專利名稱：聚合物光子晶體光纖制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于光通訊技術(shù)領(lǐng)域中涉及的一種聚合物光子晶體光纖的制備方法。
背景技術(shù)：
光纖是光通訊的信息傳輸載體，是實現(xiàn)大容量高速寬網(wǎng)的主要手段之一，目前得 到迅速發(fā)展，主干線的通訊基本上實現(xiàn)了光纖傳輸，但光纖在局域網(wǎng)和光纖入戶方面還沒 有真正實現(xiàn)。目前主干線用光纖是由石英材料制成的，其成本高、柔韌性差，不適用于局域 網(wǎng)和光纖入戶，聚合物光纖以其柔韌性好、成本低、制備容易等優(yōu)點引起了人們的廣泛關(guān) 注，希望聚合物光纖在局域網(wǎng)和光纖入戶方面得到較多的應用，從而實現(xiàn)真正意義的光纖 入戶。但是目前作為聚合物光纖纖芯的聚甲基丙烯甲酯材料(PMMA)的損耗較大，其典型值 大于 140dB/km。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種聚合物光子晶體光纖的制備方法，采用MPOF為34孔PMMA聚合物 光纖，光纖外徑230微米，孔直徑14微米，使用氮氣吹洗光纖孔道內(nèi)表面，4份1毫升lmol/ L銀氨溶液與1份1毫升0. 5mol/L葡萄糖溶液混合的混合溶液，在3Kpa真空將蒸餾水稀釋 的混合溶液吸至MPOF中，在65攝氏度水浴中加熱2-60分鐘。其中，所述的一種聚合物光子晶體光纖的制備方法，其特征在于混合溶液經(jīng)蒸餾 水稀釋濃度為0. 16mol/L。其中，所述的一種聚合物光子晶體光纖的制備方法，其特征還在于混合溶液中添 加有苯酚，其與蒸餾水稀釋的混合溶液濃度比為2 1。其中，所述的一種聚合物光子晶體光纖的制備方法，其特征還在于在65攝氏度 水浴中加熱5-30分鐘。
具體實施例方式采用MPOF為34孔PMMA聚合物光纖，光纖外徑230微米，孔直徑14微米，使用氮 氣吹洗光纖孔道內(nèi)表面，4份1毫升lmol/L銀氨溶液與1份1毫升0. 5mol/L葡萄糖溶液混 合的混合溶液，在3Kpa真空將蒸餾水稀釋的混合溶液吸至MPOF中，在65攝氏度水浴中加 熱2-60分鐘。其中，混合溶液經(jīng)蒸餾水稀釋濃度為0. 16mol/L。其中，混合溶液中添加有苯酚，其與蒸餾水稀釋的混合溶液濃度比為2 1。其中，當添加與蒸餾水稀釋的混合溶液濃度比為2 1的苯酚，在65攝氏度水浴 中加熱時間減小到5-30分鐘，銀層厚度在50-300nm之間，電阻為0. 5歐姆/厘米。使用上述方法，在MPOF內(nèi)部不會形成“銀島”避免光纖微孔堵塞，銀層形貌規(guī)則， 厚度均勻。同時混合溶液的濃度對銀層的厚度有較大影響，應當避免使用濃度過大的混合 溶液。
本發(fā)明不限于上述實施例，在本發(fā)明的構(gòu)思范圍內(nèi)，根據(jù)上述說明書的描述，本領(lǐng) 域的普通技術(shù)人員還可作出一些顯而易見的改變，但這些改變均應落入本發(fā)明權(quán)利要求的 保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種聚合物光子晶體光纖的制備方法，其特征在于采用MPOF為34孔PMMA聚合物 光纖，光纖外徑230微米，孔直徑14微米，使用氮氣吹洗光纖孔道內(nèi)表面，4份1毫升lmol/ L銀氨溶液與1份1毫升0. 5mol/L葡萄糖溶液混合的混合溶液，在3Kpa真空將蒸餾水稀釋 的混合溶液吸至MPOF中，在65攝氏度水浴中加熱2-60分鐘。
2.如權(quán)利要求1所述的聚合物光子晶體光纖的制備方法，其特征在于混合溶液經(jīng)蒸 餾水稀釋濃度為0. 16mol/L。
3.如權(quán)利要求2所述的聚合物光子晶體光纖的制備方法，其特征在于混合溶液中添 加有苯酚，其與蒸餾水稀釋的混合溶液濃度比為2 1。
4.如權(quán)利要求3所述的聚合物光子晶體光纖的制備方法，其特征在于在65攝氏度水 浴中加熱5-30分鐘。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種聚合物光子晶體光纖，以聚合物光子晶體光纖空氣陣列為模板，制備銀微米管陣列修飾聚合物光子晶體光纖，光纖表面孔洞獲得規(guī)則的銀微米管狀結(jié)構(gòu)，具有良好導電性。
文檔編號C08L33/12GK102122020SQ20101050527
公開日2011年7月13日 申請日期2010年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月13日
發(fā)明者孫義興, 廖鄭洪, 張華 , 張臘生, 李濤, 李炳惠, 許建國, 謝河彬, 譚會良, 陳曲 申請人:成都亨通光通信有限公司