專利名稱：一種導(dǎo)熱絕緣薄膜材料及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜材料，尤其是涉及一種導(dǎo)熱絕緣薄膜材料及其制造方法。
背景技術(shù)：
目前，許多電子電器設(shè)備會產(chǎn)生大量熱量，這些熱量若不能及時排出，積 聚到一定程度勢必會對電子電器的元器件及設(shè)備本身造成損害。通常情況下， 人們使用高導(dǎo)熱性的金屬材料，如鋁、鋁合金、銅等，做成散熱片。但由于這 些散熱片是由金屬材料制成，實際安裝時，需要用一些不導(dǎo)電絕緣材料將其與 電子電器的導(dǎo)電部分隔開，而現(xiàn)有的不導(dǎo)電絕緣材料自身導(dǎo)熱效率不高，它的 介入勢必影響了整個電子電器系統(tǒng)散熱效果的提高。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種既導(dǎo)熱又絕緣薄膜材料，在提升整個電子電器散 熱裝置的散熱效果的同時，還具有抗折彎、易加工的特性。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的導(dǎo)熱絕緣薄膜材料，其的組份和重量百分?jǐn)?shù)范圍為立方氮化硼8-20%,納米氧化鋯5-10%，納米二硫化鉬卜5%，納米級 樹脂卜5%，橡膠材料60-85%。在上述導(dǎo)熱絕緣薄膜材料中，所述的立方氮化硼比體積電阻在2(TC時為1. 7 X 105 m，在500。C時為2. 3 X 1012 m;熱導(dǎo)率為12. 3-28. 9W/ (m K)。在上述導(dǎo)熱絕緣薄膜材料中，所述的納米氧化鋯D50為0. 1-3微米，比表面積大于40m2/g。在上述導(dǎo)熱絕緣薄膜材料中，所述的納米二硫化鉬D50為0. 1-3微米，比表面積大于40mVg。在上述導(dǎo)熱絕緣薄膜材料中，所述的橡膠材料為可以進行輥壓和雙向拉伸的所有橡膠材料，尤其是聚異丁烯。本發(fā)明所述導(dǎo)熱絕緣薄膜材料制造方法之一為 (1)配料按以下重量百分比稱取配料，立方氮化硼8-20%，納米氧化鋯 5-10%，納米二硫化鉬2-10%，橡膠材料60-85%;(2) 混合將上述原料放入反應(yīng)釜中，在150-170。C下進行混合1-5小時；(3) 成型經(jīng)輥壓成型，輥溫IOO-250°C，輥壓時工作壓力為100-300MPa;(4) 包裝采用真空包裝機進行真空包裝。 本發(fā)明所述導(dǎo)熱薄膜材料制造方法之二為(l)配料按以下重量百分比稱取配料，立方氮化硼8-20%，納米氧化鋯 5-10%，納米二硫化鉬2-10%，橡膠材料60-85°/0;(2) 混合將上述原料放入雙螺桿擠出機中加熱至150-17(TC混合，熔融擠 出片材或厚膜，擠出時的工作壓力為120—300MPa;(3) 成型在100-150。C下，通過雙向拉伸機，同時或分別在垂直的兩個方 向(縱向，橫向)上對擠出機擠出的片材或厚膜進行拉伸，使分子鏈或結(jié)晶面 在平行于薄膜的平面方向進行了取向而有序排列，然后在拉緊狀態(tài)下熱定型， 使取向的大分子結(jié)構(gòu)固定下來，最后經(jīng)過適當(dāng)?shù)睦鋮s或熱處理制成薄膜；(4) 包裝采用真空包裝機進行真空包裝。 通過上述制造方法得到的導(dǎo)熱絕緣薄膜，其厚度為0. 01-3mm，導(dǎo)熱系數(shù)在5-20W/m K、其絕緣性能為20。C時體積電阻為0. 1 X 105m_l. 7X 105m。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點1、本發(fā)明使用納米二硫化鉬做微小 氣孔填充(填補)物，主要目的是把塑料材料之所有微小氣孔填充(填補)完全，使此設(shè)備的微小氣孔中無空氣存在達到提高導(dǎo)熱系數(shù)之目的。2、本發(fā)明提 供的導(dǎo)熱絕緣材料具有抗折彎，易加工成形等特性。3、本發(fā)明制造方法工藝簡 單，成本相對低廉。
具體實施方式
實施例一稱取20kg立方氮化硼、10kg納米氧化鋯、10kg納米二硫化鉬、60kg聚異 丁烯，將它們逐漸放入雙螺桿擠出機中，150-17(TC混合3小時，擠出后在 FEBOPP型三層共擠雙向拉伸薄膜生產(chǎn)線上進行拉伸。所得材料的厚度為0. 2mm, 導(dǎo)熱系數(shù)為18W/m K， 2(TC時體積電阻為1. 0X105m。 實施例二稱取15kg立方氮化硼、4kg納米氧化鋯、6kg納米二硫化鉬、75kg聚異丁烯, 將它們逐漸放入反應(yīng)釜中，150-17(TC混合3小時，得到濃稠狀高溫混合制碳混 合液體。然后將濃稠碳混合液體進行輥壓，輥壓溫度為20(TC，壓力為180MPa壓 成片。所得材料的厚度為l.Omm，所得材料的導(dǎo)熱系數(shù)為10W/m'K,2(TC時體積 電阻為0.6X105m。 實施例三稱取10kg立方氮化硼、6kg納米氧化鋯、4kg納米二硫化鉬、80kg聚異丁 烯，將它們逐漸放入反應(yīng)釜中，150-17(TC混合3小時，得到濃稠狀高溫混合制 碳混合液體。然后將濃稠碳混合液體進行輥壓，輥壓溫度為20(TC，壓力為 200MPa壓成片。所得材料的厚度為0. 8腿，導(dǎo)熱系數(shù)為6W/m K， 20。C時體積電 阻為0. 2X105m。本發(fā)明的導(dǎo)熱絕緣薄膜材料的厚度為0.01 3mm，導(dǎo)熱系數(shù)在5-20W/mK、 其絕緣性能為2(TC時體積電阻為0. lX105m 1.7X105m。所述的立方氮化硼比 體積電阻在20。C時為1.7Xl(fm，在50(rC時為2. 3X1012m;熱導(dǎo)率相當(dāng)高，約 為12. 3-28. 9W/ (m K)。所述的納米氧化鋯D50為0. 1-3微米，比表面積大于40m2/g。所述的納米二硫化鉬D50為0. 1-3微米，比表面積大于40m2/g。本發(fā)明的導(dǎo)熱絕緣薄膜材料可作為電子電器設(shè)備中使用的墊片材料，也可 以電子電器設(shè)備熱管理系統(tǒng)直到既導(dǎo)熱又絕緣的作用。這些材料可以使更多的 熱盡快被分散，因此能降低電子器件運行的溫度，提高電子器件的壽命。
權(quán)利要求
1、一種導(dǎo)熱絕緣薄膜材料，其特征在于它的組份和重量百分?jǐn)?shù)范圍為，立方氮化硼8-20％，納米氧化鋯5-10％，納米二硫化鉬2-10％，橡膠材料60-85％。
2、 如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)熱絕緣薄膜材料，其特征在于所述的立方氮化硼比體積電阻在2(TC時為1.7X105 m，在50(TC時為2.3X1012 m;熱導(dǎo)率為 12. 3-28. 9W/ (m K)。
3、 如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)熱絕緣薄膜材料，其特征在于所述的納米氧化 鋯D50為0. 1-3微米，比表面積大于40m7g。
4、 如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)熱絕緣薄膜薄膜材料，其特征在于所述的納米 二硫化鉬D50為0. 1-3微米，比表面積大于40m7g。
5、 如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)熱絕緣薄膜材料，其特征在于所述橡膠材料為可以進行輥壓和雙向拉伸的所有橡膠材料，尤其是聚異丁烯。
6、 一種導(dǎo)熱絕緣薄膜材料的制造方法，其特征在于(l)配料按以下重量百分比稱取配料，立方氮化硼8-20%，納米氧化鋯 5-10%，納米二硫化鉬2-10%，橡膠材料60-85%;(2) 混合將上述原料放入反應(yīng)釜中，在150-170'C下進行混合1-5小時；(3) 成型經(jīng)輥壓成型，輥溫100-25(TC，輥壓時工作壓力為100-300MPa;(4) 包裝采用真空包裝機進行真空包裝。
7、 一種導(dǎo)熱絕緣薄膜材料的制造方法，其特征在于(l)配料按以下重量百分比稱取配料，立方氮化硼8-20%，納米氧化鋯 5-10%，納米二硫化鉬2-10%，橡膠材料60-85%;(2) 混合將上述原料放入雙螺桿擠出機中加熱至150-17(TC混合，熔融擠 出片材或厚膜，擠出時的工作壓力為120—300MPa;(3) 成型在100-150'C下，通過雙向拉伸機，同時或分別在垂直的兩個縱向方向和橫向方向上對擠出機擠出的片材或厚膜進行拉伸，使分子鏈或結(jié)晶面 在平行于薄膜的平面方向進行了取向而有序排列，然后在拉緊狀態(tài)下熱定型，使取向的大分子結(jié)構(gòu)固定下來，最后經(jīng)過適當(dāng)?shù)睦鋮s或熱處理制成薄膜；(4)包裝采用真空包裝機進行真空包裝。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種導(dǎo)熱絕緣薄膜材料及其制造方法，此材料組份和重量百分?jǐn)?shù)范圍為，立方氮化硼8-20％，納米氧化鋯5-10％，納米二硫化鉬2-10％，橡膠材料60-85％，其中橡膠材料為可輥壓或雙向拉伸的橡膠材料，尤其是聚異丁烯。本發(fā)明制造方法是將上述原料按配比稱重后放入反應(yīng)釜中或雙螺桿擠出機中，在150-170℃下進行混合1-5小時，輥壓成型，輥溫100-250℃，工作壓力100-300MPa；拉伸成型，先熔融擠出片材或厚膜，在100-150℃下，對片材或厚膜進行雙向拉伸，經(jīng)適當(dāng)冷卻或熱處理制成薄膜。此薄膜材料厚度0.01～3mm，導(dǎo)熱系數(shù)5-20W/mK、絕緣性能為20℃時體積電阻為0.1×10⁵m～1.7×10⁵m。
文檔編號C08J5/18GK101333314SQ20071002462
公開日2008年12月31日 申請日期2007年6月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月25日
發(fā)明者耿世達 申請人:晟茂(青島)先進材料有限公司