)規(guī)共聚物、嵌段共聚物或接枝共聚物等。上述的聚烯烴可以單獨(dú)使用或組合兩種以上使用。另外，聚烯烴的重均分子量及/或數(shù)均分子量例如為1000 10000。另外，聚烯烴可以單獨(dú)使用或組合多種使用。另外，樹脂成分的利用依據(jù)日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)JIS K 7233(氣泡粘度計(jì)法)的運(yùn)動(dòng)粘度試驗(yàn)(溫度25°C 士0.5°C，溶劑丁基卡必醇，樹脂成分(固態(tài)成分)濃度40質(zhì)量％) 測(cè)量的運(yùn)動(dòng)粘度例如為0. 22 X IO"4 2. OOX l(T4m7S，優(yōu)選0. 3 X IO"4 1. 9X l(T4m7S，更優(yōu)選0. 4Χ10_4 1. 8X10_4m2/s。另外，上述的運(yùn)動(dòng)粘度也可以設(shè)定為例如0. 22X10_4 1. OOX l(T4m2/s，優(yōu)選為 0. 3 X IO"4 0. 9 X l(T4m2/s，更優(yōu)選為 0. 4 X IO"4 0. 8X l(T4m2/s。樹脂成分的運(yùn)動(dòng)粘度超過(guò)上述范圍時(shí)，有時(shí)不能付與導(dǎo)熱性片材優(yōu)異的柔軟性及高度差追隨性(后述)。另一方面，樹脂成分的運(yùn)動(dòng)粘度小于上述范圍時(shí)，有時(shí)不能使氮化硼顆粒沿著規(guī)定方向取向。另外，在依據(jù)日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)JIS K 7233(氣泡粘度計(jì)法)的運(yùn)動(dòng)粘度試驗(yàn)中，比較樹脂成分樣品中的氣泡的上升速度與標(biāo)準(zhǔn)樣品(運(yùn)動(dòng)粘度已知)中的氣泡的上升速度， 判定上升速度一致的標(biāo)準(zhǔn)樣品的運(yùn)動(dòng)粘度為樹脂成分的運(yùn)動(dòng)粘度，由此測(cè)量樹脂成分的運(yùn)動(dòng)粘度。而且，在導(dǎo)熱性片材上，氮化硼顆粒的基于體積的含有比例(固態(tài)成分，即，氮化硼顆粒相對(duì)于樹脂成分及氮化硼顆粒的總體積的體積百分率)例如為35體積％以上，優(yōu)選為60體積％以上，優(yōu)選為75體積％以上，通常，例如為95體積％以下，優(yōu)選為90體積％以下。氮化硼顆粒的基于體積的含有比例小于上述范圍時(shí)，有時(shí)無(wú)法使氮化硼顆粒在導(dǎo)熱性片材上沿著規(guī)定方向取向。另一方面，氮化硼顆粒的基于體積的含有比例超過(guò)上述范圍時(shí)，有時(shí)導(dǎo)熱性片材變脆、操作性及高度差追隨性降低。另外，相對(duì)于100質(zhì)量份的形成導(dǎo)熱性片材的各成分(氮化硼顆粒及樹脂成分) 總量(固態(tài)成分總量)，氮化硼顆粒的質(zhì)量基準(zhǔn)的配合比例例如為40 95質(zhì)量份，優(yōu)選為 65 90質(zhì)量份，相對(duì)于100質(zhì)量份的形成導(dǎo)熱性片材的各成分總量，樹脂成分的質(zhì)量基準(zhǔn)的配合比例例如為5 60質(zhì)量份，優(yōu)選為10 35質(zhì)量份。另外，相對(duì)于100質(zhì)量份樹脂成分，氮化硼顆粒的質(zhì)量基準(zhǔn)的配合比例例如為60 1900質(zhì)量份，也優(yōu)選為185 900質(zhì)量份。另外，組合使用兩種環(huán)氧樹脂(第1環(huán)氧樹脂及第2環(huán)氧樹脂)時(shí)，第1環(huán)氧樹脂相對(duì)于第2環(huán)氧樹脂的質(zhì)量比例(第1環(huán)氧樹脂的質(zhì)量/第2環(huán)氧樹脂的質(zhì)量)可以根據(jù)各環(huán)氧樹脂(第1環(huán)氧樹脂及第2環(huán)氧樹脂)的軟化溫度等適當(dāng)設(shè)定，例如為1/99 99/1， 優(yōu)選為10/90 90/10。另外，在樹脂成分中，除了上述各成分(聚合物)之外，還包括例如聚合物前驅(qū)物 (例如，含有低聚物的低分子量聚合物等)及/或單體。圖1是本發(fā)明的導(dǎo)熱性片材的一實(shí)施方式的立體圖，圖2表示用于說(shuō)明圖1所示的導(dǎo)熱性片材的制造方法的工序圖。下面，參照?qǐng)D1及圖2說(shuō)明制造本發(fā)明的導(dǎo)熱性片材的一實(shí)施方式的方法。在該方法中，首先，將上述各成分以上述配合比例配合，通過(guò)攪拌混合而制備混合物。在該攪拌混合中，為了高效率地混合各成分，例如能將溶劑與上述各成分一起配合，或者，例如能通過(guò)加熱使樹脂成分(優(yōu)選熱塑性樹脂成分)熔融。作為溶劑，可以舉出與上述同樣的有機(jī)溶劑。另外，在將上述硬化劑及/或硬化促進(jìn)劑制備為溶劑溶液及/或溶劑分散液的情況下，不在攪拌混合中添加溶劑，而能將溶劑溶液及/或溶劑分散液的溶劑直接用作攪拌混合的混合溶劑?；蛘?，在攪拌混合中進(jìn)一步添加溶劑而將其作為混合溶劑。在使用溶劑進(jìn)行攪拌混合的情況下，在攪拌混合后除去溶劑。在除去溶劑時(shí)，例如，在室溫下放置1 48小時(shí)，或者，例如在40 100°C下加熱 0. 5 3小時(shí)，或者，例如在0. 001 50kPa的減壓氣氛下以20 60°C加熱0. 5 3小時(shí)。在通過(guò)加熱使樹脂成分熔融的情況下，加熱溫度例如為接近樹脂成分的軟化溫度或超過(guò)樹脂成分的軟化溫度的溫度，具體而言，該溫度為40 150°C，優(yōu)選為70 140°C。接著，在該方法中，對(duì)所獲得的混合物進(jìn)行熱壓。具體而言，如圖2的(a)所示，根據(jù)需要，例如用兩張離型膜4對(duì)混合物進(jìn)行熱壓， 從而獲得壓制片材1A。熱壓的條件如下所述溫度例如為50 150°C，優(yōu)選為60 140°C， 壓力例如為1 lOOMPa，優(yōu)選為5 50MPa，時(shí)間例如為0. 1 100分鐘，優(yōu)選為1 30 分鐘。
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并且，優(yōu)選對(duì)混合物進(jìn)行真空熱壓。真空熱壓的真空度例如為1 lOOPa，優(yōu)選為 5 50 ，溫度、壓力及時(shí)間與上述熱壓的溫度、壓力及時(shí)間相同。在熱壓的溫度、壓力及/或時(shí)間在上述范圍外的情況下，有時(shí)不能將導(dǎo)熱性片材1 的空隙率P (后述)調(diào)整為期望的值。通過(guò)熱壓獲得的壓制片材IA的厚度例如為50 1000 μ m,優(yōu)選為100 800 μ m。接著，在該方法中，如圖2的(b)所示，將壓制片材IA分割為多個(gè)(例如4個(gè))而獲得分割片材IB(分割工序)。在壓制片材IA的分割中，以沿著厚度方向投影時(shí)分割為多個(gè)的方式沿著其厚度方向切割壓制片材1A。另外，以使各分割片材IB在沿著厚度方向投影時(shí)為相同形狀的方式將壓制片材IA切割。接著，在該方法中，如圖2的(c)所示，沿著厚度方向?qū)盈B各分割片材IB而獲得層疊片材IC (層疊工序)。然后，在該方法中，如圖2的(a)所示，對(duì)層疊片材IC進(jìn)行熱壓(優(yōu)選進(jìn)行真空熱壓)(熱壓工序)。熱壓的條件與上述混合物的熱壓條件相同。熱壓后的層疊片材IC的厚度例如為Imm以下，優(yōu)選為0. 8mm以下，通常，例如為 0. 05匪以上，優(yōu)選為0. 1匪以上。然后，為了在導(dǎo)熱性片材1中使氮化硼顆粒2在樹脂成分3中沿著規(guī)定方向高效率地取向，反復(fù)實(shí)施上述分割工序(圖2的(b))、層疊工序(圖2的(C))及熱壓工序(圖 2的(a))這一連串工序。反復(fù)次數(shù)沒有特別限定，可以根據(jù)氮化硼顆粒的填充狀態(tài)適當(dāng)設(shè)定，例如為1 10次，優(yōu)選為2 7次。由此，能獲得導(dǎo)熱性片材1。所獲得的導(dǎo)熱性片材1的厚度例如為Imm以下，優(yōu)選為0. 8mm以下，通常，例如為 0. 05匪以上，優(yōu)選為0. 1匪以上。另外，如上所述，導(dǎo)熱性片材1中的氮化硼顆粒的基于體積的含有比例(固態(tài)成分、即氮化硼顆粒占樹脂成分和氮化硼顆粒的總體積的體積百分率)例如為35體積％以上 (優(yōu)選為60體積％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為75體積％以上)，通常為95體積％ (優(yōu)選為90體積％以下)。在氮化硼顆粒的含有比例小于上述范圍的情況下，有時(shí)不能使氮化硼顆粒在導(dǎo)熱性片材中沿著規(guī)定方向取向。另外，在樹脂成分3為熱硬化性樹脂成分的情況下，例如，在未硬化狀態(tài)下(或半硬化狀態(tài)(B階段狀態(tài)))反復(fù)實(shí)施上述分割工序(圖2的(b))、層疊工序(圖2的(c))及熱壓工序(圖2的(a))這一連串工序，在其最終工序的熱壓工序(圖2的(a))之后，使未硬化(或半硬化狀態(tài)(B階段狀態(tài)))的導(dǎo)熱性片材1熱硬化，從而也能制作成硬化后的導(dǎo)熱性片材1。在使導(dǎo)熱性片材1熱硬化時(shí)，可使用上述熱壓或干燥機(jī)。優(yōu)選使用干燥機(jī)。該熱硬化的條件如下所述溫度例如為60 250°C，優(yōu)選為80 200°C。并且，在這樣獲得的導(dǎo)熱性片材1中，如圖1及其局部放大示意圖所示，氮化硼顆粒2的長(zhǎng)度方向LD沿著與導(dǎo)熱性片材1的厚度方向交差(正交)的表面方向SD取向。另外，氮化硼顆粒2的長(zhǎng)度方向LD與導(dǎo)熱性片材1的表面方向SD所成的角度的算術(shù)平均值(氮化硼顆粒2相對(duì)于導(dǎo)熱性片材1的取向角度α )例如為25度以下，優(yōu)選為20度以下，通常為0度以上。另外，氮化硼顆粒2相對(duì)于導(dǎo)熱性片材1的取向角度α這樣算出利用截面拋光儀(CP，croSS section polisher)沿著厚度方向?qū)?dǎo)熱性片材1進(jìn)行切割加工，用掃描型電子顯微鏡(SEM)觀察由此所出現(xiàn)的截面，以能夠觀察200個(gè)以上氮化硼顆粒2的視場(chǎng)的倍率拍攝照片，根據(jù)所獲得的SEM照片，獲取氮化硼顆粒2的長(zhǎng)度方向LD相對(duì)于導(dǎo)熱性片材1的表面方向SD(與厚度方向TD正交的方向)的傾斜角α，算出其平均值。由此，導(dǎo)熱性片材1的表面方向SD的熱導(dǎo)率為4W/m · K以上，優(yōu)選為5W/m · K以上，更優(yōu)選為10W/m · K以上，進(jìn)一步優(yōu)選為15W/m · K以上，特別優(yōu)選為25W/m · K以上，通常為200W/m · K以下。另外，在樹脂成分3是熱硬化性樹脂成分的情況下，導(dǎo)熱性片材1的表面方向SD 的熱導(dǎo)率在熱硬化前后實(shí)質(zhì)上相同。當(dāng)導(dǎo)熱性片材1的表面方向SD的熱導(dǎo)率小于上述范圍時(shí)，由于表面方向SD的導(dǎo)熱性不充分，因此，有時(shí)不能用于那樣的表面方向SD的導(dǎo)熱性所要求的散熱用途。另外，導(dǎo)熱性片材1的表面方向SD的熱導(dǎo)率利用脈沖加熱法測(cè)量。在脈沖加熱法中，可使用氙氣閃光燈分析儀(xenonflash analyzer) “LFA-447型”(NETZSCH公司制)。另外，導(dǎo)熱性片材1的厚度方向TD的熱導(dǎo)率例如為0. 5 15W/m · K，優(yōu)選為1 10ff/m · K。另外，導(dǎo)熱性片材1的厚度方向TD的熱導(dǎo)率利用脈沖加熱法、激光閃光法 (laser flash)或TWA法測(cè)量。在脈沖加熱法中，可以使用于上述相同的儀器，在激光閃光法中，可以使用“TC-9000” (ULVAC-RIK0, Inc.制)，在TWA法中，可以使用“ai-Phase mobile，，(ai-Phase Co.，Ltd.制)。由此，導(dǎo)熱性片材1的表面方向SD的熱導(dǎo)率與導(dǎo)熱性片材1的厚度方向TD的熱導(dǎo)率之比(表面方向SD的熱導(dǎo)率/厚度方向TD的熱導(dǎo)率)例如為1.5以上，優(yōu)選為3以上，更優(yōu)選為4以上，通常為20以下。另外，在圖1中雖然未圖示，但在導(dǎo)熱性片材1中例如形成有空隙(間隙)。導(dǎo)熱性片材1中的空隙的比例、即空隙率P能通過(guò)氮化硼顆粒2的含有比例(基于體積)以及氮化硼顆粒2和樹脂成分3的混合物的熱壓(圖2的(a))的溫度、壓力及/ 時(shí)間來(lái)調(diào)整，具體而言，能通過(guò)將上述熱壓(圖2的(a))的溫度、壓力及/或時(shí)間設(shè)定在上述范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)整。導(dǎo)熱性片材1的空隙率P例如為30體積％以下，優(yōu)選為10體積％以下。上述空隙率P通過(guò)如下方法測(cè)量首先，利用截面拋光儀(CP)沿著厚度方向?qū)?dǎo)熱性片材1進(jìn)行切割加工，利用掃描型顯微鏡(SEM)以200倍觀察由此呈現(xiàn)的截面并獲得圖像，根據(jù)所獲得的圖像，對(duì)空隙部分和除空隙部分之外的部分進(jìn)行二值化處理，接著算出空隙部分占導(dǎo)熱性片材1的整個(gè)截面積的面積比。另外，在導(dǎo)熱性片材1中，硬化后的空隙率P2相對(duì)于硬化前的空隙率Pl例如為 100%以下，優(yōu)選為50%以下。在樹脂成分3為熱硬化性樹脂成分的情況下，空隙率P (Pl)的測(cè)量可以使用熱硬化前的導(dǎo)熱性片材1。若導(dǎo)熱性片材1的空隙率P在上述范圍內(nèi)，則能提高導(dǎo)熱性片材1的高度差追隨性(后述)。另外，導(dǎo)熱性片材1的體積電阻R為IX 10ιαΩ · cm以上，優(yōu)選為1 X IO12 Ω .cm以上，通常為1Χ102°Ω · cm以下。導(dǎo)熱性片材1的體積電阻R依據(jù)日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)JIS K 6911(熱硬化性塑料通常試驗(yàn)方法、2006年版)來(lái)測(cè)量。在導(dǎo)熱性片材1的體積電阻R小于上述范圍的情況下，存在不能防止后述的電子元件之間短路的情況。另外，在樹脂成分3為熱硬化性樹脂成分的情況下，在導(dǎo)熱性片材1中，體積電阻 R為硬化后的導(dǎo)熱性片材1的值。另外，在依據(jù)日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)JIS K 5600-5-1的圓柱形心軸法進(jìn)行的耐彎曲性試驗(yàn)中，在以下述試驗(yàn)條件評(píng)價(jià)導(dǎo)熱性片材1時(shí)，優(yōu)選不能觀察到斷裂。試驗(yàn)條件試驗(yàn)裝置類型I心軸直徑IOmm彎曲角度90度以上導(dǎo)熱性片材1的厚度0. 3mm另外，圖10以及圖11是表示類型I的試驗(yàn)裝置的立體圖，下面，說(shuō)明類型I的試
驗(yàn)裝置。在圖10以及圖11中，類型I的試驗(yàn)裝置10包括第一平板11 ；第二平板12，其與第一平板11并列配置；以及心軸(旋轉(zhuǎn)軸)13，其是為了能夠使第一平板11和第二平板 12相對(duì)轉(zhuǎn)動(dòng)而設(shè)置的。第一平板11形成為大致矩形平板形狀。另外，在第一平板11的一端部(可動(dòng)端部)上設(shè)置有止擋件14。止擋件14形成為在第一平板11的表面上沿第一平板11的一端部延伸。第二平板12呈大致矩形平板形狀，被配置成其一邊與第一平板11的一邊(與設(shè)有止擋件14的一端部相反的一側(cè)的另一端部(基端部)的一邊)相鄰。心軸13形成為沿彼此相鄰的第一平板11和第二平板12的一邊延伸。如圖10所示，該類型I的試驗(yàn)裝置10在開始耐彎曲性試驗(yàn)之前，使第一平板11 的表面與第二平板12的表面處于同一表面上。并且，在實(shí)施耐彎曲性試驗(yàn)時(shí)，將導(dǎo)熱性片材1載置在第一平板11的表面和第二平板12的表面上。此外，將導(dǎo)熱性片材1載置成其一邊與止擋件14抵接。接著，如圖11所示，使第一平板11與第二平板12相對(duì)轉(zhuǎn)動(dòng)。具體地說(shuō)，使第一平板11的可動(dòng)端部和第二平板12的可動(dòng)端部以心軸13為中心轉(zhuǎn)動(dòng)規(guī)定角度。詳細(xì)地說(shuō)，使第一平板11和第二平板12以第一平板11和第二平板12的可動(dòng)端部的表面接近(相對(duì)) 的方式轉(zhuǎn)動(dòng)。由此，導(dǎo)熱性片材1 一邊追隨第一平板11和第二平板12的轉(zhuǎn)動(dòng)一邊以心軸13為中心彎曲。進(jìn)一步優(yōu)選為，在上述試驗(yàn)條件下，在將彎曲角度設(shè)定為180度時(shí)，在導(dǎo)熱性片材 1上也不能觀察到斷裂。
另外，在樹脂成分3為熱硬化性樹脂成分的情況下，供彎曲性試驗(yàn)的導(dǎo)熱性片材1 為半硬化(B階段狀態(tài))的導(dǎo)熱性片材1 (即熱硬化前的導(dǎo)熱性片材1)。在上述彎曲角度的耐彎曲性試驗(yàn)中在導(dǎo)熱性片材1上沒有觀察到斷裂的情況下， 存在不能對(duì)導(dǎo)熱性片材1付與優(yōu)異的柔軟性的情況。另外，在導(dǎo)熱性片材1形成為厚度300 μ m時(shí)，導(dǎo)熱性片材1對(duì)波長(zhǎng)500nm的光的透射率為10%以下。在厚度300 μ m的導(dǎo)熱性片材1的上述透射率超過(guò)上述范圍時(shí)，不能確保優(yōu)異的隱蔽性。另外，上述導(dǎo)熱性片材1對(duì)波長(zhǎng)500nm的光的透射率依據(jù)日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)JIS K 7361-1 (1997年版)的“塑料透明材料的全光線透射率的試驗(yàn)方法”的記載來(lái)測(cè)量。詳細(xì)而言，利用設(shè)有積分球的分光光度計(jì)來(lái)測(cè)量。另外，厚度300 μ m的導(dǎo)熱性片材1對(duì)波長(zhǎng)500nm的光的透射率優(yōu)選為8%以下。在樹脂成分3為熱硬化性樹脂成分的情況下，導(dǎo)熱性片材1對(duì)波長(zhǎng)500nm的光的透射率在導(dǎo)熱性片材1的熱硬化前后實(shí)質(zhì)上相同。另外，在導(dǎo)熱性片材1中，對(duì)500nm的光的表面反射率R為70 %以上，優(yōu)選為75 % 以上，更優(yōu)選為80%以上，通常為100%以下。導(dǎo)熱性片材1對(duì)500nm的光的表面反射率R為以硫酸鋇的表面反射率為100%時(shí)
的百分率。另外，表面反射率R通過(guò)分光光度計(jì)來(lái)測(cè)量，該分光光度計(jì)的測(cè)量使用積分球以入射角5度實(shí)施。在導(dǎo)熱性片材1的表面反射率R小于上述范圍的情況下，存在不能高效率地反射從后述的發(fā)光二極管27發(fā)出的500nm的光的情況。另外，在樹脂成分3為熱硬化性樹脂成分的情況下，導(dǎo)熱性片材1的表面反射率R 為硬化后的導(dǎo)熱性片材1的值。另外，在依據(jù)日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)JIS K 7171(2008年)的3點(diǎn)彎曲試驗(yàn)中，以下述試驗(yàn)條件評(píng)價(jià)該導(dǎo)熱性片材1時(shí)，例如在該導(dǎo)熱性片材1上不能觀察到斷裂。試驗(yàn)條件試驗(yàn)片尺寸2(toimX 15謹(jǐn)支點(diǎn)間距離5_試驗(yàn)速度20mm/min (壓頭的按壓速度)彎曲角度120度評(píng)價(jià)方法通過(guò)目視觀察以上述試驗(yàn)條件進(jìn)行試驗(yàn)時(shí)、試驗(yàn)片的中央部有無(wú)裂紋等斷裂。另外，在3點(diǎn)彎曲試驗(yàn)中，在樹脂成分3為熱硬化性樹脂成分的情況下，可使用熱硬化前的導(dǎo)熱性片材1。因此，由于在上述的3點(diǎn)彎曲試驗(yàn)中沒有觀察到斷裂，因此，該導(dǎo)熱性片材1的高度差追隨性優(yōu)異。另外，所謂高度差追隨性是指在將導(dǎo)熱性片材1設(shè)置在具有高度差的設(shè)置對(duì)象上時(shí)、該導(dǎo)熱性片材1沿著該高度差以密合的方式追隨該高度差的特性。另外，在導(dǎo)熱性片材1上例如能附著有文字、記號(hào)等標(biāo)記。即，導(dǎo)熱性片材1的標(biāo)記附著性優(yōu)異。所謂標(biāo)記附著性是能使上述標(biāo)記可靠地附著在導(dǎo)熱性片材1上的特性。
具體而言，標(biāo)記通過(guò)印刷或刻印等附著(涂布、固定或粘合)在導(dǎo)熱性片材1上。作為印刷，例如可舉出噴墨印刷、凸版印刷、凹版印刷、激光印刷等。另外，在通過(guò)噴墨印刷、凸版印刷或凹版印刷來(lái)印刷標(biāo)記的情況下，例如能夠在導(dǎo)熱性片材1的表面(印刷側(cè)的面)上設(shè)置用于提高標(biāo)記的固定性的墨固定層。另外，在通過(guò)激光印刷來(lái)印刷標(biāo)記的情況下，例如能夠在導(dǎo)熱性片材1的表面(印刷側(cè)的面)上設(shè)置用于提高標(biāo)記的固定性的調(diào)色劑固定層。作為刻印，例如可以舉出激光刻印、打刻等。另外，在上述熱壓工序(圖2的(a))中，例如也可以利用多個(gè)壓延輥等對(duì)混合物和層疊片材IC進(jìn)行軋制。并且，上述導(dǎo)熱性片材1的表面方向SD的導(dǎo)熱性優(yōu)異，且電絕緣性也優(yōu)異。因此，若利用導(dǎo)熱性片材1覆蓋電子元件，能保護(hù)該電子元件，且能使電子元件的熱高效率地導(dǎo)熱，并且能防止電子元件之間短路。另外，作為電子元件，沒有特別限定，例如可以舉出IC(集成電路)芯片、電容器、 線圈、電阻器、發(fā)光二極管等。這些電子元件通常設(shè)置在基板上，沿著表面方向(基板的表面方向)相互隔開間隔地配置。另外，在利用導(dǎo)熱性片材1覆蓋電子元件時(shí)，具體而言，在樹脂成分為熱硬化性樹脂成分的情況下，將未硬化(或B階段狀態(tài))的導(dǎo)熱性片材1配置在電子元件的表面上，然后使導(dǎo)熱性片材1硬化。由此能利用導(dǎo)熱性片材1保護(hù)電子元件。并且，上述導(dǎo)熱性片材1的表面方向SD的導(dǎo)熱性優(yōu)異，且隱蔽性也優(yōu)異。因此，如圖3所示，例如將導(dǎo)熱性片材1貼在電力電子學(xué)技術(shù)所用的電子部件11 的表面上而利用該導(dǎo)熱性片材1覆蓋該電子部件11，使標(biāo)記10形成(附著)在該導(dǎo)熱性片材1的表面上，即使從該表面觀察導(dǎo)熱性片材1，電子部件11也被導(dǎo)熱性片材1隱蔽。因此，不能看到電子部件11，而僅能看到標(biāo)記10。結(jié)果，能清楚地識(shí)別標(biāo)記10，且能使電子部件11的熱沿著導(dǎo)熱性片材1的表面方向SD散熱。如圖3所示，電子部件11例如包含IC(集成電路)芯片6、電容器7、線圈8及/ 或電阻器9等。另外，在圖3中雖未圖示，但電子部件11除了上述之外例如還可以包含發(fā)
光二極管等。另外，上述電子部件11安裝在安裝基板5的表面(一個(gè)面)上，在該安裝基板5 上，電子部件11沿著表面方向(安裝基板5的表面方向SD)彼此隔開間隔地配置。另外，標(biāo)記10顯示電子部件11的件號(hào)及/或制造年月日等信息。在樹脂成分為熱硬化性樹脂成分的情況下，將導(dǎo)熱性片材1貼在電子部件11上，然后例如通過(guò)印刷或封印墨而在硬化了的導(dǎo)熱性片材1的表面上形成標(biāo)記10。墨的顏色沒有特別限制。另外，除了墨之外，例如也可以由鉛筆的芯材料、通常為石墨和粘土的混合物形成標(biāo)記10，在該情況下，使用鉛筆，利用其芯材料形成標(biāo)記10。另外，在樹脂成分為熱硬化性樹脂成分的情況下，也可以通過(guò)如下方式形成標(biāo)記 10 將導(dǎo)熱性片材1貼在電子部件11上之后，如圖3的假想線所示，例如通過(guò)上述刻印在硬化前(未硬化)的導(dǎo)熱性片材1的表面上形成凹部，然后使導(dǎo)熱性片材1硬化而形成為凹部。作為刻印，例如可以舉出打痕(打刻)或激光加工(激光刻印)等。
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圖4是包括由圖1所示的導(dǎo)熱性片材1構(gòu)成的導(dǎo)熱性光反射層的發(fā)光二極管安裝基板的剖視圖，圖5是用于說(shuō)明發(fā)光二極管安裝基板的制造方法及發(fā)光二極管的安裝方法的工序圖。下面，參照?qǐng)D4及圖5說(shuō)明本發(fā)明的發(fā)光二極管安裝基板的一實(shí)施方式。在圖4及圖5的(c)中，該發(fā)光二極管安裝基板30包括基板25和形成在基板25 的表面的導(dǎo)熱性光反射層26?；?5形成為平板狀，由與上述樹脂成分相同的成分形成。另外，如圖4的假想線所示，在基板25上隔著導(dǎo)熱性光反射層沈安裝有發(fā)光二極管27(參照?qǐng)D5的(d))。導(dǎo)熱性光反射層沈由上述導(dǎo)熱性片材1構(gòu)成，形成在基板25的整個(gè)上表面上。另外，在發(fā)光二極管安裝基板30上設(shè)有布線四和散熱構(gòu)件32 (參照?qǐng)D4和圖5 的⑷)。布線四形成在導(dǎo)熱性光反射層沈的上表面上，形成為與發(fā)光二極管27電連接的圖案。布線四例如由銅、金等導(dǎo)體材料形成。散熱構(gòu)件32例如為散熱器等，設(shè)置為與基板25的整個(gè)下表面接觸。在制造發(fā)光二極管安裝基板30時(shí)，首先，如圖5的(a)所示，準(zhǔn)備基板25，接著，如圖5的(b)所示，在基板25的表面上形成導(dǎo)熱性光反射層26。在形成導(dǎo)熱性光反射層沈時(shí)，例如在樹脂成分為熱硬化性樹脂成分的情況下，將 B階段狀態(tài)的導(dǎo)熱性片材1載置在基板25的整個(gè)上表面上，然后通過(guò)加熱使導(dǎo)熱性片材1 熱硬化，將導(dǎo)熱性片材1粘接在基板25的上表面上。接著，如圖5的(c)所示，通過(guò)公知的布線形成方法在導(dǎo)熱性片材1的表面上形成布線29。由此，獲得發(fā)光二極管安裝基板30。然后，在所獲得的發(fā)給二極管安裝基板30上安裝發(fā)光二極管27。在將發(fā)光二極管27安裝于發(fā)光二極管安裝基板30上時(shí)，如圖5的(d)所示，首先，將發(fā)光二極管27載置在導(dǎo)熱性光反射層沈的上表面上，然后利用線觀將發(fā)光二極管 27和布線四連接起來(lái)(引線接合)。另外，在發(fā)光二極管安裝基板30的下表面上設(shè)有散熱構(gòu)件32。并且，上述導(dǎo)熱性片材1的表面方向SD的導(dǎo)熱性優(yōu)異，且表面反射率R也優(yōu)異。因此，若在包括由該導(dǎo)熱性片材1構(gòu)成的導(dǎo)熱性光反射層沈的發(fā)光二極管安裝基板30上安裝發(fā)光二極管27，能在導(dǎo)熱性光反射層沈上高效率地將從發(fā)光二極管27發(fā)出的光向上方反射，且能利用導(dǎo)熱性光反射層26使從發(fā)光二極管27發(fā)出的熱高效率地沿著表面方向SD導(dǎo)熱。詳細(xì)而言，就安裝面積較小的發(fā)光二極管27而言，基板25的安裝有發(fā)光二極管27 的部分局部地變成高溫，就上述發(fā)光二極管安裝基板30而言，能使從發(fā)光二極管27發(fā)出的熱在導(dǎo)熱性光反射層26上沿著表面方向分散(擴(kuò)散)，且能使該熱從導(dǎo)熱性光反射層沈分散到散熱構(gòu)件32。因此，能使發(fā)光二極管27的熱通過(guò)導(dǎo)熱性光反射層沈高效率地導(dǎo)熱至散熱構(gòu)件32。結(jié)果，能可靠地防止發(fā)光二極管安裝基板30的發(fā)光效率降低。圖6表示本發(fā)明的導(dǎo)熱性粘接片材的一實(shí)施方式的剖視圖，圖7表示用于說(shuō)明將圖6所示的導(dǎo)熱性粘接片材粘接或粘著于電子部件及安裝基板上的方法的工序圖。下面，參照?qǐng)D6和圖7說(shuō)明將上述導(dǎo)熱性粘接片材作為導(dǎo)熱性層設(shè)置的導(dǎo)熱性粘接片材。在圖6中，該導(dǎo)熱性粘接片材41包括導(dǎo)熱性層42和層疊在導(dǎo)熱性層42的表面上的粘接劑層43或粘著劑層43 (以下，有時(shí)將它們統(tǒng)稱為“粘接、粘著層43”)。導(dǎo)熱性層42形成為平板片狀，由上述導(dǎo)熱性粘接片材41構(gòu)成。如圖6所示，粘接、粘著層43形成在導(dǎo)熱性層42的整個(gè)下表面上。粘接、粘著層43在常溫氣氛和加熱氣氛下具有柔軟性，且具有粘接性或粘著性 (粘性)，粘接、粘著層43由通過(guò)加熱或加熱后的冷卻能體現(xiàn)粘接作用的粘接劑或能體現(xiàn)粘著作用的粘著劑構(gòu)成。作為粘接劑，例如可以舉出熱硬化型粘接劑、熱熔型粘接劑等。熱硬化型粘接劑通過(guò)利用加熱而使其熱硬化并固化從而粘接在被接體上。作為熱硬化型粘接劑，例如可以舉出環(huán)氧系熱硬化型粘接劑、聚氨酯系熱硬化型粘接劑、丙烯酸系熱硬化型粘接劑等。優(yōu)選環(huán)氧系熱硬化型粘接劑。熱硬化型粘接劑的硬化溫度例如為100 200°C。熱熔型粘接劑通過(guò)利用加熱使其熔融或軟化而熱熔接在被接體上，然后通過(guò)冷卻使其固化而粘接在被接體上。作為熱熔型粘接劑，例如可以舉出橡膠系熱熔型粘接劑、聚酯系熱熔型粘接性、聚烯烴系熱熔型粘接劑等。優(yōu)選橡膠系熱熔型粘接劑。熱熔型粘接劑的軟化溫度(環(huán)球法)例如為100 200°C。另外，熱熔型粘接劑的熔融粘度在180°C下例如為100 30000mPa · s。另外，根據(jù)需要，在上述粘接劑中例如也可以含有導(dǎo)熱性顆粒。作為導(dǎo)熱性顆粒，例如可以舉出導(dǎo)熱性無(wú)機(jī)顆粒、導(dǎo)熱性有機(jī)顆粒，優(yōu)選導(dǎo)熱性無(wú)機(jī)顆粒。作為導(dǎo)熱性無(wú)機(jī)顆粒，例如能夠列舉出氮化硼顆粒、氮化鋁顆粒、氮化硅顆粒、氮化鎵顆粒等氮化物顆粒、例如氫氧化鋁顆粒、氫氧化鎂顆粒等氫氧化物顆粒、例如氧化硅顆粒、氧化鋁顆粒、氧化鈦顆粒、氧化鋅顆粒、氧化錫顆粒、氧化銅顆粒、氧化鎳顆粒等氧化物顆粒、例如碳化硅顆粒等碳化物顆粒、例如碳酸鈣顆粒等碳酸鹽顆粒、例如鈦酸鋇顆粒、鈦酸鉀顆粒等鈦酸鹽顆粒等金屬酸鹽顆粒、例如銅顆粒、銀顆粒、金顆粒、鎳顆粒、鋁顆粒、白金顆粒等金屬顆粒等。上述導(dǎo)熱性顆?？梢詥为?dú)使用或組合使用兩種以上。作為導(dǎo)熱性顆粒，例如可舉出塊狀、針狀、板狀、層狀、管狀等。導(dǎo)熱性顆粒的平均粒徑例如為0. 1 1000 μ m。另外，導(dǎo)熱性顆粒例如具有各向異性的導(dǎo)熱性或各向同性的導(dǎo)熱性。優(yōu)選具有各向同性的導(dǎo)熱性。導(dǎo)熱性顆粒的熱導(dǎo)率例如為lW/m ·Κ以上，優(yōu)選為2W/m ·Κ以上，更優(yōu)選為3W/m ·Κ 以上，通常為1000W/m · K以下。導(dǎo)熱性顆粒的配合比例相對(duì)于粘接劑100質(zhì)量份例如為0. 01 10質(zhì)量份。在將導(dǎo)熱性顆粒與粘接劑配合時(shí)，將導(dǎo)熱性顆粒以上述配合比例加入粘接劑中進(jìn)行攪拌混合。由此，將粘接劑制備為導(dǎo)熱性粘接劑。
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導(dǎo)熱性粘接劑的熱導(dǎo)率例如為0. 01ff/m · K以上，通常為100W/m · K以下。另外，作為粘著劑，例如可以舉出橡膠系粘著劑、硅酮系粘著劑等。另外，也可以使粘著劑中以與上述相同的比例含有上述導(dǎo)熱性顆粒，從而將粘著劑制備為導(dǎo)熱性粘著劑。 導(dǎo)熱性粘著劑的熱導(dǎo)率與上述相同。粘接、粘著層43的厚度例如為10 500 μ m,優(yōu)選為20 200 μ m。并且，為了獲得導(dǎo)熱性粘接片材41，首先，準(zhǔn)備上述導(dǎo)熱性層42，接著，將粘接、粘著層43層疊在導(dǎo)熱性層42的表面上。通過(guò)在粘接劑(具體而言熱硬化型粘接劑)或粘著劑中配合上述溶劑并使其溶解來(lái)制備清漆，將該清漆涂布在分離片的表面上，然后通過(guò)常壓干燥或真空(減壓)干燥除去清漆的有機(jī)溶劑。另外，清漆的固態(tài)成分濃度例如為10 90質(zhì)量％。然后，將粘接、粘著層43貼合在導(dǎo)熱性層42上。在貼合粘接、粘著層43和導(dǎo)熱性層42時(shí)，根據(jù)需要進(jìn)行壓接或熱壓接。下面，使用圖7說(shuō)明將導(dǎo)熱性粘接片材41粘接在電子部件11和安裝基板5上的方法。首先，在該方法中，如圖7的(a)所示，分別準(zhǔn)備導(dǎo)熱性粘接片材41和安裝基板 5。在安裝基板5的表面(上表面)上安裝有上述電子部件11。接著，在該方法中，如圖7的(b)所示，將導(dǎo)熱性粘接片材41熱壓接在電子部件11 和安裝基板5上。具體而言，首先，將導(dǎo)熱性粘接片材41和安裝基板5以粘接、粘著層43與電子部件11相對(duì)的方式配置，接著，使它們彼此接觸，對(duì)導(dǎo)熱性粘接片材41加熱，并將導(dǎo)熱性粘接片材41朝向安裝基板5壓接(按壓、熱壓接)。壓接例如使由硅酮樹脂等樹脂構(gòu)成的海綿輥一邊對(duì)導(dǎo)熱性粘接片材41進(jìn)行按壓一邊在導(dǎo)熱性粘接片材41的背面(導(dǎo)熱性層42的上表面)上滾動(dòng)。加熱溫度例如為40 120°C。在該熱壓接中，由于進(jìn)一步提高了粘接、粘著層43的柔軟性，因此，從安裝基板5 的表面(上表面)向表側(cè)(上側(cè))突出的電子部件11戳破粘接、粘著層43，電子部件11的表面(上表面)與導(dǎo)熱性層42的表面(下表面)接觸。并且，形成在電子部件11周圍的間隙(例如電阻器9和安裝基板5之間的間隙)14被粘接、粘著層43填充。并且，在用于連接電子部件11 (具體而言IC芯片6和電阻器9)和安裝基板5的未圖示的端子及/或線 15上纏繞覆蓋有粘接、粘著層43。詳細(xì)而言，電子部件11的上表面(及側(cè)面的上部)被導(dǎo)熱性層42覆蓋。另一方面，電子部件11的側(cè)面(下部的側(cè)面)被粘接、粘著層43覆蓋(粘接或粘著)，該粘接、粘著層43被電子元件11沖破。更具體而言，在熱壓接中，在樹脂成分3為熱硬化性樹脂成分的情況下，由于樹脂成分處于B階段狀態(tài)，因此，導(dǎo)熱性層42粘著在從電子部件11暴露出的安裝基板5的表面(上表面)上。并且，在電子部件11的厚度厚于粘接、粘著層43的厚度時(shí)，在導(dǎo)熱性層 42上，電子部件11的上部從導(dǎo)熱性層42的表面朝向內(nèi)部進(jìn)入。另外，在粘接劑為熱熔型粘接劑的情況下，通過(guò)上述熱壓接使粘接、粘著層43熔融或軟化而熱熔著在安裝基板5的表面和電子部件11的側(cè)面上。接著，通過(guò)將導(dǎo)熱性粘接片材41在常溫下放置而冷卻，從而將粘接、粘著層43粘接在安裝基板5的表面及電子部件 11的側(cè)面上。另一方面，在粘接、粘著層43的粘接劑層為熱硬化型粘接劑的情況下，通過(guò)上述熱壓接使粘接劑成為B階段狀態(tài)，導(dǎo)熱性粘接片材41暫時(shí)固定安裝基板5和電子部件11， 接著，進(jìn)一步加熱導(dǎo)熱性粘接片材41，從而使粘接、粘著層43熱硬化而粘接在安裝基板5的表面及電子部件11的側(cè)面上。在使粘接、粘著層43熱硬化時(shí)，可使用熱壓或干燥機(jī)。優(yōu)選使用干燥機(jī)。該熱硬化的條件加熱溫度例如為100 250°C，優(yōu)選為120 200°C，加熱時(shí)間例如為10 200 分鐘，優(yōu)選為60 150分鐘。另外，在導(dǎo)熱性層42中的樹脂成分3為熱硬化性樹脂成分的情況下，在粘接、粘著層43熱熔著及/或熱硬化的同時(shí)，使未硬化狀態(tài)的導(dǎo)熱性層42熱硬化。并且，上述導(dǎo)熱性粘接片材41的表面方向SD的導(dǎo)熱性優(yōu)異，且粘接性或粘著性也優(yōu)異。因此，該導(dǎo)熱性粘接片材41能以優(yōu)異的粘接性或粘著性粘接或粘著在安裝基板5 和電子部件11上，且能使電子部件11的熱沿著表面方向SD散熱。特別是，在安裝基板5和電子部件11上長(zhǎng)時(shí)間施加有振動(dòng)、反復(fù)應(yīng)力及/或熱循環(huán)(加熱及冷卻的反復(fù)工序)的情況下，能夠?qū)?dǎo)熱性粘接片材41用于上述需要耐久性的安裝基板5和電子部件11的粘接及散熱。并且，上述導(dǎo)熱性粘接片材41的粘接、粘著層43形成在導(dǎo)熱性層42的整個(gè)表面上，由于電子部件11戳破粘接、粘著層43，因此，不需要將導(dǎo)熱性粘接片材41相對(duì)于電子部件11準(zhǔn)確地定位，而在將導(dǎo)熱性粘接片材41與安裝基板5相對(duì)配置之后進(jìn)行熱壓接即可， 因此，能簡(jiǎn)單地將導(dǎo)熱性粘接片材41粘接或粘著在電子部件11上。另外，在粘接、粘著層43形成在導(dǎo)熱性層42的整個(gè)表面上的情況下，粘接、粘著層 43優(yōu)選由導(dǎo)熱性粘接劑或?qū)嵝哉持鴦┬纬?。圖8表示本發(fā)明的導(dǎo)熱性粘接片材的另一實(shí)施方式(在粘接、粘著層形成有開口部的方式)的剖視圖，圖9表示用于說(shuō)明將圖8所示的導(dǎo)熱性粘接片材粘接或粘著在電子部件和安裝基板上的方法的工序圖。另外，在以下的各附圖中，對(duì)與上述各部相對(duì)應(yīng)的構(gòu)件標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，并省略詳細(xì)說(shuō)明。在上述圖6及圖7的(a)的說(shuō)明中，粘接、粘著層43形成在導(dǎo)熱性層42的整個(gè)表面上，但例如如圖8及圖9的(a)所示，也可以形成在導(dǎo)熱性層層42的表面的一部分上。在圖8中，在粘接、粘著層43上形成有沿著厚度方向貫穿的開口部53。開口部53在粘接、粘著層43上以與電子部件11相同的圖案開口。即，各開口部 53與安裝基板5相對(duì)配置，在沿著厚度方向投影時(shí)，形成為與各電子部件11相同的外形形狀。即，開口部53形成為在后述的導(dǎo)熱性粘接片材41相對(duì)于安裝基板5的壓接中與電子部件11嵌合的圖案。另外，粘接、粘著層43優(yōu)選由不含有導(dǎo)熱性顆粒的粘接劑或粘著劑形成。在將粘接劑層43層疊在導(dǎo)熱性層42的表面上時(shí)，將粘接、粘著劑隔著具有與開口部53相同圖案的掩模(未圖示)涂布或熱壓接在導(dǎo)熱性層42的表面上，然后升起掩模。掩模例如由不銹鋼等金屬材料形成，根據(jù)需要，利用硅酮系化合物對(duì)掩模的背面(與導(dǎo)熱性層42相對(duì)的面)進(jìn)行離模處理。掩模的厚度例如為10 1000 μ m。在將包括具有開口部53的粘接、粘著層43的導(dǎo)熱性粘接片材41粘接或粘著在安裝基板5和電子部件11上時(shí)，首先，如圖9的(a)所示，分別準(zhǔn)備導(dǎo)熱性粘接片材41和安裝基板5，接著，如圖9的(b)所示，將導(dǎo)熱性粘接片材41熱壓接在安裝基板5上。在導(dǎo)熱性粘接片材41的熱壓接中，以在沿著厚度方向投影時(shí)電子部件11和粘接劑層43的開口部53位于相同位置的方式將導(dǎo)熱性粘接片材41相對(duì)于電子部件11定位后， 一邊對(duì)導(dǎo)熱性粘接片材41進(jìn)行加熱一邊使電子部件11與開口部53相嵌合，從而將電子部件11填充及收容在粘接、粘著層43的開口部53內(nèi)。因此，導(dǎo)熱性層42可靠地與電子部件11的上表面(及上部的側(cè)面)接觸，能直接粘接或粘著在電子部件11的上表面上。結(jié)果，能使電子部件11的熱沿著表面方向SD可靠地散熱。另外，在上述說(shuō)明中，在粘接、粘著層43上形成有沿著厚度方向貫穿的開口部53， 但雖然未圖示，也可以代替開口部53以與電子部件11的厚度相對(duì)應(yīng)的方式形成從粘接、粘著層43的表面朝向內(nèi)部凹陷的凹部。另外，在上述的說(shuō)明中，將粘接、粘著層43層疊在導(dǎo)熱性層42的一個(gè)面上，但例如如圖6的假想線及圖8的假想線所示，也可以在導(dǎo)熱性粘接片材41的兩面(上表面和下表面)上形成粘接、粘著層43。另外，在上述說(shuō)明中，將粘接、粘著層43層疊在導(dǎo)熱性層42的兩個(gè)面的整面上 (圖6的假想線)或者層疊在導(dǎo)熱性層42的兩個(gè)面的一部分上(圖8的假想線)，但例如如圖8的實(shí)線和虛線所示，也可以將粘接、粘著層43形成在導(dǎo)熱性層42的整個(gè)上表面(虛線、一個(gè)面的整個(gè)面)上，并且形成在導(dǎo)熱性層42的下表面的一部分(實(shí)線、另一面的一部分上)。以下表示制備例及實(shí)施例，用于進(jìn)一步具體地說(shuō)明本發(fā)明，但對(duì)本發(fā)明沒有任何限制。實(shí)施例1將13. 42g的PT-110 (商品名，板狀的氮化硼顆粒，平均粒徑(光散射法)45 μ m,Mo mentive 'Performance 'Materials .Japan公司制)和 1. Og 的 JER^8(商品名，雙酚A型環(huán)氧樹脂，第1環(huán)氧樹脂，液態(tài)，環(huán)氧當(dāng)量184 194g/eqiV.，軟化溫度(環(huán)球法)小于25°C，溶融粘度(80°C )70mPa-s,日本環(huán)氧樹脂公司制)、及2. Og的EPPN-501HY(商品名，三苯基甲烷型環(huán)氧樹脂，第2環(huán)氧樹脂，固態(tài)，環(huán)氧當(dāng)量163 175g/eqiV.，軟化溫度(環(huán)球法)57 63°C,日本化藥公司制)和3g(固態(tài)成分0. 15g)的硬化劑(Curezol 2P4MHZ-PW(商品名，四國(guó)化成公司制)的5質(zhì)量％甲乙酮分散液)(相對(duì)于作為環(huán)氧樹脂的JER^S及EPPN-501HY 的總量為5質(zhì)量％)配合并進(jìn)行攪拌，在室溫下放置1晚，使甲乙酮(硬化劑的分散劑)揮發(fā)，制備半固態(tài)的混合物。另外，在上述配合中，氮化硼顆粒占除了硬化劑之外的固態(tài)成分(即氮化硼顆粒和環(huán)氧樹脂的固態(tài)成分)的總體積的體積百分率(體積％ )為70體積％。接著，用硅酮處理后的兩張離型膜夾持所獲得的混合物，利用真空加熱壓機(jī)在80°C、IOPa的氣氛(真空氣氛)下、以5噸的載荷(20MPa)對(duì)它們熱壓兩分鐘，從而獲得了厚度0. 3mm的壓制片材(參照?qǐng)D2的(a))。然后，以在沿著壓制片材的厚度方向投影時(shí)分割為多個(gè)的方式切割所獲得的壓制片材而獲得分割片材(圖2的(b))，接著，沿著厚度方向?qū)盈B分割片材而獲得層疊片材(參照?qǐng)D2的(c))。接著，利用與上述同樣的真空加熱壓機(jī)在與上述相同的條件下對(duì)所獲得的層疊片材進(jìn)行熱壓(參照?qǐng)D2的(a))。接著，重復(fù)4次上述切割、層疊及熱壓這一連串操作(參照?qǐng)D2)，從而獲得了厚度 0. 3mm的導(dǎo)熱性片材(B狀態(tài))。然后，將所獲得的導(dǎo)熱性片材投入到干燥機(jī)中，以150°C加熱120分鐘而使其熱硬化。實(shí)施例2 9及11 16依據(jù)表1 表3的配合處方及制造條件，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行處理而獲得了導(dǎo)熱性片材。實(shí)施例10依據(jù)表2的配合處方配合并攪拌各成分(氮化硼顆粒和聚乙烯)而制備成了混合物。即，在各成分的攪拌中，加熱到130°C而使聚乙烯熔融。接著，用硅酮處理后的兩張離型膜夾持所獲得的混合物，利用真空加熱壓機(jī)在 120°C、IOPa的氣氛(真空氣氛)下、以1噸的載荷(4MPa)對(duì)它們熱壓兩分鐘，從而獲得了厚度0. 3mm的壓制片材(參照?qǐng)D2的(a))。然后，以在沿著壓制片材的厚度方向投影時(shí)分割為多個(gè)的方式切割所獲得的壓制片材而獲得分割片材(圖2的(b))，接著，沿著厚度方向?qū)盈B分割片材而獲得層疊片材 (參照?qǐng)D2的(c))。接著，利用與上述同樣的真空加熱壓機(jī)在與上述相同的條件下對(duì)所獲得的層疊片材進(jìn)行熱壓(參照?qǐng)D2的(a))。接著，重復(fù)4次上述切割、層疊及熱壓這一連串操作(參照?qǐng)D2)，從而獲得了厚度 0. 3mm的導(dǎo)熱性片材。在實(shí)施例1 16的導(dǎo)熱性片材中，將熱硬化前的片分別作為制備例1 16的導(dǎo)熱性片材。導(dǎo)熱件粘接片材的制作實(shí)施例17在分離片的表面上涂布環(huán)氧系熱硬化型粘接劑的清漆(溶劑MEK、固態(tài)成分50 質(zhì)量％、無(wú)填料型)，使該環(huán)氧系硬化型粘接劑的清漆在干燥時(shí)的厚度為25 μ m。接著，通過(guò)真空干燥除去MEK而形成粘接劑層。接著，使粘接劑壓接在制備例1的導(dǎo)熱性層上，由此制作了導(dǎo)熱性粘接片材(參照?qǐng)D6)。實(shí)施例18 32除了代替制備例1的導(dǎo)熱性層而分別使用表4所記載的制備例2 16的導(dǎo)熱性層之外，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行處理，制作了導(dǎo)熱性粘接片材(參照?qǐng)D6)。
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實(shí)施例33在實(shí)施例17的導(dǎo)熱性層上隔著與下一個(gè)評(píng)價(jià)中詳述的電子部件(IC芯片、電容器及電阻器)相同圖案的不銹鋼制的金屬掩模(厚度ΙΟΟμπκ在背面上已進(jìn)行了離型處理)層疊橡膠系熱熔型粘接劑(商品名ΗΜ409、軟化溫度110°C、熔融粘度(180°C)、 1200mPa · s, Cemedine Co.，Ltd.制)，然后升起金屬掩模而形成了具有開口部的、厚度 100 μ m的粘接劑層。由此制作了導(dǎo)熱性粘接片材(參照?qǐng)D8)。實(shí)施例34 48除了代替制備例1的導(dǎo)熱性層而分別使用表4所記載的制備例2 16的導(dǎo)熱性層之外，與實(shí)施例33同樣地進(jìn)行處理，制作了導(dǎo)熱性粘接片材(參照?qǐng)D5)。導(dǎo)熱件粘梓片材及安裝某板的粘梓A.實(shí)施例17 32的導(dǎo)熱性粘接片材及安裝基板的粘接準(zhǔn)備安裝有電子部件(IC芯片、電容器、線圈及電阻器)的安裝基板(參照?qǐng)D7的 (a))。接著，使用由硅酮樹脂構(gòu)成的海綿輥在80°C下將實(shí)施例17 32的導(dǎo)熱性粘接片材分別熱壓接并暫時(shí)固定在電子部件及安裝基板上。在熱壓接中，電子部件戳破粘接劑層而與導(dǎo)熱性層接觸。然后，在150°C下加熱120分鐘，從而使導(dǎo)熱性層及粘接劑層這兩者熱硬化，使導(dǎo)熱性粘接片材粘接于電子部件及安裝基板上(參照?qǐng)D4的(b))。在熱硬化中，將導(dǎo)熱性層粘接在電子部件的表面上，將粘接劑層粘接在安裝基板的表面及電子部件的側(cè)面上。B.實(shí)施例33 48的導(dǎo)熱性粘接片材及安裝基板的粘接準(zhǔn)備了安裝有電子部件(IC芯片、電容器、線圈及電阻器)的安裝基板(參照?qǐng)D9 的(a))。接著，以電子部件和粘接劑層的開口部位于相同位置的方式將實(shí)施例33 48的導(dǎo)熱性粘接片材在厚度方向相對(duì)于電子部件定位后，使電子部件與開口部相嵌合，將導(dǎo)熱性粘接片材在120°C下分別熱壓接于安裝基板上。利用該熱壓接使粘接劑層熔融而熱熔著于安裝基板的表面及電子部件的側(cè)面上，并且使導(dǎo)熱性層熱硬化并固化而粘接于電子部件的表面上。然后，在室溫下放置而冷卻，從而使粘接劑固化而粘接于安裝基板的表面及電子部件的側(cè)面上。由此，將導(dǎo)熱性粘接片材粘接在安裝基板上(參照?qǐng)D9的(b))。ML1.熱導(dǎo)率對(duì)由實(shí)施例1 16獲得的導(dǎo)熱性片材測(cè)量了熱導(dǎo)率。S卩，通過(guò)使用氙氣閃光燈分析儀“LFA-447型”(NETZSCH公司制)的脈沖加熱法測(cè)量表面方向(SD)的熱導(dǎo)率。將結(jié)果示于表1 表3中。2.體積電阻測(cè)量了由實(shí)施例1 16所獲得的導(dǎo)熱性片材的體積電阻(R)。
S卩，依據(jù)日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)JIS K 6911(熱硬化性塑料通常試驗(yàn)方法、2006年版)測(cè)量導(dǎo)熱性片材的體積電阻(R)。將結(jié)果示于表1 表3中。3.透射率(日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)JIS K 7361-1 (1997年版))依據(jù)日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)JIS K 7361-1 (1997年版)測(cè)量由實(shí)施例1 16所獲得的厚度300 μ m的導(dǎo)熱性片材對(duì)波長(zhǎng)500nm的光的透射率。S卩，依據(jù)日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)JIS K 7361-1 (1997年版)的“塑料透明材料的全光線透射率的試驗(yàn)方法”的記載，利用設(shè)有積分球的分光光度計(jì)(U-4100、日立制作所制)測(cè)量導(dǎo)熱性片材的透射率。將結(jié)果示于表1 3中。4.隱蔽性將由實(shí)施例1 16所獲得的厚度300微米5的導(dǎo)熱性片材貼在七U * 一卜(商品名、在表面形成有黃色及黑色的條紋圖案的樹脂片材、日本U 7 L^ ”卜化學(xué)工業(yè)公司制) 的表面上。5.粘接性嘗試著從安裝基板剝離由實(shí)施例17 48所獲得的導(dǎo)熱性粘接片材。結(jié)果，無(wú)論哪個(gè)導(dǎo)熱性粘接片材，都產(chǎn)生了凝聚破壞(即粘接劑層破壞)。因此，可以確認(rèn)實(shí)施例17 48的導(dǎo)熱性粘接片材的粘接性或粘著性優(yōu)異。將結(jié)果示于表4及表5中。6.表面反射率測(cè)量了由實(shí)施例1所獲得的導(dǎo)熱性片材對(duì)500nm的光的表面反射率(R)。SP，使用分光光度計(jì)(U4100、日立〃 4〒夕公司制)以入射角5度測(cè)量表面反射率 (R)。另外，導(dǎo)熱性片材的表面反射率(R)使用積分球以硫酸鋇粉末的反射率作為表面反射率的基準(zhǔn)(即100% )來(lái)進(jìn)行測(cè)量。另外，在150°C下對(duì)導(dǎo)熱性片材(B階段狀態(tài))加熱120分鐘，使其熱硬化(完全硬化)后，將其用于測(cè)量表面反射率。將結(jié)果示于表1 表3中。7.空隙率(P)利用下述測(cè)量方法測(cè)量了實(shí)施例1 16的熱硬化前的導(dǎo)熱性片材的空隙率(Pl)?？障堵实臏y(cè)量方法如下所述首先，利用截面拋光儀(CP)沿著厚度方向?qū)?dǎo)熱性片材進(jìn)行切割加工，用掃描型電子顯微鏡(SEM)以200倍觀察由此呈現(xiàn)的截面并獲得圖像。 然后，根據(jù)所獲得的圖像對(duì)空隙部分和除空隙部分之外的部分進(jìn)行二值化處理，接著算出空隙部分占導(dǎo)熱性片材的整個(gè)截面積的面積比。將結(jié)果示于表1 表3中。8.高度差追隨性(3點(diǎn)彎曲試驗(yàn))依據(jù)日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)JIS K 7171 (2008年)對(duì)實(shí)施例1 16的熱硬化前的導(dǎo)熱性片材實(shí)施下述試驗(yàn)條件下的3點(diǎn)彎曲試驗(yàn)，從而根據(jù)下述評(píng)價(jià)基準(zhǔn)評(píng)價(jià)高度差追隨性。將結(jié)果示于表1 表3中。試驗(yàn)條件
試驗(yàn)片尺寸 20mm X 15mm支點(diǎn)間距離5mm試驗(yàn)速度20mm/min (壓頭的按壓速度)彎曲角度120度評(píng)價(jià)基準(zhǔn)◎完全沒有觀察到斷裂。〇幾乎沒有觀察到斷裂。X能清楚地觀察到斷裂。9.印刷標(biāo)記可視性(印刷標(biāo)記附著性由噴墨印刷或激光印刷所印刷的標(biāo)記的附著性)通過(guò)噴墨印刷和激光印刷在實(shí)施例1 16的導(dǎo)熱性片材上印刷標(biāo)記，觀察該標(biāo)記。結(jié)果可確認(rèn)，在實(shí)施例1 16的導(dǎo)熱性片材的任一個(gè)上都能良好地看到由噴墨印刷和激光印刷這兩者所印刷的標(biāo)記，印刷標(biāo)記附著性良好。表 1
權(quán)利要求
1.一種導(dǎo)熱性片材，其含有板狀的氮化硼顆粒，其特征在于，上述導(dǎo)熱性片材的與厚度方向正交的方向的熱導(dǎo)率為4W/m · K以上， 體積電阻為IX 101° Ω · cm以上。
2.一種導(dǎo)熱性片材，其含有板狀的氮化硼顆粒，其特征在于，上述導(dǎo)熱性片材的與厚度方向正交的方向的熱導(dǎo)率為4W/m · K以上， 厚度300 μ m的上述導(dǎo)熱性片材對(duì)波長(zhǎng)500nm的光的透射率為10%以下。
3.一種導(dǎo)熱性片材，其含有板狀的氮化硼顆粒，其特征在于，上述導(dǎo)熱性片材的與厚度方向正交的方向的熱導(dǎo)率為4W/m · K以上， 上述導(dǎo)熱性片材對(duì)500nm的光的表面反射率為以硫酸鋇的表面反射率為100%時(shí)的 70%以上。
4.一種發(fā)光二極管安裝基板，其特征在于，該發(fā)光二極管安裝基板包括 基板，其用于安裝發(fā)光二極管；導(dǎo)熱性光反射層，其形成在上述基板的表面上，由權(quán)利要求3所述的導(dǎo)熱性片材構(gòu)成的導(dǎo)熱性光反射層構(gòu)成。
5.—種導(dǎo)熱性粘接片材，其特征在于，該導(dǎo)熱性粘接片材包括導(dǎo)熱性層，其含有板狀的氮化硼顆粒，上述導(dǎo)熱性層的與厚度方向正交的方向的熱導(dǎo)率為4W/m · K以上；粘接劑層或粘著劑層，其層疊在上述導(dǎo)熱性層的至少一個(gè)面上。
全文摘要
本發(fā)明提供導(dǎo)熱性片材、發(fā)光二極管安裝基板和導(dǎo)熱性粘接片材。導(dǎo)熱性片材含有板狀的氮化硼顆粒。導(dǎo)熱性片材的與厚度方向正交的方向的熱導(dǎo)率為4W/m·K以上，體積電阻為1×1010Ω·cm以上。另外，導(dǎo)熱性片材對(duì)波長(zhǎng)500nm的光的透射率為10％以下。另外，導(dǎo)熱性片材對(duì)500nm的光的表面反射率(R)為以硫酸鋇的表面反射率為100％時(shí)的70％以上。發(fā)光二極管安裝基板包括用于安裝發(fā)光二極管的基板和形成在基板的表面上、由上述導(dǎo)熱性片材構(gòu)成的導(dǎo)熱性光反射層。導(dǎo)熱性粘接片材包括由上述導(dǎo)熱性片材構(gòu)成的導(dǎo)熱性層和層疊在導(dǎo)熱性層的至少一個(gè)面上的粘接劑層或粘著劑層。
文檔編號(hào)C08L63/00GK102190862SQ20111003463
公開日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2011年1月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月29日
發(fā)明者內(nèi)山壽惠, 原和孝, 平野仁嗣, 泉谷誠(chéng)治, 福岡孝博 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社